锂电池保护IC及MOS介绍

mos电池管理
MOS电池管理，即Metal-Oxide-Semiconductor电池管理，是一种应用于电池管理系统中的技术。

它主要是针对锂电池进行管理和保护，以确保电池的安全性、稳定性和性能。

MOS电池管理系统通常包括电池管理芯片、电池保护电路、电池均衡电路等组件，通过对电池的充放电、温度、电流等参数进行监测和控制，来保护电池不受过充、过放、短路等情况的损坏。

在MOS电池管理中，电池管理芯片是核心组件，它可以实现电池的智能管理和保护。

电池管理芯片可以监测电池的电压、电流、温度等参数，实时掌握电池的状态，从而避免电池因过充、过放而损坏。

此外，电池管理芯片还可以实现电池的均衡充放电，确保电池各节电压保持一致，延长电池的使用寿命。

电池保护电路是另一个重要组成部分，它可以在电池出现异常情况时，及时切断电池与外部电路的连接，避免电池过充、过放、短路等问题，保护电池和电子设备的安全。

电池保护电路通常包括过电压保护、过电流保护、过温保护等功能，确保电池在安全范围内工作。

电池均衡电路则用于解决电池充电和放电过程中电池各节电压不平衡的问题。

电池均衡电路可以监测电池各节电压，通过电池均衡电路中的电路元件，实现电池各节电压的均衡，避免电池因电压不平衡而导致电池性能下降或损坏。

总的来说，MOS电池管理系统通过电池管理芯片、电池保护电路、电池均衡电路等组件的配合，可以有效管理电池，保护电池，延长电池的使用寿命，提高电池的安全性和稳定性，是电池电子设备中不可或缺的重要技术。

锂电池保护板常用IC、MOS场效应管，详细清单如下:S-8261AANMD-G2NT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261AAJMD-G2JT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ABJMD-G3JT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ABPMD-G3PT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ABRMD-G3RT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ABMMD-G3MT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ACEMD-G4ET2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：磷酸铁锂保护板S-8261AAOMD-G2OT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8241ACLMC-GCLT2G 封装：SOT-23-5 品牌：SEIKO 备注：单节S-8242AAA-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节S-8242AAD-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节S-8242AAF-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节S-8242AAY-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节S-8242AAK-M6T3GZ 封装：SOT-23-7 品牌：SEIKO 备注：双节S-8232AAFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节S-8232ABFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节S-8232AUFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节S-8253AAAFT-TB-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：2-3节S-8253AAD-T8T1GZ 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：2-3节S-8254AAAFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AABFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AAFFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AAGFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AAJFT-TB-G 封装：TSSOP-17 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AANFT-TB-G 封装：TSSOP-18 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AAKFT-TB-G 封装：TSSOP-19 品牌：SEIKO 备注：三-四节R5400N101FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节R5400N110FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节R5400N150FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节R5400N149FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节R5402N101KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N110KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N149KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N163KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N128EC-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N163KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5460N207AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N207AA 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N208AA 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N208AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N212AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N214AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N214AC 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R1211N002D-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC升压R1224N102H-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC降压R1224N332F-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC降压MM1414CVBE 封装：TSSOP-20 品牌：MITSUMI 备注：三-四节MM3076XNRE 封装：SOT23-6 品牌：MITSUMI 备注：单节MM3177FNRE 封装：SOT23-6 品牌：MITSUMI 备注：单节VA7021P/C 封装：SOT-23-6 品牌：中星微备注：单节，中星微代理，中国最低价格DW01+ 封装：SOT-23-6 品牌：富晶备注：单节FS312 封装：SOT-23-6 品牌：富晶备注：单节CS213 封装：SOT-23-6 品牌：新德备注：单节STC5NF20V 封装：TSSOP-8 品牌：ST 备注：配套MOS管FTD2017M 封装：TSSOP-8 品牌：三洋备注：配套MOS管ECH8601M 封装：SNT-8A 品牌：三洋备注：配套MOS管UPA1870BGR 封装：TSSOP-8 品牌：NEC 备注：配套MOS管FS8205A 封装：TSSOP-8 品牌：富晶备注：配套MOS管SM8205ACTC 封装：SOT-23-6 品牌：茂达备注：配套MOS管SM8205AOC 封装：TSSOP-8 品牌：茂达备注：配套MOS管AO8810 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管AO8820 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管AO8822 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管AO8830 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管AO9926B 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管SDC6073 封装：MSOP-8 品牌：SDC光大备注：单节，二合一的保护IC。

DW03D(文件编号：S&CIC0953)二合一锂电池保护IC一、 概述DW03D产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。

DW03D包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。

DW03D具有非常小的TSS08-8的封装,这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。

DW03D具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。

该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。

二、 特点¾内部集成等效45mΩ-60mΩ的先进的功率MOSFET；¾过充电流保护；¾3段过流保护：过放电流1、过放电流2（可选）、负载短路电流；¾充电器检测功能；¾延时时间内部设定；¾高精度电压检测；¾低静态耗电流：正常工作电流3.8uA ¾兼容ROHS和无铅标准。

¾采用TSSOP-8封装形式塑封。

三、 应用¾单芯锂离子电池组；¾锂聚合物电池组。

四、 订货信息型号封装过充检测电压[V CU]（V）过充解除电压[V CL]（V）过放检测电压[V DL]（V）过放解除电压[V DR]（V）过流检测电流[I OV1]（A）打印标记DW03DTSSOP-84.3 4.1 2.4 3.0 2.5DW03D 五、 管脚外形及描述DW03D (文件编号：S&CIC0953) 二合一锂电池保护IC六、 极限参数参数 符号 参数范围 单位 电源电压 VDD VSS-0.3~VSS+12 VOC 输出管脚电压 VOC VDD-15~VDD+0.3 V OD 输出管脚电压 VOD VSS-0.3~VDD+0.3 VCSI 输入管脚电压 VCSI VDD+15~VDD+0.3 V工作温度 Topr -40~+85 ℃ 存储温度 Tstg -40~+125 ℃七、 电气特性参数参数符号测试条件最小值典型值最大值单位工作电压 工作电压 VDD -- 1.5 -- 10 V电流消耗 工作电流 IDD VDD =3.9V --4.0 6.0 uA检测电压过充电检测电压 VOCD -- 4.25 4.30 4.35 V过充电释放电压 VOCR -- 4.05 4.10 4.15 V过放电检测电压 VODL -- 2.30 2.40 2.50 V过放电释放电压 VODR -- 2.90 3.00 3.10 V 过电流1检测电压 VOI1 -- 0.12 0.15 0.18 V过电流2（短路电流）检测电压 VOI2 VDD =3.6V 0.80 1.00 1.20 V过电流复位电阻 Rshort VDD = 3.6V 50 100 150 K Ω 过电器检测电压 VCH -- -0.8 -0.5 -0.2 V迟延时间过充电检测迟延时间 TOC VDD = 3.6V~4.4V -- 80 200 ms过放电检测迟延时间 TOD VDD =3.6V~2.0V -- 40 120 ms 过电流1检测迟延时间 TOI1 VDD =3.6V 5 13 20 ms过电流2（短路电流）检测迟延时间 TOI2 VDD =3.6V--550 us其他OC 管脚输出高电平电压 V oh1 -- VDD-0.1VDD-0.02 -- VOC 管脚输出低电平电压 V ol1 -- -- 0.01 0.1 VOD 管脚输出高电平电压 V oh2 -- VDD-0.1VDD-0.02 -- V OD 管脚输出低电平电压 V ol2 -- -- 0.01 0.1R DS (on) V GS = 2.5V , I D = 3.3A -- 22.0 30.0 单个MOS 管漏极到源极的导通阻抗 R DS (on) V GS = 4.5V , I D = 8.2A--16.020.0m ΩMOSFET已内置，等效电阻典型值为50mΩ正常工作模式如果没有检测到任何异常情况，充电和放电过程都将自由转换。

过 放 控 制
IC
过 充 控 制
电流 门限
+
-
放电过 放 控 制IC过 充 控 制
电流 门限
+
-
放电
我们将本着 “坚持顾客中心；强化过程管理！ 发动全员参与；致力持续发展！ 制造优质产品；满足顾客要求！” 的经营理念力争为客户提供最好的服务。
电芯
保护板
PTC
保护板是由电子电路组成，在-40℃至+85℃的环境下准确的监视 电芯的电压和充放电电流值，及时控制电路的通断. 保护板元件通常包括电源管理IC、MOS及周围的电阻、电容器 件,或可能附加有NTC、ID存储器及FUSE、PTC保护器件等。 1）保护IC：属于主动元件，是保护电路的核心。通过取样电池 电压进行判断，在一切正常的情况下控制MOS开关导通，使电芯与 外电路沟通，而当电芯电压或回路电流超过规定值时，它立刻 （数十毫秒）控制MOS开关关断，保护电芯的安全。 选用时要考虑元件封装、过充电检测电压、过放电检测电压、放 电过流检测电压、自耗电、耐压及ESD要求。 2）MOS管：属于被动元件，在保护电路中主要起开关作用。 元件选用时要考虑其封装、导通内阻、耐电压、耐电流及ESD。
3）NTC:是Negative temperature coefficient的缩写，意即 负温度系数，在环境温度升高时，其阻值降低，使用电设备或充 电设备及时反应、控制内部中断而停止充放电。 4）ID:是Identification 的缩写，即身份识别，它分为两种： 一是存储器，常为单线接口存储器，存储电池种类、生产日期等 信息；二是识别电阻，即普通电阻元件。 5）FUSE:俗称保险丝，在电路中起二次保护作用。是电池组件 产品里一个非常重要的部件，防止电池不安全大电流发生，保护 后不可恢复，对电池的安全担负着重要的作用。 6) PTC: 是英文Positive Temperature Coefficient的缩写， 意思是正温度系数。PTC可以防止电池高温放电和不安全的大电流 的发生。根据电池的电压、电流密度特性和应用环境，对PTC有专 门的要求。