第三章集成逻辑门电路例题补充

《集成逻辑门电路》练习题及答案[3.1] 在图P3.1（a ）、（b ）两个电路中，试计算当输入端分别接0V 、5V 和悬空时输出电压0v 的数值，并指出三极管工作在什么状态。

假定三极管导通以后BE v ≈0.7V ，电路参数如图中所注。

[解]（a ）当输入端悬空时，BE v =-10V ，三极管处于截止状态，0v =10V 。

当输入端接I v 时，可利用戴维宁定理将接至基极与发射极间的外电路化简为由等效电压E v 和等效电阻E R 串联的单回路，如图A2.1（a ）所示。

其中1.51.520101I ⨯+-=＋v v v E ， Ω==k 1.41.5//20E R若I v =0V ，则E v = -2.03V ，故三极管处于截止状态，V 10O =v 。

若I v =5V ，则E v =1.95V ，,mA 3.0mA 1.47.095.1=-=B i 而临界饱和基极电流mA16.023010=⨯-=CESBS v I ，可见BS B I i 〉，三极管处于饱和导通状态，V 3.00≈=CES V v 。

（b ）当输入端悬空时，用戴维宁定理可将接至基极与发射极间的外电路等效地化成由E v 和E R 串联的单回路，如图A2.1（b ）所示。

其中P3.1V1.1V )7.43187.43855=+⨯+++-=（E v ，Ω=+=k 4.518//)7.43(E R 。

所以mA 047.02505mA 074.0mA 4.57.01.1=⨯-==-=CES BS B v I i 。

而，故,BS B I i 〉三极管处于饱和导通状态，V 3.00≈=CES V v 。

当输入端接有1v 时，仍将接到基极与发射极间的外电路简化为E v 与E R 串联的形式，如图A2.1（c ）所示。

其中V7.4187.48⨯++-=ＩＩv v v E ， Ω==k 7.318//7.4E R若I v ＝0V ，则 V 66.1，v E -三极管截止，V 50=v 。

第三章 逻辑门 习题解答【题3.15】 在图P3.15电路中，已知OC 门和输出端集电极开路三极管截止时的漏电流最大值为1G 2G mA I MAX OH 25.0)(=，输出低电平时输出电流最大允许值为，输出低电平最大值为mA I MAX OL 16)(=V V MAX OL 2.0)(≤。

若，为保证、V V CC 5=V V OH 6.3≥V V OL 2.0≤，试求取值的允许范围。

P R 解：当时OH V v =0)2/()()(OH OH CC MAX P I V V R −==（5-3.6）/（2×0.25）K Ω＝2.8ΚΩ当时OL V v =0)()(/)(MAX OL OL CC MIN P I V V R −==(5-0.2)/(16×) 310−Ω=300 Ω∴所求的取值范围为 P R ΚΩ≤≤Ω8.2300P R【题3.17】 在图P3.17电路中，已知OC 门输出高电平时集电极开路三极管的漏电流最大值为31~G G mA I MAX OH 25.0)(=；低电平最大输出电流，低电平最大值为。

门电路的高电平输入电流最大值为mA I MAX OL 16)(=V V MAX OL 2.0)(=64~G G A 40)(μ=MAX IH I ，低电平输入电流最大值为mA I MAX IL 6.1)(−=。

在满足、的条件下，允许的取值范围有多大。

V V OH 6.3≥V V OL 2.0≤P R 解：当时OH o V v = |)|63/()((max)L OH OH CC p I I V V R +−==（5-3.6）/（3×0.25×+6×40×）Ω 310−610− =1.41ΚΩ当时OL o V v =|)|3/()((min)L OH OL CC p I I V V R −−= =(5-0.2)/(16×-3×1.6×) 310−310−ΚΩ =0.43ΚΩ即所求的取值范围为:P R ΚΩ≤≤ΚΩ41.143.0P R【题3.19】 图P3.19电路中的门电路均为74LS02与非门，它们的电气参数如表3.4.1所示。

第三章集成逻辑门电路一、选择题1、三态门输出高阻状态时,( )就是正确的说法。

A、用电压表测量指针不动B、相当于悬空C、电压不高不低D、测量电阻指针不动2、以下电路中可以实现“线与”功能的有( )。

A、与非门B、三态输出门C、集电极开路门D、漏极开路门3.以下电路中常用于总线应用的有( )。

A、TSL门B、OC门C、漏极开路门D、CMOS与非门4.逻辑表达式Y=AB可以用( )实现。

A、正或门B、正非门C、正与门D、负或门5.TTL电路在正逻辑系统中,以下各种输入中( )相当于输入逻辑“1”。

A、悬空B、通过电阻2、7kΩ接电源C、通过电阻2、7kΩ接地D、通过电阻510Ω接地6.对于TTL与非门闲置输入端的处理,可以( )。

A、接电源B、通过电阻3kΩ接电源C、接地D、与有用输入端并联7.要使TTL与非门工作在转折区,可使输入端对地外接电阻RI( )。

A、＞RONB、＜ROFFC、ROFF＜RI＜ROND、＞ROFF8.三极管作为开关使用时,要提高开关速度,可( )。

A、降低饱与深度B、增加饱与深度C、采用有源泄放回路D、采用抗饱与三极管9.CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点就是( )。

A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽10.与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为( )。

A、CT74S肖特基系列B、 CT74LS低功耗肖特基系列C、CT74L低功耗系列D、 CT74H高速系列11.电路如图(a),(b)所示,设开关闭合为1、断开为0;灯亮为1、灯灭为0。

F 对开关A、B、C的逻辑函数表达式( )。

F1F 2(a)(b)Ａ.C AB F =1 )(2B A C F +=Ｂ.C AB F =1 )(2B A C F +=Ｃ. C B A F =2 )(2B A C F +=12.某TTL 反相器的主要参数为IIH ＝20μA;IIL ＝1、4ｍA;IOH ＝400μA;水IOL ＝14ｍA,带同样的门数( )。

3 33习 题1．解： CO =AB +BC +ACAC BC AB C B A ABC CO C B A ABC S +++++=+++=）（）（AC BC AB C B A ABC ）（+++=AC BC AB C AC BC AB B AC BC AB A ABC +++= A B AB C AC C A B C BC B A ABC +++= C B A C B A C B A ABC +++=真值表A B C S CO A B C S CO 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 011111111电路功能：一位全加器，A 、B 为两个加数，C 为来自低位的进位，S 是相加的和，CO 是进位。

2．解：处于工作状态的译码器C 、D 应输入的状态C D ① 0 0 ② 0 1 ③ 1 0 ④11逻辑功能：由74LS139构成的4线—16线译码器3．解：由图可见，74HC138的功能扩展输入端必须满足E 1＝1、032==E E 才能正常译码，因此E 1＝A 3＝1；542A A E =，即A 4＝1，A 5＝1； 0763=+=A A E ，即A 6＝0，A 7＝0。

所以，该地址译码器的译码地址范围为A 7A 6A 5A 4A 3A 2A 1A 0＝00111A 2A 1A 0＝00111000～3 3400111111，用十六进制表示即为38H ～3FH 。

输入、输出真值表如表P3.3-1所示。

表3.3-1 地址译码器的真值表4．解：由图写出逻辑函数并化简，得02460246L Y Y Y Y Y Y Y Y A BC ABC ABC ABC C ==+++=+++=5． 解：F AB B C A B C AB C ABC ABC =+=+++3 359．解：4选1数据选择器的逻辑表达式为： 301201101001D A A D A A D A A D A A Y +++=将A 1=A ，A 0=B ，D 0=1，D 1=C ，C D =2，D 3=C 代入得 ABC C B A BC A C B A C B A ABC C B A BC A B A Y ++++=+++=根据表达式可画出波形图：C ABL10．解：（1）写出逻辑函数表达式： C AB C B A BC A C B A C B A L ++++=（2）用卡诺图化简3 3611．解：567m m m ABC C B A ABC C AB AC AB L ++=+++=+=13． 解：D C B D C D D C A D C B D C C A F +++=++=)(0⋅+++=+++=CD D C D C A D C AB D C B D C D C A D C A令A 1=C ，A 0=D ，AB D =0，A D =1，D 2=1，D 3=0 连线图：14． 解：3 371。

第3章集成逻辑门电路3-1 如图3-1a）～d）所示4个TTL门电路，A、B端输入的波形如图e）所示，试分别画出F1、F2、F3和F4的波形图。

A1A234a)b)c)d)F1F2F3F4BAe）图3-1 题3-1图解：从图3-1a）～d）可知，11F=，2F A B=+，3F A B=⊕，4F A B= ，输出波形图如图3-2所示。

F1F2F3F4AB图3-2题3-1输出波形图3-2 电路如图3-3a ）所示，输入A 、B 的电压波形如图3-3b ）所示，试画出各个门电路输出端的电压波形。

1A 23b)a)AB图3-3 题3-2图解：从图3-3a ）可知，1F AB =，2F A B =+，3F A B =⊕，输出波形如图3-4所示。

F 1F 2F 3AB图3-4 题3-2输出波形3-3在图3-5a ）所示的正逻辑与门和图b ）所示的正逻辑或门电路中，若改用负逻辑，试列出它们的逻辑真值表，并说明F 和A 、B 之间是什么逻辑关系。

b)a)图3-5 题3-3图解：（1）图3-5a ）负逻辑真值表如表3-1所示。

表3-1 与门负逻辑真值表F 与A 、B 之间相当于正逻辑的“或”操作。

（2）图3-5b ）负逻辑真值表如表3-2所示。

表3-2 或门负逻辑真值表F 与A 、B 之间相当于正逻辑的“与”操作。

3-4试说明能否将与非门、或非门和异或门当做反相器使用？如果可以，各输入端应如何连接？解：与非门、或非门和异或门经过处理以后均可以实现反相器功能。

1）与非门：将多余输入端接至高电平或与另一端并联； 2）或非门：将多余输入端接至低电平或与另一端并联；3） 异或门：将另一个输入端接高电平。

3-5为了实现图3-6所示的各TTL 门电路输出端所示的逻辑关系，请合理地将多余的输入端进行处理。

b)a)AB=A B=+A BC DABC D图3-6 题3-5图解：a ）多余输入端可以悬空，但建议接高电平或与另两个输入端的一端相连；b ）多余输入端接低电平或与另两个输入端的一端相连；c) 未用与门的两个输入端至少一端接低电平，另一端可以悬空、接高电平或接低电平；d ）未用或门的两个输入端悬空或都接高电平。

第三章 组合逻辑电路练习题及答案[3.1] 分析图P3.1电路的逻辑功能，写出Y 1、、Y 2的逻辑函数式，列出真值表，指出电路完成什么逻辑功能。

[解]BCAC AB Y BC AC AB C B A ABC Y ++=+++++=21)(B 、C 为加数、被加数和低位的进位，Y 1为“和”，Y 2为“进位”。

[3.2] 图P3.2是对十进制数9求补的集成电路CC14561的逻辑图，写出当COMP=1、Z=0、和COMP=0、Z=0时，Y 1～Y 4的逻辑式，列出真值表。

[解]（1）COMP=1、Z=0时，TG 1、TG 3、TG 5导通，TG 2、TG 4、TG 6关断。

3232211 , ,A A Y A Y A Y ⊕===， 4324A A A Y ++=（2）COMP=0、Z=0时，Y 1=A 1， Y 2=A 2， Y 3=A 3， Y 4=A 4。

COMP =0、Z=0的真值表从略。

[3.3] 用与非门设计四变量的多数表决电路。

当输入变量A 、B 、C 、D 有3个或3个以上为1时输出为1，输入为其他状态时输出为0。

[解] 题3.3的真值表如表A3.3所示，逻辑图如图A3.3所示。

ABCD D ABC D C AB CD B A BCD A Y ++++=BCD ACD ABC ABC +++=B C D A C D A B D A B C ⋅⋅⋅=[3.4] 有一水箱由大、小两台泵M L 和M S 供水，如图P3.4所示。

水箱中设置了3个水位检测元件A 、B 、C 。

水面低于检测元件时，检测元件给出高电平；水面高于检测元件时，检测元件给出低电平。

现要求当水位超过C 点时水泵停止工作；水位低于C 点而高于B 点时M S 单独工作；水位低于B 点而高于A 点时M L 单独工作；水位低于A 点时M L 和M S 同时工作。

试用门电路设计一个控制两台水泵的逻辑电路，要求电路尽量简单。

[解] 题3.4的真值表如表A3.4所示。

第3章组合逻辑电路3.1 组合逻辑电路的概述按照逻辑功能的不同特点，可以把数字电路分成两大类，一类叫做组合逻辑电路，另一类叫做时序逻辑电路。

什么叫组合逻辑电路呢？在t=a时刻有输入X1、X2、……Zn，那么在t=a时刻就有输出Z1、Z2、……Zm，每个输出都是输入X1、X2、……Zn的函数，Z1=f1（X1、X2、……Xn）Z1=f2（X1、X2、……Xn）Zm=fm（X1、X2、……Xn）从以上概念可以知道组合逻辑电路的特点就是即刻输入，即刻输出。

任何组合逻辑电路可由表达式、真值表、逻辑图和卡诺图等四种方法中的任一种来表示其逻辑功能。

3.2 组合逻辑电路的分析方法和设计方法3.2.1组合逻辑电路的分析方法分析组合逻辑电路的目的，就是要找出电路输入和输出之间的逻辑关系，分析步骤如下：（1）根据已知的逻辑电路，写出逻辑函数表达式（采用逐级写出逻辑函数表达式），最后写出该电路的输出与输入的逻辑表达式。

（2）首先对写出的逻辑函数表达式进行化简，一般系用公式法或卡诺图法。

（3）列出真值表进行逻辑功能的分析。

以上步骤可用框图表示，如图3-2所示。

图3-2 组合逻辑电路分析框图下面举例说明对组合逻辑电路的分析，掌握其基本思路及方法。

【例3-1】 分析图3-3所示电路的逻辑功能图3-3 [例3-1]逻辑电路解：（1）写出输出Z 的逻辑表达式： Z1=B A ， Z2=B AZ=21Z Z •=B A B A • （2）化简Z=B A B A •=A B +A B=A ⊕B （3）列出真值表进行逻辑功能说明 列出该函数真值表，如表3.1所示： 表3-1 [例3-1]真值表 A B Z 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 13.2.2组合逻辑电路的设计方法组合逻辑电路的设计步骤与分析步骤相反，设计任务就是根据逻辑功能的要求设计逻辑电路，其步骤如下：（1）首先对命题要求的逻辑功能进行分析，确定哪些是输入变量，哪些为输出函数，以及它们之间的相互逻辑关系，并对它们进行逻辑赋值。

一、单选题1、图中所示电路的功能是（）。

A.这是二输入端的与门B.这是二输入端的或门C.这是二输入端的与非门D.其他答案都不正确正确答案：D2、图中所示电路的功能是（）。

A.ABCB. AB+CC.(A+B)CD. 其他答案都不对正确答案：B3、假设图中各元件参数满足三极管非线性工作的条件，则电路输出的表达式为（）。

A.AB̅̅̅̅B.AB̅̅̅̅̅̅̅C.A+BD.A⊕B正确答案：C4、CMOS电路功耗低主要是因为（）。

A.等效电阻小B.工作电压低C.体积小D.静态电流小正确答案：D5、图中电路的输出为（）A.或B.与非C.或非D.与正确答案：B6、图中电路的输出为（）A.ABC+DB.A̅+B̅∙D̅+C∙D̅C.A(BC+D)D. A̅(BC+D)正确答案：B7、下面的逻辑符号表示的是（）。

A.漏极开路的反相器B.漏极开路的缓冲电路C.三态输出反相器D.三态输出缓冲电路正确答案：D8、下图的输出L的逻辑表达式为（）A.A̅B.A⊕BC.A∙BD.A正确答案：C9、普通的CMOS电路输出端并联，其结果是（）A.低电平B.高电平C.高阻态D.其他答案都不对正确答案：D10、TTL门的输出级一般采用推拉式输出结构，这样做的好处是（）。

A.降低功耗B.提高电路的抗干扰能力C.减少电路体积D.提高电路带负载的能力正确答案：D11、门电路输出、输入的高电平（）。

A.有最大值和最小值B.没有最大值，只有最小值C.没有最小值，只有最大值D.没有最大值和最小值正确答案：A12、门电路输入、输出的低电平（）A.没有最小值，只有最大值B.没有最大值，只有最小值C.有最大值和最小值D.没有最大值和最小值正确答案：C13、下列关于光电耦合器的说法中，正确的是（）。

A.可以把输入的电信号转换成光信号输出B.可以实现输入、输出的电气隔离C.输入、输出都是光信号D.可以把输入的光信号转换成电信号输出正确答案：B14、图中门1输出的高电平（）。

第三章组合逻辑电路题2.3.1 某功能的逻辑函数表达式为L=∑m(1,3,4,7,12,14,15);(1)试用最少量的“与-非”门实现该函数； (2)试用最少量的“或-非”门实现该函数；(3)试用7454型4-4-3-2“与-或-非”门实现该函数。

解： (1)A 、B 、C 、D ，用卡诺图化简，结合“1”方格得：D B A CD A ABC D C B D B A CD A ABC D C B D C B A f L =+++==),,,((2)“0”方格，求最简的“或—与”表达式，得：DC AD C B D B B A D C A D C B D B B A L +++++++++=++++++=))()()((00 AB CD 00 01 01 11 11 10 10 1 1 1 1 0 1 0 1 0 00 00 1 0 0 DBC A& & && & BA B C D L 00 ABCD00 01 01 11 11 10 10 1 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 ≥1≥1 ≥1≥1 ≥1A B CDC A B DL(3)D C A D C B D B B A D C B A f L +++==),,,(D C A D C B D B B A L +++=用4—4—3—2的“与—或—非”门实现的电路图如下所示：题2.3.2 设计一个编码器，其6个输入信号和输出三位代码之间的对应关系如题表2.3.2所示。

试用“或-非”门实现该编码电路。

题表2.3.2输 入输 出5A 4A 3A 2A 1A 0A2Y 1Y 0Y0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 01 1 0输 入 输 出2Y 2Y 2Y0A0 0 1 1A 0 1 0 2A 0 1 1 3A 1 0 0 4A 1 0 1 5A1 1 000 AB CD 00 01 01 11 11 10 10 1 1 1 1 0 1 0 1 0 00 00 1 0 0 & ≥1 4 4 3 2BD CA DBCAL5435432A A A A A A Y ++=++=5215211A A A A A A Y ++=++= 4204201A A A A A A Y ++=++=题2.3.3 图题2.3.3是一个函数发生器，试写出当S 0S 1S 2S 3为0000～1111的16种不同取值时，Y 关于逻辑变量AB 的逻辑函数式。

第一章二极管及其应用一.填空题（共20道）1.利用半导体的特性，可制成和半导体。

2.PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。

3.半导体最主要的导电特性是、和。

4.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为__________，常用的半导体材料有________和__________等。

5.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为__________、________和______________三类。

6. PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位_____。

7. PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时，P区接电源的_____极，N区接电源的____极。

8.硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为 V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。

9.当电压时，反向电流会急剧增大，这种现象称为""。

10.发光二极管和光敏二极管也是常用的二极管，其中_________________是用来将光信号变成电信号的，_________________是作为显示器件用的。

11.晶体二极管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本的性质是______________，用伏安特性来描述。

硅管的死区电压和正向压降比锗管的_____________，而反向饱和电流比锗管的______________得多。

12.发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。

13.有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_____________；有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已_______________。

14.2CW是____________材料的__________二极管；2AP是__________材料的____________二极管；2DZ是____________材料的__________二极管；2AK是___________材料的___________二极管。

数字电子技术复习常见问题汇总第一章 逻辑代数基础一、 数制编码1、各种进制之间的相互转化和用编码表示数 例1、（10110.101）B =（_________）D =（___________）H =(____________)8421BCD=(__________)5421BCD =(__________)余三BCD注意：此种题型重要，必须掌握。

2、给定一个函数F ，求它的反函数和对偶函数例2、已知)()C A C A B C B AC F +++=，则________________________=F ，方法：求反函数的方法是：（1） 与和或互换，0和1互换，原变量和反变量互换，（2） 此互换过程不能改变原函数运算顺序，同时如果非号不是单变量的非号，则应保留。

求对偶函数的方法是：（1） 与或互换，0和1互换，注意原变量和反变量不互换。

（2） 互换过程不能改变原函数的运算顺序。

解：[][]))(())(())(())((C A C A B C B C A F C A C A B C B C A F +++•++='+++•++=二、 代数法化简逻辑函数1、 给定一个函数，求：与或式和与非—与非式方法：求函数的与或式和与非—与非式，采用先求与或式，然后两次求反即可 例3、C B C B B A B A F +++=，采用代数法求F 的与或式和与非—与非式 解：方法1：先求与或式，采用添项法CB C A B A C B C A C B B A C B C A C B B A C B C A B A C B B A C B C A C B B A B A C B C B B A B A F ++=+++=+++=++++=++++=+++=)()()(解、此方法采用添项法，技巧性较强，此时可以先用卡诺图化简， 从图上观察合并项的规律BA CBC A C B C B A B A C B A C B A BC A C B C B A C B A B A BC A C B A C B C B B A B A F ++=+++++=+++++=+++=)()()(求出与或式后，再两次求非，即得函数的与非—与非式C B C A B A C B C A B A C B C A B A F ••=++=++==2、给定一个函数，求：或非—或非式，或与式，与或非式方法：先求反函数的与或式，然后求出函数的与或非式，再变形得或非—或非式，或与式例4、E D CE BCE ACE B A F ++++=，采用代数法求F 的或非—或非式，或与式，与或非式解：)()E B (D C B ()E A (D C (F )(EC ED C F )())()((或与式））或非式或非与或非式+•++•+•++=⇒−+++++++++=⇒+++=⇒+++=+++=++=⇒++=++++=A B D B A A EB DC B E AD C A F EB DC B E AD C AE D E C B A E D CE B AF ED CE B A E D CE BCE ACE B A F三、 卡诺图法化简逻辑函数 1、 一般逻辑函数的化简：（1） 求函数的与或式和与非—与非式，可以采用圈1法,求出与或式后两次求反。

第三章集成逻辑门电路一、选择题1. 三态门输出高阻状态时，（）是正确的说法。

A.用电压表测量指针不动B.相当于悬空C.电压不高不低D.测量电阻指针不动2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有（）。

A.与非门B.三态输出门C.集电极开路门D.漏极开路门3．以下电路中常用于总线应用的有（）。

A.TSL门B.OC门C. 漏极开路门D.CMOS与非门4．逻辑表达式Y=AB可以用（）实现。

A.正或门B.正非门C.正与门D.负或门5．TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入中（）相当于输入逻辑“1”。

A.悬空B.通过电阻2.7kΩ接电源C.通过电阻2.7kΩ接地D.通过电阻510Ω接地6．对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以（）。

A.接电源B.通过电阻3kΩ接电源C.接地D.与有用输入端并联7．要使TTL与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻RI（）。

A.＞RONB.＜ROFFC.ROFF＜RI＜ROND.＞ROFF8．三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可( )。

A.降低饱和深度B.增加饱和深度C.采用有源泄放回路D.采用抗饱和三极管9．CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。

A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽10．与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为（）。

A.CT74S肖特基系列B. CT74LS低功耗肖特基系列C.CT74L低功耗系列D. CT74H高速系列11．电路如图（a），（b）所示，设开关闭合为1、断开为0；灯亮为1、灯灭为0。

F 对开关A、B、C的逻辑函数表达式（）。

F1F2 (a)(b)Ａ．C AB F =1 )(2B A C F += Ｂ．C AB F =1 )(2B A C F +=Ｃ． C B A F =2 )(2B A C F +=12．某TTL 反相器的主要参数为IIH ＝20μA ；IIL ＝1.4ｍA ；IOH ＝400μA ；水IOL ＝14ｍA ，带同样的门数（ ）。

.自我检测题1．CMOS门电路采用推拉式输出的主要优点是提高速度，改善负载特性。

2．CMOS与非门多余输入端的处理方法是接高电平，接电源，与其它信号引脚并在一起。

3．CMOS或非门多余输入端的处理方法是接低电平，接地，与其它信号引脚并接在一起。

4．CMOS门电路的灌电流负载发生在输出低电平情况下。

负载电流越大，则门电路输出电压越高。

5．CMOS门电路的静态功耗很低。

随着输入信号频率的增加，功耗将会增加。

6．OD门在使用时输出端应接上拉电阻和电源。

7．三态门有3种输出状态：0态、1态和高阻态。

8．当多个三态门的输出端连在一条总线上时，应注意任何时刻只能有一个门电路处于工作态。

9．在CMOS门电路中，输出端能并联使用的电路有OD门和三态门；10．CMOS传输门可以用来传输数字信号或模拟信号。

11．提高LSTTL门电路工作速度的两项主要措施是采用肖特基三极管和采用有源泄放电路。

V（V TN、V TP分别为NMOS管和PMOS 12．当CMOS反相器的电源电压V DD＜V TN+TP管的开启电压）时能正常工作吗？答：不能正常工作，因为，当反相器输入电压为1/2V DD时，将出现两只管子同时截止的现象，这是不允许的。

13．CMOS反相器能作为放大器用吗？答：可以。

在反相器的两端跨接了一个反馈电阻R f就可构成高增益放大器。

由于CMOS 门电路的输入电流几乎等于零，所以R f上没有压降，静态时反相器必然工作在v I=v O的状态，v I=v O=V T=V DD/ 2就是反相器的静态工作点。

反相器的输入电压稍有变化，输出就发生很大变化。

14．如果电源电压增加5%，或者部和负载电容增加5%，你认为哪种情况会对CMOS 电路的功耗产生较大影响？解：根据公式P D=（C L+C PD）V DD2f，电源的变化对功耗影响更大。

15．当不同系列门电路互连时，要考虑哪几个电压和电流参数？这些参数应满足怎样的关系？解：应考虑以下参数：V OH（min）、V IH（min）、V OL（max）、V IL（max）、I OH（max）、I OL（max）、I IH（max），I IL （max），这些参数应满足以下条件：V OH（min）≥V IH（min）V OL（max）≤V IL（max）.）（maxOHI≥nI IH（max）I OL（max）≥m）（maxILI16．已知图T2.16所示电路中各MOSFET管的T V=2V，若忽略电阻上的压降，则电路中的管子处于导通状态。