MOSFET

MOSFET讲解MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。

原因是导通电阻小，且容易制造。

所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。

下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。

必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDS和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。

虽然耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。

（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。

MOSFET1.1 MOSFET概述MOSFET作为电子电路一种很重要的元器件，在主板的开关电源中也有广泛应用。

MOSFET与晶体三极管很类似，不过三极管是通过电流控制电流的器件，而MOSFET是通过电压控制。

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET和三极管一样有三个极，但名称和三极管不一样，分别是：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)。

1.2 MOSFET分类MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N 沟道增强型。

在主板电路中，常用MOSFET为NMOS管，用作开关电源和电源，在CPU，北桥，内存供电都有用到。

1.3 MOSFET内部结构及基本原理MOSFET内部结构如下图所示。

图 MOSFET内部结构MOSFET用作开关静态特性：MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。

由于MOS管是电决定其工作状态。

如下图为MOS管作为开压控制元件，所以主要由栅源电压uGS关的原理图示。

图 MOS管作为开关的导通和截止状态转移特性和输出特性曲线如下图所示：工作特性如下：u GS＜开启电压U T：MOS管工作在截止区，漏源电流i DS基本为0，输出电压u DS≈U DD，MOS管处于“断开”状态。

u GS＞开启电压U T：MOS管工作在导通区，漏源电流i DS=U DD/(R D+r DS)。

其中，r DS为MOS管导通时的漏源电阻。

输出电压U DS=U DD·r DS/(R D+r DS),如果r DS＜＜R D，则u DS≈0V，MOS管处于“导通”状态。

MOS晶体管MOS晶体管的概念金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

这个名称前半部分说明了它的结构，后半部分说明了它的工作原理。

从纵向看，MOS晶体管是由栅电极、栅绝缘层和半导体衬底构成的一个三明治结构；从水平方向看，MOS晶体管由源区、沟道区和漏区3个区域构成，沟道区和硅衬底相通，也叫做MOS 晶体管的体区。

一个MOS晶体管有4个引出端：栅极、源极、漏极和体端即衬底。

由于栅极通过二氧化硅绝缘层和其他区域隔离，MOS晶体管又叫做绝缘场效应晶体管。

MOS晶体管还因为其温度稳定性好、集成化时工艺简单，而广泛用于大规模和超大规模集成电路中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型为：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管，P沟道增强型管和P沟道耗尽型管。

凡栅-源电压U GS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，凡栅-源电压U GS为零时漏极电流不为零的管子均属于耗尽型管。

MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。

MOS器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压V GS实现对水平I DS的控制。

它是多子（多数载流子）器件。

用跨导描述其放大能力。

MOSFET晶体管的截面图如图1所示在图中，S＝Source，G=Gate,D=Drain。

mosfet概念
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种主要用于电子设备中的三端器件，常用于放大、开关、调节和放大电信号等应用。

它由金属电极、氧化物绝缘层和半导体材料组成。

MOSFET有两种主要类型：N型和P型。

N型MOSFET中，半导体材料是N型，而P型MOSFET中，半导体材料是P型。

这决定了电流的流动方向和特性。

MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。

当栅极电压高于临界电压时，MOSFET处于导通状态，电流可以从源极流向漏极。

当栅极电压低于临界电压时，MOSFET处于截止状态，电流无法通过。

MOSFET具有许多优点，例如低功耗、高速度、可靠性好以及尺寸小等。

它在现代电子设备中得到广泛应用，如计算机、通信设备、功率放大器、集成电路等。

总结来说，MOSFET是一种重要的电子器件，通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。

它在电子设备中具有广泛的应用。

各种MOSFET参数大全MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，具有广泛的应用领域。

下面是MOSFET的各种重要参数的详细解释。

1. Drain-Source电压（VDS）：这是MOSFET管脚之间的电压差。

当VDS超过MOSFET的额定电压，会导致器件损坏。

2. Gate-Source电压（VGS）：这是MOSFET的控制电压。

改变VGS可以控制MOSFET的导通和截止。

3. 阈值电压（Vth）：这是MOSFET的开启电压。

当VGS超过阈值电压时，MOSFET开始导通。

4.静态漏极电流（IDSS）：这是在VGS=0时，MOSFET的漏极电流。

它是关闭时的最大漏极电流。

5. on状态电阻（RDS(on)）：这是MOSFET导通时的电阻。

较低的RDS(on)意味着更好的导通特性。

6.峰值漏极电流（IDP）：这是MOSFET能够承受的最大漏极电流。

如果超过此电流，MOSFET可能会损坏。

7. 雅各比增益（gfs）：这是MOSFET的小信号增益。

它决定了MOSFET的放大能力。

8. 输入电容（Ciss）：这是MOSFET输入端的总电容。

较高的Ciss将导致较高的输入电容负载。

9. 输出电容（Coss）：这是MOSFET输出端的总电容。

较高的Coss将导致较高的输出电容负载。

10.反向传导（GDS）：这是MOSFET导通时的反向电导。

它表示了在反向电压下电荷从漏极到源极的流动。

11. 速度参数（gm）：这是MOSFET的跨导。

它表示在VDS控制下的电流变化率。

12.破坏电压（BV）：这是MOSFET能够承受的最大电压。

超过该电压可能会导致器件击穿和损坏。

13.空载损耗（Pd）：这是MOSFET在导通状态下消耗的功率。

它取决于MOSFET的导通电阻和电流。

14.电压转移特性（VTC）：这是描述MOSFET开启和关闭之间的关系的曲线。

它显示了在不同VGS情况下MOSFET的导通特性。

常用MOSFET技术参数MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的电子器件，在现代电子设备中广泛应用。

以下是常见的MOSFET技术参数：1.基本参数：- 导通电阻（Rds(on)）：指在MOSFET导通状态下，漏源之间的电阻。

导通电阻越小，表示MOSFET在导通状态下的能耗越低。

- 关断电阻（Rds(off)）：指在MOSFET关断状态下，漏源之间的电阻。

关断电阻越大，表示MOSFET在关断状态下的能耗越低。

- 阈值电压（Vth）：指控制MOSFET导通的门极电压。

当门极电压高于阈值电压时，MOSFET导通。

- 最大漏极电流（Id(max)）：指MOSFET可以承受的最大漏极电流。

超过这个电流值，MOSFET可能会损坏。

-动态电阻（Rd）：指在MOSFET导通过程中，漏源之间电压变化与电流变化的比值。

动态电阻越小，表示MOSFET开关速度越快。

2.耐压参数：- 漏源击穿电压（V(br)dss)）：指MOSFET可以承受的最大漏源电压。

超过这个电压值，MOSFET可能会损坏。

- 门源击穿电压（V(br)gss)）：指MOSFET可以承受的最大门源电压。

超过这个电压值，MOSFET可能会损坏。

3.功率参数：- 最大功率耗散（Pd(max)）：指MOSFET可以承受的最大功率耗散。

超过这个功率值，MOSFET可能会过热并损坏。

- 最大功率耗散温度（Tj(max)）：指MOSFET可以承受的最高结温。

超过这个温度值，MOSFET可能会过热并损坏。

4.开关参数：- 共源极电容（Ciss）：指MOSFET漏源极之间的输入电容。

共源极电容越大，表示MOSFET的开关效率越低。

- 输出电容（Coss）：指MOSFET漏源电容。

输出电容越大，表示MOSFET的开关速度越慢。

5.温度参数：- 热阻（Rth）：指MOSFET的导热性能，即单位功率耗散时，MOSFET的结温上升的温度差。

热阻越小，表示MOSFET的散热效果越好。

各种MOSFET参数大全MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）是一种常用的功率晶体管，用于控制电流流动和电压增益。

MOSFET具有许多参数，每个参数都对其性能和应用起着重要作用。

以下是一些重要的MOSFET参数的详细描述。

1. 导通电阻（Rds(on)）：这是MOSFET在导通状态时的电阻。

较低的导通电阻意味着MOSFET在导通状态下可以通过更多的电流，从而减小功耗和发热。

2. 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开启的电压。

Vth的高低决定了控制MOSFET导通状态所需的控制电压。

低阈值电压可以实现更有效的控制。

3.最大耗散功率（Pd）：这是MOSFET可以处理的最大功率。

超过这个值会导致MOSFET的过热和损坏。

4. 最大漏极电压（Vds）：这是MOSFET可以承受的最大电压。

超过这个值会导致击穿和损坏。

5.最大漏源电流（Id）：这是MOSFET可以承受的最大电流。

超过这个值会导致过载和烧毁。

6. 开启时间（ton）和关断时间（toff）：这是MOSFET从导通到关断状态或从关断到导通状态所需的时间。

较低的开启和关断时间意味着MOSFET可以更快地切换，从而提高开关效率和响应时间。

7.耗散电导（Gd）：这是MOSFET关断状态时的内部导纳。

较高的耗散电导会导致电源功耗的增加。

8. 输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）：这些是MOSFET的输入和输出电容。

输入电容对输入信号的响应时间产生影响，而输出电容对输出信号的响应时间和失真率产生影响。

9.热阻（θJA和θJC）：这些是MOSFET的热阻值。

它们表示MOSFET散热的能力，较低的热阻值意味着更好的散热性能。

10. 反向转导（gm）：这是MOSFET的转导增益，表示输入信号和输出信号之间的关系。

较高的反向转导意味着MOSFET具有更好的放大性能。

11.温度系数：这是MOSFET参数随温度变化的程度。

温度系数对MOSFET的稳定性和性能起着重要作用。

mosfet的指标MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常见的场效应晶体管，被广泛应用于电子电路中。

其性能指标对于评估其在电路中的应用效果具有重要意义。

本文将从不同角度探讨MOSFET的几个重要指标。

1. 导通电阻（Rdson）：MOSFET的导通电阻是指在开启状态下，通过MOSFET的电流与MOSFET之间的电压降之比。

导通电阻越小，表示MOSFET导通时的损耗越小，功耗也越低。

因此，在选择MOSFET时，需要考虑其导通电阻，以保证电路的效率和性能。

2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指在MOSFET导通之前需要施加的电压。

它决定了MOSFET的开启和关闭的电压门限。

阈值电压越低，表示MOSFET更容易导通，但也容易发生误导通。

因此，在选择MOSFET时，需要根据具体应用需求，权衡阈值电压的大小。

3. 开关速度（Switching Speed）：开关速度是指MOSFET从导通到截止或从截止到导通的切换速度。

它决定了MOSFET在电路中的响应速度和开关频率。

开关速度越快，表示MOSFET能够更快地响应电路信号变化，适用于高频率电路。

因此，在设计高频电路时，需要选择具有较快开关速度的MOSFET。

4. 最大耐压（Maximum Voltage）：最大耐压是指MOSFET能够承受的最大电压。

超过最大耐压的电压会导致MOSFET击穿，损坏甚至烧毁。

因此，在选择MOSFET时，需要根据电路的工作电压，选择具有足够耐压能力的MOSFET。

5. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：最大功率是指MOSFET能够承受的最大功率。

超过最大功率的功率会导致MOSFET过热，损坏甚至烧毁。

因此，在选择MOSFET时，需要根据电路的功率需求，选择具有足够功率承受能力的MOSFET。

6. 开启时的电流增益（Transconductance）：开启时的电流增益是指MOSFET导通时，输出电流与输入电压之间的比例关系。