文字符 号中文English mean foreard current (of diode) mean on-state current non-reetive peak reverse voltage repetive peak reverse voltagenon-repetive peak off-state voltage repetive peak off-state voltage peak forward voltage (of diode) peak on-state voltage maximum virtual junction temperature mounting force repetive peak reverse currentrepetive peak of-state current gate trigger voltage gate trigger current junction-case thermal resistance reverse recovery charge peak on-state current peak forward current (of diode) surge on-state current critical rate of rise of off-state voltage critical rate of rise of on-state current R.M.S. on-state current bi-directional thyristor) reverse recovery time (of diode) turn on timelF(AV)正向平均电流(整流管)IT(AV通态平均电流VRSM反向不重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VDSM断态不重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VFM正向峰值电压(整流管)VTMTjmFI RRMIDRMVGTIGTRjcQrrlTMIFMITS通态峰值电压 最高等效结温 紧固力 反向重复峰值电流 断态重复峰值电流
二极管 一、二极管的种类 二极管有多种类型：按材料分，有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等；按制作工艺可分为面接触二极管和点接触二极管；按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等；接构类型来分，又可分为半导体结型二极管，金属半导体接触二极管等；按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。下面以用途为例，介绍不同种类二极管的特性。 1．整流二极管 整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电，它是利用二极管的单向导电特性工作的。 因为整流二极管正向工作电流较大，工艺上多采用面接触结构。南于这种结构的二极管结电容较大，因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。 整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装，以利于散热；额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。另外，由于T艺技术的不断提高，也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装，在使用中应予以区别。 由于整流电路通常为桥式整流电路(如图1所示)，故一些生产厂家将4个整流二极管封 装在一起，这种冗件通常称为整流桥或者整流全桥(简称全桥)。常见整流二极管的外形如图2所示。 选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向丁作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管(例如l N 系列、2CZ系列、RLR系列等)即可。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、
DSS32 THRU DSS310 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current - 3.0 Ampere Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body Terminals : Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : Any Weight :0.0007 ounce, 0.02 grams FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 Metal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiency High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension DSS32D32SYMBOLS UNITS DSS310 D310 201420V RRM V RMS V DC I (AV)I FSM V F 3.080.0 0.70Operating junction temperature range Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =100 C I R 0.5 T J T STG Storage temperature range DSS33D33DSS35D35DSS34D34DSS36D36DSS38D38DSS37D37DSS39 D3******* 40284050355060426080568010070100 704970906390VOLTS VOLTS VOLTS Amp Amps Volts C mA C -65 to +150 -65 to +125 -65 to +150 20.010.00.55 0.850.52SOD-123FL Dimensions in millimeters
Cj Junction Capacitance 结电容 ηV Rectification Efficiency 整流效率 If DC Forward Current 正向直流电流 I(AV)Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流ID Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流IFSM Peak Forward Surge Current 正向浪涌峰植电流 ITSM Non Repetitive Surge Peak on-state Current 不重复浪涌峰值开态电流 IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流 IFRM Repetitive Peak Forward Current 正向重复峰值电流 IH Holding Current 维持电流 IO Mean Forward Current 正向平均电流 IR Reverse Leakage Current 反向漏电流 Irr Reverse Recovery Current 反向恢复电流 IPPM Maximum peak lmpulse Current 最大脉冲峰值电流 IRM Maximum peak Reverse Current 最大峰值反向电流 IRM(REC)Maximum peak Reverse recovery Current 最大峰值反向恢复电流 IRSM Maximum Non-repetitive recovery Peak Current 最大峰值反向恢复电流 IT On-state Test Current 导通测试电流 I2t Rating for fusing 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值 PM(AV)Maximum Steady State Power Dissipation 最大稳态功耗PPM Peak Pulse Power Dissipation 峰值脉冲功耗 Ptot Total Power Dissipation 总功耗 Qrr Recovered Charge 恢复电荷
开关二极管应用举例 【篇一：开关二极管应用举例】 ;;; 二极管应用范围很广，利用其单向导电性，tdc-gp2可以构成整流、检波、限幅和钳位等电路。;;; 【例1.2.1】二极管整流电路如图1.2.4(a)所示，vd为理想硅二极管，已知输入v．为正弦波电压，试 画出输出电压v的波形。;;; 解：由于二极管是理想二极管，根据单向导电性，当vi正半周时，vd导通 相当于短路线，vo - vi；vi负半周时，vd截止相当于开路，vo一0。由此画出输出的波形 【篇二：开关二极管应用举例】 开关电路是一种常用的功能电路，例如家庭中的照明电路中的开关，各种民用电器中的电源开关等。 在开关电路中有两大类的开关。 (1)机械式的开关。采用机械式的开关件作为开关电路中的元器件。 (2)电子开关。所谓的电子开关，不用机械式的开关件，而是采用二 极管、三极管这类器件构成开关电路。 1．开关二橛管开关特性 开关二极管同普通的二极管一样，也是一个pn结的结构，不同之 处是要求这种二极管的开关特性要好。 关于开关二极管的开关时间概念说明下列几点。 (1)开通时间。开关二极管从截止到加上正向电压后的导通要有一段 时间，这一时间称为开通时间。要求这一时间愈短愈好。 (2)反向恢复时间。开关二极管在导通后，去掉正向电压，二极管从 导通转为截止所需要的时间称为反向恢复时间。要求这一时间愈短 愈好。 (3)开关时间。开通时间和反向恢复时间之和，称为开关时间。要求 这一时间愈短愈好。 2．二极管开关电路等效电路 二极管开关电路中要使用二极管，由于普通二极管的开关速度不够高，所以在这种开关电路中所使用的二极管为专门的开关二极管。 图11-50(a)所示是开关二极管的等效电路，从图中可看出，此时开 关二极管在等效成一只开关sl的同时，还有两只电阻。等效电路中 的开关sl可认为是一个理想的开关，即其接通电阻小到为零，其断 开电阻大到为无穷大。 在分析电子开关电路时，为了方便电路的分析，通常将二极管的开 关作用等效成一个理想的电子开关，即可以用图11-50( b)所示的开 关电路图形符号来等效开关二极管。
BAT54WS SCHOTTKY DIODE Case : Molded plastic body Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity : Polarity symbols marked on case Marking : L9 FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS 21100200300600200625125 -65 to +150 30 Low forward voltage drop Fast switching time Surface mount package ideally suited for automatic insertion Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @T A =25C SYMBOLS UNITS V R DC Blocking voltage Average rectified output current Forward continuous current Repetitive peak forward current Forward surge current Power dissipation Termal resistance,junction to ambient air Junction temperature Storage temperature Non-Repetitive peak reverse voltage R ΘJA T j T STG LIMITS I FRM Pd A =25C PARAMETER I FSM I FM V RM I O V mA mA mA mA mW K/W C C V SOD-323 Dimensions in millimeters and (inches)
防反二极管的使用说明 使用说明： 一、使用条件及注意事项： 1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。 2、模块管芯工作结温：二极管为-40℃∽150℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。 3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷；当实际负载电流大于40A的设备，一般都需要选择强迫风冷设计。强迫风冷时，风速应大于6米?秒。 4、对于加装散热器后，如何检查散热器是否配置合适。 （1）可以用温度表测量散热器的温度（靠近模块与散热器安装结合部），来分析是否能够可靠运行。 （2）测量散热器温度的时间点把握。待设备开机运行30分钟-60分钟，达到热平衡后。 （3）测量到的温度数据如果做分析？一般情况下，我们要求防反二极管安装的散热器最高有效温升小于50℃。即当散热器工作的环境温度在25℃时，散热器的温度应该小于75℃；如果环境温度达到45℃时，散热器的温度应该小于95℃。 5、必须保证控制柜内控制循环流动。当防反二极管模块安装于控制柜内时，必须在控制柜顶部安装2-3台往顶部外抽的轴流风机（热风是往上升的,有利于散热），同时控制柜靠近底部四周最好多开些百叶窗。 二、安装注意事项： 1、由于MDK光伏防反二极管模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV 有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。 2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。散热器表面光洁度应小于10μm。模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。模块工作小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。 模块散热器选择 用户选配散热器时，必须考虑以下因素： ①模块工作电流大小，以决定所需散热面积； ②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷； ③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。 下面给出散热器长度的计算公式： 模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２ 其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。 郑重声明：目前市场上充斥着各种劣质散热器，请在购买时注意鉴别，如因使用劣质散热器造成模块损坏或其他严重后果，我公司概不负责。
二极管的开关作用和反向恢复时间 PN结二极管经常用来制作电开关。在正偏状态，即开态，很小的外加电压就能产生较大的电流，;在反偏状态，即关态，只有很小的电流存在于PN结内。我们最感兴趣的开关电路参数就是电路的开关速度。本节会定性地讨论二极管的开关瞬态以及电荷的存储效应。在不经任何数学推导的情况下，简单给出描述开关时间的表达式。 二极管的开关作用 利用二极管正、反向电流相差悬殊这一特性，可以把二极管作开关使用。 当开关K打向A时，二极管处于正向，电流很大，相当于接有负载的外回路与电源相连的开关闭合，回路处于接通状态(开态); 当开关K打向B时，二极管处于反向，反向电流很小，相当于外回路的开关断开，回路处于断开状态(关态)。 在关态时，流过负载的电流就是二极管的反向电流IR。二极管的反向恢复时间 假设外加脉冲的波形如图(a)所示，则流过二极管的电流就如图(b)所示。
外电路加以正脉冲时 导通过程中，二极管P区向N区输运大量空穴，N区向P区输运大量电子。 随着时间的延长，N区内空穴和P区内电子不断增加，直到稳态时停止。在稳态时，流入N区的空穴正好与N区内复合掉的空穴数目相等，流入P区的电子也正好与P区内复合掉的电子数目相等，达到动态平衡，流过P-N结的电流为一常数I1。 随着势垒区边界上的空穴和电子密度的增加，P-N结上的电压逐步上升，在稳态即为VJ。此时，二极管就工作在导通状态。 当某一时刻在外电路上加的正脉冲跳变为负脉冲时 正向时积累在各区的大量少子要被反向偏置电压拉回到原来的区域，开始时的瞬间，流过P-N结的反向电流很大，经过一段时间后，原本积累的载流子一部分通过复合，一部分被拉回原来的区域，反向电流才恢复到正常情况下的反向漏电流值IR。正向导通时少数载流子积累的现象称为电荷储存效应。二极管的反向恢复过程就是由于电荷储存所引起的。反向电流保持不变的这段时间就称为储存时间ts。在ts 之后，P-N结上的电流到达反向饱和电流IR，P-N结达到平衡。定义流过P-N结的反向电流由I2下降到0.1 I2时所需的时间为下降时间tf。储存时间和下降时间之和为(ts+tf)称为
SMBJ5.0 thru SMBJ188CA Vishay General Semiconductor Document Number: 88392For technical questions within your region, please contact one of the following:https://www.doczj.com/doc/6a14530496.html, Surface Mount T RANS Z ORB ? Transient Voltage Suppressors FEATURES ?Low profile package ?Ideal for automated placement ?Glass passivated chip junction ? ?cycle): 0.01 % ?Excellent clamping capability ?Very fast response time ?Low incremental surge resistance ?Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ?Solder dip 260 °C, 40 s ?Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC TYPICAL APPLICATIONS Use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by inductive load switching and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer, computer, industrial, automotive and telecommunication. MECHANICAL DATA Case: DO-214AA (SMBJ) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/automotive grade (AEC Q101 qualified) Terminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3suffix meets JESD 201 class 2 whisker test Polarity: For uni-directional types the band denotes cathode end, no marking on bi-directional types DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS For bi-directional devices use C or CA suffix (e.g. SMBJ10CA). Electrical characteristics apply in both directions. PRIMARY CHARACTERISTICS V WM 5.0 V to 188 V P PPM 600 W I FSM (uni-directional only) 100 A T J max. 150 °C DO-214AA (SMB J-Bend) Notes: (1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T A = 25 °C per Fig. 2(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform (1)(2) (Fig. 1) P PPM 600 W Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform (1) I PPM See next table A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (2) I FSM 100 A Operating junction and storage temperature range T J , T STG - 55 to + 150 °C
1. 引脚折弯 当引脚需要折弯时，为避免过大的外力沿着引脚进入本体，必须使用工具夹持在本体和引脚的弯曲点之间。引脚弯曲不当会损坏芯片，导致电特性的劣化或可靠性问题，如对耐湿性差等。有一些引脚折弯的规则如下： 1.1. 引线应在弯曲点和塑料本体之间牢固夹紧。建议折弯点与本体的距离(X)如下： X = 2 mm for DO-41, DO-15, Case. X = 3 mm for DO-201AD Case. X = 4 mm for R-6 Case. 1.2. 不要夹住塑料本体，成形工具不应损坏导脚或塑料本体。 1.3. 引脚只能被折弯一次，并且折弯时的角度不应高于90度。 1.4. 引脚必须在固定到PCB或散热片之前完成折弯的形状。 图一、引线弯脚 1
2. 安装到散热片 散热片的安装，散热片表面应无外来材料，金属屑，并有足够的平整度可使平贴于二极管封装的背面。不要从背面锁(散热片)而要从本体IC的正面锁散热片（有印字的一面）。要注意的是，当组件安装到散热片的时候，过大的扭力可能导致材料的机械性故障或可靠性问题。（例如：电气劣化......）。还要注意，扭力不足也会导致散热传递不佳。 建议的安装孔，螺丝和对应于我们的封装安装扭力如下表。 Package Mounting hole ( ? = mm ) Screw Torque ( lb-in / Kg-cm ) TO-220 3.8 M3 4.5 / 5.1 ITO-220 3.2 TO-247 / S 3.8 导热化合物(脂)有利于器件与散热片之间界面的热传导。建议的导热化合物是亲水性的油脂材料。使用时导热化合物应均匀涂抹非常薄的一层在整个接触区域。在我司的规格书里，所定义的接触热阻系数Rthj-C，是在所建议的安装扭力与有导热材料的参考系数。 2
1．开关二极管的作用开关二极管的作用是利用其单向导电特性使其成为一个较理想的电子开关。 图4-10是开关二极管的应用电路。 开关二极管除能满足普通二极管和性能指标要求外，还具有良好的高频开关特性（反向恢复时间较短），被广泛应用于家电电脑、电视机、通信设备、家用音响、影碟机、仪器仪表、控制电路及各类高频电路中。 开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。 开关二极管的封装形式有塑料封装和表面封装等。如图4-11所示。
2．普通开关二极管常用的国产普通开关二极管有2AK系列锗开关二极管，表4-8为2AK系开关二极管的主要参数。 3．高速开关二极管高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。 常用的国产高速开关二极管有2CK系列，见表4-9。
进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装），见表4-10和表4-11。 表4-11
4．超高速开关二极管常用的超高速二极管有1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面封装），见表4-12。 5．低功耗开关二极管低功耗开关二极管的功耗较低，但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二极管低。 常用的低功耗开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封），表4-13为其主要参数。
6．高反压开关二极管高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。 常用的高反压开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封），其主要参数见表4-14。 7．硅电压开关二极管硅电压开关二极管是一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。
SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 600 Volts Forward Current - 1.0 Ampere Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip Terminals : Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : Any Weight :0.0007 ounce, 0.02 grams Glass passivated device Ideal for surface mouted applications FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS ES1BL SYMBOLS UNITS Metallurgically bonded construction High temperature soldering guaranteed: 260 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension Low reverse leakage 10070100400280400150105150600420600 VOLTS VOLTS VOLTS Amp Amps Volts V RRM V RMS V DC I (AV) I FSM V F 1.0 25.0 1.25 Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =100 C I R 5.0100.0A μRatings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. ES1AL THRU ES1JL ES1CL ES1DL ES1EL ES1JL EB EC ED EE EJ EG ES1GL Maximum reverse recovery time (NOTE 1)Typical junction capacitance (NOTE 2) C J pF ELECTRONICS CO.,LTD. STAR SEA Operating junction and storage temperature range Note:R θJA T J ,T STG 8510-55 to +150 C Typical thermal resistance (NOTE 3)K/W 2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.1.Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A. 3.PCB mounted on 0.2*0.2" (5.0*5.0mm) coppeer pad area. 35ns 503550EA ES1AL trr 200140200 3002103000.95 1.7 SOD-123FL Dimensions in millimeters
发光二极管产品规格书 发光二极管产品规格书 型号 : H2B01ARD04 注意谨防静电! 制作核准顾客 Page 1 of 4 Created with novaPDF Printer (https://www.doczj.com/doc/6a14530496.html,). Please register to remove this message. H2B01ARD04 文件编号: BF-2005-03-040 产品特征 直径为3mm圆型 高亮红色,低功耗 外观为有色散射 产品应用 各类仪表指示光源 小区域 产品外型图 注: 所有的尺寸单位为毫米(mm),公差为 0.20mm 产品指南 光强Iv(mcd)@20mA 型号发光颜色芯片材料胶体颜色 Min. Typ. Max. 半功率角度 2θ1/2 H2B01ARD04 红色 ALGaAs 有色散射 40 60 --- 60 注: 中心轴亮度50%时单边的发光角度为θ1/2, 2θ1/2=θ1/2+θ1/2 Page 2 of 4 Created with novaPDF Printer (https://www.doczj.com/doc/6a14530496.html,). Please register to remove this message. H2B01ARD04 文件编号: BF-2005-03-040 最大限度性能参数(Ta=25℃) 项目符号最大限度单位 功率消耗 PD 80 mW 峰值正向电流 1/10占空比 0.1ms 脉宽 IFP 100 mA 正向电流 IF 20 mA 反向电压 VR 5 V 工作温度 Topr -25℃～+80℃ 储存温度 Tstg -25℃～+100℃ 焊接温度Tsol 260℃下5秒
SUFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Ampere Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip Terminals : S olderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : Any Weight :0.006 ounce, 0.02 grams Glass passivated device Ideal for surface mouted applications FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Metallurgically bonded construction High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension Low reverse leakage Note: 3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mounted ELECTRONICS CO.,LTD. LING JIE STAR SEA Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. DSR1A THRU DSR1M 2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 1.Averaged over any 20ms period. DSR1B SYMBOLS 10070100400280400200140200 600420600800560800 V RRM V RMS V DC I (AV) I FSM V F 1.0 25.01.1Operating junction and storage temperature range Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current at T A =65 C (NOTE 1) Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =125 C Typical junction capacitance (NOTE 2)I R 10.050.0R θJA C J T J ,T STG 1804-55 to +150 Typical thermal resistance (NOTE 3) UNITS VOLTS VOLTS VOLTS Amp Amps Volts pF C A μK/W DSR1D DSR1G DSR1J DSR1K S1B S1D S1G S1J S1K T L =25 C 503550S1A DSR1A 10007001000 DSR1M S1M SOD-123FL Dimensions in millimeters
常用二极管型号及参数手册
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开关电源中开关管及二极管EMI抑制方法分析摘要：随着电子技术的不断进步,开关电源向高频化、高效化方向迅猛发展，EMI抑制已成为开关电源设计的重要指标。本文结合开关电源中开关管及二极管EMI产生机理，列举出：并接吸收电路、串接可饱和磁芯线圈、传统准谐振技术、LLC串联谐振技术四种抑制EMI的方法，并对其抑制效果进行比较分析。叙词：EMI RC、RCD电路磁芯线圈准谐振LLC谐振Abstract：With the progress of electronic technology , the switch power supply turns to high frequency and high efficiency development,so restraint of EMI has become the important index in the design of the switch power supply.Base on the principle of EMI which is generated by switch and diode, this paper offers four kinds of methods which can restrain it.The first, parallel connection absorbing circuitthe second, in series with saturated magnetic loopsthe third, tradition resonance technologythe forth, LLC resonance technology. Keyword：EMI RCRCD Circuit Saturated magnetic loops Tradition resonance technology LLC Resonance technology 1 引言 电磁干扰( EMI) 就是电磁兼容不足,是破坏性电磁能从一个电子设备通过传导或辐射到另一个电子设备的过程。近年来，开关电源以其频率高、效率高、体积小、输出稳定等优点而迅速发展起来。开关电源已逐步取代了线性稳压电源，广泛应用于计算机、通信、自控系统、家用电器等领域。但是由于开关电源工作在高频状态及其高di/dt和高dv/dt，使开关电源存在非常突出的缺点——容易产生比较强的电磁干扰(EMI)信号。EMI信号不但具有很宽的频率范围，还具有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境，对通信设备和电子产品造成干扰。所以，如何降低甚至消除开关电源中的EMI问题已经成为开关电源设计师们非常关注的问题。本文着重介绍开关电源中开关管及二极管EMI的四种抑制方法。 2 开关管及二极管EMI产生机理 开关管工作在硬开关条件下开关电源自身产生电磁干扰的根本原因，就是在其工作过程中的开关管的高速开关及整流二极管的反向恢复产生高di/dt和高dv/dt，它们产生的浪涌电流和尖峰电压形成了干扰源。开关管工作在硬开关时还会产生高di/dt和高dv/dt，从而产生大的电磁干扰。图1绘出了接感性负载时，开关管工作在硬开关条件下的开关管的开关轨迹，图中虚线为双极性晶体管的安全工作区，如果不改善开关管的开关条件，其开关轨迹很可能会超出安全工作区，导致开关管的损坏。由于开关管的高速开关，使得开关电源中的高频变压器或储能电感等感性负载在开关管导通的瞬间，迫使变压器的初级出现很大的浪涌电流，将造成尖峰电压。开关管在截止期间，高频变压器绕组的漏感引起的电流突变，从而产生反电势E=-Ldi/dt，其值与电流变化率(di/dt)成正比，与漏感量成正比，叠加在关断电压上形成关断电压尖峰，从而形成电磁干扰。此外，开关管上的反向并联二极管的反向恢复特性不好，或者电压尖峰吸收电路的参数选择不当也会造成电磁干扰。由整流二极管的反向恢复引起的干扰源有两个，它们分别是输入整流二极管和输出整流二极管。它们都是由电流的换向引起的干扰。由图2表明，t0=0时二极管导通，二极管的电流迅速增大，但是其管压降不是立即下降，而会出现一个快速的上冲。其原因是在开通过程中，二极管PN 结的长基区注入足够的少数载流子，发生电导调制需要一定的时间tr。该电压上冲会导致一个宽带的电磁噪声。而在关断时，存在于PN结长基区的大量过剩少数载流子需要一定时