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一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器械的主要资料是半导体，比如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其余元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多半载流子是；型半导体——多半载流子是。
当把 P 型半导体和N 型半导体联合在一同时，在二者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特征能够区分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，防止产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分凑近区时简单产生截止失真，当三极管的静态工作点凑近区时简单产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特色是拥有性，在电路中能够起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即便流过管子的电流变化很大，管子两头的电压变化也很小，利用这类特征能够做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N 型半导体，加入价元素可形成P 型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不一样种类的反应对放大电路产生的影响不一样。
正反应使放大倍数；负反应使放大倍数；但其他各项性能能够获取改良。
直流负反应的作用是，沟通负反应能够。
9、电压负反应使输出保持稳固，因此了放大电路的输出电阻；而电流负反应使输出保持稳固，因此了输出电阻。
串连负反应了放大电路的输入电阻；并联负反应则了输入电阻。
在实质的负反应放大电路中，有以下四种基本的反应组态：式、式、式和式。
10、将一个 RC低通电路与一个RC高通电路联在一同，能够构成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个 RC高通电路联在一同，能够构成带阻滤波器。
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
二极管和三极管工作原理二极管和三极管是我们常见的电子器件，也是电子工程学习的基础。
它们的工作原理十分简单，但又具有一定的神奇之处。
本文将会详细介绍二极管和三极管的工作原理。
一、二极管的工作原理1.材料的类型二极管主要由P型半导体和N型半导体材料构成。
P型材料掺杂了具有正电荷的杂原子，N型材料则掺杂了具有负电荷的杂原子。
2.载流子的扩散二极管两端分别连接P型材料和N型材料，这时，电子就会从N型材料中向P型材料中扩散，同时，空穴也从P型材料中向N型材料中扩散。
由于P型材料中充分掺杂了杂原子，因此空穴非常多，电子相对较少；而N型材料中掺杂的是负电荷杂原子，因此电子非常多，空穴相对较少。
这样，空穴和电子的扩散速度是不同的，导致了两边的电荷不平衡，形成了正负两极。
3.正向和反向偏置当二极管的正极向P型材料连接，负极向N型材料连接时，这就是正向偏置。
在这种情况下，电子和空穴可以更加自由地流动，形成了一个低电阻通路，电流可以通过二极管。
而当二极管的正极与N型材料连接，负极与P型材料连接时，这就是反向偏置。
在这种情况下，P型材料的电子和N型材料的空穴被迫移向中间的P-N结，形成一个高电阻区域，电流无法通过二极管。
二、三极管的工作原理1.结构三极管由三个掺杂不同型号的半导体材料构成，分别是负偏控制区域，正偏控制区域和输出区域。
其中负偏控制区域和输出区域都是N 型材料，而正偏控制区域是P型材料。
2.正向和反向偏置在正向偏置状态下，正偏控制区域的P型材料中注入电子，因此电子流向N型材料的输电区域。
同时，P型材料中的空穴流向基极，经过集电极扩散到输出区域的N型材料中。
这样就形成了从输出区域N 型材料中的电子，向依次进入正偏控制区域P型材料中的基极，再到达负偏区域N型材料中的电流路径，从而放大电流的效果。
而在反向偏置状态下，所有区域中的电子都被迫向正偏控制区域的P型材料中移动，抵消空穴电荷。
这样就形成了一条阻止电流流过集电极的高阻抗路径，从而避免了电路被破坏。
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_mg ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
二极管图三极管工作原理三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。
分成NPN和PNP 两种。
我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
一、电流放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管。
如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。
这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。
三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。
如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。
我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加适宜的偏置电路。
这有几个原因。
首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V）。
当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。
但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因为小于0.7V时，基极电流都是0）。
如果我们事先在三极管的基极上加上一个适宜的电流（叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻），那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
半导体二极管原理半导体二极管是一种由两种不同类型的半导体材料组成的器件，通常是p型和n型半导体材料。
通常情况下，p型半导体中含有电子亏损的杂质，被称为“施主”，而n型半导体中则含有过多的电子，被称为“受主”。
当这两种半导体材料结合在一起时，形成了一个p-n结。
在p-n结的两侧会产生一个电场，这个电场会在材料中形成一个电势垒，从而阻止电子的自由移动。
当外加电压施加在p-n结上时，根据施加的电压的方向和大小，会出现两种不同的情况。
第一种情况是正向偏置。
当p端的电压高于n端时，也就是正极连接到p端，负极连接到n端时，称为正向偏置。
在这种情况下，电子从n型材料的导带跨越电势垒进入p型材料的导带，而空穴从p型材料的价带跨越电势垒进入n型材料的价带。
这导致了电流的流动，因此半导体二极管处于导通状态。
第二种情况是反向偏置。
当p端的电压低于n端时，也就是正极连接到n端，负极连接到p端时，称为反向偏置。
在这种情况下，电势垒加大了，阻碍了电子和空穴的移动，因此几乎没有电流通过。
只有当反向电压超过了一个特定值，称为击穿电压时，半导体二极管才能够导通，此时会发生电流大幅度增加的现象，这称为击穿。
半导体二极管的原理使其可以应用于多种不同的电路中。
其中最常见的是正弦交流电的整流。
将交流电连接到二极管的正向偏置端，可以使只有一个方向的电流通过，将交流信号转换为直流信号。
这是因为，在正半个周期内，电流可以通过二极管，而在负半个周期内，电流会被电势垒阻止。
这种特性使得半导体二极管成为电源供电设备中的重要组成部分。
此外，半导体二极管还可以用作放大器和开关。
在放大器中，二极管作为信号输入端，通过控制输出信号的夹位，可以放大输入信号。
在开关电路中，二极管可以将电流的流通与阻塞进行切换，实现电路的开关功能。
总结起来，半导体二极管原理基于p-n结的形成，通过施加正向或反向的电压来控制电流的通断。
基于这种原理，半导体二极管在整流、放大、开关等领域都有着重要的应用。
电工电子技术晶体二极管教案教案：电工电子技术晶体二极管教学内容：本节课的教学内容主要来自于《电工电子技术》教材的第四章，重点讲解晶体二极管的结构、特性及应用。
具体内容包括：1. 晶体二极管的结构：PN结、半导体材料、二极管的引脚识别等；2. 晶体二极管的特性：正向特性、反向特性、正向电压、反向电压等；3. 晶体二极管的应用：整流、滤波、稳压等。
教学目标：1. 学生能够理解晶体二极管的结构和特性，掌握其基本工作原理；2. 学生能够分析晶体二极管在不同电压下的工作状态，并能够应用晶体二极管进行简单的电路设计；3. 学生能够通过实践操作，提高动手能力和问题解决能力。
教学难点与重点：重点：晶体二极管的结构、特性及应用；难点：晶体二极管的正向特性和反向特性，以及在不同电路中的作用。
教具与学具准备：教具：黑板、粉笔、多媒体教学设备；学具：教材、笔记本、实验器材（晶体二极管、电阻、灯泡等）。
教学过程：1. 引入：通过讲解实际电路中晶体二极管的应用，引起学生对晶体二极管的兴趣；2. 讲解：详细讲解晶体二极管的结构、特性及应用，结合教材中的图示和实例进行讲解；3. 演示：通过实验器材，现场演示晶体二极管的导通和截止状态，让学生直观地理解晶体二极管的特性；4. 练习：让学生结合教材中的例题，分析晶体二极管在不同电路中的作用；5. 讨论：组织学生进行小组讨论，分享各自的学习心得和疑问；7. 作业：布置相关的练习题，巩固所学知识。
板书设计：1. 晶体二极管的结构；2. 晶体二极管的特性；3. 晶体二极管的应用。
作业设计：1. 请简要描述晶体二极管的结构和特性；3. 请设计一个利用晶体二极管进行整流的电路。
课后反思及拓展延伸：本节课通过讲解和实验，让学生了解了晶体二极管的结构和特性，掌握了晶体二极管的基本应用。
在教学过程中，学生积极参与，课堂气氛良好。
但在作业布置方面，可以进一步加强练习，让学生更好地巩固所学知识。
拓展延伸：学生可以进一步学习晶体二极管的其他应用，如开关、稳压等，并通过实践操作，提高自己的电工电子技术水平。
半导体电转换器件——发光二极管的识别与使用发光二极管简称发光管（英文简称LED），它是采用特殊的磷化镓（GaP）或磷砷化镓（CaAsP）等半导体材料制成的、能够将电能直接转换成为光能的半导体器件。
发光二极管虽然与普通二极管一样也是由 PN 结构成的，也具有单向导电性，但发光二极管不是应用它的单向导电性，而是让它发光作指示（显示）、照明器件。
当给发光二极管通过一定正向电流时，它就会发光。
与带灯丝的普通小电珠相比，发光二极管具有体积小、色彩艳丽、耗电低、发光效率高、响应速度快、耐振动和使用寿命长等优点，可广泛应用于各种电子、电器装置及仪表设备中。
发光二极管的识别1. 单色发光二极管单色发光二极管实际上就是我们经常用到的普通发光二极管，通电后只能发出单一颜色的亮光来。
单色发光二极管按其管壳形状可分为圆形、方形和异形3 种，圆形尺寸主要有φ3mm、φ5mm、φ10mm，方形尺寸主要有2mm×5mm。
按发光亮度来划分，有发光亮度一般的普通发光二极管和高亮度发光二极管。
表征普通发光二极管特性的参数包括电学和光学两类，主要参数有以下几项：①发光强度（I V）。
②最大工作电流（I FM），国产 BT-104（绿色）、BT-2 04（红色）型发光二极管的最大工作电流均为30mA。
③正向电压降（U F），发光二极管的正向电压降比普通二极管要高，一般在1.8 ～ 3.8V 范围内。
不同颜色和不同制造工艺的发光二极管其工作电压也不同，如红色发光二极管的正向电压降约为 1.8V，黄色发光二极管的正向电压降约为 2V，绿色发光二极管的正向电压降约为 2.3V，白色发光二极管的正向电压降通常高于 2.4V，蓝色发光二极管的正向电压降通常高于3V…… ④最大反向电压（U RM），发光二极管的最大反向电压一般在 6V 左右，最高不超过十几伏特，这是与普通二极管大不相同的地方。
使用中不应使发光二极管承受超过 5V 的反向电压，否则发光二极管将可能被击穿。
晶体二极管之普通二极管的识别与使用晶体二极管简称二极管，它和晶体三极管一样都是由半导体材料制成的。
所谓半导体，是指导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，常用的半导体材料有硅和锗。
我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有很多家半导体厂商。
半导体材料有两个显著特性：一是导电能力的大小受杂质含量多少影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的硼，导电能力就可以提高50万倍以上；二是导电能力受外界条件的影响很大，如温度、光照的变化，都会使它的电阻率明显改变。
利用这些特性，可以制造出用途广泛、各具特点、功能不一的半导体器件。
由于绝大多数半导体是晶体，所以往往把半导体材料称为晶体，晶体二极管、晶体三极管的名称就是这样得来的。
晶体二极管种类很多，常用的有普通二极管（用于整流、检波、开关等）和具有特殊性能的二极管（如发光二极管、稳压二极管、光敏二极管等）。
本篇首先向大家介绍用途非常广泛的普通二极管。
普通二极管的识别在半导体器件的大家族中，二极管是诞生最早的成员。
在现代电子技术领域中，它仍然扮演着十分重要的角色。
初学者正确掌握二极管的识别和使用，对于顺利完成各种电子制作和维修显得至关重要。
1.基本构造和特点半导体材料按导电类型不同，分成P型半导体和N型半导体两类。
如果把一小块半导体材料一边做成P型，另一边做成N型，在它们的交界处就形成了PN结，如图1所示。
简单地说，把一个带有引线的PN结封装在玻璃管、塑料体或金属的外壳里，就构成了二极管。
图1 半导体PN结图2 二极管的单向导电性晶体二极管有两根电极引线，一根是正极（接内部P型半导体材料），另一根是负极（接内部N型半导体材料）。
单向导电性是二极管的基本特性。
我们把电池G、小灯泡H、二极管串联起来，连成图2所示的电路。
在（a）图中，电池正极接在二极管正极上，电池负极通过小灯泡接在二极管的负极上。
这时二极管加的是正向电压，小灯泡发光。
在（b）图中，二极管正、负极引线倒换过来，二极管加的是反向电压，小灯泡就不能发光。
