mos管选型指导

品牌：美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA；NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。

MOS管选型指南.xls关于MOS选型第一步：选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

第二步：确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。

与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。

MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。

MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。

器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。

对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。

第三步：确定热要求器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。

根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。

第四步：决定开关性能选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。

影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。

这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。

详细的MOS管的选型可以参考资料3MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。

第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

小功率-MOS管-选型手册（较为全面）KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CES2304 KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310KD2301 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338PKD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303，AO3405，AO3409，FDN360P，FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2305KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2309KD3401 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；Si3401，AMP3401，CEM3401，STS3401，AP3401，MT3401KD3402 N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻73mΩ、电流4A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3402;AO3402 SI2306 SI2316 AP2316 CES2314KD3403 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻110mΩ、电流-3.4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3403；AO3403SI2341 SI2307 AP2309 CES2313KD8205S Dual N-Channel SOT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205KD8205G Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSOP-8 封装之9926.KD4410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、ME4410KD9410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410 KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、GE9926、STN9926、iTM9926、MOSFET 系列KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻50mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CES2304 KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310KD3400 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻30mΩ、电流2.7A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3400KD2301 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338PKD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303，AO3405，AO3409，FDN360P，FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2305KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2309KD3401 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；Si3401，AMP3401，CEM3401，STS3401，AP3401，MT3401KD3403 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、KD3403A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻70mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3403；KD8205S Dual N-Channel SOT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205KD8205G Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSOP-8 封装之9926.KD4410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、ME4410KD9410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410 KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、GE9926、STN9926、iTM9926、GT9926、TF9926、AF9926、Si9926、FDS9926、H9926、ME9926KD4228 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻26mΩ、电流6.8A可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、SI4804、SI9936、FDS9926A、FDS6912、ME4922、GT4228KD9971 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压60V、内阻50mΩ、电流5A可兼容、代用、替换市面上各类型的9971，AP9971GM、STM6960、Si4900DY、Si4946、AO4828、APM9946K、APM9945K、Si9945AEY、CEM4426、FDS9945KD9435 P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-5.3A可兼容、代用、替换市面上各类型9435 : APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、AO9435、Si9435、STP9435、ME9435KD4435 P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻20mΩ、电流-8A可兼容、代用、替换市面上各类型4435 : APM4435、Si4435、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AF4435、FDS4435、iTM4435、ME4435KD4953 Dual P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻53mΩ、电流-5AKD4953BDY Dual P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻42mΩ、电流-5A可兼容、代用、替换市面上各类型4953 : GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953TM4953、STM4953、SDM4953、GT4953、TF4953、H4953、ME4953 等等! 备注:供应性价比优越,专门替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 之KD4953BDY (42mΩ)一辈子时光在匆忙中流逝，谁都无法挽留。

低压大电流mos管型号摘要：1.低压大电流mos管简介2.低压大电流mos管的分类3.低压大电流mos管的主要参数4.低压大电流mos管的应用领域5.低压大电流mos管的选型建议正文：低压大电流mos管是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有在较低电压下承受大电流的特点。

它在我国的电子产业中具有重要地位，为许多电子产品的设计和制造提供了关键支持。

本文将为您介绍低压大电流mos管的相关知识，以帮助您更好地了解和选择这种器件。

首先，低压大电流mos管（Low Voltage High Current MOSFET）是一种场效应晶体管（FET），具有低输入阻抗、高输入电流和较低的导通电阻等特点。

根据其结构和工作原理，低压大电流mos管可分为沟槽型（Trench）、平面型（Planar）、增强型（Enhanced）和耗尽型（Depletion）等不同类型。

其次，选择低压大电流mos管时需要关注的主要参数包括：额定电压（Rating Voltage）、最大漏极电流（Maximum Drain Current）、导通电阻（On-Resistance）、栅极电荷（Gate Charge）、开关速度（Switching Speed）等。

这些参数将直接影响到器件的性能和应用范围，因此在实际应用中需要根据具体需求进行权衡和选择。

低压大电流mos管广泛应用于各种电子设备中，如电源、通信、计算机、家电等领域。

例如，在电源系统中，低压大电流mos管可用于实现开关电源、直流稳压器等功能；在通信系统中，它可用于放大、开关等功能；在计算机和家电领域，低压大电流mos管则可用于控制和驱动电路等。

最后，针对低压大电流mos管的选型，建议您首先明确应用需求，然后根据需求关注器件的主要参数，进行性能对比。

此外，考虑生产厂家的技术实力、产品质量和服务等因素，以确保选购到合适的低压大电流mos管。

总之，低压大电流mos管作为半导体器件的一种，具有广泛的应用前景和重要的实用价值。

七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。

选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。

那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。

首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。

MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。

从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。

额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。

此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。

开关电源元器件选型A:反激式变换器:1. MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max)2. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout3. 缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大.4. 优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单.5. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.B:正激式变换器:6. MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max)7. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout8. 缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂.9. 优点:纹丝小,功率可做到0~200W.10. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.C:推挽式变换器:11. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max)12. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout13. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式.14. 优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好!15. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.D:半桥式变换器:16. MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max)17. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout18. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.19. 优点: 功率可做到100W~500W.20. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.E:全桥式变换器:21. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max)22. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout23. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.24. 优点: 功率可做到400W~2000W以上.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制。

MOS管选‎型最近在‎推MOS管‎的过程中，‎遇到一些问‎题，最主要‎的是一个品‎牌替换参数‎的对应问题‎，很多时候‎我们只关注‎了电流电压‎满足要求，‎性能上的比‎较我们很少‎做比较，特‎从网上摘录‎此文，供大‎家参考：‎与系统相关‎的重要参数‎：在M‎O S管选择‎方面，系统‎要求相关的‎几个重要参‎数是：‎1．负‎载电流IL‎。

它直接决‎定于MOS‎F ET的输‎出能力；‎2．‎输入—输出‎电压。

它受‎M OSFE‎T负载占空‎比能力限制‎；3．‎开关频‎率FS。

这‎个参数影响‎M OSFE‎T开关瞬间‎的耗散功率‎；4．‎ MOS‎F ET最大‎允许工作温‎度。

这要满‎足系统指定‎的可靠性目‎标。

‎MOSF‎E T设计选‎择：一‎旦系统的工‎作条件（负‎载电流，开‎关频率，输‎出电压等）‎被确定，功‎率MOSF‎E T在参数‎方面的选择‎如下：‎1 RDS‎O N的值。

‎最低的导通‎电阻，可以‎减小损耗，‎并让系统较‎好的工作。

‎但是，较低‎电阻的MO‎S FET其‎成本将高于‎较高电阻器‎件。

2‎散热。

如‎果空间足够‎大，可以起‎到外部散热‎效果，就可‎以以较低成‎本获得与较‎低RDSO‎N一样的效‎果。

也可以‎使用表面贴‎装的MOS‎F ET达到‎同样效果，‎详见下文第‎15行。

‎3 MO‎S FET组‎合。

如果板‎上空间允许‎，有时候，‎可以用两个‎较高RDS‎O N的器件‎并联，以获‎得相同的工‎作温度，并‎且成本较低‎。

‎计算MOS‎F ET的功‎率损耗及其‎壳温：‎在MOSF‎E T工作状‎态下，有三‎部分功率损‎耗：1‎． MO‎S FET在‎完全打开以‎后（可变电‎阻区）的功‎率损耗：‎PON=‎I Load‎2 × R‎D SON ‎×占空比‎ILoa‎d为最大直‎流输出电流‎。

2．‎ MOS‎F ET在打‎开上升时功‎率损耗：‎PTRO‎N= （I‎L oad ‎× VDS‎× Tr‎×FS）‎/ 2‎其中：。

MOS管选型1、预估使用环境温度T ambient一般情况下取室温25°C，器件附件空气温升10°C，较差情况下不妨取温度45°C，器件附件空气温升20°C最差情况下T ambient=65°C2、计算I DT ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j例:ME4970RθJA =76°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°CT ambient=65°C得I D≤8.36A，与规格书中I D≤8.3A（T ambient=70°C）值很接近3、关于关键器件温升控制△T+To+RθJC * I D * I D * R DS（ON）=T jTo=25°C 室温△T=45°C器件温升，即MOS表面70°C。

RθJC=46°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°C得I D≤10.4A以上表明，规格书所标注的I D可以直接作为设计参考电流值（Tambient 取70°C）。

满足温升等要求。

也可用到80%，留有一定余量。

使用条件不同的，需通过T ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j计算I D。

注：MOS的气候特性，包括juction-to-ambient 和junction-to-case两个参数juction-to-ambient：是指PN结到环境的温度，junction-to-case：PN结至器件外壳的温度。

一MOS选型
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

如下图是NMOS开关电路。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

PMOS常用型号：IRFR9024N，NTD25P03L；
二需要注意的参数：
1，开启电压Vth：GS之间的电压只有达到Vth时MOS管才会导通。

2，源极和漏极电流ID：其范围应满足后级电路的需求，不能太小。

3，饱和漏电流IDss：当Vgs=0V时ID的值，越小越好，太大电池耗电。

4，导通电阻Rds：导通后DS间的电阻，越小越好。

5，DS间最大耐压VDSS/Vbr：被控制的电压值不能大于VDSS，否则管子会烧毁。

上表是NTD25P03L在不同条件下导通电阻的值，电压和电流值越大Rds越小。

全桥mos管耐压选用原则全桥MOS管是直流电源的重要组成部分，其耐压能力直接影响整个系统的稳定性和可靠性。

因此，在选择全桥MOS管时，需要考虑以下几个方面的原则：一、电压等级首先需要确定全桥MOS管的电压等级。

在选择电压等级时，应该考虑到系统所需的最大输出电压和输入电压范围，以及安全裕度等因素。

通常情况下，应该选取比系统最大输出电压高出一定安全裕度的电压等级。

二、导通电阻导通电阻是影响全桥MOS管效率和发热量的一个重要指标。

较低的导通电阻可以提高系统效率，减少功率损耗和热量产生。

因此，在选取全桥MOS管时，应该尽可能选择导通电阻较低的型号。

三、反向漏电流反向漏电流是指在正向工作状态下，MOS管漏过来的微小反向电流。

较高的反向漏电流会导致系统静态功耗增加，并且可能会对负载产生影响。

因此，在选取全桥MOS管时，应该尽可能选择反向漏电流较低的型号。

四、温度特性全桥MOS管在工作过程中会产生热量，因此其温度特性也是需要考虑的因素之一。

在选取全桥MOS管时，应该尽可能选择具有较好温度特性的型号，以确保系统的稳定性和可靠性。

五、可靠性全桥MOS管是整个系统中最容易损坏的部件之一。

因此，在选取全桥MOS管时，应该尽可能选择具有高可靠性和长寿命的型号。

同时，在使用过程中应该注意保护全桥MOS管，避免电压过高、电流过大等情况。

综上所述，选取全桥MOS管时需要考虑电压等级、导通电阻、反向漏电流、温度特性和可靠性等因素。

只有综合考虑这些因素并根据实际需求做出合理选择，才能确保全桥MOS管在整个系统中发挥最佳效果。

小功率MOS管选型手册（较为全面）KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CES2304 KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310KD2301 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338PKD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303，AO3405，AO3409，FDN360P，FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2305KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2309KD3401 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；Si3401，AMP3401，CEM3401，STS3401，AP3401，MT3401KD3402 N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻73mΩ、电流4A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3402;AO3402 SI2306 SI2316 AP2316 CES2314KD3403 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻110mΩ、电流-3.4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3403；AO3403SI2341 SI2307 AP2309 CES2313KD8205S Dual N-Channel SOT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205KD8205G Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSOP-8 封装之9926.KD4410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、ME4410KD9410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410 KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、GE9926、STN9926、iTM9926、MOSFET 系列KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻50mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CES2304 KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310KD3400 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻30mΩ、电流2.7A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3400KD2301 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338PKD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303，AO3405，AO3409，FDN360P，FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2305KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2309KD3401 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；Si3401，AMP3401，CEM3401，STS3401，AP3401，MT3401KD3403 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、KD3403A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻70mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3403；KD8205S Dual N-Channel SOT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205KD8205G Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSOP-8 封装之9926.KD4410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、ME4410KD9410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410 KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、GE9926、STN9926、iTM9926、GT9926、TF9926、AF9926、Si9926、FDS9926、H9926、ME9926KD4228 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻26mΩ、电流6.8A可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、SI4804、SI9936、FDS9926A、FDS6912、ME4922、GT4228KD9971 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压60V、内阻50mΩ、电流5A可兼容、代用、替换市面上各类型的9971，AP9971GM、STM6960、Si4900DY、Si4946、AO4828、APM9946K、APM9945K、Si9945AEY、CEM4426、FDS9945KD9435 P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-5.3A可兼容、代用、替换市面上各类型9435 : APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、AO9435、Si9435、STP9435、ME9435KD4435 P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻20mΩ、电流-8A可兼容、代用、替换市面上各类型4435 : APM4435、Si4435、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AF4435、FDS4435、iTM4435、ME4435KD4953 Dual P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻53mΩ、电流-5AKD4953BDY Dual P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻42mΩ、电流-5A可兼容、代用、替换市面上各类型4953 : GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953TM4953、STM4953、SDM4953、GT4953、TF4953、H4953、ME4953 等等! 备注:供应性价比优越,专门替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 之KD4953BDY (42mΩ)。

MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。

第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。

额定电压越大，器件的成本就越高。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。

设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。

额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。

设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。

不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。

第二步：确定额定电流第二步是选择MOS管的额定电流。

视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。

与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。

两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。

七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。

选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。

那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。

首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。

MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。

从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。

额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。

此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。

MOS管选型指南MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的功率开关器件。

其结构简单，能够在低电压下工作，并具有高开关速度和低开关损耗等优点。

因此，MOSFET广泛应用于电力电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。

在选择MOSFET时，需要考虑以下几个方面：1.电压与电流要求：首先，需要确定所需工作电压和电流范围。

根据应用的不同，MOSFET的电压和电流要求可能有所不同。

例如，电力电子领域通常需要承受较高的电压和电流，而通信设备领域则可能对电压和电流有较严格的限制。

2.耗散功率：MOSFET的耗散功率也是选择的重要考虑因素之一、当MOSFET处于导通状态时，其内部会产生一定的功耗，这会导致器件发热。

当功耗过大时，需要采取散热措施或选择功耗较低的器件。

3.开关速度：开关速度是指MOSFET从导通到截止（或相反）的时间。

一般来说，开关速度较快的MOSFET能够更快地响应控制信号，实现高频开关。

对于一些高频开关电路，如无线通信设备中的射频开关，开关速度要求较高。

4.RDS(ON)：RDS(ON)是MOSFET的导通电阻。

导通电阻越小，MOSFET的开关损耗就越小，并且能够更好地导通高电流。

因此，在选择MOSFET 时，需要根据应用的要求选择合适的RDS(ON)。

5.均衡特性：MOSFET的均衡特性是指在不同工况下，如温度、电压和电流等，其关键参数是否保持稳定。

一些高可靠性应用，如航空航天和军事领域，对器件的均衡特性要求较高。

6.可靠性：MOSFET的可靠性与其设计、制造和封装质量有关。

在选择MOSFET时，建议选择来自知名厂商的产品，并确保符合行业标准和认证要求。

此外，了解厂商的质量控制和售后服务也是必要的。

7.价格和供应链：价格和供应链也是考虑因素之一、选择合理的价格范围，并确保能够获得稳定的供应，以避免因材料短缺或停产等问题导致生产或维修困难。

总之，选型MOSFET需要综合考虑电压和电流要求、耗散功率、开关速度、RDS(ON)、均衡特性、可靠性、价格和供应链等因素。

SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)2N7000N-ch MOS0.6250.26050.5100.8~310000.110TO-92 2N7002N-ch MOS0.2250.1156050.5101~2.52500.0810SOT-23 2N7002K N-ch MOS0.6250.346050.5101~2.5250--TO-92 2N7002K N-ch MOS0.350.346050.5101~2.51000--SOT-23 2N7002KW N-ch MOS0.20.346050.5101~2.51000--SOT-323 2N7002T N-ch MOS0.150.1156050.5101~2.52500.0810SOT-523 2N7002W N-ch MOS0.20.1156050.5101~2.52500.0810SOT-323 2N7002X N-ch MOS0.50.1156050.5101~2.52500.0810SOT-89-3L 2SK1658N-ch MOS0.20.130100.0140.9~1.510.023SOT-323 2SK3018N-ch MOS0.350.13080.0140.8~1.51000.023SOT-23 2SK3018N-ch MOS0.20.13080.0140.8~1.51000.023SOT-323 2SK3019N-ch MOS0.150.13080.0140.8~1.51000.023SOT-523 2SK3541N-ch MOS0.15±0.13080.0140.8~1.51000.023SOT-723 BSS123N-ch MOS0.350.1710060.17101~2.82500.0810SOT-23 BSS138N-ch MOS0.350.2250 3.50.22100.8~1.510000.1210SOT-23 BSS138W N-ch MOS0.30.2250 3.50.22100.8~1.525012010SOT-323 BSS84P-ch 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MOS管正确选择的步骤浏览：898|更新：2013-10-31 15:08正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。

第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。

额定电压越大，器件的成本就越高。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS.知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。

设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。

额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。

设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。

不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V.第二步：确定额定电流第二步是选择MOS管的额定电流。

视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。

与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。

两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

目次1 MOS基础知识和分类 (2)1.1 N沟道增强型MOS管 (2)1.1.1 N沟道增强型MOS管的结构 (2)1.1.2 N沟道增强型MOS管的工作原理 (2)1.1.3 N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数 (3)1.2 N沟道耗尽型MOS管 (3)1.2.1 N沟道耗尽型MOS管的结构 (3)1.2.2 与N沟道增强型MOS管的区别 (4)1.3 P沟道MOS管 (5)1.3.1 P沟道MOS管与N沟道MOS管的区别 (5)1.3.2 P沟道MOS管特性比较 (5)2 MOS选型 (5)2.1 首先确定选用N MOS还是P MOS (6)2.1.1 MOS做低频物理开关 (6)2.1.2 MOS做高频开关 (6)2.2 确定主要参数 (7)2.2.1 确定Vds (7)2.2.2 确定Id (7)2.2.3 预估MOS的功耗，大致确定MOS的温升 (7)2.2.4 MOS的寄生参数 (8)MOS基础和选型1 MOS基础知识和分类1.1 N沟道增强型MOS管1.1.1 N沟道增强型MOS管的结构图 1.1 结构示意图在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。

然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。

图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。

代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。

P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。

1.1.2 N沟道增强型MOS管的工作原理vGS对iD及沟道的控制作用a)vGS=0 的情况从图 1.1 (a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。

当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。

buck电路mos管的选取以buck电路MOS管的选取为标题，本文将从以下几个方面进行阐述：MOS管的基本原理、选取MOS管的关键参数、选取MOS 管的步骤和注意事项。

一、MOS管的基本原理MOS管全称金属氧化物半导体场效应管，它是一种常用的功率开关器件。

它由金属栅、氧化物层和半导体基底组成。

当栅极施加电压时，形成垂直于基底的电场，控制基底上的电子流动，从而改变导通状态。

MOS管具有导通压降低、开关速度快、体积小等优点，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。

二、选取MOS管的关键参数1. 额定电压（Vds）：选取MOS管时，首先要确定其能够承受的最大工作电压，以确保稳定可靠的工作。

2. 额定电流（Ids）：根据应用场景的要求，选择能够满足电流需求的MOS管。

3. 开关速度：MOS管的开关速度直接影响整个电路的响应速度，通常以开启时间（Ton）和关闭时间（Toff）来衡量。

4. 导通电阻（Rds(on)）：导通电阻越小，MOS管导通时的功耗越低，效率越高。

5. 热阻（θja）：MOS管工作时会产生热量，热阻决定了其散热效果，选择合适的热阻可以确保MOS管在高负载下不过热。

三、选取MOS管的步骤和注意事项1. 确定应用场景：根据具体的应用需求，如输入电压范围、输出电压、电流要求等，确定所需MOS管的性能指标。

2. 查找数据手册：根据确定的性能指标，查找各个厂家的MOS管数据手册，比较不同型号之间的参数差异。

3. 选择合适的封装形式：根据实际应用需求，选择合适的MOS管封装形式，如TO-220、DPAK等。

4. 考虑成本和可获得性：在满足性能需求的前提下，综合考虑成本和供应可靠性，选择合适的MOS管。

5. 仿真验证：通过电路仿真软件，模拟MOS管在具体电路中的工作情况，验证所选MOS管是否满足设计要求。

6. 电路布局和散热设计：在电路设计中，合理布局MOS管，确保其散热效果良好，避免过热损坏。

7. 严格控制驱动电路：MOS管的驱动电路设计要合理，避免过高电压或电流对MOS管造成损坏。

二极管三极管MOS管选型作业规范1.目的1.1.配合《器件选型作业规范文件》制定对二极管、三极管、MOS管的选型。

1.2.为研发人员对二极管、三极管、MOS管的选型和使用提供选型指导。

1.3.《优选库》等形成系统文件，保障物料选型归一化,向优选系列集中,优化物料编码,提高编码的复用率,形成批量采购优势,降低成本和采购风险。

2.范围2.1.本选型规范适用于公司内部二极管、三极管、MOS管的选型、应用等过程。

3.定义3.1.半导体器件是指用硅或锗等半导体材料制作而成的器件，根据封装形式分“分立”和“集成”两类，半导体分立器件通常称为“Discrete”或“DiscreteSemiconductor”，包括二极管、三极管、MOS管等。

3.2.本规范所指的二极管、三极管、MOS管，即对应公司内部的15、16、17类物料。

4.职责4.1.选型需求人：参照《器件选型作业规范文件》4.1条款。

4.2.选型负责人：参照《器件选型作业规范文件》4.2条款。

4.3.选型审核人：参照《器件选型作业规范文件》4.3条款。

5.工作程序5.1.二极管、三极管、MOS管分类5.1.1.二极管表2. 发光二极管分类5.1.2.三极管按沟道类型：NPN型三极管、PNP型三极管5.1.3.MOS管按沟道类型：P沟道、N沟道、双P沟道、双N沟道、互补型按工艺类型：MOSFET属于场效应管一种，场效应管还包括JFET5.2.二极管、三极管、MOS管公司内部编码分类二极管、三极管、MOS管在公司内部主要涉及15、16、17三大类，详细参见下表。

5.3.二极管、三极管、MOS管选型原则5.3.1.整流二极管和肖特基二极管（01、02类）由于大部分的肖特基二极管用于整流，所以把1501、1502类放在一起。

5.3.1.1.简介（1）按照工艺结构，整流二极管分为通用型整流二极管（Rectifiers）和肖特基整流二极管（Schottky Rectifiers）（2）通用型整流二极管（Rectifiers）按照速度分为备注：以上数据参考DIODES，不同厂家的反向恢复时间并不相同，比如ON的Ultra fast 为25-100ns，并且没有super fast ，另外设置Ultrasoft，trr 45-120ns。