最新场效应管工作原理与应用说课讲解

场效应管的结构及工作原理(教案)第一章：引言1.1 课程背景本课程旨在帮助学生了解和掌握场效应管的结构及工作原理。

场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路中具有广泛的应用。

1.2 学习目标了解场效应管的基本结构理解场效应管的工作原理第二章：场效应管的基本结构2.1 结型场效应管（JFET）2.1.1 N沟道JFET2.1.2 P沟道JFET2.2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）2.2.1 N型MOSFET2.2.2 P型MOSFET2.3 场效应管的封装与引脚第三章：场效应管的工作原理3.1 JFET的工作原理3.1.1 导电通道的形成3.1.2 栅极电压对导电通道的控制3.2 MOSFET的工作原理3.2.1 导电通道的形成3.2.2 栅极电压对导电通道的控制3.3 场效应管的导通与截止条件第四章：场效应管的特性4.1 静态特性4.1.1 输入特性4.1.2 输出特性4.2 动态特性4.2.1 过渡时间4.2.2 开关速度4.3 场效应管的参数第五章：场效应管的应用5.1 放大器应用5.1.1 放大器的基本原理5.1.2 放大器的设计与实现5.2 开关应用5.2.1 开关的基本原理5.2.2 开关的设计与实现5.3 其他应用场效应管的结构及工作原理(教案)第六章：结型场效应管（JFET）的特性6.1 输出特性6.1.1 电流-电压关系6.1.2 输出特性曲线6.2 输入特性6.2.1 输入阻抗6.2.2 输入特性曲线6.3 传输特性6.3.1 传输特性曲线6.3.2 转移特性分析第七章：金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的特性7.1 MOSFET的输出特性7.1.1 电流-电压关系7.1.2 输出特性曲线7.2 MOSFET的输入特性7.2.1 输入阻抗7.2.2 输入特性曲线7.3 MOSFET的传输特性7.3.1 传输特性曲线7.3.2 转移特性分析第八章：场效应管的驱动电路8.1 驱动电路的作用8.1.1 驱动场效应管的需求8.1.2 驱动电路的设计原则8.2 驱动电路的设计8.2.1 电压驱动电路8.2.2 电流驱动电路8.3 驱动电路的稳定性与保护第九章：场效应管的电路应用实例9.1 放大器应用实例9.1.1 单级JFET放大器9.1.2 多级MOSFET放大器9.2 开关应用实例9.2.1 数字开关9.2.2 模拟开关9.3 其他应用实例9.3.1 电压控制放大器9.3.2 功率放大器第十章：总结与展望10.1 课程总结10.1.1 场效应管的结构特点10.1.2 场效应管的工作原理与特性10.2 场效应管的应用领域10.2.1 电子设备中的应用10.2.2 未来发展趋势10.3 练习与思考题10.3.1 填空题10.3.2 选择题10.3.3 简答题10.3.4 设计题场效应管的结构及工作原理(教案)第十一章：场效应管的测试与故障诊断11.1 测试仪器与设备11.1.1 直流参数测试仪11.1.2 交流参数测试仪11.2 场效应管的测试项目11.2.1 栅极电阻测试11.2.2 漏极电流测试11.2.3 源极电阻测试11.3 故障诊断与分析11.3.1 故障类型及原因11.3.2 故障诊断流程第十二章：场效应管的可靠性与寿命12.1 可靠性基本概念12.1.1 可靠性的定义12.1.2 可靠性参数12.2 影响场效应管可靠性的因素12.2.1 材料与工艺因素12.2.2 环境因素12.3 提高场效应管可靠性的措施12.3.1 设计优化12.3.2 生产工艺控制第十三章：场效应管的节能与环保13.1 节能的重要性13.1.1 电子设备的能耗问题13.1.2 场效应管在节能中的作用13.2 环保意识与场效应管13.2.1 电子废弃物问题13.2.2 场效应管的环保优势13.3 节能与环保技术的应用13.3.1 高效能场效应管设计13.3.2 绿色制造与回收技术第十四章：场效应管的最新发展动态14.1 新型场效应管的研究方向14.1.1 纳米场效应管14.1.2 宽禁带场效应管14.2 场效应管技术的创新应用14.2.1 物联网中的应用14.2.2 中的应用14.3 未来场效应管的发展趋势14.3.1 性能提升14.3.2 成本降低第十五章：课程复习与拓展学习15.1 复习重点与难点15.1.1 场效应管的基本结构15.1.2 场效应管的工作原理与特性15.2 拓展学习资源15.2.1 学术期刊与论文15.2.2 在线课程与论坛15.3 实践项目与研究建议15.3.1 实验室实践项目15.3.2 研究课题建议重点和难点解析本文档涵盖了场效应管的结构、工作原理、特性、应用、测试、可靠性、节能环保以及最新发展动态等方面的内容。

场效应管的结构及工作原理(教案)第一章：引言1.1 课程背景本课程旨在帮助学生了解和掌握场效应管（FET）的结构及工作原理。

场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子技术领域有着广泛的应用。

1.2 学习目标了解场效应管的基本结构理解场效应管的工作原理第二章：场效应管的基本结构2.1 简介介绍场效应管的定义和基本结构。

2.2 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）结构描述MOSFET的三个主要部分：源极、漏极和栅极解释MOSFET的两种类型：N型和P型2.3 JFET（结型场效应管）结构介绍JFET的基本结构和工作原理比较JFET和MOSFET的异同第三章：场效应管的工作原理3.1 简介解释场效应管的工作原理。

3.2 静电场控制描述静电场如何控制通道中的电荷载流子解释电荷载流子的运动和电流的形成3.3 电压和电流的关系分析电压和电流之间的关系讨论场效应管的不同工作区域：亚阈值区、饱和区和击穿区第四章：场效应管的特性4.1 简介介绍场效应管的主要特性。

4.2 转移特性解释转移特性曲线的含义分析转移特性曲线的形状和特点4.3 输出特性描述输出特性曲线的含义讨论输出特性曲线的形状和特点第五章：应用5.1 简介介绍场效应管在不同领域的应用。

5.2 放大器应用分析场效应管放大器的工作原理讨论放大器的设计和应用5.3 开关应用解释场效应管在开关电路中的应用分析开关电路的设计和应用第六章：场效应管的偏置电路6.1 简介介绍场效应管偏置电路的作用和重要性。

6.2 偏置电路的设计解释偏置电路的作用分析偏置电路的设计原则和方法6.3 偏置电路的类型介绍几种常见的偏置电路类型分析各种偏置电路的优缺点第七章：场效应管的驱动电路7.1 简介介绍场效应管驱动电路的作用和重要性。

7.2 驱动电路的设计解释驱动电路的作用分析驱动电路的设计原则和方法7.3 驱动电路的类型介绍几种常见的驱动电路类型分析各种驱动电路的优缺点第八章：场效应管的参数测量与测试8.1 简介介绍场效应管参数测量与测试的目的和方法。

场效应管的工作原理和使用方法场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一种用于放大、开关和调制信号的半导体器件。

场效应管有着广泛的应用领域，包括通信、电子设备和电源等。

一、工作原理1.基本构造场效应管包括一个绝缘栅、一个漏电极和一个源极，它们构成了“门电极-漏极-源极”结构。

-绝缘栅：用绝缘材料制成，用来隔离漏极和源极。

-漏电极：负责控制和操控电流。

-源极：负责提供电流。

2.工作原理当栅极电势施加于绝缘栅时，栅极电场将与绝缘层之间的电子引诱至表面，形成轨道，此时2DEG激活。

通过改变栅极电势的大小和极性，可以控制电子通过2DEG的程度，进而有效控制漏电流。

在N型场效应管中，栅极电势增大时，电子通过2DEG的能力减弱，导致漏电流减小。

而在P型场效应管中，栅极电势增大时，2DEG中空穴（正电荷载体）增加，漏电流也会增加。

基于以上原理，可以通过调整栅极电势，控制从漏极到源极的电流，实现场效应管的放大和开关功能。

二、使用方法1.引脚连接场效应管一般有三个引脚：栅极、漏极和源极。

栅极是场效应管的控制端，漏极和源极是输出端。

在使用场效应管时，需要正确将电源、信号源和负载与相应的引脚连接。

2.工作电压不同类型的场效应管具有不同的工作电压范围，需要根据厂商规定和数据手册，选定适当的电源和信号电压。

同时，还需要关注电流和功率的限制，确保不超出场效应管的额定数值。

3.极性场效应管分为N型和P型，其极性不同。

在连接场效应管时，需要确保漏极和源极的极性与电源匹配，以免产生不良影响或损坏器件。

三、场效应管的优缺点1.优点-控制方便：场效应管可以通过改变栅极电势，实现电流的控制，相较于双极型晶体管（BJT）具有更高的灵活性。

-噪音低：场效应管的输入电阻高，输出电阻低，可以有效降低噪音的生成和传播。

-响应速度快：场效应管的响应速度较快，适用于高频率和快速开关应用。

2.缺点-漏电流：场效应管的漏电流相对较大，可能导致功耗过高。

场效应管的工作原理及应用一、场效应管的基本原理场效应管（FET）是一种基于电场效应的半导体器件，它主要由三个区域组成：栅极（Gate）、漏极（Source）和源极（Drain）。

场效应管的工作原理是通过在栅极施加电压来控制漏极和源极之间的电流。

实际上，场效应管的工作原理与双极型晶体管（BJT）有很大的不同。

BJT是通过调节基极电流来控制集电极电流，而FET则是通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。

这种控制电压的方式使得场效应管具有以下优点：•输入电阻高：场效应管的输入电阻非常高，这意味着输入信号对于场效应管来说几乎没有损耗。

•输出阻抗低：场效应管的输出电阻非常低，可以提供较大的输出功率。

•可靠性好：场效应管的制造工艺相对简单，因此具有较高的可靠性。

二、场效应管的种类及特点场效应管分为三种，分别是MOSFET、JFET和IGFET。

它们各自具有以下特点：1. MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）•结构复杂：MOSFET由金属栅极、绝缘层和半导体材料组成，结构较为复杂。

•低功耗：MOSFET的功耗较低，适用于集成电路和低功耗应用。

•可控性强：MOSFET的栅极电压可通过改变电压来控制漏极和源极之间的电流。

2. JFET（结型场效应管）•结构简单：JFET由两个半导体材料构成，结构较为简单。

•低噪声：JFET具有低噪声、高增益和大动态范围的特点，适用于音频放大器等应用。

•可控性弱：JFET的控制电压较低，控制灵敏度相对较弱。

3. IGFET（绝缘栅极场效应管）•高速开关：IGFET具有较高的开关速度和低损耗，适用于高频功率放大器等应用。

•可控性中等：IGFET的栅极电压对电流的控制相对较强，但仍不及MOSFET。

三、场效应管的应用场效应管广泛应用于各种电子设备和系统中，包括但不限于以下领域：1.放大器：由于场效应管具有高输入电阻和低输出阻抗的特点，因此可以用作信号放大器。

在音频放大器、射频放大器、视频放大器等设备中，场效应管常被用来放大弱信号。

MOS管电路工作原理及详解在电子电路的世界里，MOS 管（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种极其重要的元件。

它的性能卓越，应用广泛，从简单的电子设备到复杂的集成电路，都能看到MOS 管的身影。

为了更好地理解和运用MOS 管，我们需要深入探究其电路工作原理。

MOS 管主要有两种类型：增强型和耗尽型。

增强型 MOS 管又分为N 沟道增强型和 P 沟道增强型；耗尽型 MOS 管同样分为 N 沟道耗尽型和 P 沟道耗尽型。

在实际应用中，增强型 MOS 管更为常见。

先来说说 N 沟道增强型 MOS 管的结构。

它由一块 P 型半导体作为衬底，在上面扩散两个高浓度的 N 型区，分别作为源极（S）和漏极（D）。

在源极和漏极之间的衬底表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，然后在绝缘层上沉积一层金属铝，形成栅极（G）。

当栅极电压为零时，源极和漏极之间没有导电沟道，MOS 管处于截止状态。

当在栅极和源极之间加上正向电压（VGS），并且 VGS 超过一定的阈值电压（VT）时，在靠近栅极下方的 P 型半导体表面会形成一个N 型导电沟道。

此时，若在漏极和源极之间加上电压（VDS），就会有电流（IDS）从漏极流向源极，MOS 管处于导通状态。

而且，IDS的大小与 VGS 和 VDS 都有关系。

在 VGS 一定的情况下，当 VDS 较小时，IDS 随 VDS 线性增加，MOS 管工作在电阻区。

随着 VDS 的增大，靠近漏极一端的导电沟道会变窄，这种现象被称为沟道夹断。

当 VDS 增加到使得沟道在漏极一端刚好夹断时，称为预夹断状态。

继续增大 VDS，夹断区会延长，而IDS 基本保持不变，MOS 管工作在恒流区。

P 沟道增强型 MOS 管的工作原理与 N 沟道增强型 MOS 管类似，只是所加电压的极性相反。

再谈谈 MOS 管在电路中的应用。

场效应管详解一、场效应管的基本概念场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，由栅极、漏极和源极三个电极组成。

栅极与漏极之间通过电场控制漏极和源极之间的电流。

二、场效应管的工作原理场效应管的工作原理基于电场控制电流的效应。

当栅极施加一定电压时，在栅极和漏极之间形成了一个电场，这个电场控制着漏极和源极之间的电流。

通过调节栅极电压，可以改变漏极和源极之间的电流，实现对电流的控制。

三、场效应管的分类根据不同的控制机构，场效应管可以分为三种类型：MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。

MOSFET是最常见的一种场效应管。

四、场效应管的特点和优势1. 高输入阻抗：场效应管的栅极是绝缘层，因此栅极和源极之间的电流极小，使得场效应管具有很高的输入阻抗。

2. 低噪声：由于高输入阻抗的特性，场效应管的噪声很低。

3. 低功耗：场效应管的控制电流很小，从而使得其功耗较低。

4. 快速开关速度：场效应管的开关速度较快，适合高频应用。

五、场效应管的应用领域场效应管广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、开关电路、调节电路、振荡器等。

在电子行业中，场效应管已经成为一种重要的电子元件。

六、场效应管的优化和发展随着科技的不断进步，场效应管也在不断优化和发展。

目前，一些新型的场效应管已经出现，如高电压场效应管、功率场效应管等，以满足不同领域对场效应管的需求。

场效应管作为一种重要的电子元件，具有较高的输入阻抗、低噪声、低功耗和快速开关速度等特点，广泛应用于各种电子设备中。

随着科技的不断发展，场效应管的优化和发展也在不断进行，使其能更好地满足不同领域的需求。

场效应管的研究和应用将继续推动电子技术的发展，为人们的生活带来更多便利和创新。

场效应管的工作原理详解
海绵管空气预冷机组，也称壳管效应管，是利用毛细管(Mesh Tube)作为内热交换器，用空气或水作为外热载体来降低空气温度的冷却设备。

它属于利用气流降低温度的空气冷却设备，不同于传统的空气冷却机组，壳管效应管机组节省空气的使用量，而且效率更高，同时壳管效应管机组不占用空间，安装更为简便。

壳管效应管机组是一种简单的预冷机组，其结构非常简单，典型的结构如下：由一个内腔和一个外腔组成，内腔由毛细管和进气管、出气管组成，外腔两端分别与进气管和出气管连接，进气管与出气管之间的间隙被毛细管填充。

当待冷却的空气进入内腔时，内腔的温度受到外腔的影响，此时起到相当于蓄热器的作用，因此壳管效应管机组可以预先降低空气温度，这有助于提高冷却效率，控制室内温湿度，进而改善换气效果，同时降低能耗，增加室内空气质量。

海绵管空气预冷机组的工作原理是，将热量从空气中抽取，外壳管起到了吸收热量的作用，外壳管内存有毛细管，毛细管将热量从内腔转移到外腔，空气流动过外腔的毛细管时热量被吸收，吸收的热量最终进入外腔中。

场效应管的工作原理详解场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常用的半导体器件，具有广泛的应用领域，如放大器、开关、逆变等。

本文将详细介绍场效应管的工作原理。

一、场效应管的基本结构场效应管由栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）三个部分组成。

其中栅极与源极之间的电压（Vgs）作用于栅极与源极之间的绝缘层，控制电流从漏极到源极的通断状态。

二、N沟道场效应管（N-Channel FET）1. 静态工作原理N沟道场效应管作为一种N型材料构成的器件，其栅极与源极之间的电压（Vgs）为负数时，使得栅极与沟道之间的电场均匀，形成一个浓度较高的N型沟道，使得漏极和源极之间的导通电阻减小。

当Vgs=0时，N沟道场效应管处于截止状态。

2. 动态工作原理当将正向电压（Vds）加到漏极和源极之间时，漏极端的电势较低，而源极端较高。

此时通过漏极和源极之间的电阻小，使得电流从漏极流向源极。

当电压Vds增大时，漏极电势继续下降，导致沟道中的电子浓度减小，电阻增加。

最终，当Vds达到一定值时，沟道中的电阻增大到一定程度，使得电流几乎不再增加，即处于饱和状态。

此时的电流为IDSS，对应的电压为Vp。

三、P沟道场效应管（P-Channel FET）1. 静态工作原理P沟道场效应管作为一种P型材料构成的器件，其栅极与源极之间的电压（Vgs）为正数时，使得栅极与沟道之间的电场均匀，形成一个浓度较高的P型沟道，使得漏极和源极之间的导通电阻减小。

当Vgs=0时，P沟道场效应管处于截止状态。

2. 动态工作原理当将负向电压（Vds）加到漏极和源极之间时，漏极端的电势较高，而源极端较低。

此时通过漏极和源极之间的电阻小，使得电流从源极流向漏极。

当电压Vds增大时，漏极电势继续上升，导致沟道中的空穴浓度减小，电阻增加。

最终，当Vds达到一定值时，沟道中的电阻增大到一定程度，使得电流几乎不再增加，即处于饱和状态。

电路中的场效应管工作原理及应用场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的半导体器件，在电子电路中具有重要的应用。

本文将详细介绍场效应管的工作原理以及其在电路中的应用。

一、工作原理场效应管的工作原理基于半导体中的电子运动规律和电场效应。

它由三个主要部分组成：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。

其中栅极与源极之间的跨导区域是场效应管的关键部分。

场效应管有两种主要类型：增强型（Enhancement Mode）和耗尽型（Depletion Mode）。

在增强型场效应管中，没有外加电压时，栅极和漏极之间的导电通道是关闭的。

通过施加正向电压于栅极和源极之间，电子会受到栅极电压的影响，使导电通道打开，从而形成从源极到漏极的电流。

而在耗尽型场效应管中，刚好相反，栅极、漏极和源极之间的导电通道在无电压施加时是打开的，通过施加负向电压可减小或关闭导电通道。

二、应用领域场效应管在电子电路中有广泛的应用。

以下列举了几个重要的应用领域：1. 放大器场效应管在放大器电路中扮演着重要的角色。

由于场效应管的高输入阻抗和低输出阻抗特性，它可以用作信号放大器的关键部件。

并且，由于场效应管具有较大的电流放大倍数，能够实现较高的增益。

2. 开关由于场效应管在导通和截止之间具有快速的响应速度，因此被广泛应用于开关电路中。

通过控制栅极与源极之间的电压，可以控制场效应管的导通状态。

这使得场效应管在逻辑门电路和数字电路中被广泛使用，以实现高速开关操作。

3. 变压器耦合放大器场效应管也经常被用于通信系统中的变压器耦合放大器。

这是因为场效应管具有较高的输入阻抗，可以有效地匹配变压器的输入阻抗。

通过场效应管的放大作用，可以将低频信号转换为高频信号，实现信号的放大和传输。

4. 混频器混频器是无线通信系统中常用的组件，用于实现信号的频率转换。

场效应管的非线性特性使其成为混频器电路的理想选择。

场效应管的结构及工作原理(教案)第一章：引言1.1 课程概述本课程旨在帮助学生了解和掌握场效应管（FET）的结构及工作原理。

通过本课程的学习，学生将能够理解FET的基本概念、种类、应用及其在电子技术领域的重要性。

1.2 教学目标1. 了解场效应管的定义和发展历程。

2. 掌握场效应管的基本结构和分类。

3. 理解场效应管的工作原理及其在不同应用领域的优势。

第二章：场效应管的基本结构2.1 结型场效应管（JFET）2.1.1 JFET的定义2.1.2 JFET的结构特点2.1.3 JFET的导电机制2.2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）2.2.1 MOSFET的定义2.2.2 MOSFET的结构特点2.2.3 MOSFET的导电机制2.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）2.3.1 IGBT的定义2.3.2 IGBT的结构特点2.3.3 IGBT的导电机制第三章：场效应管的工作原理3.1 结型场效应管（JFET）的工作原理3.1.1 增强型JFET的工作原理3.1.2 耗尽型JFET的工作原理3.2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的工作原理3.2.1 增强型MOSFET的工作原理3.2.2 耗尽型MOSFET的工作原理3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的工作原理3.3.1 IGBT的工作原理第四章：场效应管的性能参数4.1 结型场效应管（JFET）的性能参数4.1.1 输入阻抗4.1.2 输出阻抗4.1.3 跨导4.1.4 开关速度4.2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的性能参数4.2.1 输入阻抗4.2.2 输出阻抗4.2.3 跨导4.2.4 开关速度4.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的性能参数4.3.1 输入阻抗4.3.2 输出阻抗4.3.3 跨导4.3.4 开关速度第五章：场效应管的应用领域5.1 结型场效应管（JFET）的应用领域5.1.1 放大器5.1.2 开关电路5.1.3 电压控制器件5.2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的应用领域5.2.1 放大器5.2.2 开关电路5.2.3 电压控制器件5.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的应用领域5.3.1 电力电子5.3.2 变频调速5.3.3 电力系统第六章：场效应管的测量与测试6.1 测量仪器与设备6.1.1 直流参数测试仪6.1.2 交流参数测试仪6.1.3 噪声测试仪6.2 场效应管的测量项目6.2.1 栅极电位与漏极电流的关系测量6.2.2 输入阻抗测量6.2.3 输出阻抗测量6.2.4 开关时间测量6.3 测试结果分析与应用6.3.1 测试结果的判断与分析6.3.2 测试结果在实际应用中的应用第七章：场效应管的驱动与保护7.1 驱动电路的设计7.1.1 驱动电路的基本要求7.1.2 驱动电路的设计方法7.1.3 驱动电路的实际应用案例7.2 场效应管的保护电路7.2.1 过压保护电路7.2.2 过流保护电路7.2.3 短路保护电路7.3 驱动与保护电路的实际应用7.3.1 驱动与保护电路在放大器中的应用7.3.2 驱动与保护电路在开关电路中的应用第八章：场效应管的故障诊断与维修8.1 故障诊断方法8.1.1 观察法8.1.2 测量法8.1.3 替换法8.2 常见故障与维修方法8.2.1 栅极输入故障8.2.2 漏极输出故障8.2.3 内部短路故障8.3 故障维修实例8.3.1 放大器故障维修实例8.3.2 开关电路故障维修实例第九章：场效应管在现代电子技术中的应用9.1 数字电路中的应用9.1.1 逻辑门电路9.1.2 微处理器电路9.1.3 存储器电路9.2 模拟电路中的应用9.2.1 放大器电路9.2.2 滤波器电路9.2.3 稳压电路9.3 电力电子中的应用9.3.1 变频调速电路9.3.2 电力控制系统9.3.3 电力变换器电路第十章：总结与展望10.1 课程总结本课程对场效应管的结构、工作原理及其应用进行了详细的介绍，使学生掌握了场效应管的基本知识，为further study in the field of electronic technology 打下了坚实的基础。

附页
电子教案模板
(2) N沟道增强型管的工作原理
由结构图可见，
结。

当栅源电压U GS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个
当U GS > 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；
当U GS >U GS（th）时，将出现N型导电沟道，将
在漏极电源的作用下将产生漏极电流
当U GS>U GS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压
(4) P沟道增强型
增强型场效应管只有当U GS U GS(th）时才形成导电沟道。

2.耗尽型绝缘栅场效应管
如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。

(1 ) N沟道耗尽型管
由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在
也会有漏极电流I D 产生。

这时的漏极电流用
(3) P 沟道耗尽型管
教师活动学生活动设计意图
利用多媒体PPT及图片掌握重点，突破难通过教师的引导
及阅读课本，先进发挥学生的主体地位，教师做好主导工作，锻炼学生
独立思考，自学成才的能力。

：表示栅源电压对漏极电流
教师活动学生活动设计意图。

电子教案模板2)、按工作状态可分为: 增强型和耗尽型两类 每类又有N 沟道和P 沟道之分 4、三个电极分别为: 漏极D----相当于双极型三极管的集电极; 栅极G----相当于双极型三极管的基极; 源极S----相当于双极型三极管的发射极;知识点二：绝缘栅型场效应管的工作原理及特性 1.增强型绝绝缘栅型场效应管的工作原理及特性缘栅场效应管 (1) N 沟道增强型管的结构栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。

(Source)®馆)源极S 栅极G 漏极D教师活动学生活动1、讲授场效应管的特性，与三极管作对 1、认真记录笔记 比进行学习。

仔细听讲。

2、讲授什么是增强 2、通过教师的讲 型，什么是耗尽型， 解及图片，PPT 的 什么是N 沟道，什么 展示认识各种场 是P 沟道。

效应管。

3、利用实物及图片 3、通过实物及图 带领学生认识各种 片掌握各电极名场效应管认识各个O称电极。

设计意图讲练结合，寓教于乐于一体，使学生掌握起来更加形 象直观。

由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属 管，简称 MOS 场效应管。

(Metal Oxide Semiconducter FET)由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达 101 - 0(2) N 沟道增强型管的工作原理由结构图可见，M 型漏区和M 型源区之间被P 型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN 结。

当栅源电压U G S = 0时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN 结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。

当U G S > 0时，P 型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层;尹打打"护"打/打re —p 型硅衬底-氧化物-半导体场效应型导电沟道当U G S >U G S(th)时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。