低温真空环境中薄膜材料击穿试验电极系统的研制
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低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长及特性研究的开
题报告
1. 研究背景
随着微电子技术的发展,硅材料及其在电子器件中的应用得到了广泛的发展。
其中,Poly-Si薄膜是一种重要的材料,在太阳能电池、液晶显示器等领域中有着广泛的应用,并且还有着潜在的应用价值。
目前,Poly-Si薄膜的制备方法有很多种,其中ECR-PECVD生长方法具有高生长速率、低温度等优点,因此备受关注。
2. 研究目的
本课题旨在研究低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长方法,并深入探讨其生长特性
和性能。
具体研究内容包括:在不同处理条件下,ECR-PECVD生长Poly-Si薄膜的生
长速率、结晶度、晶粒尺寸等性能的变化规律,以及对生长过程中的物理机制进行探究。
3. 研究方法
本研究将采用ECR-PECVD生长法制备Poly-Si薄膜,通过改变反应气体压强、反应温度、射频功率、衬底温度等参数,研究Poly-Si薄膜的性质和生长规律。
通过SEM、XRD、EDS等分析手段,对材料的微观结构及成分进行表征和分析,以探究不同处理
条件对Poly-Si薄膜性能的影响。
4. 预期成果
通过本研究,将深入了解低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长特点,建立其生长的
动力学模型,系统分析其物理机制,为Poly-Si薄膜在光电器件领域中的应用提供理论基础和技术支持。
预期在相关领域或行业具有先进的应用价值和潜在的经济效益。
专利名称:一种可测量薄膜试样厚度的击穿电压实验装置专利类型:实用新型专利
发明人:唐德月,乔文静,姜允鹏
申请号:CN201721644102.2
申请日:20171201
公开号:CN207528154U
公开日:
20180622
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本实用新型公开了一种可测量薄膜试样厚度的击穿电压实验装置,它涉及电气设备技术领域,其组成包括,螺旋测微器、上绝缘板、中绝缘板、调节螺栓、支架、油杯、下绝缘板、螺钉、螺杆、高压电极、压力传感器、薄膜试样、地电极、绝缘油。
螺旋测微器垂直固定在上绝缘板中心,上绝缘板、下绝缘板固定在支架上,支架穿过中绝缘板,通过调节螺栓固定中绝缘板的位置,中绝缘板中心固定高压电极,高压电极内置压力传感器,油杯置于下绝缘板上,地电极置于油杯中,薄膜试样置于高压电极和地电极中间。
利用本实用新型装置可以有效避免试样滑动对实验造成的误差,直接对试样厚度进行测量,操作简单,节省实验时间。
申请人:哈尔滨理工大学
地址:150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
国籍:CN
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薄膜的电导与击穿机制的研究1. 研究背景薄膜在电子、光电子学、光学和能源等领域具有广泛的应用,因此对其电导和击穿机制的研究至关重要。
薄膜的电导性质影响着电子在其中的传输效率,而击穿则是限制薄膜应用的一个重要因素。
2. 电导机制研究载流子传输模型:研究载流子在薄膜中的传输机制,包括电子和空穴的载流子浓度、迁移率等参数,以理解电导性质的来源。
能带结构分析:通过理论模型或实验手段研究薄膜的能带结构,包括导带和价带的位置、能隙大小等,进而揭示电子的能级分布和传输行为。
界面和缺陷效应:考察薄膜表面和界面的特性以及内部缺陷对电导性质的影响,包括界面态、表面态、缺陷态等。
3. 击穿机制研究电场分布分析:研究薄膜中的电场分布情况,探讨在何种电场强度下会出现击穿现象,进而评估击穿电压。
能量耗散机制:分析击穿时薄膜中能量的耗散情况,包括热耗散、电子束耗散等,从能量角度理解击穿过程。
击穿路径分析:研究击穿发生时电子的运动路径和能量分布,以及在击穿形成之后的电离和放电过程。
4. 实验与模拟手段实验手段:包括场致发射电子显微镜(FIB-SEM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等观测薄膜结构和界面缺陷,以及电导测试仪、击穿测试仪等测量电导和击穿性能。
理论模拟:利用第一性原理计算、密度泛函理论(DFT)、蒙特卡洛模拟等方法模拟薄膜的电子结构、载流子传输和击穿行为。
5. 应用前景电子器件:研究薄膜的电导与击穿机制对于开发高性能的薄膜电子器件具有重要意义,如薄膜晶体管、太阳能电池等。
光学器件:了解薄膜的电导与击穿性能可以指导光学器件的设计与优化,如薄膜激光器、光电探测器等。
能源领域:利用对薄膜电导与击穿机制的研究,可以提高能源存储和转换设备的效率和稳定性,如薄膜锂离子电池、超级电容器等。
综上所述,对薄膜的电导与击穿机制的研究有助于深入理解薄膜的电子性质和电场响应,为其在电子、光学和能源等领域的应用提供理论指导和技术支持。