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常用场效应管参数及代换

常用场效应管参数及替代

FGA25N120AND （IGBT）1200V/25A//TO3P （电磁炉用）

FQA27N25 （MOSFET）250V/27A/TO3P IRFP254

FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264

FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P

FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A

FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P

FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E

FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50

FQA24N60 （MOSFET）600V/24A/TO3P

FQA10N80 （MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P

FQA13N80 （MOSFET）800V/13A/300W/0. Ω/TO3P

FQA5N90 （MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P

FQA9N90C （MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P

FQA11N90C （MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P

FFA30U20DN （快恢复二极管）200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管）600V/30A/90ns/TO220F MUR1560

FFA30U60DN （快恢复二极管）600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基）100V/30A/TO-220

MBRA3045NTU （肖特基）45V/30A/TO-3P

ISL9R3060G2 （快恢复二极管）600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管）600V/30A/35nS/TO247

FQP44N10 （MOSFET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220

IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P

IRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460

KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动

RHRP860 （快恢复二极管）600V/8A/30NS/TO-220 MUR860

RHRP1560 （快恢复二极管）600V/15A/TO0220 MUR1560

RHRP8120 （快恢复二极管）1200V/8A/75W/TO220

RHRP15120 （快恢复二极管）1200V/15A/TO220

RHRP30120 （快恢复二极管）1200V/30A/125W/TO220单DSEI20-10A RHRG30120 （快恢复二极管）1200V/30A/T03P

SSH45N20B （MOSFET）200V/45A/TO3P IRFP260

FGL40N150D （IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBT

FGL60N100BNTD （IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100

HGTG10N120BND （IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247

HGTG11N120CND （IGBT）1200V/43A/298W/TO247

HGTG18N120BND （IGBT）1200V/54A/390W/90ns/TO247

FQP5N50C （MOSFET）500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W

FQPF5N50C （MOSFET）500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET）500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET）500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75W FQP13N50 （MOSFET）500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET）500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET）500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W FQA16N50 （MOSFET）500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET）500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品

FQP18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品

FQPF18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品

FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品

FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品

FQA24N60 （MOSFET）600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品

FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品

FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品

IRF740B （MOSFET）400V/10A/0.55Ω/134W/TO220

IRF730B （MOSFET）400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220

IRF830B （MOSFET）500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220

IRF840B （MOSFET）500V/8A/0.85Ω/134W/TO220

IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P

IRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W

FQPF5N60C （MOSFET）600V/5A/TO220F

FQPF8N60C （MOSFET）600V/8A/TO220F

FQPF10N60C （MOSFET）600V/10A/TO220

FQPF12N60 （MOSFET）600V/12A/51W/0.65Ω/TO220F

FCP11N60 （MOSFET）650V/11A/125W0.32Ω/TO220

RHRD660S （快恢复二极管）600V/6A/TO-252

RHRP860 （快恢复二极管）600V/8A/75W/TO-220

RHRP1560 （快恢复二极管）600V/15A/TO-220单

2N7002 （三极管）60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET）100V/20A/110W/TO-252

HUF75639S3S （MOSFET）100V/56A/200W/TO-263

ISL9V3040D3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO252

ISL9V3040S3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO263

ISL9V5036S3S （IGBT）360V/46A/250W/TO262

FQP33N10L （MOSFET）100V/33A/52MΩ127W/TO220

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应

常用场效应管参数大全

常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机

全系列场效应管参数

K2843600V10A45W N 07N03L 30V 80A 150W N 10N20 10A 200V N 沟道MOS管 10N60 10A 600V 11N80 11A 800V 156W 11P06 60V 9.4A P沟道直插 13N60 13A 600V N 沟道 15N03L 30V 42A 83W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 40N03H 30V 40A N 4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W 5N90 5A 900V 5P25 250V 5A 6030LX 30V 52A 42W N 603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS 6A60 600V 6A N 6N70 700V 6A N 6P25 250V 6A 70L02 70N06 70A 60V 125W 7N60 600V 7A N,铁 7N70 7A 700V 85L02 8N25 250V ,8A ,同IRF634 95N03 25V 75A 125W 9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新 9N60 9A 600V 9N70 9A 700V AF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一 A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片 A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片 A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片 A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片 A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚 A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片 A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚

电脑主板适用场效应管参数及代换

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩ TO-252 3353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩ T O-263 3354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ 2SK 3355-ZJ 2SK 3355-ZJ TO-263 3355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ 2SK 3354-S-Z 2SK 3354-S-Z TO-263 3366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换 30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩ TO-252 3367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换 30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩ TO-252 3377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩ TO-252 3385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ 2SK 3386-Z 2SK 3386-Z TO-252 3386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ 2SK 3385-Z 2SK 3385-Z TO-252 3900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩ TO-263 3901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ TO-263 3902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩ TO-263 3943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩ TO-263 738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管 30V，2A，20W，Ron=0.25Ω TO-252 MTD 10N05A N通道，功率场效应管 50V，10A，1.8W，Ron=0.1Ω MTD 3055A TO-252 10N05E 10N05E1 N通道，功率场效应管 50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1Ω TO-252 10N08E 10N08E1 N通道，功率场效应管 80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12Ω TO-252 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 3055A N通道，功率场效应管 60V，8A，1.8W，Ron=1.5Ω MTD 10N05A TO-252

场效应管系列参数

场效应管系列参数上一页场效应管系列参数(1) 型号沟道类型耐压（V） V 电流 ( I ) A 功率 (PD/P 沟)W 内阻 (Rds) 脚位 IRF530*N100V14A88W<0.16GDS IRF540*N100V28A150W<77m GDS IRF630*N200V9A74W<0.4GDS IRF640*N200V18A125W<0.18GDS IRF644*N250V14A125W<0.28GDS IRF730*N400V 5.5A74W<1.0GDS IRF740*N400V10A125W<0.55GDS IRF830*N500V 4.5A74W<1.5GDS IRF840*N500V8A125W<0.85GDS IRF1010E*N60V81A170W<12m GDS IRF2807*N0.3ma Up<5v DGS 2SK117N NF/ra,50V Idss>0.6ma Up<1.5v

场效应管对照表

场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下： ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

场效应管的主要参数

一：场效应管的主要参数 (1)直流参数饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。本站链接:场效应管的参数查询

二：场效应管的特点场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强。三. 符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：

Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：四. 场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。五主板上用的场效应管的特性：

用场效应管参数大全.pdf2

用场效应管参数大全宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小] 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3 2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201PMOS n 2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB 2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W 2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针

IRF系列场效应管参数

IRF系列场效应管参数明细型号厂家用途构造沟道方式v111(V) 区分ixing(A) pdpch(W) waixing IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3 IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3

常用场效应管参数大全 (2)

型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3

场效应管参数解释(精)

场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有 3个极性,栅极, 漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1. 概念 : 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写 (FET简称场效应管 . 由多数载流子参与导电 , 也称为单极型晶体管 . 它属于电压控制型半导体器件 . 特点 : 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点 , 现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 . 作用 : 场效应管可应用于放大 . 由于场效应管放大器的输入阻抗很高 , 因此耦合电容可以容量较小 , 不必使用电解电容器 . 场效应管可以用作电子开关 .

场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换 . 常用于多级放大器的输入级作阻抗变换 . 场效应管可以用作可变电阻 . 场效应管可以方便地用作恒流源 . 2. 场效应管的分类 : 场效应管分结型、绝缘栅型 (MOS两大类按沟道材料 :结型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种 . 按导电方式 :耗尽型与增强型 , 结型场效应管均为耗尽型 , 绝缘栅型场效应管既有耗尽型的 , 也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管 , 而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型 ;P 沟耗尽型和增强型四大类 . 见下图 : 3. 场效应管的主要参数 : Idss —饱和漏源电流 . 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 , 栅极电压 UGS=0时的漏源电流 . Up —夹断电压 . 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 , 使漏源间刚截止时的栅极电压 . Ut —开启电压 . 是指增强型绝缘栅场效管中 , 使漏源间刚导通时的栅极电压 . gM —跨导 . 是表示栅源电压 UGS —对漏极电流 ID 的控制能力 , 即漏极电流ID 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值 .gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数 . BVDS —漏源击穿电压 . 是指栅源电压 UGS 一定时 , 场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压 . 这是一项极限参数 , 加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.

常用场效应管参数大全(1)

场效应管参数用途大全解析

型号材料管脚用途参数 3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W 4405/R9524 2E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.36 2S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W 2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.5 2S J122P M O S G D S高速功放开关60V10A50W60/100n S0.15 2S J136P M O S G D S高速功放开关60V12A40W70/165n S0.3 2S J143P M O S G D S功放开关60V16A35W90/180n S0.035 2S J172P M O S G D S激励60V10A40W73/275n S0.18 2S J175P M O S G D S激励60V10A25W73/275n S0.18 2S J177P M O S G D S激励60V20A35W140/580n S0.085 2S J201P M O S n 2S J306P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S J312P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S K30N J S D G低放音频50V0.5m A0.1W0.5d B 2S K30A N J S D G低放低噪音频50V0.3-6.5m A0.1W0.5d B 2S K108N J S G D音频激励开关50V1-12m A0.3W701D B 2S K118N J S G D音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5d B 2S K168N J G S D高频放大30V0.01A0.2W100M H z1.7d B 2S K192N J D S G高频低噪放大18V12-24m A0.2W100M H z1.8d B 2S K193N J G S D高频低噪放大20V0.5-8m A0.25W100M H z3d B 2S K214N M O S G S D高频高速开关160V0.5A30W 2S K241N M O S D S G高频放大20V0.03A0.2W100M H z1.7d B 2S K304N J G S D音频功放30V0.6-12m A0.15W 2S K385N M O S G D S高速开关400V10A120W100/140n S0.6 2S K386N M O S G D S高速开关450V10A120W100/140n S0.7 2S K413N M O S G D S高速功放开关140V8A100W0.5(2S J118) 2S K423N M O S S D G高速开关100V0.5A0.9W4.5 2S K428N M O S G D S高速开关60V10A50W45/65N S0.15 2S K447N M O S S D G高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2S K511N M O S S D G高速功放开关250V0.3A8W5.0 2S K534N M O S G D S高速开关800V5A100W4.0 2S K539N M O S G D S开关900V5A150W2.5 2S K560N M O S G D S高速开关500V15A100W0.4 2S K623N M O S G D S高速开关250V20A120W0.15 2S K727N M O S G D S电源开关900V5A125W110/420n S2.5

全系列场效应管参数

K2843 600V 10A 45W N 07N03L 30V 80A 150W N 10N20 10A 200V N 沟道MOS管 10N60 10A 600V 11N80 11A 800V 156W 11P06 60V 9.4A P沟道直插 13N60 13A 600V N 沟道 15N03L 30V 42A 83W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 40N03H 30V 40A N 4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W 5N90 5A 900V 5P25 250V 5A 6030LX 30V 52A 42W N 603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS 6A60 600V 6A N 6N70 700V 6A N 6P25 250V 6A 70L02 70N06 70A 60V 125W 7N60 600V 7A N,铁 7N70 7A 700V 85L02 8N25 250V ,8A ,同IRF634 95N03 25V 75A 125W 9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新 9N60 9A 600V 9N70 9A 700V AF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片 A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片 A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片 A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片 A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚 A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片 A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚 A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片