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62256芯片62256芯片是一种静态随机存储器(SRAM)，它具有62256个存储位置，每个位置可以存储8位数据。
下面将详细介绍62256芯片的特点、工作原理以及应用领域。
62256芯片的主要特点如下：1. 高容量：62256芯片共有62256个存储位置，每个位置可以存储8位数据。
因此，它具有较高的存储容量，能够满足大部分存储需求。
2. 快速访问：62256芯片的存取时间较短，能够快速地进行数据的读写操作。
这对于一些对存储速度有要求的应用来说非常重要。
3. 静态存储器：62256芯片是一种静态随机存储器(SRAM)，不需要进行刷新操作，能够实时地保存数据。
这样可以节省系统资源并提高存储效率。
4. 低功耗：62256芯片在存储数据时不需要刷新操作，因此功耗较低。
这对于一些功耗敏感的应用来说非常有优势。
62256芯片的工作原理是通过存储单元和控制电路实现的。
每个存储单元由一个存储电容和一个存储开关组成。
控制电路的作用是控制数据的读写操作，并为存储单元提供所需要的电源和时钟信号。
在读取数据时，控制电路将读取地址发送给存储单元，并打开相应的存储开关，将存储单元中的数据输出到数据总线上。
在写入数据时，控制电路将写入地址和数据发送给存储单元，并打开相应的存储开关，将数据写入到存储单元中。
同时，控制电路还可以根据需要进行数据的复位、使能和屏蔽操作。
62256芯片主要应用于嵌入式系统中，广泛用于各种电子设备中的数据存储和缓存。
它可以存储程序代码、系统配置信息和用户数据等。
常见的应用场景包括计算机、通信设备、医疗设备、工控设备等。
随着科技的进步和应用领域的扩大，62256芯片的应用范围还将继续扩大。
总之，62256芯片是一种高容量、快速访问、低功耗的静态随机存储器。
它适用于各种数据存储和缓存应用，广泛应用于嵌入式系统中。
随着技术的不断发展，我们相信62256芯片将会有更广阔的应用前景。
华北电力大学科技学院实验报告||实验名称实验一开发器的使用与设计实验实验二中断8259应用、定时/计数器8253应用实验三并行接口8255应用实验四存储器拓展实验实验五A/D转换结果送数码管显示课程名称微机原理实验与课程设计||专业班级学生姓名：学号：成绩：指导教师：张少敏实验日期：2013/5实验一、数据转换实验一、实验目的1、初步掌握在PC机上建立、汇编、链接和运行8086/88汇编语言程序的过程。
2、通过对两个验证性实验的阅读、调试，掌握不同进制数及编码相互转换的程序设计方法。
3、完成程序设计题，加深对数码转换的理解，了解简单程序设计方法。
二、实验条件一台计算机三、实验内容与步骤1)设二字节十六进制数存放于起始地址为3500H的内存单元中，把他们转换成ASCII码后，再分别存入起始地址为350AH的四个内存单元。
从书上ASCII码表中可知十六进制数加30H即可得到0H~9H的ASCII码，而要得到AH~FH的ASCII码，则需再加7H。
2)参考程序如下：CODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART:MOV CX,0004hMOV DI,3500HMOV AX,0000HMOV DS,AXMOV DX,[DI]A1：MOV AX,DXAND AX,000FHCMP AL,0AHJB A2ADD AL,07HA2：ADD AL,30HMOV[DI+0AH],ALINC DIPUSH CXMOV CL,04HSHR DX,CLPOP CXLOOP A1MOV AH,4CHINT21HCODE ENDSEND START四、实验结论与分析错误分析：在保存文件时，第一步忘了加后缀.ASM，导致打开不了文件。
实验结果:在调试运行后350AH的内存单元中会显示3500H中所转换的对应的ASCII码。
五、实验心得在这次课程设计的过程中的收获是很大的。
这次课程设计我主要是应用老师教的相关知识及自己的一些想法，完成了数据转换问题。
实验一存储器扩展实验
1 实验目的
1)、熟悉存储器扩展方法。
2)、掌握存储器的读/写
2 实验预习要求
1)、复习教材中存储器扩展的有关内容，熟悉存储器扩展时地址总线、控制总线及数据总线的连接方法，
了解静态RAM的工作原理。
2)、预先编写好实验程序。
3 实验内容
1)、连接电路
2)、编写程序，将字母‘A’~‘Z’循环存储在扩展的SRAM 62256存储器芯片D8000H开始的单元中，然
后再将其从62256中读出并在屏幕上显示。
4 实验提示
1）、62256芯片的容量为32K⨯8位，芯片上的地址引脚A0~A14（共15根）连接至系统的地址总线A1~A15，用来对片内32K个存储单元进行寻址。
片选信号CS接至实验台的MY0。
芯片上的8个数据引脚D0~D7直接与系统的数据引脚相连。
控制信号RD、WR分别连接到实验台的MRD#和MWR#。
写操作时，芯片上的控制信号CS=0，WR=0，RD=1；读操作时，CS=0，RD=0，WR=1。
2）、实验程序流程图如图所示。
5 实验报告要求
1)、根据流程图编写实验程序，并说明在实验过程中遇到了哪些问题，是如何处理的。
2)、总结存储器系统的基本扩展方法。
3)、写出实验小结，内容包括实验心得（收获）、不足之处或今后应注意的问题等。
静态存储器扩展实验报告静态存储器扩展实验报告⼀、实验⽬的1．掌握单⽚机系统中存储器扩展的⽅法；2．掌握单⽚机内部RAM和外部RAM之间数据传送的特点。
⼆、软件、硬件环境要软件、硬件环境要求1、软件环境要求Windows XP操作系统以及Keil C51 单⽚机集成开发环境。
2、硬件环境要求电脑⼀台，TD-51单⽚机系统。
三、实验内容编写实验程序，在单⽚机内部⼀段连续RAM 空间30H～3FH 中写⼊初值00H～0FH，然后将这16 个数传送到RAM 的0000H ～000FH 中，最后再将外部RAM 的0000H～000FH 空间的内容传送到⽚内RAM 的40H～4FH 单元中。
四、实验原理存储器是⽤来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1 位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
因此，静态RAM⼯作稳定，不要外加刷新电路，使⽤⽅便。
但⼀般SRAM 的每⼀个触发器是由6个晶体管组成，SRAM 芯⽚的集成度不会太⾼，⽬前较常⽤的有6116（2K×8 位），6264（8K×8 位）和62256（32K×8位）。
本实验以62256为例讲述单⽚机扩展静态存储器的⽅法。
SST89E554RC 内部有1K 字节RAM，其中768 字节（00H～2FFH）扩展RAM 要通过MOVX指令进⾏间接寻址。
内部768 字节扩展RAM 与外部数据存储器在空间上重叠，这要通过AUXR 寄存器的EXTRAM 位进⾏切换，AUXR 寄存器说明如下：EXTRAM：内部/外部RAM 访问0：使⽤指令MOVX @Ri/@DPTR 访问内部扩展RAM，访问范围00H～2FFH，300H 以上的空间为外部数据存储器；1：0000H～FFFFH 为外部数据存储器。
AO：禁⽌/使能ALE0：ALE 输出固定的频率；1：ALE 仅在MOVX 或MOVC 指令期间有效。
数据存贮器扩展实验一、实验目的1、学习片外存贮器扩展方法。
2、学习数据存贮器不同的读写方法。
二、实验内容使用一片62256RAM，作为片外扩展的数据存贮器，对其进行读写。
三、实验说明本实验采用的是55H（0101，0101）与AAH（1010，1010），一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实验调试用户电路时非常有效。
编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写，若L1灯闪动说明RAM读写正常。
四、实验接线图图（12－1）五、实验框图六、实验步骤1、RAM_CS插孔连到译码输出P2.7插孔，P1.0连接到L0。
2、调试运行程序test12中RAM.ASM。
对62256进行读写。
若L1灯闪动，表示62256RAM读写正常。
ORG 0000HAJMP STARTORG 0030HSTART: MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000HMOV R6,#0FHMOV A,#55HRAM1: MOV R7,#0FFHRAM2: MOVX @DPTR,ACLR P1.0INC DPTRDJNZ R7,RAM2DJNZ R6,RAM1MOV DPTR,#0000HMOV R6,#0FHRAM3: MOV R7,#0FFHRAM4: MOVX A,@DPTRCJNE A,#55H,RAM6SETB P1.0INC DPTRDJNZ R7,RAM4DJNZ R6,RAM3RAM5: CLR P1.0CALL DELAYSETB P1.0CALL DELAYSJMP RAM5DELAY: MOV R5,#0FFHDELAY1: MOV R4,#0FFHDJNZ R4,$DJNZ R5,DELAY1RETRAM6: SETB P1.0SJMP RAM6END#include <reg51.h>#include <ABSACC.h>void delay(void);sbit P1_0=P1^0;void main(void){unsigned char tmp2;unsigned int tmp1,i1;SP=0x60; i1=0;for (tmp1=0;tmp1<0x3fff;tmp1++){XBYTE[0X0000+i1]=0x55;tmp2=XBYTE[0X0000+i1];if (tmp2!=0x55){while(1) P1_0=0;}P1_0=!P1_0;delay();i1++;XBYTE[0x0000+i1]=0xaa;tmp2=XBYTE[0X0000+i1];if (tmp2!=0xaa){while(1) P1_0=0;}P1_0=!P1_0;i1++;delay();}}void delay(void){unsigned char ii;unsigned int jj;for (ii=0;ii<15;ii++)for (jj=0;jj<0xFF;jj++);}。
实验二RAM扩展实验（请在实验课前写好预习报告，预习报告日期必在做实验课之前，预习报告中应该出现跟实验1内容相关的原理，电路图（可简画），流程图（或是程序，有程序就必带注释））实验仪器：pc机，8086k微机原理实验箱实验目的：1.掌握存储器芯片的特性及与CPU的连接方法。
2.掌握访问连续存储空间的方法。
注意实验报告中3个内容每人都要做，1通过实验课前仿真实验完成，2,3是实验课时完成。
每个具体实验内容包括：写出电路图，连线，流程图，程序（必须在关键地方加上注释），实验结果，问题分析和每个实验内容中的思考题。
0实验内容：（1必须在实验课前通过仿真实验完成，电路为EX2_1.DSN,程序为EX2_1.ASM）1.利用62256(32K×8bit)的静态SRAM芯片进行扩展，要求扩展的存储器容量为64KB，且要求和8086CPU相连接。
扩展后，利用此扩展的存储体进行读写访问，将内存0000H:4000H 地址开始的位置至0000H:4063H位置处依次写上0-99。
实验连线：提示：应该有哪三类线？实验流程图参考实验程序：assume cs:codecode segmentstart:mov ax,0000h ;设置DS的段地址值为0mov ds,axmov bx,4000H ;利用BX存放存储单元的偏移地址，从200H开始mov al,0 ;AL中为要写到存储单元中的数据。
初始值为1mov ds:[bx],al ;将1写入内存0000H:4000H地址处mov cx,100 ;设置循环次数为100次l1:mov ds:[bx],al ;循环体目的将AL中的值填入存储器inc bx ;偏移地址指针下移一个字节inc al ;待填充到存储单元的数据也自增1loop l1 ;根据CX的次数执行上面的循环体int 3 ;断点中断，目的是为了观察内存结果，用实验箱做实验时，不用这步code endsend start提示：如果仿真过程中把内存窗口关掉，可以按图中所示选择调试菜单中：即可出现思考问题：1）通过EX2_1.DSN仿真运行结果观察两块62256芯片写入的内容各有什么特点？为什么会产生这样的结果？2）停止运行，观察EX2_1.DSN仿真图，U7：62256芯片的片选段CE由那两个信号进行或运算获得？这两个信号都为哪种电平时才能选中这块U7：62256芯片。
实验一：扩展存储器读写实验一.实验要求编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。
二.实验目的1．学习片外存储器扩展方法。
2．学习数据存储器不同的读写方法。
三.实验电路及连线将P1.0接至L1。
CS256连GND孔。
四.实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。
用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。
用户编程可以参考示例程序和流程框图。
本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。
不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。
读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。
一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。
用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。
2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常。
3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE，屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。
注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。
4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。
五.实验程序框图实验示例程序流程框图如下：六.实验源程序：ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址MOV A,#55H ;测试的数据一MOV B,AMOVX @DPTR,A ;写外部RAMMOVX A,@DPTR ;读外部RAMXRL A,B ;比较读回的数据JNZ ERRORMOV A,#0AAH ;测试的数据二MOV B,AMOVX @DPTR,AMOVX A,@DPTRXRL A,BJZ PASS ;测试通过ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LEDSJMP $PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换MOV R1,#00H ;延时DELAY: MOV R2,#00HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAYLJMP START ;循环测试END实验二P1口输入、输出实验一.实验要求1.P1口做输出口，接八只发光二极管，编写程序，使发光二极管循环点亮。
62256是32K的低功耗静态RAM存储器. 用P0和P2来扩展外部ram（就是用P0和P2与62256对应的管脚相连接），假设P3.6接WR，P3.7接RD，P2.7接CS，那么就可以确定外部RAM的一个地址，想往外部RAM的一个地址写一个字节时，地址可以定为XBYTE [0x8000]，其中WR，CS为低，RD为高，那就是（也就是P2.7和P3.6输出了低电平，而P3.7输出了高电平，目的当然是要选通62256并且向62256写入数据），其它位的可以根据情况自己定（也就是其它位是什么不打紧，关键就是控制wr，cs，rd的那几个位要符合选通，读，写的规定就可以了），现在我们向62256中写个26进去就可以使用这条语句：XBYTE [0x8000] = 26MCS-51单片机系统扩展时，一般使用P0口作为地址低8位（与数据口分时复用），而P2口作为地址高8位，它共有16根地址总线，寻址空间为64KB。
62256 引脚功能A0 – A14 地址总线(Address)D0 /D7 输入/输出口(nput/output)CS 端口选择(Chip select) WE 输入始能(Write enable) OE 输出始能(Output enable) VCC 电源始能(Power supply)VSS 接地(Ground)Program:读写操作#include <reg51.h>#include <absacc.h>#define ramaddress XBYTE[0X0000] //外部存儲器地址看電路unsigned char sum;void main(){unsigned char xdata *pt;//外部存儲器類型指針unsigned char i,sumtemp;pt=&ramaddress; //首地址P1=0x0f;for(i=0;i<20;i++){*(pt+i)=i+1; //write外部存儲器操作}sum=0;for(i=0;i<20;i++){sumtemp=*(pt+i);//read外部存儲器操作sum=sum+sumtemp;}P1=sum; //read結果在P1口 display.。
HM62256RAM的应用：就像在计算机里面有内存条存在一样，在很多电子产品的电路中，常常会有数据临时存储的应用，单片机通常内部有128个字节或者256个字节的RAM区，但实际应用中，一般来说是不够用的，此时就需要外部扩展RAM。
RAM是随机存储器，特点是掉电就会丢失数据。
RAM有动态RAM（即DRAM）和静态RAM （SRAM）之分。
两者是有很大差别的，DRAM需要刷新电路，操作比较复杂，但是价格便宜。
SRAM价格贵，但是接口及操作很方便。
结合这两者的特点，又产生SDRAM，延伸的有DDR这些RAM，这些RAM应用在不同的场合。
在学习板上，我们选择了SRAM提供给大家了解外部存储器的一个机会。
62256简介：62系列是最常用的单片机系统扩展RAM元器件，其类型有6216、6232、6264、62128、62256或62512等多种，62后面的数字表示此元器件中可以存储的位(单位：千bit)，我们通常的说法是将此值除以8，比如62256将256除以8，我们一般称之为32K的RAM。
如果学习过二进制就可以知道，区分两个字节需要一根地址线就可以：0或者1；而区分四个字节需要2根地址线；区分八个字节需要三根地址线…..以此类推，我们可以计算出要区分32K的RAM区，需要15根地址线，也就是器件上面的A0-A14管脚用于确定唯一的一个字节内容。
我们现在学习的51单片机是8位的，所以必须用两个IO口来联接这个RAM 器件，通常我们用P0（低字节）和P2（高字节）两个端口来确定此器件的地址，而P0口是51单片机标准的总线口，是地址线和数据线复用的，所以与62256联接时需要加一片锁存器来锁存地址。
即先将地址送到锁存器（通常用74HC373）中，然后P0口空闲下来后开始接收或发送数据至62256。
关于地址的一些知识：学习62256的时候不可避免的要用到地址的概念，而地址的知识是区别一个初学者和一个电子工程师的主要的关键点之一，学习单片机里面的指令时，我们常常会发现这样的语句：MOV DPTR，#5000HMOV A，#55HMOVX @DPTR，A看懂和看不懂，是电子知识是否入门的一个标志，下面就地址方面的知识以简单的话来讲解一次：电子产品上面一般只有一个单片机（MCU），就像计算机里面的CPU一样，是这个电子产品的大脑和司令部，外部通常有很多元器件围绕着它，当外围的器件数量不多时，我们可以用单片机上面本身带有的四个端口（共32个管脚）来直接与外围器件进行联系，X101型学习板就是这种形式。
