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基于ads仿真的低噪声放大器设计论文论文题目：基于ADS仿真的低噪声放大器设计摘要：低噪声放大器在无线通信系统中具有至关重要的作用，能够提高信号传输的质量和可靠性。
本论文基于ADS仿真平台对低噪声放大器的设计进行研究和优化，采用一种新颖的设计方法，以降低放大器的噪声系数，提高系统的性能。
首先，通过对低噪声放大器的原理和特性进行深入分析，确定了设计的目标和要求。
然后，利用ADS仿真工具进行电路设计和参数优化，并进行了相应的性能评估。
最后，通过实验验证了设计的有效性和可行性。
关键词：低噪声放大器、ADS仿真、噪声系数、性能评估、实验验证1.引言低噪声放大器在无线通信系统中起着关键作用，能够提高信号传输的质量和可靠性。
在设计低噪声放大器时，关注的主要指标是放大器的噪声系数。
低噪声放大器的设计需要考虑到多种因素，包括频率响应、幅度稳定性、增益平坦度等。
本论文旨在通过ADS仿真工具来实现低噪声放大器的设计和评估，优化其性能。
2.低噪声放大器设计原理3.ADS仿真工具的应用ADS是Agilent技术公司开发的一种射频和微波电路设计与仿真软件，具有强大的仿真和优化功能。
在本论文中，将使用ADS仿真工具来实现低噪声放大器的设计和优化。
通过合理选择元器件和调整电路参数，我们可以得到一个满足设计要求的低噪声放大器。
4.低噪声放大器设计和优化首先，在ADS中建立低噪声放大器的电路模型，包括源极、基极和负载等部分。
然后，通过电路参数的优化，使得在给定的频带内，低噪声放大器的噪声系数降至最低，并达到最佳的增益。
5.性能评估通过仿真数据对设计的低噪声放大器进行性能评估。
主要评估指标包括增益、噪声系数、频率响应以及其他性能参数。
比较设计方案的优缺点，选择和调整最佳的方案。
6.结果分析与讨论对仿真结果进行分析和讨论，评估设计的低噪声放大器方案的可行性和有效性。
对于不符合要求的设计方案，可以对电路参数进行进一步优化，以获得更好的性能。
xxx研究生射频电路课程报告基于ADS的低噪放大器设计学生：xxx学号：xxx指导教师：xxx专业：电子与通信工程Xxxxxx二O一三年十一月目录 (1)1 引言 (2)1.1低噪声放大器设计理论 (2)1.2低噪声放大器设计步骤 (2)1.3本次设计主要性能指标 (2)1.4小结 (3)2 低噪声放大器设计 (4)2.1晶体管的选择和下载 (4)2.2直流分析 (4)2.3偏置电路的设计 (5)2.4稳定性分析 (6)2.5噪声系数圆和输入匹配 (8)2.6最大增益的输出匹配 (12)2.7匹配网络的实现 (14)2.8原理图仿真 (15)2.9小结 (15)1.1 低噪声放大器设计理论低噪声放大器的设计目标就是在选择适当的晶体管后，通过设计合适的输入输出匹配网络来达到极低的噪声系数的同时获得一定的增益，通常在设计中采用折中的方案来达到设计要求。
在LNA的设计中，需要考虑的最重要的几个因素如下：放大器的稳定性：设计射频放大器时，必须优先考虑电路稳定性。
稳定性是指放大器抑制环境变化维持正常工作特性的能力。
在设计中，绝对稳定系数K 必须大于1，放大器才能达到绝对稳定。
放大器的功率增益：对输入信号进行放大是放大器最重要的任务，因此在放大器的设计中增益指标的完成很是重要，而我们通常所说的增益主要指转换功率增益G。
放大器输入输出驻波比：驻波比反映了信源与晶体管及晶体管与负载之间的失配程度，所以设计时要求驻波比要保持在特定指标之下。
放大器的噪声：对放大器来说，噪声的存在对整个设计有重要影响，在低噪声的前提下对信号进行放大是对放大器的基本要求。
1.2 低噪声放大器设计步骤晶体管的选择、下载与安装；直流分析；偏置电路设计；稳定性分析；噪声系数圆和输入匹配；匹配网络的实现；原理图仿真。
1.3 本次设计主要性能指标中心频率fo=5.8GHz；带宽B=300MHz；增益G=15dB；噪声系数Nf小于等于3dB；Zin=Zout=50Ω。
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毕业设计（论文）题目基于ADS的微波低噪声放大器的仿真设计所属院(系) 物电学院专业班级电子1201姓名学号：指导老师完成地点物电学院实验室2016年6月5日毕业论文﹙设计﹚任务书院(系) 物电学院专业班级电子信息工程学生姓名一、毕业论文﹙设计﹚题目基于ADS的微波低噪声放大器的仿真设计二、毕业论文﹙设计﹚工作自 2016 年 2 月 20 日起至 2016 年 6 月 20 日止三、毕业论文﹙设计﹚进行地点: 物电学院实验室四、毕业论文﹙设计﹚的内容要求：(LNA)广泛应用于微波接收系统中,是重要器件之一,主要用来放大低电平信号,由于是自天线下来第一个进行信号处理的器件,LNA决定了整个系统的噪声性能和电压驻波比VSWR,，往往需要对驻波比和噪声性能参数指标进行处理。
那么如何对这两个性能参数进行处理就成为低噪声放大器设计中的一个难点。
这个难点的最好解决方法就是放在放大器输入输出匹配网络的设计中来解决。
本设计是利用微波射频仿真软件ADS对微波低噪声放大器进行仿真设计，掌握微波射频电路的工程设计理论和设计方法，提高专业素质和工程实践能力。
其具体要求如下：1、分析微波低噪声放大器的各项参数；2、查找相关资料并翻译相关的英文资料；3、设计一微波低噪声放大器，根据所选器件,设计相应偏置电路；4、设计输入输出匹配电路，并利用仿真软件ADS对设计进行仿真验证。
进度安排:2月20日─3月1日：查阅资料、完成英文资料翻译并准备开题报告3月2日─4月1日：熟悉软件的使用并提交开题报告4月2日─5月1日：完善开题报告、研究微波低噪声放大器的理论设计方法、并建立偏置电路和匹配电路，进行期中检查。
5月2日─5月30日：利用软件建立微波低噪声放大器模型并进行仿真验证，准备验收。
6月1日─6月10日：撰写毕业设计论文并提交论文6月11日─6月15日：毕业设计答辩。
毕业设计应收集资料及参考文献:[1]低噪声放大器(LNA)[J].通信技术,2016(01)[2][D]电子科技大学，2009.[3][D]广东工业大学，2013.[4]. 2006.[5].[6] 射频功率放大器的研制[D].指导教师系 (教研室)系(教研室)主任签名批准日期接受论文 (设计)任务开始执行日期学生签名基于ADS的微波低噪声放大器的仿真设计学生：（陕西理工学院物理与电信工程学院电子信息工程专业电子1201班级，陕西汉中 723000）指导老师：[摘要]低噪声放大器用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路,低噪声放大器也主要面向移动通信基础设施基站应用。
基于ADS低噪声放大器设计及仿真ADS是一种通用的射频、微波电路、系统设计和仿真工具，可以用于设计和仿真低噪声放大器。
在设计和仿真低噪声放大器时，有几个重要的步骤需要遵循。
首先，需要选择合适的低噪声放大器结构。
常见的结构包括共源共栅结构、共源共栅共板结构等。
在选择结构时，需考虑频率范围、增益、噪声系数等参数要求。
其次，需要选择适当的放大器器件。
可以选择P摄放大器、N型放大器、电离横流晶体管（HEMT）等。
在选择器件时，需考虑器件的噪声系数、增益特性、非线性特性等。
接下来，进行电路设计。
可以利用ADS提供的电路设计工具来设计低噪声放大器的电路。
根据选择的放大器结构和器件来设计电路的拓扑结构和参数。
设计完成后，需要进行电路的仿真。
可以利用ADS提供的仿真工具来仿真电路的性能。
通过仿真可以调整电路参数，优化低噪声放大器的性能。
在进行仿真时，可以分别对放大器的增益、噪声系数和非线性特性进行仿真。
可以通过特定的测试电路来测试放大器的增益和噪声系数，并分别将测试结果与设计指标进行比较。
在进行仿真时，还可以调整放大器的输入和输出匹配网络，以优化放大器的频率响应和增益。
可以逐步调整匹配网络的参数，并进行反复的仿真和优化，直到满足设计要求。
最后，还可以进行电路的布局和布线设计。
可以利用ADS提供的布局工具来设计电路的布局和布线。
通过优化布局和布线，可以减少电路的电磁干扰和信号损耗，提高低噪声放大器的性能。
综上所述，基于ADS进行低噪声放大器的设计和仿真可以帮助工程师快速设计出满足要求的低噪声放大器，并通过仿真来测试和优化放大器的性能。
ADS设计低噪声放大器详细步骤低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）是无线通信系统中一个重要的组成部分，其功能是将接收到的微弱信号放大，以便后续的处理和解调。
设计低噪声放大器需要考虑多个因素，包括噪声系数、增益、带宽、稳定性等。
下面是一个详细的设计步骤，用于设计低噪声放大器。
1.确定设计规格：a.确定工作频率范围：通常情况下，设计LNA需要确定工作频率的范围，以便选择合适的器件和电路结构。
b.确定增益和噪声系数要求：根据系统需求，确定LNA的增益和噪声系数的要求。
一般来说，增益越高，噪声系数越低，但二者之间存在一定的折衷关系。
2.选择器件：根据设计规格，选择适当的射频器件。
常见的射频器件包括双极性晶体管（BJT），高电子迁移率晶体管（HEMT），甲乙基氮化镓场效应晶体管（GaAsFET）等。
3.确定电路结构：根据选择的器件和设计规格，确定LNA的电路结构。
常见的LNA电路结构包括共源极结构、共栅极结构和共基极结构。
根据不同的结构，可以实现不同的增益和噪声系数。
4.进行器件参数提取：使用器件模型，从所选器件中提取器件的S参数（散射参数）、Y参数（混合参数）等。
这些参数将在后续的仿真和优化中使用。
5.进行电路仿真：使用电路仿真软件（如ADS，Spectre等），根据设计的电路结构和选取的器件参数，进行电路的仿真。
可以通过改变电路参数和器件参数，来优化电路的性能。
6.进行电路优化：在仿真过程中，可以进行电路参数的优化。
优化的目标可以是噪声系数、增益、带宽等。
通过反复地优化，寻找最佳的电路参数。
7.器件布局和仿真：根据优化后的电路参数，进行射频电路的布局设计。
布局需要考虑信号和功率的传输、射频电感和电容的布线、射频耦合以及射频接地等因素。
8.器件特性提取：根据布局后的射频电路，提取各个节点的特性参数，如增益、输入输出阻抗、稳定性等。
9.进行电路仿真验证：使用仿真软件进行电路的验证，比较仿真结果与设计目标的一致性。
利用ADS 设计LNA低噪声放大器设计的依据和步骤：•满足规定的技术指标噪声系数（或噪声温度）；功率增益；增益平坦度；工作频带；动态范围输入、输出为标准微带线，其特征阻抗均为50Ω步骤：• 放大器级数（对于我们，为了便于设计和学习，通常选择一级） • 晶体管选择 • 电路拓扑结构 • 电路初步设计•用CAD 软件进行设计、优化、仿真模拟一、低噪声放大器的主要技术指标1．LNA 的噪声系数和噪声温度 放大器的噪声系数NF 可定义如下outout in in N S N S NF //=式中，NF 为微波部件的噪声系数；S in ，N in 分别为输入端的信号功率和噪声功率； S out ，N out 分别为输出端的信号功率和噪声功率。
噪声系数的物理含义是：信号通过放大器之后，由于放大器产生噪声，使信噪比变坏；信噪比下降的倍数就是噪声系数。
通常，噪声系数用分贝数表示，此时)lg(10)(NF dB NF =放大器自身产生的噪声常用等效噪声温度T e 来表达。
噪声温度T e 与噪声系数NF 的关系是)1(0-⋅=NF T T e 式中，T 0为环境温度，通常取为293K 。
2．LNA 的功率增益、相关增益与增益平坦度微波放大器功率增益有多种定义，比如资用增益、实际增益、共扼增益、单向化增益等。
对于实际的低噪音放大器，功率增益通常是指信源和负载都是50Ω标准阻抗情况下实功率增益的大小还会影响整机噪声系数，下面给出简化的多级放大器噪声系数表达式： (112)13121+-+-+=G G N G N N N f f f f其中：f N －放大器整机噪声系数；321f f f N N N ，，－分别为第1，2，3级的噪声系数；21G G ，－分别为第1，2级功率增益。
从上面的讨论可以知道，当前级增益G 1和G 2足够大的时候，整机的噪声系数接近第一级的噪声系数。
因此多级放大器第一级噪音系数大小起决定作用。
作为成品微波低噪音放大器的功率增益，一般是20－50dB 范围。
基于ADS的低噪放大器设计低噪放大器(LNA)是无线通信系统和射频电路中非常重要的组成部分，其主要功能是接收到的微弱信号进行放大并降低噪声水平。
在LNA设计中，使用高度集成的射频集成电路技术(ASIC)来实现高性能的LNA是相对常见的方法之一、本文将基于ADS软件进行低噪放大器的设计。
在ADS软件中，设计LNA的第一步是选择适当的放大器结构。
常见的放大器结构包括共源放大器、共栅放大器和共源共栅放大器等。
在选择放大器结构时，需要根据电路的噪声要求、增益要求和频率范围来决定。
在本文中，我们将选择共源放大器结构进行LNA的设计。
第二步是进行器件的建模和参数选择。
在ADS软件中，我们可以使用S参数模型或者使用器件的原理模型来进行建模。
对于MOSFET器件，我们可以使用BSIM3或者BSIM4模型。
在选择模型时，需要考虑器件的性能和仿真的准确性。
此外，还需要选择合适的器件尺寸和电流偏置点，以满足低噪声和高增益的要求。
第三步是进行射频传输线的设计和匹配网络的设计。
在LNA的输入端，通常需要使用一个传输线来实现输入的匹配。
在ADS软件中，我们可以使用Smith图或者阻抗匹配工具来设计和优化传输线。
另外，在输出端也需要进行匹配网络的设计，以实现合适的阻抗匹配。
在设计匹配网络时，可以使用传统的L型、π型或者香蕉型网络，也可以使用阻抗变换器来实现匹配。
第四步是进行直流偏置电路的设计。
在共源放大器中，需要使用直流偏置电路来提供适当的电流偏置点。
直流偏置电路的设计通常包括电流源和电流镜。
在ADS软件中，我们可以使用电流源和电流镜元件来设计直流偏置电路。
根据仿真结果，可以调整电流源和电流镜的尺寸和电流偏置点，以满足设计的要求。
第五步是进行电路的仿真和性能评估。
在ADS软件中，可以使用S参数仿真、噪声仿真和交流仿真来评估LNA的性能。
通过调整各个元件的参数，可以得到合适的增益、噪声系数和带宽等性能指标。
在设计中，需要注意平衡增益和噪声系数的关系，以及增益、带宽和稳定性的平衡。
基于ADS 的低噪声放大器设计[摘要]伴随着无线通信和CMOS 工艺的发展，让基于CMOS 工艺下的射频集成电路设计成为目前研究热点。
本文主要是设计低噪声放大器，决定着接收机整体性能的关键模块。
它需要具有低噪声、良好的增益、线性度、较低的功耗和合适的输入输出匹配。
本文是基于TSMC 0.18umCMOS 工艺并运用电感源极负反馈与共源共栅结构的结合作为设计低噪声放大器的基本框架，并采用ADS 软件对电路图进行仿真，对初步仿真结果进行进一步分析,处理的难点在于这些参数是密不可分的，因此要对它们进行折衷的考虑分析、优化调谐操作等等。
仿真结果为：在5.2GHz 处，输入输出回波放射系数与都小于-30dB, 增益值11S 22S 为14.106dB ，功耗为38mA ，噪声系数为1.228dB,1dB 压缩点为-11.2021S dBm,三阶互调点为-2.5dBm 。
以上结果均满足预先的设计指标要求。
[关键词] 低噪声放大器 ADS 仿真 CMOS 工艺 电感源极负反馈共源共栅Low Noise Amplifier design besed on ADSZheng pengdaNO: 2011850022, Electronic science and technology major, 2015,Information Engineering College of Jimei UniversityAbstract: With the development of wireless communication technologies and CMOS tec-hnolo gy, let radio frequency integrated circuit design based on CMOS process has become the hot topic of the current research. This paper is to design the low noise amplifier whi-cth is the key to t he overall performance of the receiver module. It has required low noise,good gain and linearity, l ow power consumption, the appropriate input and output matching. This paper is based on TSMC 0.18 um CMOS process and cascode topology with induct-ive source degenration negative feedb ack as the basic framework of the design of low noi-se amplifier. The circuit diagram of low noise amplifier with ADS software simulation. Forpr-eliminary simulation results for further analysis, deal with thedifficulty is that these paramet-ers are inseparable, so want to compromise their consideration analysis, optimization andtuning operation and so on. Simulation results : at 5.2 GHz, input and output echo radiati-on coefficient and are less than 30 dB, the gain value of 14.106 dB, power consumptionis 38 ma, noise coefficient is 1.228 dB, 1 dB compression poi-nt for -11.20 dBm, The thirdorder intermodulation point of 2.5 dBm. These results can satisfy the requirements of desi-gn index of the advance.Key words : Low Noise Amplifier, ADS simulation, CMOS technology, Cascode topology with inductive source degenration引言 (1)第1章低噪声放大器的基本原理以及性能参数 (2)1.1 基本概念 (2)1.2 低噪声放大器性能参数的介绍 (3)第2章低噪声放大器的方案设计 (7)2.1 电感源极负反馈结构的采用以及相应的参数介绍 (7)2.2 共源共栅结构（Cascode）的低噪声放大器 (8)2.3 单端和差分放大器 (9)第3章低噪声放大器的电路设计与仿真结果 (11)3.1 低噪声放大器的电路图设计 (11)3.1.1 低噪声放大器设计的性能指标要求 (11)3.1.2 低噪声放大器（LNA）的电路图 (12)3.2 仿真结果电路图 (12)3.3 仿真结果分析 (13)3.3.1 DC直流仿真 (13)3.3.2 S参数的仿真 (14)3.3.3 S 参数的调谐模式 (16)3.3.4 1dB压缩点仿真 (19)3.3.5 三阶互调仿真 (21)3.3.6 低噪声放大器的仿真结果指标值 (22)结论 (23)致谢语 (24)[参考文献] (25)近年来，随着无线通信技术被大规模应用到社会生活中的各个领域，如：GPS全球卫星定位系统、无线局域网WLAN、雷达、遥感遥控、移动通信、无线接入系统（蓝牙）、高速语音、蜂窝式个人通信与基地站、智能交通系统等等，射频无线通信技术在现代生活中就扮演着举足轻重的角色，它的高度机动性和灵活性使它的应用日益广泛。
利用ADS 来设计的LNA低噪声放大器设计的依据和步骤：•满足规定的技术指标噪声系数（或噪声温度）；功率增益；增益平坦度；工作频带；动态范围输入、输出为标准微带线，其特征阻抗均为50Ω步骤：• 放大器级数（对于我们，为了便于设计和学习，通常选择一级） • 晶体管选择 • 电路拓扑结构 • 电路初步设计•用CAD 软件进行设计、优化、仿真模拟一、低噪声放大器的主要技术指标1．LNA 的噪声系数和噪声温度 放大器的噪声系数NF 可定义如下outout in in N S N S NF //=式中，NF 为微波部件的噪声系数；S in ，N in 分别为输入端的信号功率和噪声功率； S out ，N out 分别为输出端的信号功率和噪声功率。
噪声系数的物理含义是：信号通过放大器之后，由于放大器产生噪声，使信噪比变坏；信噪比下降的倍数就是噪声系数。
通常，噪声系数用分贝数表示，此时)lg(10)(NF dB NF =放大器自身产生的噪声常用等效噪声温度T e 来表达。
噪声温度T e 与噪声系数NF 的关系是 )1(0-⋅=NF T T e 式中，T 0为环境温度，通常取为293K 。
2．LNA 的功率增益、相关增益与增益平坦度微波放大器功率增益有多种定义，比如资用增益、实际增益、共扼增益、单向化增益等。
对于实际的低噪音放大器，功率增益通常是指信源和负载都是50Ω标准阻抗情况下实功率增益的大小还会影响整机噪声系数，下面给出简化的多级放大器噪声系数表达式： (112)13121+-+-+=G G N G N N N f f f f其中：f N －放大器整机噪声系数；321f f f N N N ，，－分别为第1，2，3级的噪声系数；21G G ，－分别为第1，2级功率增益。
从上面的讨论可以知道，当前级增益G 1和G 2足够大的时候，整机的噪声系数接近第一级的噪声系数。
因此多级放大器第一级噪音系数大小起决定作用。
作为成品微波低噪音放大器的功率增益，一般是20－50dB 范围。
增益平坦度是指工作频带内功率增益的起伏，常用最高增益与最小增益之差，即△G(dB)表示。
3．工作频带不仅是指功率增益满足平坦度要求的频带范围，而且还要求全频带内噪音要满足要求，并给出各频点的噪音系数。
时的输入功率值。
4．动态范围是指低噪音放大器输入信号允许的最小功率和最大功率的范围。
动态范围的下限取决于噪声性能。
当放大器的噪声系数N f 给定时，输入信号功率允许最小值是：M f kT N P m f )(0min ∆=其中：m f ∆－微波系统的通频带(例如中频放大器通频带)；M － 微波系统允许的信号噪声比，或信号识别系数；T 0－ 环境温度，293K 。
动态范围的上限是受非线性指标限制，有时候要求更加严格些，则定义为放大器非线性特性达到指定三阶交调系数 5．端口驻波比和反射损耗低噪声放大器主要指标是噪声系数，所以输入匹配电路是按照噪声最佳来设计的，其结果会偏离驻波比最佳的共扼匹配状态，因此驻波比不会很好。
此外，由于微波场效应晶体或双极性晶体管，其增益特性大体上都是按每倍频程以6dB 规律随频率升高而下降，为了获得工作频带内平坦增益特性，在输入匹配电路和输出匹配电路都是无耗电抗性电路情况下，只能采用低频段失配的方法来压低增益，以保持带内增益平坦，因此端口驻波比必然是随着频率降低而升高。
6对条件稳定的放大器，其负载阻抗和源阻抗不能任意选择，而是有一定的范围，否则放大器不能稳定工作。
定义：211211112S S S suficient ⋅--=211222122S S S suficient ⋅--=211222112221122111222S S S S S S S S necessary ⋅⋅-⋅+--=放大器在гS输入平面上绝对稳定的充分必要条件为101>>necessary suficient放大器在гL输入平面上绝对稳定的充分必要条件为12>>necessary suficient二、 性能指标Frequency 2.0GHz SourceImpedance 50Ohm Gain >10d Noisefactor <2dB Stablity Unconditonal 三、 晶体管选择在进行设计之前，我从网上搜索和下载了很多device 的s2p 文件和datasheet ，在众 多的器件中选择一个合适的晶体管对后面的设计很重要，因此在选择器件上我也花了很多时间，力求能选得合适。
最后我采用了NEC 的2SC5507(NE661M04)，它具有频率高、噪声低、低温性能好等优点。
2SC5507提供的Datasheet 提供了宽频段的S 参数，ADS 设置中也选用S 参数模型，因为用S 参数模型比较精确，而且各种资料也详细，比较方便。
虽然在设计上我估计是能符合性能指标的，不过这里我没有考虑晶体管的价格问题，所以有可能“杀鸡用牛刀”了，没有充分发挥器件的性能，但是对于我们初学者，这个问题可以先不予考虑，主要是为了学习和掌握设计的方法。
下面是2SC5507的s2p 文件：/**********************************************! NEC Compound Semiconductor Devices Ltd.! 20. August 2002! NE661M04/2SC5507! NPN Silicon Transistor! Vce = 2 V Ic = 5 mA# GHz S MA R 50! f S11 S21 S12 S22! GHz MAG ANG MAG ANG MAG ANG MAG ANG0.10 0.820 -4.7 10.440 173.8 0.000 80.8 0.970 -4.10.20 0.820 -9.2 10.280 168.8 0.010 75.3 0.940 -7.10.30 0.800 -13.8 10.090 164.2 0.010 75.0 0.920 -9.40.40 0.790 -18.0 9.890 159.8 0.010 74.1 0.900 -11.50.50 0.780 -22.4 9.730 155.6 0.020 72.2 0.880 -13.40.60 0.760 -26.6 9.550 151.5 0.020 70.4 0.870 -15.40.70 0.740 -31.1 9.360 147.4 0.020 68.0 0.850 -17.30.80 0.720 -35.3 9.190 143.5 0.030 66.6 0.840 -18.90.90 0.700 -39.4 9.010 139.6 0.030 64.9 0.820 -20.81.00 0.680 -43.6 8.820 135.8 0.030 63.3 0.800 -22.41.10 0.660 -47.9 8.670 132.0 0.030 61.2 0.780 -23.91.20 0.630 -51.9 8.460 128.6 0.040 60.7 0.770 -25.51.30 0.610 -56.2 8.270 124.8 0.040 58.7 0.750 -26.91.40 0.580 -60.3 8.070 121.5 0.040 57.8 0.730 -28.41.50 0.560 -64.7 7.910 117.9 0.040 56.3 0.720 -29.71.60 0.530 -68.9 7.720 114.5 0.040 55.5 0.700 -31.01.70 0.510 -73.3 7.540 111.3 0.050 53.8 0.690 -32.31.80 0.490 -77.6 7.350 108.2 0.050 53.4 0.670 -33.61.90 0.460 -82.0 7.180 105.0 0.050 51.9 0.650 -34.92.00 0.440 -86.7 7.000 102.0 0.050 51.6 0.640 -36.12.10 0.420 -91.6 6.830 98.9 0.050 49.6 0.620 -37.22.20 0.400 -96.5 6.660 95.9 0.050 49.6 0.610 -38.22.30 0.380 -101.9 6.490 92.9 0.050 48.3 0.600 -39.52.40 0.360 -107.6 6.320 90.0 0.050 47.4 0.580 -40.52.50 0.350 -113.6 6.160 87.0 0.060 46.2 0.570 -41.72.60 0.330 -120.2 6.000 84.1 0.060 45.3 0.550 -42.72.70 0.320 -127.9 5.820 80.9 0.060 44.6 0.530 -43.42.80 0.300 -137.3 5.590 77.9 0.060 42.5 0.520 -43.82.90 0.250 -144.7 5.290 76.3 0.060 44.1 0.520 -43.23.00 0.230 -142.4 5.220 76.0 0.060 48.2 0.520 -44.84.00 0.310 175.3 4.230 62.3 0.060 46.8 0.440 -48.35.00 0.420 147.1 3.500 41.8 0.080 45.6 0.360 -70.46.00 0.510 130.2 2.940 25.6 0.090 42.7 0.310 -89.67.00 0.580 116.8 2.520 9.8 0.100 38.6 0.290 -115.38.00 0.650 106.9 2.160 -5.0 0.120 34.4 0.310 -143.09.00 0.710 99.0 1.850 -19.3 0.130 28.7 0.360 -168.210.00 0.760 92.8 1.570 -32.6 0.140 22.9 0.440 172.111.00 0.780 89.2 1.360 -44.5 0.140 17.8 0.530 158.512.00 0.790 84.8 1.160 -55.1 0.150 13.4 0.600 149.8！噪声系数参数表! f Fmin Gamma opt Rn/50! GHz dB MAG ANG -0.80 1.59 0.380 10.7 0.430.90 1.60 0.380 11.9 0.431.00 1.60 0.380 13.2 0.431.50 1.62 0.360 20.5 0.411.80 1.63 0.340 25.7 0.381.90 1.63 0.330 27.5 0.382.00 1.63 0.320 29.4 0.372.50 1.65 0.260 40.1 0.32/***************************************************************选好器件以后可以先利用S参数计算器sparam软件判断它的稳定性：将VDS=2V, ID=5mA.，f=2.0GHz时的S参数输入窗口，如下：由上可见，它不是绝对稳定的，需要进行稳定性设计。
