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常用功率场效应管参数大全

常用场效应管参数————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期:ﻩ

场效应管分类DISCRETE MOS FETDISCRETE MOS FETDISCRETE MOS FETDISCRETE MOS FETDISCRETE MOS FETDISCRETE MOS FETDISCRETE MOS FETDISCRETE MOS FETDISCRETE MOS FETDISCRETE MOS FETDISCRETE MOS F

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常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关

常见场效应管参数表

.常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，

型号材料管脚用途参数IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5IRFPG42

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大NMOS GDS 开关2SJ117 PMOS GDS 音频开关 400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速开关 140V8A100W50/2SJ122 PMOS GDS 高速开关 60V10A50W60/2SJ136 PMOS GDS 高速开关 60V12A40W 70/2SJ143 PMOS GDS 开

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0・52SJ122 PMOS GDS 咼速功放开关60V10A50W60

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10

常用场效应管参数常用全系列场效应管MOS 管型号参数封装资料(2008-05-17 13:21:38)转载标签：分类：电气知识mos（和谐社会）场效应管开关管型号参数封装it场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISC

（IRF系列）型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A) pdpch(W)waixingIRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 I

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大 NMOS GDS 开关2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/2SJ143 PMOS

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT）1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET）250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/

场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件--------------------------------------------------------------1.概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(F

常用场效应管参数

常用场效应管型号及参数表（三）2609 IRFF111 IR N 60 3.5 15 TO-205AF 2610 IRFF112 IR N 100 3.0 15 TO-205AF 2611 IRFF113 IR N 60 3.0 15 TO-205AF 2612 IRFF120 IR N 100 6.0 20 TO-205AF 2613 IRFF121 IR

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/3