模拟电子技术(A.B)卷

《模拟电子技术基础》试题（A 卷）一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。

（ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。

（ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。

（ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。

（ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

（ ） 二、选择填空 （10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。

（A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。

（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。

（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。

（A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。

（A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。

（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。

（）A、对 :B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、仍为正弦波。

B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

（）A、错B、对 :正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。

A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。

A、不定。

B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。

A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。

每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。

A ．620ΩB ．13ΩC ．26ΩD ．310Ω．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。

A ．抑制温漂B ．增大放大倍数C ．展宽频带D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。

A ．R W 减小 B ．R c 减小C ．V CC 减小D ．R b 减小．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。

A ．差模放大倍数增大B ．对共模信号抑制能力增强C ．差模输入电阻增大D ．输出电阻降低．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。

A ．耦合电容和旁路电容的存在B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。

C ．半导体管的非线性特性D ．放大电路的静态工作点不合适图16．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。

A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。

A ．积分运算电路B ．微分运算电路C ．反相比例运算电路D ．乘方运算电路8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。

(n 为整数)A. πA F n ϕϕ+=，1=F AB. 2πA F n ϕϕ+=，1>F AC. 2πA F n ϕϕ+=，1=F AD. πA F n ϕϕ+=，1>F A9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。

《模拟电子技术》试卷（A卷）一、填空题（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）1. 多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。

2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。

由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。

若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V、锗二极管导通压降的典型值是 V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。

放大电路通常采取反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

二、判断正、误题（本题共10小题，每小题1分，共10分）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。

（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。

（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。

（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。

（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。

（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。

A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。

GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。

A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。

则该放大电路的电压放大倍数为________________。

A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。

A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。

设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。

若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。

A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。

A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。

该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。

模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。

A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。

A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。

A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。

稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。

A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。

模拟电子技术（判断，共 47 题）您的姓名： [填空题] *_________________________________1. 在N型半导体中如果加入足够的三价元素，可将其改为P型半导体。

[判断题] *对(正确答案)错2. 由集成运放组成的电压比较器，其运放必须工作在开环或正反馈状态下。

[判断题] *对(正确答案)错3.[判断题] *对(正确答案)错4. 共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。

[判断题] *对错(正确答案)5. 线性稳压电源效率比开关稳压电源高得多。

[判断题] *对错(正确答案)6. 利用两只 NPN 型管构成的复合管只能等效为 NPN 型管。

[判断题] *对(正确答案)错7. 直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

[判断题] *对(正确答案)错8. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

[判断题] *对(正确答案)错9. 只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。

[判断题] *对错(正确答案)10. 若 U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为 [判断题] *对(正确答案)错11. 高通滤波器是容许低于截止频率的信号通过，但高于截止频率的信号不能通过的电子滤波装置。

[判断题] *对错(正确答案)12. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

[判断题] *对错(正确答案)13. 反向放大器容易做到输入电阻很大。

[判断题] *对错(正确答案)14. 同相并联差动放大电路的要求是：前级并联的两个电路参数完全对称。

[判断题] *对(正确答案)错15. 只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

[判断题] *对错(正确答案)16. 单限比较器的主要优点是电路简单、灵敏度高和抗干扰能力强。

[判断题] *对错(正确答案)17. 既能放大电压、也能放大电流的是共射组态电路。

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV;共模输入电压u Ic=90μV 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。

6．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78。

5％ ，但这种功放有 交越 失真.二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，—10 V ，-9。

3 V ，则这只三极管是（ A )。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D 。

PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为( D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高B 。

输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大 6。

RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D )。

A. 基本共射放大电路 B 。

基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7。

已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（ A ）. A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。

过零比较器 D 。

滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时,其工作在（ C ），发光二极管发光时，其工作在（ A )。

一．填空题（每小题2分，共30分）1．对 PN 结二极管，当（ p ）区外接高电位，而（ n ）区外接低电位，则PN结为正偏。

2． P型半导体中多数载流子是（空穴） ,少数载流子是( 自由电子 ) ；N型半导体中多数载流子是( 自由电子 ), 少数载流子是（空穴）。

位 3 ．二极管的正向电流是由（多数）载流子的（扩散）运动形成的；反向电流是由（少数）载流子的（漂移）运动形成的。

4．三极管的输出特性有三个工作区，分别是（饱和区）、（截至区）、（放大区）。

5．为了提高β值，晶体管 BJT 在结构上具有发射结杂质密度（大），基区杂质密度和基区（小）的特点。

6．场效应管 FEJ 的三种基本放大组态∶ CS组态、CD组态和CG组态，其放大特性分别与BJT的(CE）组态、（CC）组态和（CB）组态相似。

7， FET 的（沟导宽度）效应与 BJT 的基区宽度效应相似，基区宽度效应使集电结反偏电压变化对集电极电流ic有影响，而FET的效应使（栅源）电压的变化对íd生影响。

8．稳压管是利用二极管（反向击穿）特性工作的。

9，差动放大器依靠电路的（对称）和（共模输人）负反馈来抑制零点漂移。

10．晶体管工作受温度影响是由于温度升高（R Eβ）增加所致。

11．如果放大器出现非线性失真，则输出频率分量一定比输入频率分量（多）。

12，负反馈以损失（增益）为代价，可以提高（电路）的稳定性；减少（非线性）失真。

13，放大器无反馈时的输出电阻为 RO，对电压取样负反馈的输出电阻为（R O／（1＋A F）），而电流取样负反馈的输出电阻为（R0（1＋A F））。

14， BTJ 放大器电路中，由于（耦合电容）的影响，使低频段增益是频率的函数，且，由于（极间电容）的影响，使高频段增益也是频率的函数。

15， FET的小型号跨导定义为 gm＝(dīD／d u Q s) ，且，耗尽型管与增强型管 gm 不同，是因为其平方律公式（不同）。

一、（本题6分）选择合适的答案填入空内，只需填入A 、B 、C 或D 。

1．直流负反馈是指A. 直接耦合放大电路中所引入的负反馈B. 只有放大直流信号时才有的负反馈C. 在直流通路中的负反馈2．现有：A ．低通滤波器 B ．高通滤波器 C ．带通滤波器 D ．带阻滤波器 为防止50Hz 电网电压的干扰，可以在电路中加一个 。

3当信号频率f = f o 时，RC 正弦波振荡电路的串并联网络呈A 、 3. 容性B 、阻性C 、感性二、（本题12分）电路如图1所示，已知图中所有电阻均为100k Ω，C=0.1μF 。

填空：要求先填写表达式，后填入数据。

1．u O1=f （u I1）= = V ； 2．u O2=f （u O1，u I2）= = V ； 3．u O =f （u I1，u I2）= = V图1 三、（本题10分）某放大电路的波特图如图2所示，填空：1．中频电压增益20lg|um A |= dB ；umA =图22．电路的下限截止频率f L = ，上限截止频率f H1 = 和f H2 = ； 四、（本题12分）在如图所示3电路中，晶体管的β=100，饱和管压降为U CES =0.3V ；静态时U BEQ =0.7V ，电阻R b1中的电流远大于晶体管的基极电流。

当发生表中所列某一故障时，晶体管的b 、c 极的直流电位U BQ 、U CQ 约等于多少？晶体管处于什么状态（放大、饱和、截止）？将答案填入表内相应的位置。

图3五、（本题12分）在如图4所示的RC桥式正弦波振荡电路中，已知R=1kΩ，C=0.1μF，R f=33k Ω，R1为热敏电阻。

试回答下列问题：1．标出集成运放的同相输入端“+”和反相输入端“－”；2．温度升高时R1阻值应如何变化?3．输出电压的频率约为多少？图4r=Ω）六、（本题12分）画出微变等效电路，计算输入电阻，电压放大倍数（630be图5七、（本题12分）电路如图6所示，已知输入电压u i为正弦波，T5、T7的饱和管压降为|U CES|=3V。