功率MOSFET选型的几点经验

mosfet管的选型功率是选择MOSFET管的一个重要考虑因素。

功率是指MOSFET管能够承受的最大功率。

根据具体应用需求，我们需要选择功率适合的MOSFET管。

如果功率过小，可能无法满足电路需求；如果功率过大，可能会浪费资源或导致其他问题。

电压是选择MOSFET管的另一个重要因素。

电压是指MOSFET管能够承受的最大电压。

在选择MOSFET管时，我们需要确保其能够正常工作在所需的电压范围内。

如果电压过高，可能会导致MOSFET管损坏；如果电压过低，可能无法正常工作。

电流也是选择MOSFET管的一个关键参数。

电流是指MOSFET管能够承受的最大电流。

在选择MOSFET管时，我们需要根据所需的电流大小来选择合适的管子。

如果电流过大，可能会导致MOSFET管过载而损坏；如果电流过小，可能无法满足电路的需求。

开关速度也是选择MOSFET管的一个重要考虑因素。

开关速度是指MOSFET管的开关速度，即MOSFET管从开启到关闭或从关闭到开启的时间。

在某些应用中，快速的开关速度是必需的。

因此，在选择MOSFET管时，我们需要根据具体应用需求来选择开关速度适合的管子。

除了上述关键参数外，还有一些其他因素也需要考虑。

例如，温度特性、封装类型、价格等。

温度特性是指MOSFET管在不同温度下的性能表现。

封装类型是指MOSFET管的封装形式，如TO-220、SOT-23等。

价格是指MOSFET管的价格，我们需要根据预算来选择合适的管子。

在选择MOSFET管时，我们可以参考供应商提供的参数表和规格书。

这些文档通常提供了详细的参数信息，帮助我们选取适合的MOSFET 管。

此外，我们还可以咨询专业工程师或在相关技术论坛上寻求帮助。

选择合适的MOSFET管是确保电路正常工作的重要一步。

通过考虑功率、电压、电流、开关速度等关键参数，以及其他因素如温度特性、封装类型、价格等，我们可以选择到适合的MOSFET管，从而提高电路性能和可靠性。

选择最佳MOSFET的方法
MOS管现在在很多注重电源性能的便携产品中越来越多用来替代二极管用于同步整流，但是如何选型非常讲究，相信大部分童鞋都不太有底，特别是面对众多供应商、各种产品型号、多种参数，等等。

以英飞凌的低压MOS 管为例，提供的低压mos产品选型excel文件就超过500行(有需要这个文档的留言，可以分享)，看了头大。

这里分享个选择最佳MOSFET的方法的文档。

为方便大家学习参考，列出部分摘要。

 同步整流基础知识
 要选择最优的MOSFET来实现同步整流，必须充分理解MOSFET的功耗产生机制。

首先，必须区分开随负载而变化的导通损耗与基本保持不变的开关损耗
 优化同步整流MOSFET
 要优化SR MOSFET的效率，必须找到开关损耗与导通损耗之间的最佳平衡点
 应当按何种负载电流优化MOSFET?
 要在整个负载范围内实现均衡的效率，必须借助四象限SR器件优化表对MOSFET电流做出合理的选择。

MOSFET选型注意事项及应用实例MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。

必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。

1）沟道的选择。

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。

在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N 沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

2）电压和电流的选择。

额定电压越大，器件的成本就越高。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。

就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。

不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220V AC 应用为450～600V。

在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。

脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。

如何正确的选择MOSFET选择正确的MOSFET是非常重要的，因为它直接影响到电路的性能和稳定性。

以下是选择MOSFET的一些重要因素：1.预计的负载电流：首先要确定所需的负载电流。

MOSFET的电流容量决定了它能够支持的最大负载电流。

选择具有足够高电流容量的MOSFET以确保其能够正常工作。

2.最大耗散功率：MOSFET的最大耗散功率决定了它能够承受的最大功率。

在选择MOSFET时，要确保它的最大耗散功率能够满足应用的需求。

3.预计的工作电压：确定所需的工作电压范围。

选择MOSFET时，要确保它的工作电压范围能够满足应用的需求。

此外，还要注意MOSFET的最大击穿电压，以确保它能够在预期的工作电压下正常工作。

4.漏极电流：漏极电流是指在关闭状态下，MOSFET引脚之间的电流。

“关”状态下的漏极电流越低，MOSFET的效率越高。

选择具有低漏极电流的MOSFET有助于减少功耗和发热。

5.开关速度：选择MOSFET时，要根据应用的需求考虑其开关速度。

开关速度由MOSFET的电容和导通电阻决定。

速度较快的MOSFET可用于高频应用，速度较慢的MOSFET可用于低频或开关频率较低的应用。

6.导通电阻：导通电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻。

导通电阻越低，MOSFET的效率越高，并且会减少功耗和发热。

选择具有较低导通电阻的MOSFET可提高电路的效率。

7.温度特性：MOSFET的温度特性对其稳定性和可靠性至关重要。

选择具有良好温度特性的MOSFET，以确保其在不同温度下的性能稳定。

8.价格和供应：最后，还要考虑MOSFET的成本和供应问题。

选择经济实惠且易于获得的MOSFET有助于控制成本并保证项目的进展。

在选择MOSFET时，还可以参考供应商的数据手册和规格表，以获取更多详细的技术参数和性能指标。

最好进行测试和验证，以确保所选的MOSFET能够满足预期的性能要求。

mosfet管的选型MOSFET管的选型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。

在选择MOSFET管时，我们需要考虑多个因素，以确保电路的性能和稳定性。

本文将介绍一些关键的选型要点和常见的MOSFET参数，帮助读者更好地进行选型决策。

我们需要了解MOSFET的基本工作原理和结构。

MOSFET由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。

通过在栅极施加电压，可以控制漏极和源极之间的电流。

MOSFET有两种类型：N沟道MOSFET（N-MOSFET）和P沟道MOSFET（P-MOSFET），其区别在于电荷载流子类型的不同。

在选型过程中，第一个要考虑的因素是MOSFET的工作电压（Vds）。

这是指MOSFET能够承受的最大漏极-源极电压。

选择合适的工作电压范围是至关重要的，以确保MOSFET在实际应用中不会受到过电压的损坏。

第二个要考虑的因素是MOSFET的最大漏极电流（Id）。

这是指MOSFET能够承受的最大漏极电流。

根据实际应用需求，我们需要选择合适的最大漏极电流，以确保MOSFET能够正常工作，并不会因为过大的电流而发生故障。

除了工作电压和最大漏极电流，还有一些其他重要的参数需要考虑。

其中之一是阈值电压（Vth），它是指在栅极和源极之间的电压，MOSFET开始导通的最低电压。

阈值电压的选择将直接影响MOSFET 的导通特性和工作状态。

我们还需要考虑MOSFET的导通电阻（Rds(on)）。

导通电阻是指当MOSFET导通时，漏极和源极之间的电压降。

较低的导通电阻将导致更高的效率和更小的功耗，因此在一些高性能应用中，选择具有较低导通电阻的MOSFET是非常重要的。

除了这些参数，还有一些其他因素也需要考虑，例如开关速度、温度特性、封装类型和价格等。

这些因素根据实际应用需求和预算来决定。

为了确保选型的准确性，我们可以参考厂商提供的数据手册和应用指南。

这些资料通常包含详细的参数表、性能曲线和应用电路，可以帮助我们更好地了解和评估不同型号的MOSFET。

正确选择MOSFET四大要素作为电气系统中的基本部件，MOSFET需要工程师深入了解其关键特性及指标，以做出正确选型。

本文讲述正确选择MOSFET的方法，包括确定N/P沟道、确定额定电流、确定热要求、决定开关性能四大步骤，根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。

MOSFET的选择MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET 的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。

必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。

在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。

额定电压越大，器件的成本就越高。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。

就选择MOSFET 而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。

首页招聘品牌会议视频专题TI专区论坛博客ttyyan12的博客|选择去向管理中心简历管理商务管理招聘管理论坛博客电源币|通知论坛通知 [4]博客通知|站内信|电源币[0]|退出zjhuang的博客/people/377112首页博文微博相册收藏关于我关注的人留言板帖子TA的TA的帖子TA的收藏关于 TATA关注的人zjhuang的博文功率MOSFET选型的几点经验 (2010-02-27 01:10) 分类： MOSFET应用功率MOSFET选型的几点经验使用功率MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。

在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。

由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。

另外，这里的功率MOSFET 应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。

不正之处，希望大家不吝指正。

功率MOSFET的分类及优缺点和小功率MOSFET 类似，功率MOSFET 也有分为N 沟道和P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。

虽然耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。

（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET 是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。

言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型1. 我的应用该选择哪种类型的MOSFET？前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N 沟道的还是P沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！a) N 沟道MOSFET b) P沟道MOSFET负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET 的类型，这是出于对驱动电压的考虑。

选择MOSFET的技巧鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。

虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。

例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上一直都是处于导通状态，故MOSFET的开关特性无关紧要，而导通阻抗(RDS(ON))却可能是这种应用的关键品质因数。

然而，仍然有一些应用，比如开关电源，把MOSFET用作有源开关，因此工程师必须评估其它的MOSFET性能参数。

下面让我们考虑一些应用及其MOSFET规格参数的优先顺序。

MOSFET最常见的应用可能是电源中的开关元件，此外，它们对电源输出也大有裨益。

服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源，以支持N+1 冗余与持续工作(图 1)。

各并行电源平均分担负载，确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能够继续工作。

不过，这种架构还需要一种方法把并行电源的输出连接在一起，并保证某个电源的故障不会影响到其它的电源。

在每个电源的输出端，有一个功率MOSFET可以让众电源分担负载，同时各电源又彼此隔离。

起这种作用的MOSFET 被称为"ORing"FET，因为它们本质上是以 "OR" 逻辑来连接多个电源的输出。

图1：用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOSFET。

在ORing FET应用中，MOSFET的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。

其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。

相比从事以开关为核心应用的设计人员，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOSFET的不同特性。

以服务器为例，在正常工作期间，MOSFET只相当于一个导体。

因此，ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。

功率MOSFET使用注意事项1、关于半导体器件的选择1.1关于最大额定值半导体器件的最大额定值通常规定为“绝对最大额定值”，必须严格注意绝对不能超过各品种最大额定值表中所表示的数值。

如果不小心超过了最大额定值就会直接导致该产品的老化或损坏，即使稍后再工作也会严重缩短其寿命。

所以在设计使用半导体器件的电子电路时，必须注意在使用中无论外部条件如何变化都不能超过该器件指定的最大额定值。

此外，这些最大额定值的各个项目之间大多密切相关，因此必须特别注意不要使各个项目同时达到最大额定值。

例如，当对使用的晶体管外加电流、电压时，虽然都不超过最大额定值，但功耗却是两者的乘积，这个数值必须保持在该MOS管的损耗容限范围内。

此外，不仅要注意直流最大额定值，还必须注意脉冲用途情况下的安全工作区域（ASO）、负载轨迹、峰值电压和电流。

1.2关于减额的注意事项如何对最大额定值进行减额，是可靠性设计中的重要问题。

系统设计阶段需要考虑的减额项目因器件种类而异。

其中包括电压、电流、功率、负载等电应力的减额，温度、湿度等环境条件，或者振动和冲击等机器应力的减额等。

关于可靠性设计时应该注意的减额标准例子请参照下表。

1.3封装的选择通常可大致分为密封型（如金属封装、陶瓷封装、低熔点玻璃封装等）和塑封型两种。

选择塑封型或密封型。

通常情况下，综合了该设备的使用目的、使用环境、可靠性需求和成本需求等要素。

由于塑封型半导体器件的可靠性得到了显著提高，其应用范围正在不断扩大，最近也开始用于使用环境比较严格的领域，如汽车（包含引擎控制部分）、测量控制、电子交换机、大型电子计算机本体等。

事实上，从市场数据来看，当设备安装在环境良好的室内时，其可靠性与密封型半导体器件相同。

近年来，随着电子设备的小型化，对半导体器件的小型化、薄型化封装需求也越来越强烈。

为了满足这一需求，新洁能一直致力于开发能与电容、电阻等芯片产品一样使用表面贴装的器件。

表面贴装型封装与引脚插入型封装相比较，具有以下的优点：(1)体积小，可减小安装面积。