下载文档原格式
一、填空题：1—1—1 半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
常用的半导体单晶材料是硅和锗，还有部分金属与氧、硫、磷、砷等元素组成的氧化物。
1—1—2 利用半导体材料的某种敏感特性，如热敏特性和光敏特性可制成热敏电阻和光敏元件。
1—1—3 在本征半导体中，自由电子浓度等于空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度小于空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度。
1—1—4 半导体中的电流是电子电流与空穴电流的代数和。
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的；少数载流子是由本证激发产生的。
1—1—5 使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。
正偏时PN结处于导通状态，反偏时PN结处于截止状态。
1—1—7 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于击穿状态，该状态是稳压二极管的工作状态，是普通二极管的故障状态。
1—1—9 整流二极管的最主要特性是单项导电性，它的两个主要参数是：最大平均整流电流 和 最高反向工作电压 。
1—1—10 在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V ；锗二极管的开启电压(死区电压)约为 0.1 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.3 V 。
1—1—11 理想二极管正向导通时，其压降为 0 V , 反向截止时，其中电流为 0 A 。
这两种状态相当于一个 开关 。
1—1—12 稳压二极管工作时，其反向电流必须在WmanW I I ~min 范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。
1—1—13 发光二极管内部 PN 结 ，当外加适当的正向电压时，N 区的自由电子和P 区的空穴在扩散过程中 复合 ，释放的能量以 光 的形式表现出来。
1—1—14 发光二极管按其发光效率的高低可分为 超高亮度 型 高亮度 型和 普通型。
1—1—15 用万用表及R ×100Ω或R ×1K 档测试一个正常二极管时指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管阳(正) 极，红表笔接的是二极管 阴（负） 极。
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
电子技术复习题一一、填空题1、右图中二极管为理想器件，题1-1V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
8、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
10、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
12、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
13、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
15、.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的____单向导电_____性能越好。
16、交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。
17、要稳定静态工作点，在放大电路中应引入_____直流____负反馈。
二、选择题1、离散的，不连续的信号，称为（B ）A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。
电子技术复习题一、选择题1、对半导体而言，其正确的说法是（）。
A. P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。
B. N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。
C. P型半导体和N型半导体都不带电。
2、处于截止(饱和，放大)状态的三极管，其工作状态为（）。
A. 发射结正偏，集电结反偏B. 发射结反偏，集电结反偏C. 发射结正偏，集电结正偏D. 发射结反偏，集电结正偏3、用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝3V，V2＝7V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（）。
A、PNP管，CBEB、NPN管，ECBC、NPN管，CBED、PNP管，EBC4、硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降（死区电压）分别为（）。
A、0.7V ；0.3VB、0.2V ；0.3VC、0.3V ；0.7VD、0.7V ；0.6V5、P（N）型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
A. 三价B. 四价C. 五价D. 六价R的信号有（）。
6、基本共射放大电路中，经过晶体管集电极电阻BA、直流成分B、交流成分C、交直流成分均有7、共集电极放大电路不能放大（）。
A、交流电压信号B、交流电流信号C、交流电压电流信号7、稳压二极管的正常工作状态是（）。
A. 导通状态B. 截止状态C. 反向击穿状态D. 任意状态8、基本放大电路中，经过晶体管（电容，电阻）的信号有（）。
A. 直流成分B. 交流成分C. 交直流成分均有9、基本放大电路中的主要放大对象是（）。
A. 直流信号B. 交流信号C. 交直流信号均有10、在共集（射）电极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（）A、相位相同，幅度增大B、相位相反，幅度增大C、相位相同，幅度相似11、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。
A、放大电路的电压增益B、不失真问题C、管子的工作效率12、晶体管（场效应管）的控制方式是（）。
A.输入电流控制输出电压B. 输入电流控制输出电流C.输入电压控制输出电压13、利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（）。
《电子技术》复习题（专升本）一、填空题1、PN 结反向偏置时，PN 结的内电场被 。
2、共射放大电路，将I EQ 增大，T be 将 。
3、集成功放LM368，共有引脚 个。
4、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 状态。
5、当f ＝RC21 时，RC 串并联选频网络的F 相位角为 。
6、BCD 编码中最常用的编码是 。
7、当三态门的控制端 时，三态门的输出端根据输入的状态可以有高电平和低电平两种状态。
8、四位二进制异步减法计数器有 个计数状态。
9、正弦波振荡器的振荡频率由 而定。
10、某学生设计一个二进制异步计数器，从0计数到178(十进制数)，需要 个触发器。
11、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体， 和绝缘体三类。
12、PN 结正偏时，P 区接电源的 ，N 极接电源的负极。
13、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结 ，集电结反偏。
14、三极管的发射区 浓度很高，而基区很薄。
15、差分放大电路能够抑制 漂移。
16、在放大电路中为了提高输入电阻应引入 负反馈。
17、共集电极放大电路的输入电阻很 ，输出电阻很小。
18、发射结 偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。
19、 是组成数字电路的基本单元电路。
20、按二极管所用的材料不同，可分为 和锗二极管两类。
二、选择题1．将(1101101)2转换为十进制数为( )。
A.109B.61C.105 2052．利用分配律写出C+DE 的等式为( )。
A.(C+D)(C+E)B.CD+CEC.C+D+ED.CDE3．放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝( )。
A.10dBB.20 dBC.30 dBD.40 dB4．工作在放大状态的晶体管，当I B从30uA增大到40uA时，I C从2.4mA变成3mA，则该管的β为( )。
A.80B.60C.75D.1005．采用差动放大电路是为了( )。
A.稳定电压放大倍数B.增加带负载的能力C.提高输入阻抗D.克服零点漂移6．放大变化缓慢的信号应采用( )。
13电子技术复习题一、选择题1、半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（ C ）A. P型半导体；B. N型半导体；C. 本征半导体。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、P型半导体中的多数载流子是（ B ）。
A.电子B.空穴C.电子和空穴4、N型半导体中的多数载流子是（ A ）。
A. 电子B.空穴C.电子和空穴5. 整流电路加滤波电路的主要作用是（ B ）A. 提高输出电压；B. 减少输出电压的脉动程度；C. 降低输出电压；D. 限制输出电流。
6. 三端稳压电源输出负电压并可调的是（ B ）A. CW79XX系列；B. CW337系列；C. CW317系列D. CW78XX系列7、基本放大电路中，经过晶体管的信号电流有（C ）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
8、基本放大电路中的主要放大对象是（B ）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
9、分压式偏置的NPN型晶体管共发射极放大电路中，U B 点电位过高，晶体管易出现（ A ）。
A、饱和状态B、截止状态C、放大状态10、晶体管放大电路中，基极电流i B 的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B ）。
A、截止区；B、饱和区；C、死区。
11. NPN型晶体放大电路中，晶体管各级电位最高的是：（C）A. 基极；B. 发射极；C. 集电极12、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A ）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。
13、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（ C ）对应。
A、集电极电流B、发射极电流C、基极电流14、为了增大放大电路的动态范围，其静态工作点应选择（ D ）。
A、截止点;B、饱和点;C、交流负载线的中点；D、直流负载线的中点。
15. 在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（ B ）A. 电压U CE增大；B. 电压U CE减小；C. 基极电流减小。
《电子技术基础》复习资料一：选择题1：以下哪个是半导体________。
A：铜B：铁C：铝D：硅2：在下面由理想二极管组成的电路中，两个电路的输出电压分别是________。
(如图P31) A．Vr1=0, Vr2=0B．Vr1=0, Vr2=6vC．Vr1=6v, Vr2=0D．Vr1=6v, Vr2=6v3：某二极管的击穿电压为300V，当直接对220V正弦交流电进行半波整流时，该二极管________。
A：会击穿B：不会击穿C：不一定击穿D：完全截止4：放大器电压放大倍数A V= -40,其中负号代表________。
A．放大倍数小于0 B：衰减C：同相放大D：反相放大5：若某电路的电压增益为-20Db,该电路是_______。
A．同相放大器 B. 衰减器C．跟随器 D. 反相放大器6：NPN三极管工作在放大状态时，其两个结的偏压为________。
A：V BE>0 V BE>V CE B：V BE<0 V BE<V CEC：V BE>0 V BE<V CE D：V BE<0 V CE.>07：要使输出电压稳定又具有较高输入电阻，放大器应引入_______负反馈。
A：电压并联B：电流串联C：电压串联D：电流并联8：直流负反馈对电路的作用是_______。
A：稳定直流信号，不能稳定静态工作点B：稳定直流信号，也能稳交流信号C：稳定直流信号，也能稳定静态工作点D：不能稳定直流信号，但能稳定交流信号9：交流负反馈对电路的作用是________。
A：稳定交流信号，改善电路性能B：稳定交流信号，也稳定直流偏置C：稳定交流信号，但不能改善电路性能D：不能稳定交流信号，但不能改善电路性能10：OCL电路中，为保证功放管的安全工作，P CM应大于________A：P OM B：0.2 P OM C：0.1 P OM D：2 P OM11：OTL功放电路中，输出端中点静态电位为________。
《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和一空1答案：导体空2答案：半导体空3答案：绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案：半导体3.二极管P区引出端叫极，N区引出端叫极空1答案：正空2答案：负4.二极管的最主要特性为 o空1答案：单向导电性5.按二极管所用的材料不同，可分为二极管和二极管两类。
空1答案：硅空2答案：错6. PN结正向偏置时，P区接电源极，N区接电源极空1答案：正空2答案：负7.半导体三极管有两个PN结，分别是结和结。
空1答案：集电空2答案：发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案：0.510.半导体三极管有三个电极，分别为极、极和极。
空1答案：集电空2答案：基空3答案：发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案：截止空2答案：放大状态空3答案：饱和12.三极管工作在放大状态，结正偏，结反偏。
空1答案：发射空2答案：集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案：控制空2答案：用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案：温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案：隔直通交16.温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，引起失真，温度降低时，静态工作点会下降，引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时，发射结空1答案：反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案：放大空2答案：开关19.各级放大器之间的连接方式，叫做空1答案：耦合LPN结的最大特点是（）oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性（正确答案）D.负阻性2.半导体受光照，导电能力（）oA.增强（正确答案）B.减弱C.不变I）.不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时，硅二极管（）oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通（正确答案）D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压，该二极管相当于（）。
电子技术总复习一、填空1．P型半导体中的多数载流子是（空穴）；N型半导体中的多数载流子是（自由电子）。
2．半导体二极管有硅管和锗管之分。
硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V，死区电压为（0.5 ）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V，死区电压为（）V。
3．半导体二极管具有单向导电性。
加（正）向电压时导通；加（反）向电压时截至。
硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V。
4．某稳压管的稳定电压U Z=5V，最大耗散功率P ZM=100mW，则其最大稳电流I ZM=（20）mA。
5．某稳压管的稳定电压U Z=6V，最大稳定电流I ZM=20mA，则其最大耗散功率P ZM=（120）mW。
6．晶体管有（基）极、（集电）极和（发射）极三个电极，分别用字母（ B ）、（ C ）和（E ）表示。
7．晶体管的输出特性曲线可分为（截止）区、（放大）区和（饱和）区。
晶体管处于放大区的条件是发射结（正）向偏置，集电结（反）向偏置。
8．电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。
测得某电子电路中﹝a﹞、﹝b﹞、﹝c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。
则晶体管﹝a﹞工作于（饱和）状态，晶体管﹝b﹞工作于（截止）状态，晶体管﹝c﹞工作于（放大）状态。
9．放大电路如图﹝a﹞所示，其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝b﹞所示，图中Q为静态工作点。
则晶体管β=（50），静态I C=（2mA），U CE=5V，电阻R B≈（250kΩ），R C=（2.5kΩ），最大不失真输出电压U om=（3V）。
10．理想运算放大器的理想化条件是A uo →（∞），r id →（∞），r od →（ 0 ），K CMRR →（∞）。
11．负反馈放大电路有（电压串联 ）负反馈、（电压并联 ）负反馈、（ 电流串联 ）负反馈和（ 电流并联 ）负反馈四种类型。
12．正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是：（1）（ 相位 ）条件，即必须是（ 正 ）反馈；（2）（ 幅值 ）条件，即 F A u （ 1 ）。
13．在单相半波整流电路中，设整流变压器副边电压有效值为10V ，则整流电压的平均为（ 4.5 ）V ，二极管承受的最大反相电压为（ 14.1 ）V ，若负载电流平均值为2A ，则流过二极管的电流平均值为（ 4.44 ）A 。
14．设整流变压器副边电压有效值为U 。
单相半波整流电路整流电压的平均值为（ 0.45 ）U ，二极管承受的最大反相电压为（ 根号2 ）U ；单相全波整流电路整流电压的平均值为（0.9 ）U ，二极管承受的最大反相电压为（ 2倍根号2 ）U ；单相桥式整流电路整流电压的平均值为（ 0.9 ）U ，二极管承受的最大反相电压为（ 根号2 ）U 。
15．在图1.1（a ）的串联型稳压电路中，已知U Z =5V ，晶体管T 的U BE =0.7V ，则U O =（ 4.3 ）V 。
在图1.1（b ）的串联型稳压电路中，已知U Z =5V ，U XX =5V ，则U O =（ 0 ）V 。
16．有0出1，全1出0是（ 与非 ）门的逻辑特点。
17．将逻辑式B A=化简后的结果为Y=（ A ）。
Y+A18．将十进制数（27）10转换为二进制数为（11011 ）。
19．在决定一件事情的条件中，全部条件满足结果才发生的逻辑关系称为（与）逻辑。
20．在决定一件事情的条件中，只要有一个条件满足结果就发生的逻辑关系称为（或）逻辑。
21．测得某逻辑电路的输入变量A、B和输出变量Y的波形如图1.2所示，则Y=（AB ）。
22．触发器有单稳态触发器、双稳态触发器和无稳态触发器之分。
D 触发器属于（时钟控制）触发器，JK触发器属于（数字电路）触发器，时钟脉冲发生器属于（）触发器。
二、选择1．对半导体而言，其正确的说法是（ C ）。
A．P型半导体由于多数载流子为空穴，所以它带正电；B．N型半导体由于多数载流子为自由电子，所以它带负电；C．P型半导体和N型半导体本身都不带电。
2．附图所示电路的二极管是理想器件，AO两端的电压U AO为（ C ）。
A．4V；B．-4V；C．-10V；D．14V。
O3．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ B ）。
A．D1、D2截止，D3导通B．D1导通，D2、D3截止C．D1、D2、D3均导通D．D1、D2、D3均截止4．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ A ）。
A．D1、D2截止，D3导通 B．D1导通，D2、D3截止C．D1、D2、D3均导通 D．D1、D2、D3均截止5．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，稳压管的正向压降忽略不计，则U O=（ A ）。
A．5V B．7V C．0V6．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，正向压降忽略不计，则U O=（ A ）。
A．5V B．7V C．0V7．NPN型晶体管处于放大状态的条件是各级电位（ A ）。
A ．V C ＞VB ＞V E B ．VC ＜V B ＜V E C ．V C ＞V B ＜V E8．PNP 型晶体管处于放大状态的条件是（ B ）。
A ．V C ＞VB ＞V E B ．VC ＜V B ＜V E C ．V C ＞V B ＜V E9.测得某放大电路中某PNP 晶体管三个极的电为分别为-9V （发射极），-6.2V ，-6V （集电极），则-6.2的那个极为（ B ）极。
（电压最高的是集电极，最低的是发射极，基极电位比发射极高一点）A ．集电极；B ．基极；C ．发射极；10．测得某放大电路中的某NPN 晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.1V ，则这三个极分别为（ D ）。
基极是B 集电极是C 发射极EA ．C ，B ，E ； B ．E ，B ，C ； C ．E ，C ，B ；D ．C ，E ，B 。
11．对某电路中一个NPN 晶体管进行测试，测得U BE ＞0，U BC ＜0，U CE ＞0，则该管工作在（ A ）。
A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。
12．晶体管的控制方式为（ A ）。
A ．输入电压控制输出电压；B ．输入电压控制输出电流；C ．输入电流控制输出电压。
D ．输入电流控制输出电流。
13．在固定偏置共发射极放大电路中，当减小R B 时，（ C ）。
A ．集电极静态电流减小，集电极与发射极之间的静态电压减小；B ．集电极静态电流减小，集电极与发射极之间的静态电压增大；C ．集电极静态电流增大，集电极与发射极之间的静态电压减小；D ．集电极静态电流增大，集电极与发射极之间的静态电压增大。
14．射极输出器（ A ）。
A ．有电流放大作用（很大），没有电压放大作用；B ．有电压放大作用，没有电流放大作用；C ．有电流放大作用，也有电压放大作用；D ．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。
15．若将分压式偏置放大电路中的发射极旁路电容去掉，则其交流电压放大倍数的绝对值（ B ）。
A ．增大；B ．减小；C ．不变。
16．采用差动放大电路的目的是为了（ B ）。
A ．电压放大B ．抑制零漂C ．增强带负载能力17．图2.1所示的差分放大电路的电压放大倍数A d =io u u 为（ A ）。
A ．be C r R β-B ．beC r R β C ．beC 2r R β-D ．be C 2r R β18．OTL 功率放大电路的低频响应（ B ）。
A ．比OCL 功率放大电路好B ．比OCL 功率放大电路差C ．与OCL 功率放大电路一样好19．OCL 功率放大电路的低频响应（ A ）。
A ．比OTL 功率放大电路好B ．比OTL 功率放大电路差C ．与OTL 功率放大电路一样好20．在图示的运算放大器电路中，I L =（ C ）。
A ．L IR U B ．2I R UC ．1IR U21．射极输出器属于（ B ）负反馈。
A ．串联电流；B ．串联电压；C ．并联电流；D ．并联电压。
22．在图示的运算放大器电路中，U O =（ B ）。
A ．15VB ．7.5VC ．30V23．反相比例运算电路属于（ D ）负反馈。
A ．串联电流B ．串联电压C ．并联电流D ．并联电压24．同相比例运算电路属于（ B ）负反馈。
A ．串联电流B ．串联电压C ．并联电流D ．并联电压25．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ A ）负反馈。
A ．串联电流B ．串联电压C ．并联电流D ．并联电压26．在单相半波整流电容滤波电路中，设整流变压器二次电压有效值为U ，二极管承受的最大反向电压为（ B ）U 。
A ．2；B ．22；C ．23；D ．24。
27．在下面A 、B 、C 各图中，Y 恒为0的是图（ C ）。
28．与C B A ++相等的为（ B ）。
A ．CB A Y ⋅⋅= B ．C B A Y ⋅⋅= C ．C B A Y ++=29．将C B C A AB Y ++=化简后得（ A ）。
A ．C AB Y += B ．C AB Y += C ．C AB Y +=30．二进制数（101011），可转换十进制数（ A ）。
（101011=1*2^5+0*2^4+1*2^3+0*2^2+1*2^1+1*2^0=32+0+8+0+2+1=43 把二进制数101011转化为十进制数为43）A ．（43）10；B ．（33）10；C ．（65）10；D ．（23）10。
31．与D C B A ∙∙∙相等的是（ B ）。
A ．BC AB ∙； B ．DC B A +++； C ．D C B A +++； D ．CD AB +。
三、正误判断题1．半导体二极管加正向电压时一定导通。
错2．半导体二极管加反向电压时一定截止。
错3．稳压二极的动态电阻越小，稳压性能越好。
Yes4．硅稳压二极管正向导通时的正向压降为0.6~0.8V 。
错（硅管 0.7-0.8V 锗管 0.3 V 稳压管正向特性和普通二极管差不多，但稳压管是反向工作的） 5．晶体管集电极电流超过I CM ，晶体管必定损坏。
Yes（β值会迅速降低,当电流增大到超过晶体管PCM 时会使管子烧掉）6．晶体管无论工作于饱和、截止还是放大状态，其集电极电流均为基极电流的β倍。
错 只有在放大状态是才有7. 运算放大器无论工作在线性区还是非线性区，都有-+≈u u 和0≈d i 的结论。
8. 运算放大器只有工作于线性区时，才有-+≈u u 和0≈d i 的结论。
yes9. 阻容耦合放大电路既可放大交流信号，也可放大直流信号。
错 （阻容耦合放大电路中由于存在耦合电容，根据电容隔直通交特性，所以放大器只能放大交流信号）10. 直接耦合放大电路既可放大交流信号，也可放大直流信号。
