中南大学模拟电子技术试卷(全四套)

一、填空题1、半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（√2U2）。

2、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（下降）。

共基极电路比共射极电路高频特性（好）。

3、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（串联）负反馈。

为了稳定输出电流，采用（）负反馈。

4、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

5、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

6、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。

7、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________。

8、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。

9、晶体管工作在放大状态的外部条件是。

10、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态.11、多级放大电路的耦合方式有、、等。

12、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入反馈。

13、有源滤波器的功能是，按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、、和全通滤波五种。

14、在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区，在比例运算电路中工作在区。

=0时，漏源之间存在导电沟道的称为型场效应管，漏源之间不15、当UGs存在导电沟道的称为型场效应管。

16、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为 dB。

17、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid 为 V，共模输入电压Uic为 V。

中南大学信息院《数电》（第一套）一、填空题：（每空1分，共15分）1.逻辑函数的两种标准形式分别为（）（）。

2.将2004个“1”异或起来得到的结果是（）o3・半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。

4.8位D/A转换器当输入数字量为5v。

若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为，则输出电压为（）V。

5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力強，（）的转换速度快。

6.由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。

7.与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。

二、根据要求作题：（共15分）1.将逻辑函数P=AE+AC写成与或非型表达式，并用集电极开路门来实现。

图1、2中电路均山CMOS门电路构成,写出P、Q的表达式,并画出对应A、・2B、C的P、Q波形。

和三、分析图3所示电路，写岀Fl、F2的逻辑表达式，说明电路的逻辑功能。

图中所用器件是8选1数据选择器74LS151o （10分）四、设计一位十进制数的四舍五入电路（采用842IBCD码）。

要求只设定一个输出，并画出用最简与非门实现的逻辑电路图。

（15分）、A的波形如图5 （a）（b）所示，设触发器的初态均为“0”，五、已知电路及CP 试画出输出端B和C的波形。

（8分）圈5 (a)六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图6 （a）所示，在示波器上观察到波形如图6（b）所示。

试问该电路是如何连接的？请在原图上画出正确的连接图，并标明T的取值。

（6分）7所示,其中RA=RB=IOkΩ, C=O. 1 μf,试问：七、电路如图fθ=?UO的频率为高电平期间，山555定时器构成的是什么电路，其输岀在1∙ Uk 构成的讣数器电路，要求：写出驱动方程、FF3JK 触发器FF1、FF22.分析由和 状态方程，列出状态转换表，画出完整的状态转换图；,脉冲过后TW=6∕f0,的初态为OoOuk 所加正脉冲的宽度为3•设Q3、Q2、QI 分） （共15 、Q3、Q2Q1将保持在哪个状态？组成的和同步十六进制加法计数器74LS1618所示是16*4位ROM 八、 图信号连续作用所示。

---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 …………中南大学考试试卷 （4） 时间100分钟20 ~20 学年 学期电子技术课程期末考试试题 80 学时，闭卷，总分100分，占总评成绩60 %一、填空题（共20分，每空1分）1、场效应管是（ ）控制元件，而双极型三极管是（ ）控制元件。

晶体管在模拟电路中工作在 （ ）区； 在数字电路中工作在（ ）区。

2、在一个交流放大电路中，测出某双极型三极管三个管脚对地电位为： (1)端为1.5V(2)端为4V(3)端为2.1V则(3)端为（ ）极； (3)该管子为（ ）型。

3、 若某一逻辑函数有n 个逻辑变量，则输入逻辑变量有（ ）种不同 取值的组合。

4、 一个逻辑函数全部最小项之和恒等于（ ）。

5、触发器按动作特点可分为基本型、同步型、（ ）和边沿型。

6、稳压管工作在（ ）区，一般要与（ ）串联使用。

7、已知某与非门的电压传输特性如图所示，由图可知：输出高电平OH V ＝ ； 输出低电平OL V ＝ ； 阈值电平 TH V ＝ ；8、下列电路中，不属于组合逻辑电路的是（ ）。

(A) 编码器； (B) 数据选择器； (C) 计数器。

9、集成运算放大器采用（ ）耦合方式，既可以放大（ ）信号，又可以放大（ ）信号。

10、七段LED 数码管的结构分为共阴极和（ ）两种。

11、可用于总线结构进行分时传输的门电路是（ ）。

(A) 异或门；(B) 同或门；(C) OC 门；(D) 三态门。

二、简要分析题(本题30分，每小题5分)1、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。

在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

2、试计算图示电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

3、写出下图电路输出逻辑表达式。

4、一组合逻辑电路如图所示，试分析其逻辑功能。

3、PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，PN结反向偏置时，内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。

《模拟电子技术》习题册学号姓名班级《二极管》练习1一、填空题1、在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体，加入（）元素可形成P 型半导体。

2、N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。

3、PN结上外加电源，其（）极接P区，（）极接N区，这种接法称为正向偏置，简称正偏。

4、多子的运动称为（）运动，少子的运动称为（）运动。

5、给PN结外加正向电压，产生外电场，会（）内电场，打破PN结动态平衡，一方面促进（）的运动，另一方面抑制（）的运动，从而形成较大的正向电流。

6、二极管具有（）特性。

7、按照半导体材料的不同，二极管可以分为（）和（）二极管。

二、简答题1、请问温度影响P型半导体（或N型半导体）多子的浓度吗？2、如何用万用表判断二极管的极性？三、选择题1、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A. 增大B. 不变C. 减小四、在下图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA 时才能正常工作。

试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？《二极管》练习2一、填空题1、稳压管工作在( )区。

二、分析下图所示各电路，写出其输出电压值，设二极管导通压降为0.7V。

三、电路如下图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u O的波形（设二极管为理想二极管）。

四、电路如下图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通压降为0.7V，试画出ui 与u O的波形。

《二极管》、《三极管》强化练习一、选择题1、本征半导体温度升高以后，（）。

A自由电子增多空穴数基本不变B空穴数增多自由电子数基本不变C自由电子和空穴数都增多数目相同D自由电子和空穴数都不变2、空间电荷区是由（）构成的。

A电子B空穴C离子D分子3、二极管电路如下图所示，设二极管是理想二极管，求出AO两端的电压（）。

A 12B —12C 15D 04、测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示，试分析管子的工作状态。

《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。

2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。

３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。

４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。

５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。

６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。

二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则（）。

A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。

Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。

Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
1.
答案:
2.
答案:
6
3.晶体管能够实现放大的外部条件是（）。

答案:
发射结正偏，集电结反偏
4.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（）。

答案:
晶体管参数受温度影响
5.实现输入电阻高、输出电压稳定，应该引入（）负反馈。

答案:
电压串联
6.
答案:
-u I 7.
答案:
8.
答案:
方波9.
答案:
b
10.现有阻容耦合基本放大电路如下，输出电压与输入电压同相的电路是
（）。

答案:
共集电路
共漏电路
11.
答案:
R b2开路
R b1短路
Rc短路
答案:
Uo(av)=9V
Uo(av)=18V
Uo(av)=28.2V
13.MOS管只有多子参与导电。

（）
答案:
正确
14.MOS管一旦预夹断，管子立即进入截止区。

（）
答案:
错误
15.
答案:
正确
16.二极管具有（）导电特性。

答案:
单向
17.
答案:
饱和
18.
答案:
截止19.
答案:
100 20.
答案:
-12。

---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷 2011 ~2012 学年2学期 模电II 课程 时间100分钟 48 学时， 3 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 %—、填空题(10分，每空1分) 1.在本征半导体中加入__五价___元素可形成N 型半导体，加入__三价___元素可形成P 型半导体。

2.集成运放的输入级采用差动放大电路的原因是__减小温漂__。

3.对于放大电路，所谓开环是指 _无反馈通路_，而所谓闭环是指 __存在反馈通路__。

4.交流负反馈是指__在交流通路中的负反馈___。

5.为了稳定静态工作点，应引入 直流负反馈 ；为了稳定放大倍数，应引入 交流负反馈 。

6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用 低通滤波电路。

7.功率放大电路的转换效率是指__最大输出功率与电源提供的平均功率之比_。

二、已知稳压管的稳定电压U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW 。

试求图所求电路中电阻R 的取值范围。

（10分） 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω=-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R三、电路如图所示，晶体管的β=60，r bb '=100Ω。

求解Q 点、u A 、R i 和R o ； (15分）解：Q 点：A R R U V I e b BEQ CC BQ μβ31)1(≈++-= mA I I BQ CQ 86.1≈=βV R R I V U e c EQ CC CEQ 56.4)(=+-≈ u A 、R i 和R o 的分析： Ω≈++=952mV 26)1(EQ bb'be I r r β Ω≈=952be b i r R R ∥95)(be L c -≈-=r R R A u ∥β Ω==k 3c o R R四、通用型集成运放一般由几部分电路组成？每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ （10分）解： 通用型集成运放通常由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四部分组成。

直流电压表测出 UCE≈0V，有
可能是因为 C 或 D 。
A. Rb 开路
B. Rc 短路
C. Rb 过小
D. β过大
3. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C、D 。
A. 电阻阻值有误差
B. 晶体管参数的分散性
C. 晶体管参数受温度影响
D. 电源电压不稳定
4. 用 恒 流 源 取 长 尾 式 差 分 放 大 电 路 中 的 发 射 极 电 阻 Re ， 将 使 单 端 电 路 的 B。
A
（2）制作频率为 2MHz ∼ 20MHz 的接收机的本机振荡器，应选用
（3）制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用
C。
。 B。
得分
评卷人
二、基本题（共 18 分）
1．电路如图所示，二极管导通电压 UD 约为 0.7V。试分别估算开关 S 断开和闭合时输出电压的数值。（本题 6 分）
解：当开关 S 断开时，二极管因加正向电压而处于导通状态，故输出电压 UO=V1－UD=5.3V 当开关 S 闭合时，二极管外加反向电压，因而截止，故输出电压 UO=V2 =12V
UCEQ = VCC − IEQRe ≈ 7.17V
（2）画微变等效电路
（3）求 解输入电 阻和电压 放大倍数 ： RL＝ ∞ 时
Ri = Rb //[rbe + (1+ β )Re ] ≈ 110kΩ
Ȧu
=
U̇ o U̇ i
=
(1+ β )Re rbe + (1 + β )Re
≈ 0.996
RL＝ 3k Ω 时
D. 净 输 入 量 减 小
8. 现 有 电 路 如 下 ：
A. RC 桥 式 正 弦 波 振 荡 电 路

第一章测试1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A:错B:对答案:A2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A:错B:对答案:A3.要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（）。

A:发射结正偏，集电结反偏B:发射结反偏，集电结正偏C:发射结正偏，集电结正偏D:发射结反偏，集电结反偏答案:A4.工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

A:90B:100C:83D:50答案:B5.在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（）。

A:C、B、EB:E、C、BC:E、B、CD:C、E、B答案:C6.A:8.7B:4.3C:5.7D:73答案:C7.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）区。

A:击穿B:截止C:放大D:可变电阻答案:B8.A:cB:aC:bD:d答案:AB9.A:cB:dC:bD:a答案:AD10.A:bB:cC:dD:a答案:AC第二章测试1.阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。

A:错B:对答案:B2.耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。

（）A:对B:错答案:B3.A:12B:0.5C:6D:0.7答案:A4.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）状态。

A:截止B:饱和C:击穿D:放大答案:A5.A:5.7B:4.24C:6D:4.03答案:D6.A:= -1200B:>1200C:=1200D:<1200答案:D7.A:10B:100C:40答案:B8.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（）。

A:共集电路B:共源电路C:共基电路D:共漏电路E:共射电路答案:ABDE9.A:B:C:D:答案:BCD10.在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（）耦合不能放大直流信号。

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题（110分钟）(第一套)一、填空题：（每空1分，共15分）=+的两种标准形式分别为（）、1．逻辑函数Y AB C（）。

2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。

3．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。

4．8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。

若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为10001000，则输出电压为（）v。

5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。

6．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。

7．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。

二、根据要求作题：（共15分）1．将逻辑函数 P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门”来实现。

2．图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q 的表达式，并画出对应A、B、C的P、Q波形。

三、分析图3所示电路：（10分）1）试写出8选1数据选择器的输出函数式；2）画出A2、A1、A0从000~111连续变化时，Y的波形图；3）说明电路的逻辑功能。

四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD码）。

要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。

（15分）五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。

（8分）BC六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示，在示波器上观察到波形如图5(b)所示。

试问该电路是如何连接的？请在原图上画出正确的连接图，并标明T的取值。

（6分）七、图6所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。

填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。

PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。

专科《模拟电子技术》模拟题试卷一. （共60题,共150分.1.理想的功率放大电路应工作于.)状态.（2分.A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案: C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于.)处将产生顶部失真.（2分.A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案: A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是.)接法.（2分.A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案: B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时, 应采用的最佳滤波电路是.).（2分.A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案: C5.为了提高电压放大倍数, 希望放大电路的.)大一些.（2分.A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案: D6.当PN给外加反向电压时, 其内部的扩散电流将.)漂移电流。

此时, 耗尽层的宽度将.).（2分.A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案: C7.差动放大电路的特点是抑制.)信号, 放大.)信号.（2分.A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案: B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位.).（2分.A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案: A9.直流电源滤波的主要目的是: .).（2分.A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案: D10.电路如图所示。

若V1管正负极接反了, 则输出.). （2分.A.只有半周波形B.全波整流波形, 但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案: D11.双极型三极管是控制器件, 当其工作在放大区时发射结需要加偏置, 集电结需要加偏置。

《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共1基组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基2极偏置。

6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。

7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（）。

答案:晶体管参数受温度影响2.实现输入电阻高、输出电压稳定，应该引入（）负反馈。

答案:电压串联3.现有阻容耦合基本放大电路如下，输出电压与输入电压同相的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路4.MOS管只有多子参与导电。

（）答案:正确5.晶体管能够实现放大的外部条件是（）。

答案:发射结正偏，集电结反偏6.二极管具有（）导电特性。

答案:单向7.下图电路中，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，VCC＝15V， RL＝8Ω，电路的最大输出功率Pomax =（）W。

【图片】答案:≈10.56W8.差动放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）。

答案:对共模信号的抑制能力越强9.甲类放大电路不适合作功率放大电路的原因是甲类放大容易（）。

答案:导致效率低、静态损耗大10.用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE，将会提高电路的（）。

答案:共摸抑制比11.在下图中，所有二极管均为理想二极管，则Vo=（）V【图片】答案:-212.在下图电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。

当负载电阻RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为（）V。

【图片】答案:2.1213.现有直接耦合基本放大电路如下，有电流放大，但没有电压放大作用的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路14.关于多级放大电路，下列说法正确的是（）。

答案:多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻_多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻_多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积15.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应小于10000。

（）答案:正确16.直接耦合多级放大电路不能放大交流信号。

（）答案:错误17.MOS管一旦预夹断，管子立即进入截止区。