电子技术基础智慧树知到课后章节答案2023年下同济大学

电子线路与数字逻辑智慧树知到课后章节答案2023年下南昌大学南昌大学第一章测试1.求一个逻辑函数的反函数可采用对偶定理。

答案:错2.对一个逻辑表达式采用公式化简法，得到的最简与或表达式不一定相同。

答案:对3.一组四位二进制数组成的BCD码能表示十六以内的任何一个十进制数。

答案:错4.表示任意两位无符号十进制数需要位二进制数。

答案:75.标准或-与式是由构成的逻辑表达式。

答案:最大项相与6.函数F =AB +BC，使F=1的输入ABC组合为答案:ABC = 1107.在下列各组变量取值中，能使函数F（A,B,C,D）=∑m（0,1,2,4,6,13）的值为1的是。

答案:01108.在四变量卡诺图中有个小方格是“1”。

答案:59.若将一个异或门（设输入端为A、B）当作反相器使用，则A、B端应连接。

答案:A或B中有一个接高电平10.下列四种类型的逻辑门中，可以用实现与、或、非三种基本运算。

答案:与非门第二章测试1.一般而言，同类型的门电路带下一级电路门的个数是不受限的。

答案:错2.集电极开路门可以实现高电压、大电流驱动。

答案:对3.三极管作为开关时工作区域是。

答案:放大区+截止区4.某集成电路芯片，查手册知其最大输出低电平V OL（max）=0.5V，最大输入低电平V IL（max）=0.8V，最小输出高电平V OH（min）=2.7V，最小输入高电平V IH（min）=2.0V，则其低电平噪声容限V NL= 。

答案:0.3V5.某集成门电路，其低电平输入电流为1.0mA，高电平输入电流为10μA，最大灌电流为8mA，最大拉电流为400μA，则其扇出系数为N= 。

答案:86.已知图示电路中各MOSFET管的=2V，若忽略电阻上的压降，则电路中的管子处于导通状态。

① ② ③④答案:④7.以下电路图是（）答案:或非门8. OC门在使用时须在（）之间接一电阻。

答案:输出与外接电源9.TTL门电路的灌电流负载发生在输出（）电平情况下。

软件工程经济学智慧树知到课后章节答案2023年下同济大学同济大学第一章测试1.软件工程经济学是关于在业务环境中做出与软件工程相关的决策。

软件产品、服务和解决方案的成功取决于良好的业务管理。

（）A:社会环境 B:技术环境 C:业务环境答案:业务环境2.中国软件工程知识体系(C-SWEBOK2019)软件工程经济学知识域有个知识模块和个知识点。

（）A:4，36 B:5，50 C:5，48答案:5，483.软件工程经济学的典型应用场景有：、、和。

（）A:软件项目后评估 B:软件研发成本度量 C:软件项目/产品的可行性研究 D:软件架构选型答案:软件项目后评估;软件研发成本度量;软件项目/产品的可行性研究;软件架构选型4.软件工程经济决策的目标包括、、。

（）A:提升客户满意度 B:节约成本 C:提高系统安全性 D:增加盈利答案:提升客户满意度;节约成本;增加盈利5.实证经济分析或实证研究是描述已发生事件或预测将发生事件的分析研究。

（）A:对 B:错答案:对第二章测试1.软件工程主要目标是。

（）A:运用新技术 B:满足客户需求 C:开发和运维高质量软件 D:节约成本答案:开发和运维高质量软件2.产品质量的多维度观点包括、、和。

（）A:用户的观点 B:生产者观点 C:产品的观点 D:基于价值的观点答案:用户的观点;生产者观点;产品的观点;基于价值的观点3.生产要素包括、、和。

（）A:资本 B:劳动力 C:信息 D:土地 E:数据答案:资本;劳动力;土地;数据4.与硬件相比，软件不会“磨损”，但是软件存在退化。

（）A:对 B:错答案:对5.外部性是指经济主体从事经济活动对他人或社会造成影响。

（）A:错 B:对答案:对第三章测试1.边际成本是指增加一个单位产品生产的成本增加额。

（）A:错 B:对答案:对2.软件成本的特性包括和。

（）A:高研发成本、低运维成本 B:高开发成本、低材料成本 C:高开发成本、低边际成本答案:高开发成本、低材料成本;高开发成本、低边际成本3.软件开发成本包括、、和。

电工与电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下广东工业大学广东工业大学绪论单元测试1.以下哪些领域会涉及到电工电子技术。

（）答案:交通运输;电力工业;计算机网络;航空航天第一章测试1.图中所示电阻R=5Ω，I=-2A。

则电流实际方向与参考方向（），U=（）。

答案:相反，10V2.图中所示电流I=（）。

答案:-2mA3.电路中12V的恒压源在电路中实际承担的是（）的作用，24V的恒压源在电路中实际承担的是（）的作用。

答案:负载，电源4.图中所示电流I=( )A，未知元件A两端的电压U=( )V。

答案:2A,22V5.电路图如图所示，若开关闭合，则当电位器滑动端移动时，A点电位的变化范围为（）V。

答案:3-6第二章测试1.在下图所示电路中，电源电压U = 6 V。

若使电阻R 上的电压U1 = 4 V，则电阻R 为（）欧姆。

答案:42.理想电压源和理想电流源可以等效互换。

（）答案:错3.在有n个结点、b条支路的连通电路中，可以列出独立KCL 方程和独立KVL方程的个数分别为（）。

答案:n-1；b-n+14.下图电路中，Is = 0 时，I = 2 A ，则当Is= 8 A 时，I 为（）。

(提示：Is = 0 时，该支路断开，由叠加原理考虑)答案:8 A5.戴维宁定理说明一个线性有源二端网络可等效为（）和内阻（）连接来表示。

（）答案:开路电压，串联第三章测试1.在图示电路中，开关S在t=0瞬间闭合，若u c(0-)=0V，则i(0+)为（）答案:1A2.图示电路在稳定状态下闭合开关S，该电路（）。

答案:不产生暂态过程，因为换路未引起 L的电流发生变化3.在图示电路中，开关S在t=0瞬间闭合，若 u C ( 0- ) = 4V，则 u R(0+)=（）V。

答案:84.换路定则指出：电感两端的电压是不能发生跃变的，只能连续变化。

（）答案:错5.换路定则指出：电容两端的电压是不能发生跃变的，只能连续变化。

城市轨道交通结构设计与施工智慧树知到课后章节答案2023年下同济大学同济大学第一章测试1.城市轨道交通带来的出行便捷不但可以形成良好的经济链，而且还能美化生活环境，优化投资环境，提高城市品质。

A:对 B:错答案:对2.早期的铁道施工技术含量不是很高，随着工程这个名称的出现，轨道交通工程或者铁道工程所包含的科学理论和技术手段就越来越丰富。

A:对 B:错答案:对3.在饱和地层由于浮力的作用，隧道不会发生下沉。

A:错 B:对答案:错4.城市轨道交通的设计与施工没有太大关系，完全可以脱离施工进行设计。

A:错 B:对答案:错5.我国是（）年在北京开始修建地下铁道的。

A:1975 B:1980 C:1965 D:1970答案:19656.我国城市轨道交通中（）占比最大。

A:地面线 B:高架线 C:地下线答案:高架线7.世界最早修建城市轨道交通系统的城市是（）。

A:伦敦 B:莫斯科 C:东京 D:纽约答案:伦敦8.城市轨道交通施工过程中的塌方施工容易发生在（）地层中。

A:松散砂卵石、高硬度漂石 B:高承压水层 C:沼气地层 D:淤泥质土答案:松散砂卵石、高硬度漂石9.我国城市轨道交通建设发展在传统技术阶段的主要特征为（）。

A:施工环境差 B:以人力施工为主 C:安全风险高 D:施工环境好答案:施工环境差;以人力施工为主;安全风险高10.城市轨道交通施工工效的问题不仅是施工组织和管理的问题，还与（）都有关系。

A:设计方案 B:施工方案 C:施工机械 D:组织管理答案:设计方案;施工方案;施工机械;组织管理第二章测试1.高架轨道区所受的荷载和房屋建筑所受的荷载完全不同，轨道区静载占的比例大，而且受载点不断变化。

A:对 B:错答案:错2.修建地下区间结构一般采用的方法有浅埋暗挖法、盾构法、明挖法，而对应的结构形式有拱形、圆形、矩形和U形等。

A:错 B:对答案:对3.高架车站采用的结构形式包括车站建筑与桥梁分离式结构和车站结构与桥梁联合式结构。

电子技术实践知到章节测试答案智慧树2023年最新哈尔滨师范大学第一章测试1.物质是由原子构成的，研究物质中电子的行为，是电子技术的最基础研究（）参考答案:对2.电子技术中，将物质分为导体、半导体、绝缘体（）参考答案:对3.电子技术的基础学科是化学（）参考答案:错4.人类对电的认识过程，是从电源开始的（）参考答案:错5.没有稳恒电流，就没有电子技术的发展（）参考答案:对第二章测试1.电子元件发展过程标志着电子技术发展过程（）参考答案:对2.电子管二极管中可以没有灯丝，电子三极管必须有灯丝（）参考答案:错3.导体的电阻特性，是因为原子核运动受阻造成的（）参考答案:错4.电容器具有通低频、阻高频的特性（）参考答案:错5.不论是半导体二极管还是三极管，都是由P型半导体材料和N型半导体材料构成的（）参考答案:对第三章测试1.智能芯片有自主意识（）参考答案:错2.第一代电子计算机使用了晶体管（）参考答案:错3.电路的电平状态可代替逻辑代数所表达的状态（）参考答案:对4.单片机的引脚都很多（）参考答案:错5.单片机之间、单片机与一些芯片之间可通讯（）参考答案:对1.复杂电子系统设计时，不用仿真（）参考答案:错2.项目启动到量产，需要反复测试和论证，并在市场中检验（）参考答案:对3.EMC是电磁干扰（）参考答案:错4.EMI是电磁辐射（）参考答案:错5.SI是信号完整性（）参考答案:对1.原理框图能体现系统的组成部分和基本结构（）参考答案:对2.产品选取控制芯片不仅要考虑性价比，还要考虑功能的恰到好处（）参考答案:对3.AT89C52单片机复位后，4组IO口都输出高电平（）参考答案:错4.AT89C52的定时器，不能用来写延迟函数（）参考答案:错5.用AD设计PCB，必须先绘制原理图（）参考答案:对1.EI型、C型、环形和R型铁芯变压器中，EI型贴心变压器效率最高（）参考答案:错2.电子产品选择电池的时候，尽量选择通用型电池，且要考虑其容量（）参考答案:对3.线性电源的效率高于开关电源（）参考答案:错4.开关电源的工作频率越高，其效率越高（）参考答案:对5.在音频功率放大器中，为了获得好的瞬态特性，必须使用线性电源（）参考答案:对1.示波器不能测量直流电压（）参考答案:错2.万用表用完后要打到OFF位置（）参考答案:对3.指针型万用表和数字万用表内部电池极性相同（）参考答案:错4.万用表测量未知电流时，一般先用最大量程（）参考答案:对5.高级信号发生器可结合MATLAB生成任意波形（）参考答案:对1.3D打印机只能打印塑料（）参考答案:错2.3D打印的打印模式，通常都是叠层打印（）参考答案:对3.打印模型的大小，可以超出打印区域（）参考答案:错4.3D打印时，无需调整载物平台的水平（）参考答案:错5.打印支撑结构和打印壳体，在打印完成后，需要分离（）参考答案:对。

模拟电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下齐鲁工业大学齐鲁工业大学第一章测试1.P型半导体是掺入三价元素形成的，多子是自由电子，少子是空穴。

（）A:对 B:错答案:错2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

A:杂质浓度 B:掺杂工艺 C:本征半导体 D:温度答案:杂质浓度3.PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

（）A:错 B:对答案:对4.稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

（）A:对 B:错答案:对5.空穴电流是由自由电子填补空位形成的。

（）A:错 B:对答案:错6.如图所示电路中，设二极管特性理想，则UO为（）。

A:－9V B:9V C:－12V D:12V答案:－9V7.如图所示，设二极管的导通电压U D＝0.7V，则U O＝（）V。

A:1.3V B:2V C:-2V D:0.7V答案:1.3V8.PN结正向偏置时，其内电场被（）。

A:削弱 B:增强 C:不变 D:不确定答案:削弱9.半导体二极管加正向电压时，有（）。

A:电流小电阻大 B:电流大电阻大 C:电流大电阻小 D:电流小电阻小答案:电流大电阻小10.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

（）A:对 B:错答案:错第二章测试1.某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V， V b =0.5V，V c= 3.6V，试问该三极管是（）型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的（）。

（）A:b B:a C:NPN D:c E:PNP答案:NPN;c2.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结正偏。

（）A:对 B:错答案:错3.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。

（）A:增大 B:交越失真 C:截止失真 D:减小。

E:饱和失真答案:截止失真;减小。

4.在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态，共基组态的频率响应好。

电子装配技术与实训智慧树知到课后章节答案2023年下潍坊市高密中等专业学校潍坊市高密中等专业学校模块一测试1.电阻器的标注方法主要有（）。

A:直接标注法 B:色环标注法 C:文字符号法 D:数码标注法答案:直接标注法;色环标注法;数码标注法2.电容器的标注方法主要有（）。

A:数码标注法 B:直接标注法 C:文字符号法 D:色环标注法答案:数码标注法;直接标注法;文字符号法;色环标注法3.在小型固定电感器的外壳上直接用文字符号标注出电感器的主要参数的方法称为直接标注法。

（）A:对 B:错答案:对4.二极管的核心就是一个PN结，从PN结的P区和N区各引出一个电极，用管壳封装起来即成二极管。

其中，P区引出的电极为二极管负极，N区引出的电极为正极。

（）A:对 B:错答案:错5.三极管按内部结构的不同可分为NPN型管和PNP型管。

（）A:错 B:对答案:对6.三极管有三个电极（）。

A:发射极c、基极b、集电极e B:基极c、集电极b、发射极e C:集电极c、发射极b、基极e D:集电极c、基极b、发射极e答案:集电极c、基极b、发射极e7.对于二级管来说，正向电阻越小、反向电阻越大越好。

正、反向电阻相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。

（）。

A:对 B:错答案:对8.若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路。

（）。

A:错 B:对答案:对9.若改变档位，则在正式测量前必须进行欧姆调零。

（）。

A:错 B:对答案:对10.万用表不用时，将档位开关打在空档位置，或打在交流电压1000V档。

（）。

A:错 B:对答案:对11.把烙铁头插入烙铁芯的电烙铁是（）电烙铁。

A:外热式 B:单用式 C:内热式 D:调温式答案:外热式12.下面有关焊剂的作用错误的是（）。

A:除去氧化物 B:促使焊料流动 C:防止氧化 D:扩大表面张力答案:扩大表面张力13.为延长烙铁的使用寿命，以下不正确的是（）。

电工电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下华北科技学院华北科技学院模块一测试1.利用叠加定理计算电路时，电压源不作用时，就将该电压源短路；电流源不作用时，就将该电流源开路。

（）A:错 B:对答案:对2.如图所示电路，开关闭合前电路已经处于稳态，t=0时开关闭合。

试用三要素法求t≥0时，电感电流为（）A。

A:B: C:答案:3.只含有一个动态储能元件的电路可以用一阶微分方程进行描述，因而称作一阶电路。

仅由外加激励引起的电路响应称为一阶电路的零状态响应。

（）A:错 B:对答案:对4.在换路瞬间，下列说法中正确的是（）。

A:电容电流必然跃变 B:电感电流不能跃变 C:电感电压必然跃变答案:电容电流必然跃变5.已知空间有a、b两点，电压，a点电位为，则b点电位为（）。

A:6V B:14V C:-6V答案:-6V6.电路如图所示，应用戴维宁定理计算图中24Ω电阻中的电流I为（）。

A:0.2A B:0.5A C:5A答案:0.2A7.求图中电路从R2端看进去的等效电阻Ro=（）Ω。

A:1 B:-2 C:2答案:18.下图所示电路中电压源模型变换为电流源模型，正确的选项为（）。

A: B: C: D:答案:9.某电阻R上U、I参考方向不一致，令U=-10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（）。

A:-200Ω B:±200Ω C:200Ω答案:±200Ω10.利用KCL、KVL求解图中的电压U，则U=（）V。

A:4 B:2 C:8答案:811.已知下图中，则（）A。

A:2 B:3 C:5答案:312.电路如下图所示，各元件发出或吸收功率的实际情况说法正确的是（）。

A:电阻吸收功率，电压源与电流源发出功率 B:电阻与电流源吸收功率，电压源发出功率 C:电阻与电压源吸收功率，电流源发出功率 D:电阻吸收功率，发出功率情况无法确定答案:电阻与电压源吸收功率，电流源发出功率13.电路如图所示，已知：，U=10V , 下面说法正确的是（）。

电路基础智慧树知到课后章节答案2023年下江西理工大学江西理工大学第一章测试1.电源就是把其他形式的能量转变为电能的装置。

（）答案:对2.电流计算结果为负值，则表明电流的实际方向与电流的参考方向相同。

（）答案:错3.如果大小和方向都随时间变化的电流叫做（）答案:交流电流4.有一白炽灯泡标有：“220V 200W”的字样，则电阻为（）。

答案:242Ω5.电流与电压为关联参考方向是指（）。

答案:电流参考方向与电压降参考方向一致6.理想电压源和理想电流源间（）。

答案:没有等效变换关系7.必须设立电路参考点后才能求解电路的方法是（）。

答案:结点电压法8.当参考点改变时，电路中各点的电位值将（），任意两点间的电压值将（）。

答案:变化不变9.一电阻R上u、i参考方向不一致，令u=－10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（）答案:200Ω10.电路是由某些电工、电子器件或设备组合而成。

答案:对第二章测试1.应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为（）。

答案:短路2.在正弦交流电路中提高感性负载功率因数的方法是（）。

答案:负载并联电容3.平面图的回路内再无任何支路的闭合回路称为（）。

答案:网孔4.图示电路中网孔1的网孔电流方程为（）。

答案:11Im1－3Im2＝55.列网孔方程时，要把元件和电源变为（）才列方程式。

答案:电阻元件和电压源6.下图电路中，Is = 0 时，I = 2 A ，则当Is= 8 A 时，I 为（）。

答案:8 A7.图示电路中2Ω电阻的吸收功率P等于（）。

答案:8W8.网孔分析法和节点分析法只适应于直流电路。

（）答案:错9.运用施加电源法和开路电压、短路电流法，求解戴维宁等效电路的内阻时，对原网络内部独立电源的处理方法是不同的。

（）答案:对10.线性电路是由线性元件组成的电路。

答案:对第三章测试1.答案:2.在电阻、电感串联的电路中，存在的动态元件的是（）元件。

答案:电感3.答案:对4.答案:错5.一个交流LC并联电路，已知流过电感的电流I L＝5A，流过电容的电流I C=3A，则总电流I=（）A。

模拟电子技术基础（山东理工大学）智慧树知到课后章节答案2023年下山东理工大学山东理工大学第一章测试1.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3VA:对 B:错答案:对2.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0VA:错 B:对答案:对3.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）VA:2 B:1 C:0 D:3答案:04.电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）VA:2.1 B:2.3 C:2.2 D:2.4答案:2.35.稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好–A:错 B:对答案:错6.稳压管的正常工作区是反向区A:对 B:错答案:错7.二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化A:对 B:错答案:对8.扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的A:错 B:对答案:对9.当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置A:错 B:对答案:对10.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度A:对 B:错答案:对第二章测试1.共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（）A:4 B:1 C:3 D:2答案:12.共集电极放大电路的输入电阻比较高A:对 B:错答案:对3.共集电极放大电路的输出电阻比较低A:对 B:错答案:对4.共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路A:对 B:错答案:对5.直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化A:对 B:错答案:对6.不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正确吗A:对 B:错答案:错7.若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管A:对 B:错答案:错由于I CBO对温度非常敏感，当温度升高时，I CBO增高很快，所以I CEO增加得也很快，I C也就相应增加––A:对 B:错答案:对9.Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。