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cmos图像传感器原理CMOS图像传感器原理。
CMOS图像传感器是一种集成了图像传感器和信号处理电路的器件，它是数字摄像头和手机摄像头中最常用的一种传感器。
CMOS图像传感器具有低功耗、集成度高、成本低等优点，因此在数字摄像头、手机摄像头、监控摄像头等领域得到了广泛应用。
CMOS图像传感器的工作原理主要包括光电转换、信号放大和数字输出三个步骤。
首先，当光线照射到CMOS图像传感器上时，光子被转换成电子，并被储存在每个像素的电容中。
然后，通过信号放大电路将电荷信号转换成电压信号，并进行放大处理。
最后，经过A/D转换器将模拟信号转换成数字信号，输出给后续的图像处理电路。
CMOS图像传感器的核心部件是像素阵列，它由许多个像素单元组成。
每个像素单元包括光电转换器、信号放大器和采样保持电路。
当光线照射到像素阵列上时，每个像素单元都会产生对应的电荷信号，然后通过列选择线和行选择线的控制，将信号读取出来，并传输给信号放大电路进行放大处理。
CMOS图像传感器的优势在于集成度高、功耗低、成本低、易于制造等特点。
与传统的CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器不需要额外的模拟信号处理电路，因此在集成度上有很大的优势。
另外，CMOS图像传感器的功耗较低，适合于移动设备和便携式设备的应用。
此外，CMOS图像传感器的制造工艺相对简单，成本较低，可以大规模生产，满足市场需求。
在实际应用中，CMOS图像传感器不仅应用于数字摄像头和手机摄像头中，还广泛应用于医疗影像、工业检测、安防监控等领域。
随着科技的不断进步，CMOS图像传感器的分辨率、灵敏度和集成度将会不断提高，为各种应用领域带来更加优质的图像传感器解决方案。
总的来说，CMOS图像传感器作为一种集成度高、功耗低、成本低的图像传感器，具有广泛的应用前景。
随着技术的不断进步，它将会在数字摄像头、手机摄像头、医疗影像、工业检测、安防监控等领域发挥越来越重要的作用。
视频信息处理与传输课程研究报告CMOS图像传感器研究班级：电子1003班姓名：学号：时间：2013-10-10摘要：20世纪90年代以来，随着超大规模集成（VLSI）技术的发展，CMOS图像传感器显示出强劲的发展势头。
简要介绍了CMOS图像传感器的发展历程及工作原理，比较了CMOS图像传感器与CCD的特点，综述了CMOS图像传感器的应用领域及市场份额，最后对CMOS图像传感器的发展趋势进行了展望。
关键词：光电子学；传感器；CMOS图像传感器；CCD图像传感器是将光信号转换为电信号的装置。
目前，应用最为广泛的图像传感器主要有电荷藕合器件CCD （ charge一Coupled Deviee ）图像传感器和互补金属氧化物场效应管CMOS（Complementary Metal Oxide Semieonduetor））图像传感器。
随着半导体制造工艺技术不断发展，CMOS图像传感器显示出强劲地发展势头，并且被广泛地应用到数码电子产品、视频电子邮件、汽车尾视、医疗设备、保安监控、可视通信、眼膜识别、工业视频监控、视觉玩具等社会生活和工业生产的方方面面。
特别是数码产品例如数码相机、照相手机的图像传感器可望由CCD快速转换到CMOS，市场前景广阔，所以对CMOS图像传感器的研究与开发具有较高的市场价值。
1 CMOS图像传感器发展历程Fossum在他的论文中描述了CMOS和CCD图像传感器的发展历史，简要描述如下：1963年 - Morriosn发表了可计算传感器，这是一种可以利用光导效应测定光斑位置的结构，成为CMOS图像传感器发展的开端。
1964年 - IBM的Hortonet.al发表了scanistor，这是一种通过电阻网络寻址的一维光电二极管阵列扫描器，这种扫描器产生与入射光能量成线性比例关系的输出脉冲电压。
1966年 - 西屋公司的Schuster和Strull报道了像元分辨率为50 x 50的单片光敏晶体管成像阵列器：MOS阵列集成电路（MOSAICS，Mos Oxide Semieonductor Arary Intgerated Cirouits）。
简述cmos图像传感器的工作原理及应用CMOS图像传感器是一种用于转换光信号为电子信号的器件，可以将光学图像转换成数字图像，其工作原理是基于光电效应和集成电路技术。
CMOS图像传感器由图像传感单元阵列和信号处理单元组成。
图像传感单元阵列由大量的光敏单元组成，每个光敏单元具有一个光感受器和一个电荷积累器，用于将光信号转换为电荷，并对图像进行采样。
每个光敏单元相邻之间通过衬底电位的设置实现光电转换效应。
信号处理单元负责将电荷转换为电压、放大、采样和数字化。
CMOS图像传感器的工作原理如下：当光照射到光敏单元上时，光敏单元中的光感受器将光信号转化为电荷。
电荷通过电场的作用从光感受器向电荷积累器偏移，并在电荷积累器中积累。
一旦接收到光信号并完成电荷积累后，将在传感器的特定位置产生电压信号。
然后，信号处理单元会将电荷转换为电压，并对图像进行放大、采样和数字化处理。
最后，图像传感器将数字图像通过数据接口发送给外部设备。
CMOS图像传感器具有以下几个优点：1. 集成度高：CMOS图像传感器可以集成在单个芯片上，因此可以实现小尺寸和轻量化，适合于集成在各种移动设备中。
2. 低功耗：CMOS图像传感器的功耗相对较低，可以延长设备的电池寿命。
3. 成本低：相比于传统的CCD图像传感器，CMOS图像传感器的制造工艺更简单，成本更低。
4. 高速读取：CMOS图像传感器可以实现高速连续拍摄，适用于高速摄影和视频录制等应用。
5. 可编程性强：CMOS图像传感器的信号处理单元可以通过软件配置进行调整和优化，实现更灵活的图像处理。
CMOS图像传感器在各个领域都有广泛的应用，包括但不限于以下几个方面：1. 摄像头和视频监控：CMOS图像传感器可以应用于手机摄像头、数码相机、安防摄像头等领域，实现图像和视频的捕捉和处理。
2. 机器视觉和工业自动化：CMOS图像传感器可以应用于机器视觉系统中，用于图像的识别、测量和检测，广泛应用于工业自动化、智能制造等领域。
CMOS图像传感器原理及类型图像传感器是将光信号转换为电信号的装置，在数字电视、可视通信市场中有着广泛的应用。
60年代末期，美国贝尔实脸室发现电荷通过半导体势阱发生转移的现象，提出了固态成像这一新概念和一维CCD(Charge-Coupled Device电荷耦合器件)模型器件。
到90年代初，CCD技术已比较成热，得到非常广泛的应用。
CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器，与CCD 有着共同的历史渊源。
CMOS图像传感器通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成这几部分通常都被集成在同一块硅片上。
其工作过程一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分。
1、CMOS图像传感器工作原理CMOS图像传感器的功能图首先，外界光照射像素阵列，发生光电效应，在像素单元内产生相应的电荷。
行选择逻辑单元根据需要，选通相应的行像素单元。
行像素单元内的图像信号通过各自所在列的信号总线传输到对应的模拟信号处理单元以及A/D转换器，转换成数字图像信号输出。
其中的行选择逻辑单元可以对像素阵列逐行扫描也可隔行扫描。
行选择逻辑单元与列选择逻辑单元配合使用可以实现图像的窗口提取功能。
模拟信号处理单元的主要功能是对信号进行放大处理，并且提高信噪比。
另外，为了获得质量合格的实用摄像头，芯片中必须包含各种控制电路，如曝光时间控制、自动增益控制等。
为了使芯片中各部分电路按规定的节拍动作，必须使用多个时序控制信号。
为了便于摄像头的应用，还要求该芯片能输出一些时序信号，如同步信号、行起始信号、场起始信号等。
CMOS图像传感器在每个像素位置内都有一个放大器，这就使其能在很低的带宽情况下把离散的电荷信号包转换成电压输出，而且也仅需要在帧速率下进行重置。
CMOS图像传感器的优点之一就是它具有低的带宽，并增加了信噪比。
由于制造工艺的限制，早先的CMOS图像传感器无法将放大器放在像素位置以内。
CMOS图像传感器的工作原理及研究摘要：介绍了CMOS图像传感器的工作原理，比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点，指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径，综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势。
1 引言自从上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念后，固体图像传感器便得到了迅速发展，成为传感技术中的一个重要分支，它是PC机多媒体不可缺少的外设，也是监控中的核心器件。
互补金属氧化物半导体<CMOS）图像传感器与电荷耦合器件<CCD）图像传感器的研究几乎是同时起步，但由于受当时工艺水平的限制，CMOS图像传感器图像质量差、分辨率低、噪声降不下来和光照灵敏度不够，因而没有得到重视和发展。
而CCD器件因为有光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。
由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点，现在都可以找到办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。
70年代初CMOS传感器在NASA的Jet Pro pul sion Laboratory(JPL>制造成功，80年代末，英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件，1995年像元数为<128×128）的高性能CMOS有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功[1]，1997年英国爱丁堡VLSI Ver sion公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化，就在这一年，实用CMOS技术的特征尺寸已达到0.35mm，东芝研制成功了光敏二极管型APS，其像元尺寸为5.6mm×5.6mm，具有彩色滤色膜和微透镜阵列，2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS已成为开发超微型CMOS摄像机的主流产品。
2 技术原理CCD型和CMOS型固态图像传感器在光检测方面都利用了硅的光电效应原理，不同点在于像素光生电荷的读出方式。
简述CMOS图像传感器的工作原理及应用1. 工作原理CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor）作为一种常见的图像采集装置，在各种电子设备中被广泛应用。
它的工作原理主要包括以下几个步骤：1.1 光电转换当光线照射到CMOS图像传感器上时，光子会与图像传感器中的感光单元发生相互作用。
每个感光单元由一个光电二极管和一个储存电荷的电容器组成。
光电二极管的特殊结构使得它能够将光子转化为电荷。
1.2 电荷收集当感光单元吸收到光子后，光电二极管中的电子将被释放出来并存储在电容器中。
这个过程称为电荷收集。
光线越强，释放的电子就越多，储存在电容器中的电荷也就越多。
1.3 信号放大和采集为了确保图像的准确性和清晰度，接下来对储存的电荷进行放大和采集。
在CMOS图像传感器中，每个感光单元都有相应的输出线路，将电荷转化为电压信号，并经过放大电路进行信号放大。
1.4 数字转换放大后的模拟信号需要经过模数转换器（ADC）进行转换，将模拟信号转化为数字信号。
数字信号可以直接处理、存储和传输。
1.5 数据处理经过数字转换后，图像数据可以进行相关处理，如去噪、增强、压缩等。
处理后的图像可以输出到显示屏、存储设备或其他外部设备进行应用。
2. 应用2.1 摄像头CMOS图像传感器在摄像头中得到了广泛应用。
由于其低功耗、高集成度和成本效益等特点，CMOS图像传感器取代了传统的CCD图像传感器，成为主流的图像采集技术。
摄像头的应用领域包括智能手机、监控摄像机、数码相机等。
2.2 自动驾驶CMOS图像传感器在自动驾驶系统中发挥着重要的作用。
它可以捕捉到路面上的图像信息，识别道路标志、车辆、行人等障碍物，并将这些数据传输给自动驾驶系统进行处理和决策，从而实现自动驾驶功能。
2.3 医学影像在医学影像领域，CMOS图像传感器可以用于X光成像、透视成像和内窥镜等诊断设备中。
它可以高效地捕捉和记录患者的影像信息，帮助医生进行疾病的诊断和治疗。
基于CMOS图像传感器的拍照技术研究在现代社会，拍照已经成为人们生活中不可或缺的一部分。
随着科技的不断发展，拍照技术也日益地提高和完善。
其中，基于CMOS图像传感器的拍照技术成为图像采集领域的热门话题，它是数字相机、智能手机、平板电脑等电子设备采集图像信号的核心元件。
在本文中，我们将探究基于CMOS图像传感器的拍照技术的原理、发展历程及应用前景。
一、CMOS图像传感器的原理CMOS图像传感器是一种实现图像数字化的元件。
它由图像元素、读出电路和控制电路组成。
图像元素是CMOS的图像电荷耦合元件，它负责将光能转换为电信号，并将这些信号累积在一个基准电容中。
当累积达到一定程度时，就会被一次有效地读出，并转换为模拟信号；读出电路负责对模拟信号进行增益和放大，同时进行噪声抑制和模拟数字转换。
控制电路主要是由时钟、控制逻辑等部分组成，根据特定的工作模式进行控制。
二、CMOS图像传感器的发展历程CMOS图像传感器起源于20世纪60年代，由于CMOS技术的制造难度较大，使得CMOS传感器一直没有成为主流。
直到90年代，CMOS图像传感器出现了许多新的研究成果，加上CMOS制造技术的不断推进，CMOS图像传感器才逐渐走向了商业化和普及化。
近年来，CMOS图像传感器的发展也是飞速的。
CMOS制造工艺的进步，将芯片面积缩小到了纳米级别，使得CMOS图像传感器的像素尺寸更加微小、灵敏度更高，同时降低了成本和功耗。
此外，CMOS图像传感器已经得到广泛应用，从智能手机、平板电脑的摄像头，到安防监控和医学等领域，都有广泛的应用。
三、CMOS图像传感器在拍照技术中的应用CMOS图像传感器在拍照技术中的应用非常广泛。
例如，在智能手机和平板电脑的摄像头中，CMOS图像传感器可以实现自动对焦、自动曝光、白平衡等功能，还可以通过连拍功能来实现视频拍摄和连拍功能。
在安防监控领域，CMOS图像传感器具有高灵敏度和成像质量，可以帮助区分场景的细节差异，加强对入侵者的监控和识别。
CMOS图像传感器的工作原理及研究摘要：介绍了CMOS图像传感器的工作原理，比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点，指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径，综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势。
1 引言自从上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念后，固体图像传感器便得到了迅速发展，成为传感技术中的一个重要分支，它是PC机多媒体不可缺少的外设，也是监控中的核心器件。
互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器与电荷耦合器件（CCD）图像传感器的研究几乎是同时起步，但由于受当时工艺水平的限制，CMOS图像传感器图像质量差、分辨率低、噪声降不下来和光照灵敏度不够，因而没有得到重视和发展。
而CCD器件因为有光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。
由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点，现在都可以找到办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。
70年代初CMOS传感器在NASA的Jet Propulsion Laboratory(JPL)制造成功，80年代末，英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件，1995年像元数为（128×128）的高性能CMOS有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功[1]，1997年英国爱丁堡VLSI Version公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化，就在这一年，实用CMOS技术的特征尺寸已达到0.35mm，东芝研制成功了光敏二极管型APS，其像元尺寸为5.6mm×5.6mm，具有彩色滤色膜和微透镜阵列，2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS已成为开发超微型CMOS摄像机的主流产品。
2 技术原理CCD型和CMOS型固态图像传感器在光检测方面都利用了硅的光电效应原理，不同点在于像素光生电荷的读出方式。
CMOS图像传感器芯片的结构如图1所示。
典型的CMOS像素阵列，是一个二维可编址传感器阵列。
传感器的每一列与一个位线相连，行允许线允许所选择的行内每一个敏感单元输出信号送入它所对应的位线上（图2），位线末端是多路选择器，按照各列独立的列编址进行选择。
根据像素的不同结构，CMOS图像传感器可以分为无源像素被动式传感器（PPS）和有源像素主动式传感器（APS）。
根据光生电荷的不同产生方式APS 又分为光敏二极管型、光栅型和对数响应型，现在又提出了DPS(digital pixel sensor)概念。
PPS[4,5]出现得最早，结构也最简单，使得CMOS图像传感器走向实用化，其结构原理如图3所示。
每一个像素包含一个光敏二极管和一个开关管TX。
当TX选通时，光敏二极管中由于光照产生的电荷传送到了列线col,列线下端的积分放大器将该信号转化为电压输出，光敏二极管中产生的电荷与光信号成一定的比例关系。
无源像素具有单元结构简单、寻址简单、填充系数高、量子效率高等优点，但它灵敏度低、读出噪声大。
因此PPS不利于向大型阵列发展，所以限制了应用，很快被APS代替光敏二极管像素单元[6]如图4所示。
它是由光敏二极管，复位管M4，源跟随器M1和行选通开关管M2组成，此外还有电荷溢出门管M3，M3的作用是增加电路的灵敏度，用一个较小的电容就能够检测到整个光敏二极管的n+扩散区所产生的全部光生电荷，它的栅极接约1V 的恒定电压，在分析器件工作原理时可以忽略将其看成短路。
电荷敏感扩散电容用做收集光生电荷。
复位管M4对光敏二极管和电容复位，同时作为横向溢出门控制光生电荷的积累和转移。
源跟随器M1的作用是实现对信号的放大和缓冲，改善APS的噪声问题。
源跟随器还可加快总线电容的充放电，因而允许总线长度增加和像素规模增大。
因此，APS比PPS具有低读出噪声和高读出速率等优点，但像素单元结构复杂，填充系数降低，填充系数一般只有20%到30%。
它的工作过程是：首先进入“复位状态”，M1打开，对光敏二极管复位；然后进入“取样状态”，M1关闭，光照射到光敏二极管上产生光生载流子，并通过源跟随器M2放大输出；最后进入“读出状态”，这时行选通管M3打开，信号通过列总线输出。
光栅型APS[7,8]是由美国喷气推进实验室（JPL）首先推出的，其像素单元和读出电路如图5所示。
其中感光结构由光栅PG 和传输门TX 构成。
光栅输出端为漂移扩散端FD，它与光栅PG被传输门TX隔开。
像素单元还包括一个复位晶体管M1，一个源跟随器M2和一个行选通晶体管M3。
当光照射在像素单元时，在光栅PG处产生电荷；与此同时，复位管M1打开，对势阱复位；然后复位管关闭，行选通管M3打开，复位后的电信号由此通路被读出并暂存起来，之后传输门TX打开，光照产生的电信号通过势阱并被读出，前后两次的信号差就是真正的图像信号。
对数响应型CMOS-APS[9]拥有很高的动态范围，其像素单元结构如图6所示。
它由光敏二极管、负载管M1、源跟随器M2和行选通管M3组成，负载管栅极是一恒定偏置电压（不一定要是电源电压），该像素单元输出信号与入射光信号成对数关系，它的工作特点是光线被连续地转化为信号电压，而不像一般APS那样存在复位和积分过程。
但是，对数响应型CMOS-APS的一个致命缺陷就是对器件参数相当敏感，特别是阈值电压。
PPS和APS都是在像素外进行模/数（A/D）转换的，而DPS[3]将模/数（A/D）转换集成在每一个像素单元里，每一个像素单元输出的是数字信号，工作速度更快，功耗更低。
这种传感器还处于研究阶段。
3 主要特点表1给出CCD与CMOS图像传感器的性能比较，与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器具有明显的优势。
CCD存储的电荷信息，需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合，整个电路较为复杂，速度较慢。
CMOS光电传感器[10,11] 经光电转换后直接产生电压信号，信号读取十分简单，还能同时处理各单元的图像信息，速度比CCD快得多。
CCD与CMOS两种传感器在“内部结构”和“外部结构”上都是不同的[12]。
CCD器件的成像点为X－Y纵横矩阵排列，每个成像点由一个光电二极管和其控制的一个电荷存储区组成；CCD仅能输出模拟电信号，输出的电信号还需经后续地址译码器、模数转换器、图像信号处理器处理，并且还需提供三相不同电压的电源和同步时钟控制电路。
CMOS器件的集成度高、体积小、重量轻，它最大的优势是具有高度系统整合的条件，因为采用数字——模拟信号混合设计，从理论上讲，图像传感器所需的所有功能，如垂直位移、水平位移暂存器、传感器阵列驱动与控制系统（CDS）、模数转换器（ADC）接口电路等完全可以集成在一起，实现单芯片成像，避免使用外部芯片和设备，极大地减小了器件的体积和重量。
安捷伦科技[13]采用一种新型的业内标准——32针CLCC（陶瓷无引线芯片载体）研制出应用CMOS图像传感器的数码相机原型产品，只有30mm×30mm×2.5mm大小，非常适合工程监控和工厂自动化等领域。
从功耗和兼容性来看[14]，CCD需要外部控制信号和时钟信号来获得满意的电荷转移效率，还需要多个电源和电压调节器，因此功耗大；而CMOS-APS使用单一工作电压，功耗低，仅相当于CCD的1/10-1/100，还可以与其他电路兼容，具有功耗低、兼容性好的特点。
CCD传感器需要特殊工艺，使用专用生产流程，成本高；而CMOS 传感器使用与制造半导体器件90％的相同基本技术和工艺，且成品率高，制造成本低，目前用于摄像的50万像素的CMOS传感器不到10美元。
CCD使用电荷移位寄存器，当寄存器溢出时就会向相邻的像素泄漏电荷，导致亮光弥散，在图像上产生不需要的条纹。
而CMOS-APS 中光探测部件和输出放大器都是每个像素的一部分，积分电荷在像素内就被转为电压信号，通过X-Y输出线输出，这种行列编址方式使窗口操作成为可能，可以进行在片平移、旋转和缩放，没有拖影、光晕等假信号，图像质量高。
高速性是CMOS电路的固有特性，CMOS图像传感器可以极快地驱动成像阵列的列总线，并且ADC在片内工作具有极快的速率，对输出信号和外部接口干扰具有低敏感性，有利于与下一级处理器连接。
CMOS图像传感器具有很强的灵活性，可以对局部像素图像进行随机访问，增加了工作灵活性。
4 问题及其解决途径暗电流[15]是CMOS图像传感器的难题之一。
迄今为止，CMOS 成像器件均具有较大的像素尺寸，因此，在正常范围内也会产生一定的暗电流。
通过改进CMOS工艺，压缩结面积可降低暗电流的发生率，也可通过提高帧速率（frame rate）来缩短暗电流的汇集时间，从而减弱暗电流的影响。
噪声的大小直接影响CMOS图像传感器对信号的采集和处理，因此如何提高信噪比是CMOS图像传感器的关键技术之一[16-19]。
噪声主要包括散粒噪声、热噪声、1/f噪声、非均匀噪声和固定图像噪声。
其中散粒噪声和热噪声是由载流子引起的，1/f噪声和非均匀噪声是由材料的缺陷和不均匀性引起的，固定图像噪声是因为工艺的误差使相邻输出信号的源跟随器不匹配引起的。
采取以下措施可抑制噪声和提高灵敏度：（1）采用减少失调的独特电路，使用制造更加稳定的晶体管专用工艺；（2）每个像元内含一个对各种变化灵敏度相对较低的放大器；（3）借鉴CCD图像传感器的制备技术，采用相关双取样电路（CDS）技术和微透镜阵列技术；（4）光敏二极管设计成针形结构或掩埋形结构。
为了提高CMOS-APS的填充系数，近几年国外开发的CMOS-APS 均具有微透镜阵列结构，在整个CMOS-APS像元上放置一个微透镜将光集中到有效面积上，可以大幅度提高灵敏度和填充系数。
动态范围是反映图像传感器性能的主要指标之一[6]，目前CMOS 图像传感器的动态范围还稍逊于CCD，虽然对数响应型CMOS图像传感器的动态范围可达120dB，但同时也增加了图像噪声，影响了图像质量。
提高动态范围的方法之一就是利用PECVD超高真空系统以及专用集成电路（ASIC）薄膜技术，改进光电二极管的材料组合，提高低灰度部位的感光度，同时在像素电路的结构及驱动方法上下功夫，实现低灰度时自动转换到线形输出，高灰度时自动转换到对数压缩输出。
5 研究进展视频便携式摄像机、掌上电脑、PDA和保安设备的巨大需求推动了CMOS图像传感器的广泛应用。
其中以APS发展最为迅速，过去工艺中各种不易解决的技术问题现在都能找到相应的解决办法，图像质量得到大大改善，像素规模已由最初的几万像素发展到现在的几百万上千万像素。
CDS电路，技术彩色滤波器阵列技术，数字信号处理（DSP）技术，噪声抑制技术不断有新突破，目前CMOS传感器大都采用0.35mm或0.5mm的CMOS制造工艺，CMOS单元面积上的像素数已与CCD相当，因此可基本达到CCD器件的高分辨率。
