TFT-LCD阵列腐蚀性缺陷分析

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t rng) T h e ulss w ha h e e toc u r d m a n y w he he m e a a r w a r d d ui . e r s t ho t tt e d f c c r e il nt t ll ye s e o e by hy o h orca i s be w e n G a e Et h r e s a d M u t— e sto r c s , a he dr c l i c d ga t e t c p oc s n liD po ii n p o e s nd t la g ou c cd a w a i ntfe . T he e ka e s r e of a i g s s de ii d hu p n de e t osto w a f r e he m i f c p ii n s om d w n v c m ii g du i uliDe oston pr e s I d to t e e e ge y m e s e o hi a uu z n rng M t~ p ii oc s . n a dii n, h m r nc a ur s f r t s d f c r l o d s u s d e e t we e a s ic s e . K e r s TFT y wo d : ICD ; r a f iur n l i e o i n a r y;a l e a a yss; r so
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摘 要 : T T L D 的 生 产 过 程 中 , 在 F C 阵列 金 属 被腐 蚀 是 造 成 T T L D 产 品 缺 陷 ( 线 、 亮 线 等 ) F C 亮 薄 的常 见 原 因 。文 章 对 实 际 生 产 过 程 中 阵 列 基 板 的 一 种 典 型 腐 蚀 性 缺 陷 , 用 扫 描 电 子 显 微 镜 ( E 、 焦 离 子 束 应 S M) 聚
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第 2 5卷
第 1期
液 晶 与 显
Ch n s o r a fLi u d Cr s as i e e J u5, . L 2 NO 1
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21 0 0年 2月
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数 据 统 计 软 件 进 行 了分 析 。确 定 了造 成 缺 陷 的 原 因 是 栅 金 属 暴 露 在 含 氯 元 素 的 酸 性 气 体 中 被 腐 蚀 , 确 定 还 了酸 性 气 体 的泄 露 源 , 且 推 断 出 其 形 成 机 理 : 蚀 发 生 在 栅 金 属 刻 蚀 ( t E c ) 艺 和 多 层 膜 沉 积 ( l— 并 腐 Gae th 工 Mut i D p s in 工 艺 之 间 , 后 的 多 层 膜 沉 积 工 艺 的 抽 真 空 过 程 促 进 了 缺 陷 的进 一 步 形 成 。另 外 , 对 发 生 此 种 e o io ) t 随 针 缺 陷 时 的 应 急 措 施 进 行 了探 讨 。 关 键 词 : T L D; TF C 阵列 ; 蚀 ; 陷 分 析 ; E 腐 缺 S M



T T L D 阵 列 腐 蚀 性 缺 陷 分 析 F —e
李 丽 ,秦 纬 ,薛建 设 ,彭 志 龙
( 京京 东 方 光 电科 技 有 限公 司 , 京 北 北 1 0 7 , — i u iu ly 1 6 c r ) 0 1 6 E mal nq ei @ 2 . o l n