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《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
《模拟电子技术基础》期末考试试题A
《模拟电子技术基础》期末考试试题（A）姓名班级学号成绩
一、写出图示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（12分）
r=100Ω。
（15分）
二．电路如图所示，晶体管的β＝100，'
bb
A&、R i和R o；
（1）求电路的Q点、
u
（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
.
A 、R i和R o的表达式。
（15分）三．设图所示电路的静态工作点合适，画出交流等效电路，并写出
u
r=100Ω，U BEQ≈0.7。
试计算R W滑动端在中点时四．图示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'
bb
T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。
（15分）
r＝100Ω, β0＝80。
试五．电路如图T5.2所示。
已知：V CC＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，f T = 50MHz，'
bb
求解：（15分）
（1）中频电压放大倍数
A&；
u
sm
（2）'
C；
π
（3）f H和f L；
六．图示电路是什么组态的反馈类型，估算各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
（10分）
七．电路如图所示，试求：（1）输入电阻；（2）比例系数。
（10分）
八．分别判断图P8.12所示各电路是否满足正弦波振荡的相位条件。
（8分）。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
《模拟电子技术基础》样卷一一、判断题（每题1 分，共 10分。
若提法正确，在括号内打√；提法错误，在括号内打×。
）1．外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。
（）2．当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加（反向击穿），所以二极管不能工作在反向击穿区。
（）3．在H参数中，h ie为基极—发射极间的直流输入电阻。
（）4．场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。
（）5．三种组态中，共基电路输入电阻最大。
（）6．为改善放大器的高频响应，应该增大三极管的结电容CπCμ。
（）7．两发射极之间串电阻后，可以扩大差分放大的线性范围。
（）8．设反馈系数为F ，电流负反馈时放大器输入阻抗上升1+F A 倍。
（）9．振荡器具有较稳定振荡的原因，是振荡系统中具有选频网络。
（）10．全波整流电路有4个整流管，所以流过每个整流管的电流为负载电流的四分之一。
（）二、填空题（每空1 分，共 10分）1．三极管的发射结，集电结时，三极管工作在饱和区。
2．已知一个场效应管的输出特性曲线，试判别：管型，U GS(off)或U GS(th)。
3．在交流放大电路中，若静态工作点选得太高，则容易产生失真，若静态工作点选得太低，则容易产生失真。
4．大信号差分放大器差模传输特性为函数。
5．电流负反馈放大器的输出电阻较。
6．运算放大器引入相位补偿的目的是为了。
7．管子的导通周期为称乙类。
8．同相比例运算电路的输入电阻为，输出电阻为零。
9．在理想情况下，当f→∞时的电压增益就是它的通带电压增益，这种电路属于滤波电路。
10．文氏电桥振荡器的振荡频率f0= 。
三、选择题（每题2分，共 10分。
在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将其字母标号写在题后的括号内。
）1．如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管（）A、击穿B、电流为0C、电流过大使管子烧坏D、正常导通2．差分放大器左管输入电压+100mV，右管输入-300mV，其共模输入（）A、100mVB、-100mVC、200mVD、-200mV3．电流串联负反馈电路的放大参量为（）A、电压放大倍数B、电流放大倍数C、转移电阻D、转移电导4．希望单级运算电路的函数关系是ｙ＝ａ1ｘ1＋ａ2ｘ2—ａ3ｘ3（其中ａ1、ａ2、ａ3是常数，且为正值）应选用（）A、比例电路B、反相求和电路C、双端求和运算电路D、带通滤波电路5．在全波整流电容滤波电路中，如果有一个二极管开路，则输出电压（）A、极性改变B、等于零C、下降一半D、稍有下降四、分析计算题（共 70分）1．设图示电路中的二极管是理想的，输入电压为u i=5sinωt，画出输出电压的波形和该电路的电压传输特性曲线。
填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为V，导通后在较大电流下的正向压降约为V；锗二极管的门槛电压约为V，导通后在较大电流下的正向压降约为V。
3、二极管的最主要特性是。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场。
PN具有特性。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由载流子的运动形成。
9、P型半导体的多子为、N型半导体的多子为、本征半导体的载流子为。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V。
15、N型半导体中的多数载流子是，少数载流子是。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为、、三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是电容，影响高频信号放大的是电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ，I CQ，U CEQ。
19、三极管的三个工作区域是，，。
集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是管（材料），型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的。
21、某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为dB，总的电压放大倍数为。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：。
某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是管（硅、锗），型，集电极管脚是。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：、和_ _，其中能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的，而前级的输出电阻可视为后级的。
多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
26、为了保证三极管工作在放大区，要求：①发射结偏置，集电结偏置。
②对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC。
28、在三种不同组态的放大电路中，组态有电压放大作用，组态有电流放大作用，组态有倒相作用；组态带负载能力强，组态向信号源索取的电流小，组态的频率响应好。
31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为。
33、晶体管工作在饱和区时，发射结，集电结；工作在放大区时，集电结，发射结。
（填写a正偏，b反偏，c零偏）41、场效应管属于型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是型器件。
42、场效应管是器件，只依靠导电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为、、和截止区四个区域。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。
49、乙类功放的主要优点是，但出现交越失真，克服交越失真的方法是。
51、双电源互补对称功率放大电路（OCL）中V CC=8v，R L=8Ω，电路的最大输出功率为，此时应选用最大功耗大于功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻Ｒe或恒流管的作用是引人一个反馈。
53、已知某差动放大电路A d=100、K CMR=60dB，则其A C= 。
集成电路运算放大器一般由、中间级、输出级、四部分组成。
55、差动放大电路能够抑制和。
56、电路如图1所示，T1、T2和T3的特性完全相同，则I2≈mA，I3≈0.2mA，则R3≈kΩ。
58、正反馈是指 ；负反馈是指 。
59、电流并联负反馈能稳定电路的 ，同时使输入电阻 。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高 、减小 、抑制 、扩展 、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈： ①降低电路对信号源索取的电流： 。
②当环境温度变化或换用不同β值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 。
③稳定输出电流： 。
62、电压串联负反馈能稳定电路的 ，同时使输入电阻 。
63、某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数f A&≈ 。
64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 。
65、负反馈放大电路的四种基本类型是 、 、 、 。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = 、R id = 、K CMR = 、R O = 。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 和 。
74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用 滤波器；如果希望500 Hz 以下的有用信号，可选用 滤波器。
76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰，可选用 滤波器；如果希望只通过500Hz 到1kHz 的有用信号，可选用 滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、 、带通滤波器及 。
79、通用型集成运算放输入级大多采用 电路， 输出级大多采用 电路。
80、正弦波振荡电路是由 、 、选频网络、 四个部分组成。
81、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为 ，相位平衡条件为 。
82、信号发生器原理是在电路负反馈时••F A = ，例如 电路。
在正反馈时••F A = ，例如 振荡电路。
83、石英晶体振荡器是 的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。
86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：V A &= 、V F &= 、0ωω== 。
87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是 、 。
88、正弦波振荡电路起振的条件是1>FA &&和 。
90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用 反馈。
为了产生一个正弦波信号，电路应采用 反馈。
91、直流电源是将电网电压的 转换成 的能量转换电路。
93、直流电源一般由下列四部分组成，他们分别为：电源变压器、滤波电路、 电路和 电路。
稳压集成电路W7810输出电压 V 。
94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍。
98、小功率稳压电源一般由 、 、 、 等四部分构成。
100、串联反馈式稳压电路由 、 、 、 四部分组成。
单项选择题1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大图12、PN结正向偏置时，其内电场被（）A、削弱B、增强C、不变D、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。
A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、6价元素5、 PN结V—I特性的表达示为（）A、)1(/-=TDVvSDeIiB、DvSDeIi)1(-=C、1/-=TDVvSDeIiD、TDVvDei/=6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）A、变宽B、变窄C、不变D、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）A、 10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ8、三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（）A、短路B、开路C、保留不变D、电流源11、带射极电阻R e的共射放大电路，在并联交流旁路电容C e后，其电压放大倍数将（）A、减小B、增大C、不变D、变为零12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当V CE=6V，其电流放大系数β为（）A、β=100 B、β=50图1C 、β=150D 、β=2515、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极管为（ ）A 、PNP 型锗三极管B 、NPN 型锗三极管C 、PNP 型硅三极管D 、NPN 型硅三极管 16、多级放大电路的级数越多，则其（ ）A 、放大倍数越大，而通频带越窄B 、放大倍数越大，而通频带越宽C 、放大倍数越小，而通频带越宽D 、放大倍数越小，而通频带越窄 17、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（ ） A 、独立信号源短路，负载开路 B 、独立信号源短路，负载短路 C 、独立信号源开路，负载开路 D 、独立信号源开路，负载短路 19、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（ ）决定A 、管子类型B 、g mC 、偏置电路D 、V GS 20、场效应管的工作原理是（ ）A 、输入电流控制输出电流B 、输入电流控制输出电压C 、输入电压控制输出电压D 、输入电压控制输出电流 21、场效应管属于（ ）A 、单极性电压控制型器件B 、双极性电压控制型器件C 、单极性电流控制型器件D 、双极性电压控制型器件 22、如图3所示电路为（ ）A 、甲类OCL 功率放大电路B 、乙类OCL 功率放大电路C 、甲乙类OCL 功率放大电路图 3图2D 、甲乙类OTL 功率放大电路23、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL 互补对称功放的主要优点是（ ） A 、不用输出变压器 B 、不用输出端大电容 C 、效率高 D 、无交越失真 24、与乙类功率放大方式比较，甲乙类OCL 互补对称功放的主要优点是（ ） A 、不用输出变压器 B 、不用输出端大电容 C 、效率高 D 、无交越失真 25、在甲乙类功放中，一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压CE V 与电路中所加电源CC V 关系表示正确的是（ ） A 、CC CEV V = B 、CC CE V V 21= C 、CC CE V V 2= D 、以上都不正确26、通用型集成运放适用于放大( )A 、高频信号B 、低频信号C 、任何频率信号D 、中频信号 27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（ ） A 、反相输入端为虚地 B 、输入电阻大 C 、电流并联负反馈 D 、电压串联负反馈 28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是（ ）A 、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B 、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C 、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D 、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路 29、共模抑制比K CMR 越大，表明电路（ ） A 、放大倍数越稳定 B 、交流放大倍数越大 C 、抑制温漂能力越强 D 、输入信号中的差模成分越大 30、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ ） A 、增加一倍 B 、为双端输入时的一半 C 、不变 D 、不确定 31、电流源的特点是直流等效电阻( )A 、大B 、小C 、恒定D 、不定32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（ ） A 、1＋AF 倍 B 、1/(1＋AF)倍 C 、1/F 倍 D 、1/AF 倍 33、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应当采用（ ） A 、电压串联负反馈 B 、电压并联负反馈 C 、电流串联负反馈 D 、电流并联负反馈34、为了稳定放大电路的输出电流，并增大输入电阻，应当引入（ ） A 、电流串联负反馈 B 、电流并联负反馈 C 、电压串联负反馈 D 、电压并联负反馈 35、如图4为两级电路，接入R F 后引入了级间（ ）A 、电流并联负反馈B 、电流串联负反馈C 、电压并联负反馈D 、电压串联负反馈36、某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（ ）A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈 38、某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（ ）A 、低通滤波器B 、高通滤波器C 、带通滤波器D 、带阻滤波器 39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（ ）才能满足起振条件A 、为1/3时B 、为3时C 、＞3D 、＞1/3 40、LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为（ ）A 、LCf 10=B、LCf 10=C 、LCf π210=D 、LCf π210=41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（ ）A 、2n π，n 为整数B 、(2n+1)π，n 为整数C 、n π/2，n 为整数D 、不确定 42、RC 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为（ ） A 、RC f 621π= B 、RCf π21=C 、RCf π21=D 、RCf π41=43、桥式整流电路若变压器二次电压为t u ωsin 2102=V ，则每个整流管所承受的最大反向电压为（ ）A 、210V B 、220V C 、20V D 、2V46、直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）图4 图4A 、将交流变为直流B 、将高频变为低频C 、将交、直流混合量中的交流成分滤掉D 、保护电源47、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U 2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U 0=0.45U 2 B 、U 0=1.2U 2 C 、U 0=0.9U 2 D 、U 0=1.4U 2计算题1、放大电路如图1所示,若V CC =12V ，R c =5.1k Ω， R b =400 k Ω，R e1 =100 Ω， R e2=2k Ω，R L =5.1 k Ω，β=50，Ω='300b b r(1)、求静态工作点； (2)、画出其h 参数小信号等效电路； (3)、求A v 、R i 和R o 。
