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硅基光电材料的研究与开发近年来，随着信息技术的飞速发展，人们对光电材料的需求不断增加。
其中，硅基光电材料作为一种重要的功能材料，具有广泛的应用前景。
本文将探讨硅基光电材料的研究与开发，并对其未来发展进行展望。
1. 硅基光电材料的特点与应用硅基光电材料是一类以硅为基底的材料，具有许多独特的特点。
首先，硅基光电材料具有良好的光电特性，能够将光信号转化为电信号，实现能量的转换与传输。
其次，硅基光电材料的制备工艺成熟，生产成本低廉，适应了大规模生产的需求。
此外，硅基材料还具有可塑性好、稳定性高等优点，能够适应不同场合的需求。
硅基光电材料在各个领域都有广泛的应用。
在电子工业中，硅基光电材料可用于制备光电器件，如太阳能电池、光电传感器等。
在医学领域，硅基光电材料可用于制备生物传感器，实现对生物分子的便捷检测。
在光通信领域，硅基光电材料可用于光纤通信与光波导的制备，提高传输效率与稳定性。
2. 硅基光电材料的研究进展近年来，随着科学技术的不断进步，对硅基光电材料的研究也越发深入。
研究人员通过对硅基材料的改性与掺杂，提高了其光电性能。
例如，研究人员通过对硅基材料进行微纳加工，制备了纳米结构材料，进一步提高了其光电转化效率。
此外，研究人员还研发了一系列基于硅基材料的新型光电器件。
例如，利用硅基材料的光致发光效应，研究人员成功制备了硅基发光二极管，实现了基于硅材料的光发光器件的突破。
同时，硅基光电材料的研究还推动了光通信技术的发展，使其在高速传输与大容量数据存储方面取得了重要突破。
3. 硅基光电材料的未来发展在未来，硅基光电材料有望在多个领域得到广泛应用。
首先，在太阳能领域，硅基光电材料的高效转换性能将有助于提高太阳能电池的能量转换效率，推动可再生能源的发展。
其次，在信息通信领域，硅基光电材料的突破性进展将推动光通信技术的飞速发展，提高数据传输的速率与稳定性。
此外，硅基光电材料在医学诊断与治疗领域也具有广阔的前景。
随着人们对生命科学的深入研究，硅基生物传感器的需求不断增加，其在生物分子检测、疾病诊断与治疗等方面的应用将逐步扩大。
太阳能电池用硅材料的研究现状与发展趋势一、本文概述随着全球能源结构的转型和环保意识的日益增强，可再生能源的开发和利用已经成为当今世界的重要议题。
其中，太阳能作为一种清洁、无污染、可持续的能源形式，受到了广泛关注。
太阳能电池作为将太阳能转化为电能的关键设备，其性能与材料的选择密切相关。
硅材料因其优异的半导体性能、丰富的储量以及相对成熟的生产工艺，成为了太阳能电池的主流材料。
本文旨在探讨硅材料在太阳能电池领域的研究现状，分析其在不同应用场景下的性能特点，并展望其未来的发展趋势。
本文将对硅材料的基本性质进行介绍，包括其晶体结构、电子特性以及光学性质等，为后续的研究提供理论基础。
我们将详细分析当前硅材料在太阳能电池中的应用现状，包括不同类型的硅太阳能电池（如单晶硅、多晶硅、非晶硅等）的优缺点、制造工艺以及光电转换效率等方面的内容。
我们还将探讨硅材料在柔性太阳能电池、异质结太阳能电池等新型电池技术中的应用前景。
在此基础上，本文将深入探讨硅材料研究的最新进展，包括纳米硅材料、硅基复合材料以及表面改性技术等新型硅材料的开发与应用。
这些新技术和新材料的出现，为硅太阳能电池的性能提升和成本降低提供了新的可能性。
我们将对硅材料在太阳能电池领域的发展趋势进行展望，探讨未来硅材料研究的方向和重点，以期为推动太阳能电池的持续发展和广泛应用提供参考。
二、硅材料的性质及其在太阳能电池中的应用硅是一种半导体材料，具有独特的电子结构，使其成为太阳能电池的理想选择。
硅的禁带宽度适中（约为1电子伏特），可以吸收可见光及近红外光区的太阳光，使其具有较高的光电转换效率。
硅材料还具有丰富的储量、良好的稳定性和相对较低的成本，这些因素使得硅成为商业化太阳能电池中最广泛使用的材料。
硅材料主要分为单晶硅、多晶硅和非晶硅三种类型。
单晶硅具有最高的光电转换效率，但成本也相对较高；多晶硅成本较低，效率略低于单晶硅；非晶硅则以其低廉的成本和易于大规模生产的特性而受到关注，但其光电转换效率相对较低。
薄膜太阳电池的研发现状和产业发展
洪瑞江;沈辉
【期刊名称】《中国材料进展》
【年(卷),期】2009(028)009
【摘要】在人类社会可持续发展的进程中,必须解决好能源危机与环境保护等问题.在各国政府的大力扶持和相关鼓励政策的刺激和推动下,太阳能光伏产业得到了迅猛发展,光伏组件的成本不断降低,应用领域迅速扩大.其中,薄膜太阳电池由于其用料少、工艺简单、能耗低、成本有一定优势而越来越被业界所接受,近3年来薄膜太阳电池产业得到了较快发展,全球薄膜太阳电池产量从2007年的400 MW增长到2008年的890 MW,同比增长120%以上.目前已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种:硅基薄膜太阳电池、铜铟镓硒薄膜太阳电池(CIGS)和碲化镉薄膜太阳电池(CdTe).对上述3类薄膜太阳电池的特性、发展历史、研发现状以及产业发展状况作了介绍,对研究与产业中存在的问题以及未来研究方向也提出了看法.【总页数】10页(P35-44)
【作者】洪瑞江;沈辉
【作者单位】中山大学太阳能系统研究所,广东,广州,510006;中山大学太阳能系统研究所,广东,广州,510006
【正文语种】中文
【中图分类】TK512
【相关文献】
1.我国薄膜太阳电池产业发展概况 [J], 吴达成;刘馨
2.谈藏药研发现状及藏医药产业发展的建议 [J], 梅智胜
3.薄膜太阳电池系列讲座(12)硅基薄膜太阳电池(四) [J], 张晓丹;赵颖;熊绍珍
4.薄膜太阳电池系列讲座(21) 硅基薄膜太阳电池(十三) [J], 张晓丹;赵颖;熊绍珍
5.薄膜太阳电池系列讲座(20) 硅基薄膜太阳电池(十二) [J], 张晓丹;赵颖;熊绍珍因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
《探究nip型非晶硅薄膜太阳能电池的研究》1. 引言近年来，随着能源危机日益严重，太阳能作为清洁能源备受人们关注。
而nip型非晶硅薄膜太阳能电池作为一种新型高效太阳能电池，受到了广泛的研究和关注。
本文将针对nip型非晶硅薄膜太阳能电池进行深入探究，从深度和广度两个方面进行全面评估，并为读者提供有价值的文章。
2. nip型非晶硅薄膜太阳能电池概述2.1 nip型非晶硅薄膜太阳能电池的基本结构nip型非晶硅薄膜太阳能电池通常由n型非晶硅薄膜、i型非晶硅薄膜和p型非晶硅薄膜组成，其中i型层是光吸收层。
2.2 nip型非晶硅薄膜太阳能电池的工作原理当太阳光照射到nip型非晶硅薄膜太阳能电池时，光子被i型层吸收，激发出电子和空穴，从而产生光生电荷对。
3. nip型非晶硅薄膜太阳能电池的研究现状3.1 nip型非晶硅薄膜太阳能电池的发展历程nip型非晶硅薄膜太阳能电池的研究始于20世纪80年代，经过多年的发展，取得了显著的进展。
3.2 nip型非晶硅薄膜太阳能电池的研究热点当前，研究人员主要集中在提高nip型非晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率、稳定性和制备工艺上。
4. nip型非晶硅薄膜太阳能电池的优势与挑战4.1 优势：相较于传统多晶硅太阳能电池，nip型非晶硅薄膜太阳能电池具有较高的光吸收系数和较低的制备成本。
4.2 挑战：目前nip型非晶硅薄膜太阳能电池在光电转换效率、稳定性和长期耐久性方面仍存在挑战。
5. 个人观点与总结个人认为，nip型非晶硅薄膜太阳能电池作为一种新型高效太阳能电池，在清洁能源领域具有重要的应用前景。
鉴于其目前面临的挑战，未来的研究应该集中在提高光电转换效率、提升稳定性和减少制备成本上。
各界应该加大对nip型非晶硅薄膜太阳能电池的投入和支持，推动其在太阳能领域的广泛应用。
结语通过本文的探究，相信读者已经对nip型非晶硅薄膜太阳能电池有了更深入的理解。
未来，随着科技的不断进步和研究的不断深入，相信nip型非晶硅薄膜太阳能电池必将成为清洁能源领域的重要力量。
硅基太阳能电池的研究随着燃料短缺和环境污染等问题的加剧，全球对可再生能源的需求越来越迫切。
而太阳能作为最纯净的可再生能源之一，已成为当今世界最受瞩目的能源之一。
硅基太阳能电池作为最常见的太阳能电池，一直处于不断的研究之中，以提高其转换效率。
硅基太阳能电池的结构硅基太阳能电池是由p型硅、n型硅以及接口形成的太阳能电池。
n型硅表面镀有抗反射材料，以提高光吸收效率。
p型硅和n型硅的接触面称为pn结。
当太阳能照射到pn结时，电子和空穴被激发，形成电流。
这个电流经过导线进入电路，从而产生电能。
硅基太阳能电池的优缺点硅基太阳能电池的最显著的优点就是成本相对较低，而且材料容易获取。
此外，这种电池还具有可靠性强、寿命长、环境适应性好和维护方便等优点。
而与此同时，硅基太阳能电池也存在着一些缺点，其中最重要的缺点就是低转换效率。
硅基太阳能电池的转换效率约为20%左右，这意味着只有20%的阳光能被转化成电能，其余的能量则浪费在形成热能上。
目前，硅基太阳能电池的研究主要集中在提高其转换效率和降低成本两个方面。
为了提高转换效率，研究人员正在探索不同的方法，如使用多层次结构和多晶硅等技术。
另外，一种新的材料：铟锡氧化物，也被人们用来探索提高硅基太阳能电池效率的方法之一。
研究人员认为，铟锡氧化物可以提高硅基太阳能电池对光的吸收能力，进而提高转换效率。
此外，研究人员还在不断地试图开发更高效的太阳能电池和开发更加环保的材料，以及降低硅基太阳能电池的制造成本。
总结随着人们对可再生能源的需求越来越迫切，硅基太阳能电池作为最常见的太阳能电池，一直处于不断的研究之中。
硅基太阳能电池的优点在于成本低、寿命长、环境适应性好和维护方便等等。
而硅基太阳能电池的缺点就是低转换效率。
为了解决这个问题，研究人员正在探索不同的提高效率的方法，如多层次结构和多晶硅等技术。
铟锡氧化物作为新材料，也被人们视为提高硅基太阳能电池效率的方法之一。
虽然在研究的过程中还存在一些困难，但是人们相信，随着技术的不断发展和完善，硅基太阳能电池的效率将会越来越高，成本也会越来越低，真正实现太阳能作为可再生能源的可持续发展。
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硅基太阳能电池的研究和应用太阳能是一种可以重复使用的清洁能源，在全球能源危机的大背景下，能源效率和节能减排已成为人们关注的焦点，因此太阳能电池得到了广泛的关注和研究。
硅基太阳能电池是太阳能电池的一种主流，今天我们就来介绍一下硅基太阳能电池的研究和应用。
一、硅基太阳能电池概述硅基太阳能电池是将硅晶体材料制作成太阳能电池的一种形式。
硅晶体是半导体晶体中应用最广泛的材料之一，因此硅基太阳能电池得到了广泛的应用。
硅基太阳能电池通过将太阳能转换为电能，从而提供可靠的能源供应。
硅基太阳能电池的类型包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池等，但是单晶硅太阳能电池的效率最高，是最主要的硅基太阳能电池类型。
二、硅基太阳能电池的研究现状1.效率提高目前，硅基太阳能电池的效率已经超过了20％，然而，仍有人们不断地致力于提高硅基太阳能电池的效率。
例如，在单晶硅太阳能电池中，研究者们正在研究如何减轻光照均匀性不良的问题，同时改进电缆和电池连接器等外围设备，以提高装配效率和坚固性。
2.成本降低硅基太阳能电池的生产成本仍然较高，但是研究者们正在研究如何降低硅基太阳能电池的生产成本。
例如，他们正在研究如何改进硅基太阳能电池的制造过程，通过减少使用的原材料等方式来降低成本。
3.新技术开发除此之外，研究者们还在探索新技术，例如通过翻转太阳能电池来提高光吸收和电子收集效率，或通过引入新的掺杂元素来更改硅的组成，以提高电池效率等。
这些新技术让硅基太阳能电池更加高效，同时也让其可以被更广泛地应用。
三、硅基太阳能电池的应用硅基太阳能电池的应用范围非常广泛，主要可以分为以下几类：1.家用太阳能电池系统家用太阳能电池系统通常用于家庭供电，可以为家庭提供洗衣、夏天冷气等耗电设备的电力需求。
2.商业太阳能电池系统商业太阳能电池系统用于商业活动的场所，例如商场、超市、购物中心等地。
这些场所通常需要大量能源来维持正常的运营，使用太阳能电池系统可以在没有额外电源成本的情况下供电。
薄膜太阳能电池硅衬底陷光结构的研究进展＊耿学文,李美成,赵连城(哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,黑龙江哈尔滨150001)摘 要: 制备高效硅薄膜太阳能电池,需要在整个太阳光谱范围内进行有效陷光和保持低反射率。
最近,对于硅衬底的陷光结构展开了大量的研究工作。
综述了近年来硅衬底陷光结构的研究进展,分析了陷光结构制作的影响因素,展望了薄膜太阳能电池硅衬底陷光结构研究的发展趋势。
关键词: 薄膜太阳能电池;硅衬底;陷光结构中图分类号: TG146.4文献标识码:A 文章编号:1001-9731(2010)05-0751-041 引 言近年来,能源危机和环境污染的日趋严重极大地促进了光伏产业的迅速发展。
太阳能光伏发电的核心器件是太阳能电池,硅太阳能电池由于原料来源广泛,成本较低,占据着太阳能电池市场的主导地位。
降低成本和提高转换效率是太阳电池研究的重点方向。
为了进一步提高太阳电池的光电转换效率,澳大利亚和美国分别提出了第三代太阳能电池的概念,即通过研究太阳能电池的效率极限和能量损失机理,把一些新型电池结构引入薄膜太阳能电池的结构设计中。
第三代太阳能电池主要有叠层太阳能电池、热载流子太阳能电池和量子点太阳能电池等。
藉此,纳米材料和纳米结构由于其独特的物理特性被引入太阳能电池的研究,迅速引起了各国科研工作者的广泛关注[1～4]。
减少电池受光面上入射阳光的反射是提高太阳能电池的光电转换效率的手段之一。
常用的减反射措施主要有:(1)采用传统方法刻蚀硅衬底,刻蚀方法包括:酸、碱湿法刻蚀、反应离子刻蚀、光子/电子束刻蚀和机械刻槽等;(2)在硅衬底表面或电池的受光面制备TiO x(x≤2)、SiN x等减反射膜;(3)在硅衬底表面制备多孔层陷光;(4)在硅衬底表面制备特殊纳米陷光结构,尤其是周期性亚波长光栅结构(SWS)。
2 硅衬底的传统刻蚀方法为降低太阳光在硅片表面的反射率,工业上常用择优化学腐蚀的方法,在硅片表面制备金字塔结构(即绒面结构),从而增加太阳光在硅片内部的有效运动长度,增加太阳光的吸收和利用。
硅基薄膜太阳电池应用现状分析【摘要】硅基薄膜太阳电池由于材料成本、转换效率等特点受到人们的关注，就非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和非微叠层太阳电池的应用和发展趋势做了简要的分析。
【关键词】太阳电池；光伏建筑一体化；薄膜随着人类社会工业化的不断发展造成资源极大浪费，生态环境恶化和破坏。
为此人类迫切建立起可再生能源为主的能源体系，可持续发展成为一切活动准则。
可以看到硅基薄膜太阳电池具有省材料、低成本、弱光性好和具有柔性的诸多优点，这些优点决定了硅基薄膜太阳电池在很多领域是有着晶体硅太阳电池所不具备的优势的。
近年，人们已经将视线放到如何更好的在生活生产中利用太阳能电池来提供清洁能源。
而这其中光伏建筑一体化是一个重要的组成部分。
建筑物太阳能电池玻璃幕墙和太阳能生态屋顶就是光伏技术应用于生活的实例。
利用太阳能发电可以部分甚至完全解决家庭和单位办公用电。
另外太阳电池玻璃幕墙不仅可以发电，作为建筑的外墙装饰也是不错的选择。
但是光伏建筑一体化必须遵循一个原则就是太阳能光伏发电系统的安装不能破坏已有建筑造型，不能破坏装饰性屋面的艺术风格，不能造成结构的重新返工，具有透光性和柔性的薄膜太阳能电池成为玻璃幕墙的不二选择。
大规模商业化生产柔性光伏组件是1998年尤尼索拉公司开始的，柔性非晶硅薄膜太阳电池组件与建筑完美结合并投入市场，光伏建筑一体化的发展开始了一个新的时代。
最后，由于薄膜太阳电池具有柔性可以随形安装、轻薄从而减轻总质量、以及抗辐照等特性，硅基薄膜太阳电池在空间用太阳电池中的应用也是的另一个发展方向。
对于硅基薄膜太阳电池技术发展的关键在于如何提高光电转换效率，而由于其厚度优势可以考虑叠层从而利用不同材料实现光谱的扩宽，因为非晶硅的带隙为1.7ev左右而微晶硅的则为1.1ev附近，能够将光谱的长波限从0.9μm拓展的1.1μm，同时也降低了不稳定的非晶顶层的厚度有效抑制光致衰减。
因而，非晶硅/微晶硅的非微叠层电池成为了人们研究的重点。
硅基薄膜太阳能电池的研究进展摘要太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。
也是清洁能源，不产生任何的环境污染。
在太阳能的有效利用当中；大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一。
本文着重介绍了非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池原理、制备方法，从材料、工艺与转换效率等方面讨论了它们的优势和不足之处，并提出改进方法。
同时介绍了国内外硅基薄膜太阳电池研究的进展，最后展望了薄膜太阳能电池的发展前景。
关键词：太阳能电池；薄膜电池；非晶硅；多晶硅；微晶硅；光伏建筑；最新进展1、太阳能电池太阳电池是目前主要的新能源技术之一，它利用半导体的光电效应将光能直接装换为电能。
目前太阳电池主要有传统的（第一代）单晶硅电池、多晶硅电池、非晶硅电池、碲化镉电池、铜铟硒电池以及新型的（第二代）薄膜电池。
薄膜太阳电池可以使用其他材料当基板来制造，薄膜厚度仅需数μm，较传统太阳能电池大幅减少原料的用量。
目前光伏发电的成本与煤电的差距还是比较大，其中主要的一项就是原材料即的价格。
薄膜太阳电池消耗材料少，降低成本方面的巨大潜力。
薄膜太阳能电池的种类包括：非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、化合物半导体II-IV 族[CdS、CdTe(碲化镉)、CuInSe2]、色素敏化染料(Dye-Sensitized Solar Cell)、有机导电高分子(Organic/polymer solar cells) 、CIGS (铜铟硒化物)等。
如果要将太阳电池大规模应用为生活生产提供能源，那么必须选择地球上含量丰富，能大规模生产并且性能稳定的半导体材料，硅基薄膜电池的优越性由此凸显。
能源危机和环境污染的日趋严重极大地促进了光伏产业的迅速发展。
过去的 5 年，在全球硅材料紧缺、价格飙升的情况下，世界光伏市场继续以平均每年40%的幅度增加[1]。
2006年实际产量达到2.6GW ，产能超过3GW ，大大超过对2006年预测的20%～25%的增幅。
中国2006 年光伏电池地产量达到460MW ，比2005 年（140MW ）增加280% ，电池产能达到1200MW 。
光伏产业成为迄今为止增长最快的工业之一，商业预测到2010年全球市场容量将增加到400亿欧元。
[1]制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应，根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：1、硅太阳能电池；2、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池；3、功能高分子材料制备的太阳能电池；4、纳米晶太阳能电池等。
2、非晶硅薄膜太阳电池2.1原理及结构非晶硅(a-Si)太阳电池是在玻璃(glass)衬底上沉积透明导电膜(TCO)，然后依次用等离子体反应沉积p型、i型、n型三层a-Si，接着再蒸镀金属电极铝(Al).光从玻璃面入射，电池电流从透明导电膜和铝引出，其结构可表示为glass/TCO/pin/Al，还可以用不锈钢片、塑料等作衬底。
硅材料是目前太阳电池的主导材料，在成品太阳电池成本份额中，硅材料占了将近40%，而非晶硅太阳电池的厚度不到1μm，不足晶体硅太阳电池厚度的1/100，这就大大降低了制造成本，又由于非晶硅太阳电池的制造温度很低(～200℃)、易于实现大面积等优点，使其在薄膜太阳电池中占据首要地位，在制造方法方面有电子回旋共振法、光化学气相沉积法、直流辉光放电法、射频辉光放电法、溅谢法和热丝法等。
特别是射频辉光放电法由于其低温过程(～200℃)，易于实现大面积和大批量连续生产，现成为国际公认的成熟技术。
在材料研究方面，先后研究了a-SiC窗口层、梯度界面层、μC-SiC p层等，明显改善了电池的短波光谱响应.这是由于a-Si太阳电池光生载流子的生成主要在i层，入射光到达i层之前部分被p层吸收，对发电是无效的.而a-SiC和μC-SiC材料比p型a-Si具有更宽的光学带隙，因此减少了对光的吸收，使到达i层的光增加；加之梯度界面层的采用，改善了a-SiC/a-Si异质结界面光电子的输运特性.在增加长波响应方面，采用了绒面TCO膜、绒面多层背反射电极(ZnO/Ag/Al)和多带隙叠层结构，即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al结构.绒面TCO膜和多层背反射电极减少了光的反射和透射损失，并增加了光在i层的传播路程，从而增加了光在i层的吸收.多带隙结构中，i层的带隙宽度从光入射方向开始依次减小，以便分段吸收太阳光，达到拓宽光谱响应、提高转换效率之目的。
在提高叠层电池效率方面还采用了渐变带隙设计、隧道结中的微晶化掺杂层等，以改善载流子收集。
图1 非晶硅太阳电池结构图2 非晶硅太阳电池组件非晶硅太阳电池主要是以玻璃、不锈钢等为衬底的薄膜太阳电池，结构如图1所示。
为减少串联电阻，通常用激光器将TCO膜、非晶硅(A-si)膜和铝(Al)电极膜分别切割成条状，如图2所示。
图3非晶硅太阳电池组件结构图4 非晶硅太阳电池制备过程由于太阳光谱分布较宽，现有的半导体材料只能在一有限波段转换太阳能量，所以单结太阳电池不能充分利用太阳能。
采用分波段利用太阳能光谱的叠层电池结构则是比较有效提高光电转换效率的方法。
叠层太阳电池的结构见图3。
目前常规的叠层电池结构包括a-Si/a-SiGe,a-Si/a-Si/a-SiGe,a-Si/a-SiGe/a-SiGe,a-SiC/a-Si/a-SiGe等。
[2] 2.2.制备方法图4是非晶硅太阳电池制备方法示意图，把硅烷(SiH4)等原料气体入真空度保持在10—1000Pa的反应室中，射频(RF)电场产生辉光放电，原料气体被分解，在玻璃或者不锈钢等衬底上形成非晶硅薄膜材料。
如果原料气体中混入硅烷(B2H6)即能生成P型非晶硅,混入磷烷(PH3)即能生成N型非晶硅。
为得到性能良好的太阳电池，避免反应室内壁和电极上残存的杂质掺入到电池中，一般都利用隔离的连续等离子反应制造装置，即P,I,N各层分别在专用的反应室内沉积。
2.3 优势2.3.1材料和制造工艺成本低这是因为衬底材料，如玻璃，不锈钢，塑料等，价格低廉。
硅薄膜厚度不足一微米，因而昂贵的纯硅材料用量很少。
2.3.2 制作工艺为低温工艺，生产的耗电量小，能量回收时间短。
2.3.3易于形成大规模生产能力这是因为核心工艺适合制作特大面积无结构缺陷的a-Si合金薄膜；只需改变气相成分或者气体流量便可实现PIN结以及相应的叠层结构；生产全流程自动化。
2.3.4 品种多，用途广。
薄膜的a-Si太阳电池易于实现集成化。
器件功率、输出电压、输出电流都可以自由设计制造，可以较方便地制作出适合不同需求的多种产品。
由于吸收系数高，暗电导、良低，适合作室内用。
3、多晶硅薄膜太阳电池3.1多晶硅太阳能电池结构特点在半导体太阳能电池中，吸收太阳光能量所必要的半导体膜的厚度可以非常薄。
对硅来说，在太阳光谱峰值附近5.0x10-7m—6.0x10-7m处，吸收值为104/cm数量级。
从原理上讲，几um厚就可以吸收大部分的能量，但实际多晶硅薄膜的厚度一般是50um 。
正因为如此，人们研制了薄膜型太阳能电池，太阳能电池的薄膜化是以降低地面用太阳能电池制作成本和节省昂贵的半导体电池结构材料为目的的。
为了从机械强度上支撑电池薄膜活性层，就需要衬底。
当然，衬底材料也应该是便宜的。
所以，在大部分的实例中，衬底都不是半导体材料。
在衬底上形成的半导体薄膜是多晶体或非晶体，而不必是单晶体。
衬底上的半导体薄膜，可以通过各种途径形成：物理的和化学的生长法以及把衬底在熔融半导体材料中浸渍等方法。
薄膜电池的转换结构与单晶电池的结构一样，有pn结型、肖特基型、MIS型及异质结型等。
其不同点在于：衬底对半导体薄膜形成工艺的影响，晶界和膜厚的作用，以及薄膜特有的材料、电学方面的性质，这些都是不容忽视的。
正是由于这些因素的制约，硅薄膜电池的特性仍落后于单晶硅太阳电池的水平，尚处试验阶段，未达到实用化的程度。
[3]3.2制备方法目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法(CVD)，等离子增强化学气相沉积(PECVD)，液相外延法(LPPE)和区熔再结晶法(ZMR)法、等离子喷涂法(PSM)、叠层法、固相结晶法(SPC)也可用来制备多晶硅薄膜电池。
等离子增强化学气相沉积（PECVD）法是利用PECVD技术在非硅衬底上制备晶粒较小的多晶硅薄膜的一种方法，其制备温度很低（100—200℃），晶粒小（～10－7m 量级）。
目前最高效率达10.7％。
该方法存在生长速度太慢以及薄膜极易受损等问题，有待今后研究改进。
[4]液相外延（LPE）法通过将硅熔融在母液里，降低温度使硅析出成膜。
美国Astro Power公司和德国Max-Plank研究所对这一技术进行了深入的研究，前者用LPE法制备的电池，效率已达12.2％。
化学气相沉积（CVD）法就是将衬底加热到适当的温度，然后通以反应气体（如SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiH4等），在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在衬底表面。
这些反应的温度通常较高，在800～1200℃之间。
可以应用再结晶技术提高晶粒尺寸，其具体方法是：先用低压化学气相沉积（LPCVD）法在衬底表面形成一层较薄的、重掺杂的非晶硅层，再用高温将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，用这层较薄的大尺寸多晶硅层作为籽晶层，在其上面用CVD法生长厚的多晶硅膜。
这种CVD 法制备多晶硅薄膜太阳电池的关键是寻找一种较好的再结晶技术。
下表是主要几种不同生长方法的多晶硅薄膜太阳能电池特点的比较结果。
再结晶技术主要有固相晶化（LAR）法、区熔再结晶（ZMR）法和激光再结晶（LMC）法。
固相晶化法需对非晶硅薄膜进行整体加热，温度要求达到1414℃的硅的熔化点。
该法的缺点是整体温度较高，晶粒取向散乱，不易形成柱状结晶。
区熔再结晶法需将非晶硅整体加热至1100℃，再用一个加热条加热局部使其达到熔化状态。
加热条在加热过程中需在非晶硅表面移动。
激光退火法采用激光束的高温将非晶硅薄膜熔化结晶以得到多晶硅薄膜。
三种方法中以ZMR法最成功，日本三菱公司用该法制备的电池，效率已达16.42％，德国的Fronhaufer研究所在这方面的研究处于领先水平。
3.3不足和晶体硅电池相比，薄膜电池的不足之处是产品效率较低，生产技术不够成熟，特别是制造设备没有标准化。
但是，薄膜太阳电池具有很大的降低成本的潜力，其共有的低成本优势省材、低功耗、便于大面积连续化生产。
在薄膜太阳电池中，硅基薄膜具有更独特的优势：①原材料丰富，且无毒无污染；②能耗最低，制造温度约200 ℃, 可以使用大面积廉价的玻璃作为衬底；③原材料消耗少，每瓦电池只消耗0.2g硅烷，相当于0.02欧元/Wp ，而每瓦晶硅电池要消耗8 ～12g 晶体硅，相当于0.3 欧元/Wp ；④工艺简单，加工技术相对成熟。
