【名词解释】TFT阵列工序（TFT array process）2010/12/08 00:00打印E-mail从制造的角度来看液晶面板的话，可分为TFT阵列工序、液晶单元工序、液晶模块工序三类。
各工序使用专用制造装置及部件和材料。
在这些液晶面板制造工序中，尤其是TFT 阵列工序和液晶单元工序决定液晶面板显示性能的重要工序。
其中，TFT阵列工序对面板制造成本的影响尤为突出。
TFT阵列是对液晶进行驱动的电路基板。
TFT和显示像素电极被排列在玻璃基板上，用于驱动TFT的栅极布线、输送加载在像素上的电压信号的信号布线纵横交错。
TFT阵列工序与半导体的制造工序相似。
与在硅晶圆上制造半导体电路一样，通过反复实施成膜、光刻及蚀刻工序，在玻璃基板上制造出TFT阵列。
制造TFT阵列的各工序所使用的制造装置在原理上也与半导体制造装置相同。
制造装置的性能会影响液晶面板的性能。
同时，制造装置的生产效率（玻璃基板的处理能力以及工艺材料的使用量），以及制造装置的集合体即制造生产线的整体效率也会大大影响液晶面板的成本。
比如，业界为提高制造生产线的生产效率，多年来一直在努力削减掩模数。
掩模数是指成膜工序、光刻工序及蚀刻工序的反复次数。
掩模数的削减在液晶面板制造的技术革新中起到了突出的作用。
19世纪80年代中期，松下电器产业首次投放市场的3英寸彩色液晶电视所使用的面板就是通过8张掩模的工序制造的。
之后，各液晶面板厂商为了减少TFT阵列的工序数量，压缩投资金额，积极展开了减少掩模数的开发。
目前已减少到了4张掩模，工序数量大为减少。
另外，一直在支撑着PC用及电视用液晶面板走向大屏幕化、值得一提的技术是玻璃基板的大尺寸化。
19世纪90年代初TFT液晶面板开始量产时最初使用的是300mm×400mm 左右的第一代基板，而目前已发展到了了2880mm×3130mm的第十代基板。
液晶面板尺寸一直加大的话，一块玻璃基板能够获得的面板数量就会减少，使生产效率下降。
TFT-LCD
1.阵列array工艺
第一步先在玻璃基板上溅射栅极材料膜（铬），经掩膜曝光、显影、干法或湿法蚀刻后形成栅极布线图案。
第二步是用PECVD法进行连续成膜，形成N-0-Si膜，起到绝缘作用
第三步是形成a-Si层（非晶硅）
第四步是掺磷n+ a-Si膜，然后再进行掩膜曝光及蚀刻。
第五步是形成源极和漏极，漏极与ITO相连
2.在彩色滤光片工艺
彩色滤光片的(R、G、B三色)分散在透明感光树脂中。
然后将它们依次用涂敷、曝光、显影工艺方法，依次形成R. G. B三色图案。
为了防止漏光，在R. G. B 三色交界处一般都要加黑矩阵（BM）。
由于带有彩色滤光片的基板是作为液晶屏的前基板与带有TFT的后基板一起构成液晶盒。
所以必须关注好定位问题，使彩色滤光片的各单元与TFT基板各像素相对应。
3.液晶盒的制备工艺
首先是在上下基板表面分别涂敷聚酰亚胺膜并通过摩擦工艺，形成可诱导分子按要求排列的取向膜。
之后在TFT阵列基板周边布好密封胶材料，并在基板上喷洒衬垫（spacer）。
同时在CF基板的透明电极末端涂布银浆。
然后将两块基板对位粘接，使CF图案与TFT像素图案一一对正，再经热处理使密封材料固化。
在密封材料时，需留下注入口，以便抽真空灌注液晶。
由于真空灌注大尺寸的局限性，近年来在盒的制做工艺上也有很大的改进,从原来的成盒后灌注改为ODF滴注法,即灌晶与成盒同步进行。
外围电路、组装背光源等的模块组装工艺在液晶盒制作工艺完成后，在面板上需要安装外围驱动电路，再在两块基板表面贴上偏振片。
