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知识点059. 面缺陷及分类定义：分类：晶界及分类：定义：分类：1.按晶粒间位向差分类晶界小角度晶界大角度晶界倾斜晶界（晶间）扭转晶界（晶间）对称倾斜晶界不对称倾斜晶界亚晶界（晶内）小角度晶界对称倾斜晶界形成：倾斜晶界为（100）面（晶界）。
投影面为（001）面。
两侧晶体的位向差为θ，相当于相邻晶粒绕[001]轴反向各自旋转θ/2而成。
转轴是[001]。
对称倾斜晶界几何特征：相邻两晶粒相对于晶界作旋转，转轴在晶界内并与位错线平行。
结构特点：由一系列平行等距离排列的同号刃位错所构成。
不对称倾斜晶界形成：界面是绕[001]轴旋转角度φ的任意面，相邻两晶粒的取向差仍是很小的θ角，但界面两侧晶粒是不对称的。
投影面为（001）面。
两侧晶体的位向差为θ，相当于相邻晶粒绕[001]轴反向各自旋转θ/2而成。
转轴是[001]。
不对称倾斜晶界几何特征：界面与左侧晶粒 [100] 轴向夹角为φ-θ/2，与右侧晶粒的[100]成φ+θ/2夹角。
结构特点：由两组相互垂直的刃位错组成扭转晶界扭转晶界几何特征：相邻两晶界关于001轴旋转，转轴不在晶界内，且与位错线相互垂直。
结构特点：由两组相互垂直的螺位错组成*亚晶粒与亚晶界：亚晶界也可以用位错模型描述。
亚晶界两侧的亚晶粒取向差或位向差小于2度。
亚晶粒大小一般不超过0.001mm。
大角度晶界有缘学习更多＋谓ｙｇｄ３０７６考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺）2.按晶界两边原子排列的连贯性分2.按晶界两边原子排列的连贯性分3.按堆积方式描述的晶界为堆垛层错，包括反映孪晶以面心立方结构为例,当正常层序中抽走一原子层, 相应位置出现一个逆顺堆垛层……ABC AC ABC……称抽出型(或内禀)层错；如果正常层序中插入一原子层, 相应位置出现两个逆顺序堆层……ABCA C BCAB……称插入型(或外禀)层错。
堆垛层错导致的孪晶面堆垛层错导致的孪晶面晶界的特性：有缘学习更多＋谓ｙｇｄ３０７６考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺）晶界的特性：晶界的特性：晶界的特性：随堂练习：答：随堂练习：答：随堂练习：。
部分bcc和fcc金属点缺陷性能的第一原理计算刘艳侠;李志芳;赵宇琪;孙嘉兴【期刊名称】《辽宁大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2017(044)002【摘要】缺陷对金属及合金的物理和机械性能有显著的影响.点缺陷如空位和间隙性能有助于理解金属和合金的热力学及动力学行为.使用第一原理软件CASTEP模块计算了体心立方结构金属V,Cr,Fe,Nb,Mo,W和面心立方结构金属Ni,Rh,Pd,Cu,Zn,Ag的单空位形成能、结合能、自间隙形成能.计算结果表明:所有结合能的计算值均高于实验值,空位形成能的结果与其他计算方法的结果比较接近;对于bcc结构,〈110〉或〈111〉哑铃间隙构型能量最低,结构最稳定,与其他计算方法结论一致;fcc结构的〈100〉哑铃或八面体间隙构型能量最低,结构最稳定;空位形成能的值大约是结合能的1/3-1/4;间隙形成能与体弹性模量B有关,随着B的增大而增大.【总页数】8页(P121-128)【作者】刘艳侠;李志芳;赵宇琪;孙嘉兴【作者单位】辽宁大学物理学院,辽宁沈阳110036;辽宁大学物理学院,辽宁沈阳110036;南京大学物理学院,江苏南京210093;辽宁大学物理学院,辽宁沈阳110036【正文语种】中文【中图分类】O483【相关文献】1.hcp-,fcc-和bcc-Sc晶格稳定性的第一原理研究 [J], 陶辉锦;刘玲;陈伟民;文杰斌;杨巧然2.金属间化合物L10-TiAl点缺陷浓度的第一原理 [J], 陶辉锦;孙顺平;张铖铖;陈图;罗伟;江勇3.L12-Al3Li金属间化合物点缺陷浓度的第一原理计算 [J], 孙顺平;李小平;于赟;卢雅琳;臧冰;易丹青;江勇4.FCC：BCC部分共格界面的计算机再研究 [J], 康戈文;徐启昆5.B32-LiAl点缺陷结构的第一原理计算 [J], 陈律;文韬因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
fcc金属中位错与孪晶界交互作用的原子机制第一篇范文FCC金属中位错与孪晶界交互作用的原子机制FCC（面心立方晶格）金属因其独特的晶体结构，在工程应用中占有重要地位。
位错和孪晶界是影响FCC金属塑性变形和力学性能的微观结构因素。
本文旨在探讨FCC金属中位错与孪晶界交互作用的原子机制。
一、位错与孪晶界的原子结构位错是晶体中的一种线缺陷，主要由原子层错引起。
在FCC金属中，主要有两种类型的位错：刃位错和螺位错。
刃位错发生在{111}晶面上，而螺位错发生在{110}晶面上。
孪晶界是晶体中的一种面缺陷，它是由晶体沿着某一特定方向进行滑移而形成的。
在FCC金属中，孪晶界主要由{111}晶面构成。
二、位错与孪晶界的交互作用1. 位错与孪晶界的相互作用在FCC金属中，位错与孪晶界的相互作用主要表现为位错在孪晶界处的塞积和弓出。
当位错在孪晶界附近移动时，由于孪晶界的{111}晶面与位错线方向平行，使得位错在孪晶界处受到阻碍。
这种阻碍导致位错在孪晶界附近堆积，形成塞积群。
塞积群的存在会增加材料的应力水平，从而影响其力学性能。
2. 孪晶界对位错运动的影响孪晶界对位错运动的影响主要体现在孪晶界对位错线的 pinning 效应。
由于孪晶界的{111}晶面与位错线方向平行，使得位错在孪晶界处难以移动。
这种 pinning 效应限制了位错的运动，从而影响材料的塑性变形能力。
三、原子机制位错与孪晶界交互作用的原子机制主要包括以下几个方面：1. 晶格畸变：位错和孪晶界都会引起晶格的畸变。
位错引起的晶格畸变主要集中在位错线附近，而孪晶界引起的晶格畸变则主要集中在孪晶界附近。
这种晶格畸变会影响位错的运动和孪晶界的稳定性。
2. 原子间的相互作用：位错与孪晶界之间的相互作用主要是通过原子间的相互作用实现的。
在FCC金属中，原子间的金属键起着关键作用。
位错与孪晶界附近的金属键会发生畸变，从而影响位错和孪晶界的运动。
3. 电子云的重排：位错和孪晶界都会引起电子云的重排。
fcc金属的层错能
FCC金属的层错能是指在晶体中发生层错时所需的能量。
层
错是晶体中原子排列的缺陷，通常是由于晶格中出现了一层原子相对于其它层位置的偏移。
层错能是衡量层错形成稳定性和层错运动难度的指标。
对于FCC（面心立方）结构的金属，常见的层错类型有位错
和膜错。
位错是晶体中一层原子相对于其它层位置的平移，而膜错是晶体中一层原子相对于其它层位置的扭曲。
层错能取决于金属的性质以及层错的类型和位错线（层错线）与晶体中的原子排列之间的相互影响。
一般来说，FCC金属的层错能较低，即形成和移动层错所需
的能量相对较少。
这主要是因为FCC结构具有相对较高的对
称性和原子间的紧密堆积。
因此，FCC金属常常具有较好的
塑性变形和延展性，容易发生塑性变形和形成层错。
然而，具体金属的层错能取决于其具体的晶体结构、晶格参数，以及晶体中原子间的相互作用。
不同金属的层错能可以有很大的差异，可能受到合金元素的影响，这也决定了金属的抗变形能力和力学性能。
因此，虽然FCC金属通常具有较低的层错能，但不同金属之间的层错能仍然可能存在差异。
