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升压变换器工作原理
升压变换器是一种电子电路，可以将输入电压升高到更高的电压。
它的工作原理基于电感和电容的相互作用，通过周期性地切换电路中的电流和电压来实现电压升高。
升压变换器通常由以下几个部分组成：
1. 输入电源：提供输入电压。
2. 开关管：控制电路中的电流和电压。
3. 电感：存储电能并将其传递到输出端。
4. 电容：平滑输出电压。
5. 输出负载：接收升压后的电压。
升压变换器的工作原理如下：
1. 当开关管关闭时，输入电源的电流通过电感，电感储存电能。
2. 当开关管打开时，电感中储存的电能被释放，电流开始流向输出负载。
3. 电容平滑输出电压，使输出电压稳定。
4. 当开关管再次关闭时，电感中的电流被截断，电感中的磁场崩溃，电感中的电能被释放，电流继续流向输出负载。
5. 重复以上步骤，周期性地切换电路中的电流和电压，从而实现电压升高。
升压变换器有许多应用，例如电子设备、太阳能电池板和汽车点火系统等。
在这些应用中，升压变换器可以将低电压转换为高电压，以满足设备的需求。
总之，升压变换器是一种非常有用的电子电路，可以将输入电压升高到更高的电压。
它的工作原理基于电感和电容的相互作用，通过周期性地切换电路中的电流和电压来实现电压升高。
高压升压boost方案引言高压升压(boost)方案是一种常见的电路设计方案，用于将低电压升至较高电压的电路。
在许多电子设备中，需要使用较高的电压来驱动特定的元件或执行特定的功能。
本文将介绍高压升压Boost方案的原理、应用、设计步骤以及常见问题和解决方案。
原理高压升压Boost方案使用一种称为升压转换器的电路来将低电压转换为高电压。
这种电路通常由以下几个关键部分组成：1.输入电源：提供低电压输入能量的电源，通常是电池或低压直流电源。
2.电感：通过电感储存能量，并在合适的时机释放能量。
3.开关管：控制电路的打开和关闭，以控制能量的传输。
4.整流器：将储存在电感中的能量转换为所需的高电压输出。
高压升压Boost方案的基本工作原理是：在时间t1，开关管打开，电感储存能量；在时间t2，开关管关闭，电感释放储存的能量；在时间t3，能量通过整流器转换为高电压输出。
这个过程不断循环，以提供稳定的高电压输出。
应用高压升压Boost方案广泛应用于许多电子设备中，包括但不限于以下领域：1.电池供电设备：在一些需要高电压驱动的设备中，使用高压升压方案可以提高设备的效率。
2.LED照明：在LED驱动电路中，使用高压升压方案可以提供足够的电压来驱动LED灯。
3.通信设备：在一些无线通信设备中，使用高压升压方案可以提供足够的电压来驱动射频模块。
4.物联网设备：在一些物联网设备中，例如传感器节点，使用高压升压方案可以提供所需的高电压。
设计步骤设计一个高压升压Boost方案需要经过以下几个步骤：1.确定输出电压：根据应用需求确定所需的高电压输出。
2.计算工作周期：根据输入电压和输出电压计算工作周期和占空比。
3.选择元器件：根据工作周期和电流要求选择合适的电感、开关管和整流器。
4.建立电路图：根据选定的元器件，绘制高压升压Boost方案的电路图。
5.进行模拟仿真：使用电路仿真工具验证电路的性能和稳定性。
6.调整参数和优化设计：根据仿真结果调整元器件参数并优化设计，以达到最佳的高压升压效果。
升压转换器工作原理升压转换器是一种电子电路，它能够把低电压转换为高电压。
升压转换器广泛应用于许多电子电路中，例如电子灯、笔记本电脑、手机等，因为这些电子设备需要使用高电压来驱动它们的电子元件。
升压转换器的工作原理是利用电感和电容器来充电和放电，从而把低电压变成高电压。
这个过程可以分为四个步骤：充电、关闭开关、放电、开启开关。
第一步：充电当升压转换器输入低电压时，电感线圈开始工作，电流开始流过线圈。
这时，电容器被连接到线圈中，在电容器的端点存储电能。
当电容器的电压达到一定值时，它将不再接收电流。
第二步：关闭开关当电容器接收到足够的电荷时，开关将被关闭，阻止电流继续流入线圈。
在这种情况下，线圈的磁场将崩溃，电能将释放到电容器中。
在开关关闭后，电容器开始释放储存的电荷。
这种释放会使电容器的电压升高到比输入电压高得多的电压。
电容器的电压升高将导致输出电压增加。
当输出电压达到一定值时，开关将重新打开，允许电流重新流过线圈，重复整个过程。
这个过程将不断重复，直到输出电压达到所需的值。
以上就是升压转换器的四个基本步骤，也称之为“升压电路”的工作原理。
此外还有一些其他的因素也能影响升压转换器的性能，例如频率、线圈的电感值以及电容器的电容值等因素。
可以看到，升压转换器的工作原理非常简单，但它却可以在电子设备的设计和制造中扮演着非常重要的角色。
升压转换器的优势升压转换器相对于其他电源供应模块有许多优势，其中最重要的一点是其高效率。
这是因为升压转换器可以很好地控制电能的流动，使得所生成的高电压更加稳定。
相比之下，其他电源模块在电能转换过程中的效率往往要低得多，因此会产生大量的热量。
这不仅会给电子设备带来危险，还会浪费能源，影响设备的寿命。
另一个升压转换器的优势是它可以在多种环境下使用。
在工业和军用设备中，常常需要使用高电压来驱动电子元件。
这些环境的电源供应可能不太稳定，并且在海拔较高的地方或温度过高的环境中，许多电源模块很难正常工作。
DC12V-DC24V 5A 120W升压器产品简介：12V转24V直流升压器,本产品是一款采用脉宽调制（PWM）方式，非隔离型开关稳压电源，将输入12V升压至24V输出，采用进口大功率集成开关稳压模块为核心，能将不稳定的10—16V的直流电源变换为稳定的24V直流电源输出。
具有转换效率高，性能稳定等特点，输入过压、输出过流、过温、输出短路等自动保护功能，并在故障消除后恢复正常工作。
特别适合于车载音响,液晶电视,对讲机,监控系统及机械设备等使用。
主要性能参数：输入电压：DC10V - DC16V输出电压：DC24V±5%输出电流：5A工作温度：-20℃- +55℃转换效率：>92%峰值功率：120W（MAX）静态电流：<30mA尺寸：长64MM,宽54MM,高38MM注：安装时注意正/负极性，避免输出端短路(否则烧保险)DC12V-DC24V 10A 240W升压器是一款采用脉宽调制（PWM）方式，非隔离型开关稳压电源，将输入12V升压至24V输出转换效率高，性能稳定等特点主要性能参数：输入电压：DC10V - DC16V输出电压：DC24V±5%输出电流：10A工作温度：-20℃- +55℃转换效率：>90%额定功率：200W峰值功率：280W（MAX）需要注意散热静态电流：<50mA尺寸：长95MM,宽87MM,高52MM注：安装时注意正/负极性，IN为输入，OUT为输出，红正黑负，避免输出端短路(否则烧保险)DC12V-DC24V 15A 360W升压器产品简介：12V转24V直流升压器,本产品是一款采用脉宽调制（PWM）方式，非隔离型开关稳压电源，将输入12V升压至24V输出，采用进口大功率集成开关稳压模块为核心，能将不稳定的10—16V的直流电源变换为稳定的24V直流电源输出。
具有转换效率高，性能稳定等特点，输入过压、输出过流、过温、输出短路等自动保护功能，并在故障消除后恢复正常工作。
降压- 升压转换器，也称为升压型DC-DC 转换器，是一种能够在输入电压和输出电压之间实现双向电压变换的电源电路。
它主要由四个部分组成：输入滤波器、开关管、输出滤波器和电感器。
以下是降压- 升压转换器的工作原理：1. 输入滤波器：输入滤波器主要由电容和电感组成，用于过滤输入电压的噪声和纹波，确保输入电压的稳定性。
2. 开关管：开关管（如MOSFET）是降压- 升压转换器的核心部分，负责在输入电压和输出电压之间进行电压调节。
在开关管的控制下，输入电压的一部分能量被传递到输出电压，从而实现电压的升高。
3. 输出滤波器：输出滤波器主要由电容和电感组成，用于平滑输出电压的波形，降低输出电压的纹波和噪声。
4. 电感器：电感器在降压- 升压转换器中起到储能和传递能量的作用。
在开关管导通时，电感器储存输入电压的能量；在开关管断开时，电感器将储存的能量传递给输出电压。
降压- 升压转换器的工作过程如下：1. 开关管导通：当输入电压处于正向时，开关管导通，输入电压的一部分能量通过电感器储存，同时输出电压开始上升。
2. 开关管断开：当输入电压达到目标值时，开关管断开，此时电感器内的电流开始通过输出滤波器的电容放电，使输出电压保持稳定。
3. 输出电压调整：通过控制开关管的导通和断开时间，可以实现输出电压的调整。
当需要降低输出电压时，可以增加开关管的导通时间；当需要提高输出电压时，可以减少开关管的导通时间。
4. 循环过程：降压- 升压转换器在输入电压和输出电压之间不断进行电压变换，以满足不同应用场景的需求。
降压- 升压转换器通过开关管、电感器和输出滤波器的协同作用，实现了在输入电压和输出电压之间的双向电压变换，为各种电子设备提供了稳定的电源。
Rev. 1.3012021-08-18HT77xxBA5V/200mA PFM异步升压转换器特性•低启动电压：0.85V (典型值) •效率高达85% •超低空载输入电流•高输出电压精度：±2.5%•固定输出电压：2.7V/3.0V/3.3V/3.7V/5.0V •超低关机电流：0.1μA (典型值) •封装类型：3-pin SOT23、5-pin SOT23、3-pin SOT89应用领域•单节、双节、三节碱性/ NiMH / NiCd 电池供电的便携式产品 •便携式装置/手持式设备概述HT77xxBA 系列为PFM 升压DC/DC 转换器，效率高、纹波低。
此系列具有超低启动电压以及高输出电压精度。
仅需少量外部元器件便可提供固定的2.7V/3.0V/3.3V/ 3.7V/5.0V 输出电压。
CMOS 技术确保低电源电流，使得该系列芯片成为单节或多节电池供电应用的理想选择。
HT77xxBA 系列内置一个振荡器、一个PFM 控制电路、一个驱动晶体管、一个参考电压单元以及一个高速比较器。
采用脉冲频率调制(PFM)可实现轻载输出时电源电流以及纹波尽可能小。
这些芯片采用节省空间的3-pin SOT89、3-pin SOT23和5-pin SOT23封装类型。
5-pin SOT23封装包含芯片使能功能，在关机模式时可减小功耗。
典型应用电路V V OUT选型表注：“xx ”表示输出电压。
Rev. 1.3022021-08-18LXOUTGND引脚图CEOUTNCSOT23-5GNDOUTLXSOT89GNDLXSOT23引脚说明建议工作范围注：极限参数表示超过此界限可能将对芯片造成损害。
建议工作范围表示芯片可正常工作的条件，但不包含特定限制条件。
Rev. 1.3032021-08-18Rev. 1.3042021-08-18V IN =0.6×V OUT ，I OUT =10mA ，Ta=25˚C，除非另有说明注：极限参数表示超过此界限可能将对芯片造成损害。
MAX15059 高压boost 转换器
MAX15059 固定频率脉宽调制(PWM)升压型DC-DC 转换器集成内置开关和能够高速调节限流的高边电流监测器。
该器件能够输出高达76V 的电压(MAX15059A 输出功率可达300mW，MAX15059B 输出功率可达
200mW)，监测电流高达4mA。
MAX15059 采用2.8V 至5.5V 电源供电。
固定频率(400kHz)电流模式PWM 架构提供低噪声输出电压，易于滤波。
内置高压功率MOSFET 允许器件提供高达76V 的输出电压。
内部软启动电路可有效抑制boost 转换器开启时的输入电流，MAX15059 具有关断模式，有助于降低功耗。
MAX15059 提供1000 倍的电流监测动态范围，能够以极高精度检测500nA 至4mA 范围的电流。
电阻可调节限流保护电路能够在光功率瞬变时有效保护APD。
钳位二极管能够在过压条件下保护监测器输出。
其它保护功能包括：boost 转换器开关的逐周期电流限制、欠压闭锁(UVLO)和管芯温度达到+150°C时的热关断。
MAX15059 提供增强散热的16 引脚TQFN-EP 无铅封装，工作在- 40°C至+85°C温度范围。
关键特性
输入电压范围：+2.8V 至+5.5V。
DC-DC升压变换器模块分类及型号（GRB12150D-2W）模块电源的分类按现代电力电子技术的应用领域,模块电源的分类如下：①绿色电源。
高速发展的计算机技术带领人类进入信息社会,同时也促进模块电源技术的迅速发展。
20世纪80年代,计算机全面采用开关电源,率先完成计算机的电源换代。
接着,开关电源技术相继进入电子、电器设备领域。
计算机技术的发展,提出绿色计算机和绿色电源绿色计算机泛指对环境无害的个人计算机和相关产品。
绿色电源系指与绿色计算机相关的高效清洁电源。
根据美国环境保护署1992年6月17日“能源之星”计划的规定,桌上型个人计算机或相关的外围设备,在睡眠状态下的耗电量若小于30W,就符合绿色计算机要求,提高电源效率是降低电源消耗的根本途径。
就效率为75%的200W开关电源而言,电源自身要消耗50W的能源。
②高频开关电源。
通信业的迅速发展极大推动了通信电源的发展,高频小型化的开关电源及其技术已成为现代通信供电系统的主流。
在通信领域中,通常将整流器称为一次电源,而将直流/直流(DC/DC)变换器称为二次电源。
一次电源的作用是将单相或三相交流电变换成标称值为48V的直流电源。
目前,在程控交换机用的一次电源中,传统的相控式稳压电源己被高频开关电源取代,高频开关电源(也称开关型整流器SMR)主开关(MOSFET或IGBT)的开关频率一般控制在50~100kHz范围内,可实现高效率和小型化。
近几年,开关整流器的功率容量不断扩大单机容量己从48V/12.5A、48V/20A扩大到48V/200A、48V/400A。
因通信设备中所用集成电路的种类繁多,其电源电压也各不相同,因此在通信供电系统中采用高功率密度的高频DCDC隔离模块电源,将中间母线电压(一般为48V直流)变换成所需的各种直流电压,即可大大减少损耗、方便维护,且安装、增加非常方便,一般都可直接安装在标准控制板上。
对二次电源的要求是高功率密度,因通信容量的不断增加,通信电源容量也将不断增加。
升压转换器的工作原理和应用1. 引言升压转换器（Boost Converter）是一种重要的电源转换器，广泛应用于各种电子设备中。
它能将输入的直流电压转换为高于输入电压的输出电压，因此在电压升高的应用场景中得到广泛应用。
本文将介绍升压转换器的工作原理以及它在电子设备中的应用。
2. 工作原理升压转换器的工作原理基于电感储能。
其基本构成包括输入电压源、开关管、电感、输出电容和负载。
以下是升压转换器的工作原理：1.比较器比较输入电压和目标输出电压，控制开关管的导通和断开，以使输出电压稳定在预定值。
2.开关管导通时，电感储能，储能电流增加。
3.当开关管断开时，储能电流通过二极管传导给输出电容和负载，从而提供稳定的输出电压。
通过制定合理的控制策略，升压转换器可以实现高效率的电压转换。
3. 应用场景升压转换器在各个领域有广泛的应用，下面列举几个典型的应用场景：3.1 电子设备升压转换器在电子设备中有广泛应用，例如：•手机：升压转换器在手机芯片供电中起到关键作用，将电池供电提升到合适的工作电压。
•摄像机：升压转换器用于摄像机的高压模块，将低电压升至高电压，以供摄像机正常工作。
3.2 可再生能源系统升压转换器也在可再生能源系统中扮演重要角色。
•太阳能发电系统：太阳能电池产生的直流电需要经过升压转换器提升至适宜的电压，以满足用户需求或者反馈给电网。
•风能发电系统：风力发电机输出的电压较低，需要通过升压转换器提升至合适的电压水平。
3.3 电动车升压转换器也被广泛应用于电动车的电池管理系统。
•电动汽车：升压转换器用于将低电压的电池供电电压转换为驱动电机所需的高电压。
•电动自行车：升压转换器将电池输出电压升高以供电动机正常工作。
4. 总结升压转换器作为一种重要的电源转换器，具有广泛的应用前景。
本文介绍了升压转换器的工作原理和几个典型的应用场景，包括电子设备、可再生能源系统和电动车。
随着科技的发展，升压转换器技术也在不断创新，为各个领域的电源供应提供更加高效稳定的解决方案。
如何低成本提升电压的方法
有以下几种方法可以低成本提升电压：
1. 使用变压器：变压器是一种将输入电压转换为所需输出电压的设备。
通过选择合适的变压器，可以将低电压升高到较高的电压水平。
2. 使用倍压电路：倍压电路是一种通过电容器和二极管的组合来实现电压倍增的电路。
通过适当配置电容和二极管，可以将输入电压提升为所需的输出电压。
3. 使用升压转换器：升压转换器是一种将输入电压转换为更高电压的电路。
常见的升压转换器包括Boost转换器和Flyback转换器。
这些转换器通常采用开关电源技术，可以实现高效的电压提升。
4. 使用步进升压模块：步进升压模块是一种集成了开关电源和升压转换器的模块。
这种模块可直接连接到电源和负载，提供所需的高电压输出。
步进升压模块通常体积小、效率高，成本相对较低。
5. 使用太阳能光伏电池系统：太阳能光伏电池系统可以在阳光照射下将光能转换为电能。
通过连接适当数量的光伏电池，可以提供所需的高电压输出。
太阳能光伏系统成本较高，但在长期使用中能够低成本地提供稳定的高电压。
需要根据具体需求和预算选择适合的方法来低成本提升电压。
6mm x 8.5mm DIP )( 2)(8(APD) (PZT) (VFD) 1c) (MEMS) ( 1a 1bAPD (75V) 3V2. MAX1605 75V 6mm 8.5mm DC-DC 2.5V• •MOSFET MOSFET3VDC-DC1/ 2 f switch xCDSVOUT21c ( ) LX MOSFET•MOSFET IC MOSFET•1c MOSFET MAX1605 28V MOSFET• • • MOSFETFigure 1aVIN ILIM VCC LX VOUT VINFigure 1bNODE 1 VOUT ILIM VCC LX VIN 2.5V TO 5.5VFigure 1cT1 NP ILIM VCC CONTROL LOGIC 6-PIN SOT23 LX N GND FB NS COUT D1 VOUT = 75V AT MORE THAN 6mABOOST FB CONVERTER GNDFLYBACK CONVERTER FBMAX1605A SMALL 6-PIN SOT23 WITH INTERNAL FET CONVERTS 2.5V TO 130V OR MORE THAN 6mA AT 75V.1a1b1cDC-DC15MOSFETIPK dI = VIN dt LBST dI = VOUT - VIN dt LBST• • • MAX1605 MOSFET3.ILIINMAXIOUTMAX 0 T DxTSTEADY-STATE CURRENT RIPPLE FOR VIN = 2.5V AND VOUT = 50V1a1a LX VOUT + VD 1/n (VOUT)MOSFET MOSFETVIN 1 1b 1a(VIN)n1:1 11 VOUT = VIN 1 − DLX 1 1c MOSFET MOSFET MOSFET LXD3∆I UP = ∆I DOWN1b∆I UP = VIN V t = IN D × T LBST ON LBSTLXV − VIN V − VIN ∆IDOWN = OUT tOFF = OUT (1 − D) × T LBST LBSTVPRIMARY = − VIN VSECONDARY = NS / NP × VPRIMARYLX− VIN VIN V (1 − D) × T D × T = OUT LBST LBST VIN × D = VOUT − VIN × (1 − D) 1 VOUT = (1 − D) VIN D = 1− VIN VOUTNxIIP_ initial × NP + IS_ initial × NS = IP_ final × NP + IS_ final × NSP MOSFET MOSFETS finalinitial16IS_initial = IP_final = 0I S_ final = NP IP_ initial NSISAT = IPK / N LTOT = LBST × N LP = LTOT / N 2 = LBST / N1cI S_ final =IP_final = IS_finalNP I P_ initial NP + NS4∆IUP = IPK ∆IDOWN = IPK ∆IUP = N N‘N’N= NP + NS NP∆IUP ∆IDOWN N∆IUP =∆IUP∆IDOWN1c 1c 4 1c 2∆IDOWN = VIN VIN tON = D×T LP LBST / NVOUT − VIN V − VIN tOFF = OUT (1 − D) × T LTOT LBST × NL BST 4 LBST IPK N IPK/N NVOUT − VIN VIN (1 − D) × T = D×T LBST × N LBST × N / NVOUT/VINVOUT VIN = N×D +1 1− D D= VOUT − VIN VIN ( N − 1) + VOUT3 (2 dI = VIN x N LTOT dt tOFF = (1 - D) x T t MOSFET SWITCHES t = D X T ON OFF dI VOUT - VIN = LTOT dt IOUTMAX STEADY-STATE CURRENT RIPPLE FOR VIN = 2.5V and VOUT = 50V IPK4 ) 3 41/ 2 LIINMAXx I2 I N( )4 1c NLNILIPK N1c4. 1c4 N :LP = LTOT N21c N I PK /NI SAT LPN NNLTOT LTOT LP N2 LBST/N LTOT LBSTN (N )17/ /1 2 1 2LI 2 = 1 COUTVfinal 2 − 1 COUTVinitial2 2 2MOSFET tRR)(LI 2 = 1 COUT(Vfinal − Vinitial ) × (Vfinal + Vinitial ) 21 2LI 2 = COUT ∆VOUT × VOUT ∆VOUT =1 2LI 2COUT VOUTER _ LOSS ×100% ER _ LOSS + EdeliveredL = L BST L = LBST1 2I = I PK1cER_LOSS EdeliveredN I = IPK/NLBST( IPK )2 CVOUT∆VOUTA =1 2∆VOUT C =N × LBST (IPK 2 ) N = ∆VOUTA CVOUT N1I R 3 PK 1 I R + 1V 3 PK 2 IN× 100%∆VOUTA 1c 1/N 5 1a ( 1c 50%) NESR RIPPLE∆VOUTC 1c ND 1a 1cRL leakage L leakage + L primary×100%LleakageBOOST WITH TRANSFORMER LEVERAGECAPACITIVE RIPPLESTANDARD BOOST5.1a1cTokoD32FU 680µH/1874mA/20Ω/3.5mm x 3.5mm x 2.2mm 1:9 6.8µ H/740mA/ 2Ω ) 10 N N0 10MAXIMUM LOAD vs. OUTPUT VOLTAGEVIN = 5V8 MAXIMUM LOAD (mA)N2( 1:9 NN6VIN = 3.3V4102VIN = 2.5VN30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 OUTPUT VOLTAGE (V)7.61cVRIPPLE =1 2LP × IPK 2COUT × VOUTLP (500mA) 6 6 IC 17V RC 75V SOT23 MOSFET VIN + VOUT - VIN /N = APD MAX1605 16mV P-P APD COUT 75VIPK (0.47µF) 1a VOUT 16mVP-P28V/500mALC (RC )SUMIDA CMD4D13 4365-T020, NP:NS IS 1:5, LP = 4.53µH IP_SAT = 562mA, RP = 0.852Ω SIZE IS 4.1mm x 4.3mm x 1.45mm VIN 2.5V TO 5.5V 0.47µF NP SHDN LIM VCC CONTROL LOGIC T1 NS LX N GND FBCENTRAL SEMICONDUCTOR CMOD4448 BK SOD-523 D1 750kΩ100V ( ß V OUT ß ) 8 VBEVOUT = 75V AT MORE THAN 6mA 470pF COUT 0.47µF 100V CERAMIC CAPACITOR IN 1210 CASE (TDK C322X7R2A474K)MAX160513.7kΩ6.22.5V75V7MAX1605 ( )195%OUT• MOSFET IRF640NS 200V 0.15Ω QG = 67nC, CDSS = 185pF,RFILTER5.5V2A • 50mΩ FB FB 150V 6V 150VCFILTER FILTERED OUT8.18mA (2.7W) (65%) MOSFET 91mA MOSFET6V ( ) 10• • • •1c ( 9 MOSFET Sumida RP = 0.5Ω 1 9 150V MAX668 MOSFET MOSFET ( 150V 88% ( 1.8mA 200V 1:9CEE98 6343-T361, NP:NS is 1:9, LP = 2.4µH, IP_SAT = 7A, RP = 0.055Ω SIZE IS 8.2mm x 9.5mm x 6.0mm VIN = 5V 68µF SYNC/ SHDN VCC EXT CS NP LX T1 NS ES1D ULTRA-FAST, 200V, 15ns DIODEMAX66811)CMD-8LN 6313-T036,LP = 5.6µH, IP = 2.3A, NP:NS= 1:9, MOSFET IRF7401 MOSFET 22V 30V 200V 15mA MOSFET) 77% )MAX668 48nC• •CoilcraftDO1813P-472HC ES1D 200V 15ns25.5mA (3.8W)4.7µH/2.6A/0.054ΩMOSFET 200V MOSFET 2kV>1kVD1 R2 10MΩ VOUT COUT FOUR 0.1µF 250V CERAMIC CAPACITORSN1 IRF7811W R1 50mΩCentral Semiconductor (50ns tRR) ES1D400V CMR1U-04 400VMAX668FREQ R4 121kΩ GND PGND FBVADJ R3 75kΩ 220pFES1D MOSFET VOUT = 330V 60%346V -9 x VIN 9.6mA (3.1W) 66% (9.4mA)20NO-LOAD SWITCHING WAVEFORM FOR AN INDUCTOR SOLUTIONINDUCTOR CURRENT 500mA/divZOOM OF NO-LOAD SWITCHING WAVEFORM0CHARGE INTO OUTPUTCHARGE OUT OF OUTPUT 0.8A REVERSE-INDUCTOR CURRENTINDUCTOR CURRENT SLEWS CLX UPINDUCTOR CURRENT SLEWS CLX DPWNVLX 50V/div 0 400ns/divMOSFET IS ONDIODE IS CONDUCTINGMOSFET BODY DIODE CLAMPS NEGATIVE CURRENT20ns/div10.()ES1D15ns()150V 18nC/CDSS = 500pF) ( 82.3% ( 12 0.15Ω30V IRF640NS 0.012Ω)MOSFET IPSAT = 5A LP = 1.7µH 2 MOSFET IRF7811WIRF7811W (30V/0.012Ω/QG =25.7mA (150V) 77%) 88% (15.5mA)MOSFET ( MOSFET 0.5Ω )MOSFETEFFICIENCY vs. LOAD100TRANSFORMER-BASED, 30V MOSFET, 150V OUTPUT90 ILPRIM 0.5A/div EFFICIENCY (%) 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 5 10 15 20 25 LOAD (mA)INDUCTOR-BASED, 200V MOSFET, 150V OUTPUT TRANSFORMER-BASED, 200V MOSFET, 330V OUTPUT TRANSFORMER-BASED, 200V MOSFET, 150V OUTPUTO VLXI 20V/div O OUTPUT RIPPLE AC-COUPLED 200mV/div11. DC-DCMAX6689150V12. DC-DCDC-DC21。
