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第九章 异质结.

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第09章_异质结

第09章_异质结

No.29
积分一次后有：
dV1 ( x) qN A1 x C1 ( x1 x x0 ) dx 1 dV2 ( x) qN x D 2 C2 dx 2 ( x0 x x2 )
C1、C2是积分常数，由边界条件决定 边界条件：
dV1 E1 ( x1 ) dx dV2 E 2 ( x2 ) dx
概念回顾： 半导体表面和MIS结构 表面态 理想表面 表面电场效应 理想MIS结构 空间电荷层及表面势 表面空间电荷层的电场、电势和电容 MIS结构的电容—电压特性 理想MIS结构的电容—电压特性 硅-二氧化硅系统的性质 表面电导及迁移率 表面电场对p-n结特性的影响
No.1
第九章 异质结 （ Heterojunction）
1
2 1 2 N A1VD d 2 ( x2 x0 ) [ ]2 qN D 2 ( 1 N A1 2 N D 2 )
1
qN A1 ( x0 x1 ) 2 2 N D 2VD VD1 2 1 1 N A1 2 N D 2 VD 2 qN D 2 ( x2 x0 ) 2 1 N A1VD 2 2 1 N A1 2 N D 2
0
x x1
0
x x2
在交界面处的电场并不连续，但电位移连续：
1 E1 ( x0 ) 2 E2 ( x0 )
No.30
C1
qN A1 x1
1
, C2
qN D 2 x2
2
dV1 ( x) qN A1 ( x x1 ) 1 dx dV2 ( x) qN D 2 ( x2 x) dx 2
qN A1 ( x x1 ) 2 V1 ( x) 2 1 qN D 2 ( x2 x) V2 ( x) VD 2 2

哈工大半导体物理课件第9章(精)

哈工大半导体物理课件第9章(精)
突变型异质结：转变区或过渡区小于等 于数个原子间距的异质结
缓变型异质结：转变区大于数个扩散长 度的异质结
2 异质结的能带图
突变异质结的研究比较成熟 异质结的能带图比同质结复杂（禁带宽
度，电子亲合能，功函数，介电常数和 晶格常数差异） 由于晶体结构和晶格常数不同，在异质 结结面上形成的界面态增加了复杂性
第9章 异质结 1 异质结的基本概念
异质结是由两种不同晶体材料形成的半导 体结
同型异质结：同种导电类型材料构成的异 质结（n-nGe-Si，p-pGe-GaAs） 反型异质结：相反导电类型材料构成的异 质结（p-nGe-GaAs）
异质结的形成条件：要有相近的晶体结构 和晶格常数。
突变型异质结和缓变型异质结
侧
的p型半导体和n型半导体中的内建电势差。
2 异质结的形成过程与同质结相似，与同 质结不同之处
（1）自建电场在界面处发生不连续 （2）能带在界面处不连续，能带在界面处的突变
形成“尖峰”和“凹口” 导带底突变
Ec 1 2
价带顶突变 Ev Eg 2 Eg1 (1 2 )
Ec Ev Eg 2 Eg1
对于晶格常数分别为a1,a2（a1<a2）两种材料 形成的异质结，两种材料界面上的键密度分别 为Ns1,Ns2，显然Ns1>Ns2，形成异质结后，晶 格常数小的材料表面出现部分未饱和键，形成 的界面态密度
Ns Ns1 Ns2
对于两种相同晶体结构材料形成的异质结，界 面态密度△Ns取决于晶格常数和晶面。
2 界面态的影响
界面态可以分为施主型界面态和受主型界面 态。施主型界面态施放电子后带上正电荷，使半 导体表面能带向下弯曲；受主型界面态施放空穴 之后带上负电荷，使半导体表面能带向上弯曲。 界面态对异质结能带的影响取决于界面态起什么 作用和起多大作用。

第九章半导体异质结课件

第九章半导体异质结课件

概述
由于电势的不连续以及禁带宽度的不一致，使得异质结界面附近的能 带产生突变，即产生了“尖峰” 、“凹口” (或下陷)一些与同质结不同的情 况，这些将严重地影响载流子的运动，使得异质结具有一些同质结所没有
的特性。
一、不考虑界面态
1、突变反型异质结
一个P型A材料和一个n型B材料形成的异质结。 A 、B两材料在未形成异质结前的热平衡能带图如下图所示：
Ⅲ- Ⅴ族氮化物： BN、GaN、InN、AlN 等六方晶系； 3、 Ⅱ- Ⅵ族半导体： CdTe、HgTe、ZnTe、ZnSe、CdS、ZnS、 CdS 等闪锌矿； 4、 Ⅱ- Ⅵ族半导体： PbTe、SnTe等NaCl结构(离子晶体)； 5、氧化物半导体： ZnO。
三、异质结的生长技术
1.液相外延技术(LPE) 2.汽相外延技术(VPE) 3.金属有机化学汽相沉积技术(MOCVD) 4.分子束外延技术(MBE)
一、 异质PN结的高注入比特性
人们针对不同的异质结构，提出了多种异质结伏安特性的模型，如： 扩散模型、热电子发射模型、隧道模型、发射-复合模型、隧道-复合模型、 扩散-发射模型等等。
利用扩散模型可以获得异质PN结的电子电流密度Jn和空穴电流密度Jp 的表达式，将Jn和Jp取比值得到异质结的注入比。
(a1 ，a2分别为两种半导体晶体的晶格常数)
突变异质结交界面处的悬挂键密度△Ns为两种材料在交界面处的悬挂键密度 之差。即 △Ns = NS1 - NS2
二、 计入界面态的影响
以金刚石结构为例：
以(111)晶面为交界面时，其悬挂键密度为：
以(110)晶面为交界面时，其悬挂键密度为：
以(100)晶面为交界面时，其悬挂键密度为：
二、 计入界面态的影响

第九章 半导体异质结

第九章 半导体异质结

Ec1
Ev2
Eg1
Ev1
I型
Ec2 Eg2
Ev2 Ec1
I’型
Eg1
Ev1
Ec2 Eg2
Ev2 II 型
一、异质结的分类
3. 按从一种材料向另一种材料过渡的变化程度来分：
（1）突变型异质结： 从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡只发生在几个原
子距离范围内。 （2）缓变型异质结： 从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡发生于几个扩散
即 qVD qVD1 qVD2 EF 2 EF1 显然 VD VD1 VD2
由于两种材料的禁带宽度不同，能带弯曲不连续，出现了“尖峰”和 “凹口”。尖峰阻止了电子向宽带一侧的运动，这就是所谓的“载流子的限制 作用”。
一、不考虑界面态
W1
Ec1 EF Ev1
x1
凹口
Eg1
qVD1
尖峰
qVD
因为： Q2 Q1 QIS
当界面电荷QIS是受主电荷时，即与Q1相同，此时与无界面态电荷QIS时相 比较，显然Q1减小了，而Q2则增大了。
若QIS很小，得到：
Q1
1N AQIS 1NA 2ND
B1
VD
Va
1/ 2
Q2
2 NDQIS 1NA 2ND
B1
VD
Va
1/ 2
式中第一项为由界面态影响在空间电荷区产生的电荷量，第二项为不考虑界 面态时的空间电荷区电荷量。
一、不考虑界面态
形成异质结时，由于n型半导体（B材料）的费米能级高于P型半导体（A材 料），因此电子从n型半导体流向P型半导体，直到两块半导体具有统一的费米 能级。
由于电子与空穴的流动，在n型和P型半导体的交界面附近形成空了间电荷 区，产生自建电场，使电子在空间电荷区中各点的电势分布不同，即有附加电 势能存在，使空间电荷区中的能带发生弯曲。

第九章 异质结

第九章 异质结
第九章 异质结
由两种或两种以上不同半导体材料 接触形成的pn结。
1、分类 （1）导电类型
①反型异质结 p-n Ge-GaAs或 （p）Ge-（n）GaAs ②同型异质结 n-n Ge-GaAs或 （n）Ge-（n）GaAs ③双异质结
（n）Ga1-xAlxAs-（p）GaAs -(n） Ga1-xAlxAs （2）过渡区 ①突变结：过渡区小于1μm

分类： （1）成分超晶格 周期性改变薄层的成分而形成的超晶格。 （2）掺杂超晶格 周期性改变同一成分的各薄层中的掺杂类型 而形成的超晶格。（NIPI晶体）
b
b
c
c
z

子能带

l
χA WA
EFB
Δ Ev
E vB
3、异质结的应用 （1）提高少子的注射效率 npn晶体管

电子注射效率
jn jn j jn j p
n型宽禁带半导体和p型窄禁带半导体构成的异质结 正向偏压 主要是注入p型半导体中的电子电流 注入n型半导体中的空穴电流可忽略
p型宽禁带半导体和n型窄禁带半导体构成的异质结
②缓变结：过渡区大于1μm
（3）能带结构的不同
半金属
AlxGa1-xAs GaAs GaAs1-xSbx InxGa1-xAs GaSb
跨立型
错开型 电子空穴 分离
InAs
破隙型

2、异质结能带图 E0
χB WB E c
B
χA
EcA EFA E vA qVDA
qVD ΔEc qVDB χB
EcA EFA E vA
提高空穴注射效率
（2）调制掺杂技术提高载流子的迁移率 n
场效应管频率特性

第九章 异质结

第九章 异质结

χA WA
EFB
Δ Ev
E vB
3、异质结的应用 （1）提高少子的注射效率 npn晶体管

电子注射效率
jn jn j jn j p
n型宽禁带半导体和p型窄禁带半导体构成的异质结 正向偏压 主要是注入p型半导体中的电子电流 注入n型半导体中的空穴电流可忽略
p型宽禁带半导体和n型窄禁带半导体构成的异质结
②缓变结：过渡区大于1μm
（3）能带结构的不同
半金属
AlxGa1-xAs GaAs GaAs1-xSbx InxGa1-xAs GaSb
跨立型
错开型 电子空穴 分离
InAs
破隙型

2、异质结能带图 E0
χB WB E c
B
χA
EcA EFA E vA qVDA
qVD ΔEc qVDB χB
EcA EFA E vA
第九章 异质结
由两种或两种以上不同半导体材料 接触形成的pn结。
1、分类 （1）导电类型
①反型异质结 p-n Ge-GaAs或 （p）Ge-（n）GaAs ②同型异质结 n-n Ge-GaAs或 （n）Ge-（n）GaAs ③双异质结
（n）Ga1-xAlxAs-（p）GaAs -(n） Ga1-xAlxAs （2）过渡区 ①突变结：过渡区小于1μm
提高空穴注射效率
（2）调制掺杂技术提高载流子的迁移率 n
场效应管频率特性
+ห้องสมุดไป่ตู้
调制掺杂

（3）窗口效应
Eg2 hv Eg1 Eg1<hv<Eg2
光电池
（4）异质结激光器 粒子数占据反转： 导带中存在有大量电子， 价带中存在有大量空穴。

第九章半导体异质结结构

School of Electronic Engineering & Optoelectronic Techniques
2.考虑界面态时的能带图 通常制造突变异质结时，是把一种半导体材料在和它具有 相同的或不同的晶格结构的另一种半导体材料上成长而成 。生长层的晶格结构及晶格完整程度都与这两种半导体材 料的晶格匹配情况有关。表9-2列出若干半导体异质结的 晶格失配的百分数
School of Electronic Engineering & Optoelectronic Techniques
当悬挂键起受主作用时，则pn、np、pp异质结的能带图 如图9-9中的（d）（e）（f）图所示。 以上讨论可知，当两种半导体的晶格常数极为接近时，晶 格间匹配较好，一般可以不 考虑界面态的影响。但是在 实际中，即使两种半导体材 料的晶格常数在室温时相同 ，但考虑它们的热膨胀系数 不同，在高温下，也将发生晶格适配从而产生悬挂键，在
对式（9-21）、式（9-22）积分得
V1(x)
qN A1 x 2
21
qN A1 x1 x
1
D1
V2 (x)
qND2 x2
2 2
qND2 x2 x
2
D2
在热平衡条件下，异质结的接触电势差VD为
VD V2 (x2 ) V1(x1)
而VD在交界面p型半导体一侧的电势差为
VD1 V1(x0 ) V1(x1)
0
(9-20)
C1
qN A1x1
1
, C2
qND2 x2
2
因此，式（9-17）、式（9-18）为
dV1(x) qN A1(x x1)
(9-21)
dx
1
dV2 (x) qND2 (x2 x)

第九章半导体异质结结构

第九章半导体异质结 结构
汇报人：XX
目录
• 异质结基本概念与特性 • 异质结制备技术与方法 • 异质结器件物理基础 • 异质结在光电器件中应用 • 异质结在微纳电子器件中应用 • 异质结性能优化与未来发展趋势
01
异质结基本概念与特性
异质结定义及分类
定义
由两种或两种以上不同半导体材料组 成的结，称为异质结。
异质结界面态与缺陷
界面态
异质结界面处存在悬挂键、界面电荷等界面态，对异质结的电学性能和稳定性 产生重要影响。
缺陷
异质结在制备过程中可能引入位错、层错等缺陷，影响异质结的晶体质量和电 学性能。
典型异质结材料及性质
Si-Ge异质结
具有高迁移率、低噪声等优点，广泛应用于高速 、高频电子器件。
GaAs-AlGaAs异质结
异质结发光二极管原理
通过异质结的能带结构和载流子限制作用，实现电子 和空穴的复合发光。
常见异质结发光二极管结构
如GaN基异质结发光二极管、量子点/有机物异质结发 光二极管等，具有高亮度、高色纯度等优点。
光电探测器中的异质结结构
异质结光电探测器原理
利用异质结的能带结构和内建电场，实现光 信号到电信号的转换。
和选择性。
MEMS器件
03
将异质结结构与MEMS技术相结合，实现微型化、集成化的生
物传感器件。
其他微纳电子器件中的异质结应用
光电探测器
利用异质结的能带结构和光电效应，实现高性能的光电转换。
太阳能电池
通过设计异质结的能级匹配和光吸收特性，提高太阳能电池的转 换效率。
热电转换器件
利用异质结的热电效应，实现热能和电能之间的转换。
04
异质结在光电器件中应用

第九章 半导体异质结


显然，这些悬挂键对半导体起补偿作用。
二、计入界面态的影响
1、界面态密度较小
无论是施主态还是受主态，都不影响异质结能带的基本形状和结构。 以PN异质结为例
Ec1 Eg1 ΔEc
Ec2
设：窄带区的空间电荷为Q1
宽带区的空间电荷为Q2 界面态上电荷为QIS
Ev1 ΔEv Eg2
Ev2 x1 x0 x2
x
δ1 ΔEv
B
Eg2
Ev2
下标为1的参数为禁带宽度小的半导体材料的物理参数； 下标为2的参数为禁带宽度大的半导体材料的物理参数。
一、不考虑界面态
形成异质结时，由于n型半导体（B材料）的费米能级高于P型半导体（A材
料），因此电子从n型半导体流向P型半导体，直到两块半导体具有统一的费米 能级。
由于电子与空穴的流动，在n型和P型半导体的交界面附近形成空了间电荷
二、计入界面态的影响
以金刚石结构为例：
以（111）晶面为交界面时，其悬挂键密度为：
4 a2 a1 N S 2 2 3 a1 a2
2
2
以（110）晶面为交界面时，其悬挂键密度为：
4 a2 a1 N S 2 2 2 a1 a2
2
2
以（100）晶面为交界面时，其悬挂键密度为：
第 九 章
半导体异质结的组成与生长
第九章 Part 1 9.1 半导体异质结的一般性质 9.2 半导体异质结的能带结构
9.3 异质PN结的注入特性
9.4 理想突变异质结的伏安特性
9.1 半导体异质结的一般性质
由两种不同的半导体单晶材料形成的PN结称为异质结。 1951年由Gubanov首先提出了异质结的概念； 1957年克罗默得到了“导电类型相反的两种不同的半导 体单晶材料制成的异质结，比同质结具有更高的注入效率。

第九章半导体异质结结构


面的时悬挂键密度为
Ns
4
3
a22 a12 a12a22
(9-8)
同理（110）晶面，悬挂键密度为
Ns
4
2
a22 a12 a12a22
(9-9)
School of Electronic Engineering & Optoelectronic Techniques
同理（110）晶面，悬挂键密度为
School of Electronic Engineering & Optoelectronic Techniques
如果从一种半导体材料向另一种半导体材料得过渡只发生 于几个原子范围内，则称为突变型异质结。如果发生于几 个扩散长度范围内，则称为缓变形异质结。 1.不考虑界面态时的能带图 （1）突变反型异质结能带图
d
2V1 ( x) dx2
qN A1
1
x1 x x0
d 2V2 (x) qND2
dx2
2
x0 x x2
将(9-15)(9-16)积分一次得
dV1(x) dx
qN A1x
1
C1
x1 x x0
dV2 (x) dx
qN D 2 x
2
C2
x0 x x2
(9-15) (9-16)
(9-28) (9-29) (9-30) (9-31)
School of Electronic Engineering & Optoelectronic Techniques
交界面处引入界面态。
9.1.2 突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度
以突变pn异质结为例
设p型和n型半导体中的杂志都是均匀分布的，则交界面两 边的势垒区中的电荷密度可以写成
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分类： （1）成分超晶格 周期性改变薄层的成分而形成的超晶格。 （2）掺杂超晶格 周期性改变同一成分的各薄层中的掺杂类型 而形成的超晶格。（NIPI晶体）
b
b
c
c
z

子能带

l
②缓变结：过渡区大于1μm
（3）能带结构的不同
半金属
AlxGa1-xAs GaAs GaAs1-xSbx InxGa1-xAs GaSb
跨立型
错开型 电子空穴 分离
InAs
破隙型

2、异质结能带图 E0
χB WB E c
B
χA
EcA EFA EvA qVDA
qVD ΔEc qVDB χB
EcA EFA E vA
提高空穴注射效率
（2）调制掺杂技术提高载流子的迁移率 n
场效应管频率特性
+
调制掺杂
Hale Waihona Puke （3）窗口效应Eg2 hv Eg1 Eg1<hv<Eg2
光电池
（4）异质结激光器 粒子数占据反转： 导带中存在有大量电子， 价带中存在有大量空穴。

4、考虑界面态时的能带图
a1 a2
p233
5、半导体超晶格 由交替生长两种半导体材料薄层组成的一 维周期性结构，其薄层厚度的周期小于电 子的平均自由程的人造材料。 制备方法： 分子束外延（MBE）-单原子的生长 金属有机化合物汽相淀积（MOVCD）
第九章 异质结
由两种或两种以上不同半导体材料 接触形成的pn结。
1、分类 （1）导电类型
①反型异质结 p-n Ge-GaAs或 （p）Ge-（n）GaAs ②同型异质结 n-n Ge-GaAs或 （n）Ge-（n）GaAs ③双异质结
（n）Ga1-xAlxAs-（p）GaAs -(n） Ga1-xAlxAs （2）过渡区 ①突变结：过渡区小于1μm
χA WA
EFB
ΔEv
E vB
3、异质结的应用 （1）提高少子的注射效率 npn晶体管

电子注射效率
jn jn j jn j p
n型宽禁带半导体和p型窄禁带半导体构成的异质结 正向偏压 主要是注入p型半导体中的电子电流 注入n型半导体中的空穴电流可忽略
p型宽禁带半导体和n型窄禁带半导体构成的异质结