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晶体生长机理研究综述摘要晶体生长机理是研究金属材料的基础，它本质上就是理解晶体内部结构、缺陷、生长条件和晶体形态之间的关系。
通过改变生长条件来控制晶体内部缺陷的形成从而改善和提高晶体的质量和性能使材料的强度大大增强开发材料的使用潜能。
本文主要介绍了晶体生长的基本过程和生长机理，晶体生长理论研究的技术和手段，控制晶体生长的途径以及控制晶体生长的途径。
关键词：晶体结构晶界晶须扩散成核一、晶体生长基本过程从宏观角度看，晶体生长过程是晶体-环境相、蒸气、溶液、熔体、界面向环境相中不断推移的过程，也就是由包含组成晶体单元的母相从低秩序相向高度有序晶相的转变从微观角度来看，晶体生长过程可以看作一个基元过程，所谓基元是指结晶过程中最基本的结构单元，从广义上说，基元可以是原子、分子，也可以是具有一定几何构型的原子分子聚集体所谓的基元过程包括以下主要步骤：（1）基元的形成：在一定的生长条件下，环境相中物质相互作用，动态地形成不同结构形式的基元，这些基元不停地运动并相互转化，随时产生或消失（2）基元在生长界面的吸附：由于对流~热力学无规则的运动或原子间的吸引力，基元运动到界面上并被吸附（3）基元在界面的运动：基元由于热力学的驱动，在界面上迁移运动（4）基元在界面上结晶或脱附：在界面上依附的基元，经过一定的运动，可能在界面某一适当的位置结晶并长入固相，或者脱附而重新回到环境相中。
晶体内部结构、环境相状态及生长条件都将直接影响晶体生长的基元过程。
环境相及生长条件的影响集中体现于基元的形成过程之中；而不同结构的生长基元在不同晶面族上的吸附、运动、结晶或脱附过程主要与晶体内部结构相关联。
不同结构的晶体具有不同的生长形态。
对于同一晶体，不同的生长条件可能产生不同结构的生长基元，最终形成不同形态的晶体。
同种晶体可能有多种结构的物相，即同质异相体，这也是由于生长条件不同基元过程不同而导致的结果，生长机理如下:1.1扩散控制机理从溶液相中生长出晶体，首要的问题是溶质必须从过饱和溶液中运送到晶体表面，并按照晶体结构重排。
综述晶体生长理论的发展现状1前言晶体生长理论是用以阐明晶体生长这一物理化学过程。
形成晶体的母相可以是气相、液相或固相；母相可以是单一组元的纯材料，也可以是包含其他组元的溶液或化合物。
生长过程可以在自然界中实现，如冰雪的结晶和矿石的形成；也可以在人工控制的条件下实现，如各种技术单晶体的培育和化学工业中的结晶等。
近几十年来，随着基础学科(如物理学、化学)和制备技术的不断进步，晶体生长理论研究无论是研究手段、研究对象，还是研究层次都得到了很快的发展，已经成为一门独立的分支学科。
它从最初的晶体结构和生长形态研究、经典的热力学分析发展到在原子分子层次上研究生长界面和附加区域熔体结构，质、热输运和界面反应问题，形成了许多理论或理论模型。
当然，由于晶体生长技术和方法的多样性和生长过程的复杂性，目前晶体生长理论研究与晶体生长实践仍有相当的距离，人们对晶体生长过程的理解有待于进一步的深化。
可以预言，未来晶体生长理论研究必将有更大的发展[1]。
2晶体生长理论的综述自从1669年丹麦学者斯蒂诺(N.Steno)开始晶体生长理论的启蒙工作以来[2]，晶体生长理论研究获得了很大的发展，形成了包括晶体成核理论、输运理论、界面稳定性理论、晶体平衡形态理论、界面结构理论、界面动力学理论和负离子配位多面体模型的体系。
这些理论在某些晶体生长实践中得到了应用，起了一定的指导作用。
本文主要对晶体平衡形态理论、界面生长理论、PBC理论、晶体逆向生长等理论作简要的介绍。
2.1晶体平衡形态理论晶体具有特定的生长习性，即晶体生长外形表现为一定几何形状的凸多面体，为了解释这些现象，晶体生长理论研究者从晶体内部结构和热力学分析出发，先后提出了Bravais法则、Gibbs-Wulff晶体生长定律、Frank运动学理论。
2.1.1Bravais法则早在1866年，A.Bravais首先从晶体的面网密度出发，提出了晶体的最终外形应为面网密度最大的晶面所包围，晶面的法线方向生长速率R反比于面间距，生长速率快的晶面族在晶体最终形态中消失[3]。
1937年，Friedel，Donnay和Harker等人对Bravais法则作了进一步的完善，特别考虑了晶体结构中螺旋轴和滑移面对其最终形态的影响，形成了BFDH法则(或称为Donnay-Harker原理)[4]。
BFDH法则与Bravais法则相比，有了一个较大的改进，但是，它只能预测同种晶体的一种形态，即晶体的理想生长形态，无法解释同种晶体在不同生长条件下可具有不同的生长形态的实验事实。
2.1.2Gibbs-Wulff晶体生长定律1878年，Gibbs[5]从热力学出发，讨论了生长过程中晶体与周围介质的平衡条件，提出了晶体生长最小表面能原理，即晶体在恒温和等容的条件下，如果晶体的总表面能最小，则相应的形态为晶体的平衡形态。
当晶体趋向于平衡态时，它将调整自己的形态，使其总表面自由能最小；反之，就不会形成平衡形态。
Wulff[6]进一步提出了利用界面能极图求出晶体平衡形态的方法。
Gibbs-Wulff晶体生长定律在实际应用中，由于表面自由数据能难以获得，计算十分困难，而且它只适用处于(接近)平衡态时的较小线度的晶体生长形态的预测。
对于较大线度的晶体，由于存在着过饱和度的差异，难以趋向于平衡状态，此外，这一定律同样也不能解释晶体形态多样性。
2.1.3Frank运动学理论Frank[7]运动学理论是应用运动学理论描述晶体生长或溶解过程中不同时刻的晶体外形时，提出了两条基本定律，即所谓的运动学第一定律和运动学第二定律。
该理论有一个重要的假设，即生长系统中驱动力场是均匀的。
这实质上忽视了环境相和生长条件对晶体生长形态的作用。
同时，应用Frank运动学定律，通过计算得出晶体的生长形态，必须首先得到法向生长速率与晶体取向的关系，这实际上是十分困难的，从而大大限制了理论的实际应用。
Cabrerafis[8]进一步发展了运动学理论，提出了台阶运动理论，成功地解释了台阶的并合现象。
在他的理论中，注意到了环境相的影响。
如认为杂质在界面上吸附使得台阶群运动速度减慢，导致台阶并合。
但理论仍不能预测界面上何处将吸附杂质，不能预测环境相的变化对晶体形态的影响，只能根据晶体外形的变化来推测产生的可能原因。
上述三种晶体平衡形态理论，实质上都是从晶体内部结构出发，应用晶体学、热力学的基本原理，导出晶体理想(平衡)生长形态，得到了若干实验结果的证实。
它们共同的局限性是：基本不考虑外部因素(环境相和生长条件)变化对晶体生长的影响，无法解释晶体生长形态的多样性。
2.2界面生长理论德国科学家Lane发现了X射线在晶体中的衍射现象，使得人们有了认识晶体微观结构的重要手段。
基于对晶体结构的认识，研究者们提出各种关于生长界面的微观结构模型。
并从界面微观结构出发，推导出界面动力学规律，这些理论可称为界面生长理论。
界面生长理论的学科基础是X射线晶体学，热力学和统计物理学。
2.2.1界面结构模型及生长动力学所谓界面是指在热力学系统中两相共存的分界面。
晶体生长过程可看作是生长界面不断推移的过程。
研究界面微观结构，对于认识晶体生长过程是十分关键的，经典的四种界面结构模型是：(1)完整光滑突变界面模型(Kossel W.,1927)[9]：模型认为晶体是理想完整的，并且界面在原子层次上没有凹凸不平的现象，固相与流体相之间是突变的。
这显然是一种非常简化的理想界面，与实际晶体生长情况往往有很大差距。
(2)非完整光滑突变界面模型(Frank F.C.1949)[10]：模型认为晶体是理想不完整的，其中必然存在一定数量的位错。
如果一个纯螺型位错和光滑的奇异面相交，在晶面上就会产生一个永不消失的台阶源，在生长过程中，台阶将逐渐变成螺旋状，使晶面不断向前推移。
(3)粗糙突变界面模型(Jackson K.A.1959)[11]：模型认为晶体生长的界面为单原子层，且单原子层中所包含的全部晶相与流体相原子都位于晶格位置上，并遵循统计规律分布。
根据统计热力学的近似计算，可判断固/液界面的平衡结构性质，即是光滑界面(界面层全部为固相原子)还是粗糙界面(界面层固相原子与流体原子各占一半)。
当界面相变熵α﹥2时，界面平衡结构是光滑界面，反之则为粗糙界面。
(4)弥散界面模型(Temkin 1966)[12]：模型认为界面由多层原子构成。
在平衡状态下，可根据界面相变熵大小推算界面宽度，并可根据非平衡状态下界面自由能变化，由界面相变熵及相变驱动力确定界面结构类型。
界面结构模型及生长动力学理论有以下局限性：晶体结构过于简化；不考虑环境相(溶液、熔体或气体)结构；环境相被看作均匀连续的介质，不考虑其浓度起伏和不均匀等因素的影响；在界面上吸附的基元限定为单个原子，无法解释多元体系的生长过程；动力学规律的推导不够严谨，假定条件过多。
2.2.2粗糙化相变理论Burton、Cabrera和Frank[13]指出：存在一个温度TR，在此温度以上，界面由基本光滑转变为粗糙。
1974年，Leamy和Gilmer[14]采用了弥散界面模型,应用Monte-Carlo方法对简单晶体界面进行计算机模拟，得出以下结论:当T>TR时，台阶失去它们的特性，棱面自由能变为零，此时晶体生长没有二维成核势能垒，呈现线性生长规律。
粗糙化相变理论应用的困难在于粗糙化相变温度计算的困难。
粗糙化相变温度定义为:θ=8/a，是无量纲温度(α为界面相变熵)，一般情况下，有关的热力学数据是未知的，因此，无法进行计算。
且计算过程非常复杂。
此外，粗糙化相变理论的基础仍然是经典的界面结构模型，因而无法克服前述的局限性。
2.3PBC理论晶体中存在着由一系列强键不间断地连贯成的键链，并呈周期性重复，称为周期性键链(Periodic Bond Chain,PBC)。
PBC的方向由PBC矢量来表征，根据相对于PBC矢量的方位，可将晶体中可能出现的界面分为3种类型：F面，含有2个或2个以上共面的PBC矢量的平面；S面，只含有1个PBC矢量的平面；K 面，不含有PBC矢量的平面。
PBC的确定主要有2种方法，一是直观法，二是计算机方法。
P. Hartman完善了PBC理论，提出现代PBC理论。
现代PBC理论提出了定量计算晶面生长速率的方法，由此可预测晶体的理论生长习性。
无论是PBC理论还是现代PBC理论。
仍然没有把环境相和生长条件对晶体生长形态的影响统一到理论中去，Hartman[15]在现代PBC理论中特别指出，当PBC理论预言与观察不相符时，应考虑外部因素的影响，这些外部因素包括温度、压力、溶液过饱和度、非晶物质(如溶剂、杂质).正是由于没有考虑环境相及生长条件等外部因素的影响，PBC理论无法从本质上揭示晶体生长外部条件影响晶体生长形态的内在机理.此外，PBC理论无法解释极性晶体的生长习性。
2.4负离子配位多面体生长基元模型仲维卓[16]提出了负离子配位多面体生长基元模型(以下称“模型”)。
模型将晶体的生长形态、晶体内部结构和晶体生长条件及缺陷作为统一体加以研究，开辟了晶体生长理论研究的新途径。
模型实际上存在两个基本假设：(1)生长基元存在假设，即溶质与溶剂相互作用形成一定几何结构的聚集体，这些聚集体被称为生长基元。
体系中存在着多种形式的生长基元，它们之间建立起动态平衡，生长过程为生长基元在界面上的叠合。
(2)结构一致性假设，即在界面上叠合的生长基元必须满足晶面取向的要求，生长基元结构单元与相应晶体结构单元一致。
负离子配位多面体生长基元模型有以下特点：(1)晶体内部结构因素对晶体生长的影响有机地体现于生长基元的结构以及界面叠合过程中；(2)利用生长基元的维度以及空间结构形式的不同来体现生长条件对晶体生长的影响；(3)所建立的界面结构便于考虑溶液生长体系中离子吸附、生长基元叠合的难易程度对晶体生长的影响。
负离子配位多面体生长基元模型与其它理论或模型相比，考虑的晶体生长影响因素更为完全，接近于生长实际。
利用这个模型，成功地解释了一些氧化物晶体(如ZnO等)的生长习性，特别是解释了一些极性晶体的生长习性。
但是，该模型目前还处于定性描述阶段，要发展为一个完整的晶体生长理论，还有更多的工作要做，如溶液、熔体结构的研究(从中获得关于生长基元的信息，生长基元结构如何，生长基元如何相互作用)、生长基元在界面的叠合过程研究(叠合难易程度的表征)以及生长形态的定量计算。
2.5晶体逆向生长理论在过去的一百多年期间，晶体生长理论有了一个较大的发展，上述的几种理论具有一定的代表性和研究价值。
但是在晶体早期生长的研究中揭示：在某些晶体生长可能并不是按照我们所熟知的传统路线来生长的，我们称之为非传统路线，即晶体逆向生长路径。
根据早期晶体生长的研究，周午纵曾在一篇论述里讨论了一种非传统晶体生长途径(图1)[17]。
