积分形式 微分形式
l
l
D H dl ( J )dS S t B E dl dS S t
D H J t
全电流定律
电磁感应定律 磁通连续性原理 高斯定律
B E t
S
BdS 0
DdS q
B 0
பைடு நூலகம்D
r r l r , t v 1 dl (r , t ) 4 l r r
r r I r , t v dl A(r , t ) 4 l r r
能量密度与能流密度矢量
电场能量密度 磁场能量密度 损耗功率密度
理想导电体的边界条件
J E
已知在任何边界上,电场强度的切向分量及磁通 密度的法向分量是连续的,因此理想导体表面上 不可能存在电场切向分量及磁场法向分量,即时
变电场必须垂直于理想导电体的表面,而时变磁
场必须与其表面相切。
en
et , H E
② ①
en
E H
et ,
H2t JS H1t
r r r ,t v 1 (r , t ) 4 V r r
dV
r r J r , t v A(r , t ) 4 V r r
dV
推论:位于 r 处的源产生的场传到 r 处需要一段时间这段 时差就是
r v
(r ) v
那么,它又可理解为向负 r 方向传播的波,也就是 来自无限远处的反射波。
面分布及线分布的电荷及电流产生的标量位和矢量
位分别如下:
r r S r , t v 1 (r , t ) 4 S r r dS r r J S r , t v A(r , t ) 4 S r r dS