半导体激光器参数测试仪(精)

半导体激光器实验报告半导体激光器实验报告引言：半导体激光器是一种重要的光电子器件，具有广泛的应用领域，如通信、医疗、工业等。

本实验旨在通过搭建实验装置，研究半导体激光器的工作原理和性能特点，并探索其在光通信领域的应用。

实验一：激光器的工作原理激光器的工作原理是基于光放大和光反馈的原理。

在实验中，我们使用一台半导体激光器，通过电流注入激发半导体材料，产生光子。

这些光子在激光腔中来回反射，不断受到增益介质的放大，最终形成激光束。

实验装置中的关键组件包括半导体激光器、激光腔、准直器和光探测器。

半导体激光器通过电流注入，激发载流子跃迁，产生光子。

光子在激光腔中来回反射，经过准直器调整光束的方向，最后被光探测器接收。

实验二：激光器的性能特点在实验中，我们测试了激光器的输出功率、波长和光谱宽度等性能指标。

通过改变注入电流和温度等参数，我们研究了激光器的输出特性。

首先，我们测试了激光器的输出功率。

通过改变注入电流，我们观察到激光器输出功率随电流增加而增加的趋势。

然而，当电流达到一定值后，激光器的输出功率不再增加，甚至出现下降。

这是由于激光器的光子数饱和效应和损耗机制导致的。

其次，我们测量了激光器的波长。

通过调节激光腔的长度，我们观察到激光器的波长随腔长的变化而变化。

这是由于激光腔的谐振条件决定了激光器的输出波长。

最后，我们研究了激光器的光谱宽度。

通过光谱仪测量激光器的光谱分布，我们发现激光器的光谱宽度与注入电流和温度有关。

随着注入电流的增加和温度的降低，激光器的光谱宽度变窄，光纤通信系统中要求的窄光谱宽度可以通过适当的调节实现。

实验三：半导体激光器在光通信中的应用半导体激光器在光通信领域有着重要的应用。

我们通过实验研究了激光器在光纤通信中的应用。

首先，我们将激光器的输出光束通过光纤传输。

通过调节激光器的输出功率和波长，我们实现了光纤通信中的光信号传输。

通过光探测器接收光信号，并通过示波器观察到了传输过程中的光信号波形。

半导体参数分析仪技术参数
一、设备名称：半导体参数分析仪
二、采购数量：1台
三、技术参数及配置要求：
1. 半导体参数分析仪主机具有可扩展能力，可用插槽数目：不小于8个；
2. 具有4路SMU模块，可测量IV特性；其中2路中功率SMU模块输出能力：10mA@100V, 10mA@50V, 10mA@30V, 100mA@10V，其中2路高功率SMU模块输出能力：50mA@200V, 100mA@100V, 100mA@40V, 1A@20V, 1A@2V，SMU模块最小测量分辨率为：电流 50fA，电压 0.5uV；
3. 具有1路电容测量模块，电容测试模块测试频率范围：1kHz至5MHz，电容测试精度（1pF,1MHz）±1.2%；电容测量扫描方式：C-V（直流偏置），C-f(测试频率)；
4. 提供用于TO，DIP封装器件的测试夹具；
5. 仪表内置Window7操作系统，带触摸式显示屏
6. 提供专用的测试软件对仪表进行控制和提取测试数据，具有曲线追踪功能，便于观察器件击穿和饱和情况；
四、安装、售后及培训：
1、交货期：合同正式生效后45天内到货。

2、质保期：自验收之日起，仪器设备至少免费保修三年。

保修期内维修上门取货送货；
3、包含该设备运输，上楼搬运。

仪器安装、验收：专业工程师提供免费的安装调试，并按照出厂指标验收。

4、培训：免费提供该仪器设备培训；提供本设备全套操作教学视频。

五、注意事项：
招标现场提供相关证据，证明能达到的功能和参数。

1。

半导体激光治疗仪参数要求
半导体激光治疗仪1台，设备需原装进口，并需满足下列参数要求。

1、需适用于医疗机构开展去除人体毛发的临床治疗工作。

2、半导体激光波长需为755nm或者810nm。

3、脉宽需为3-125ms。

4、需具有多种快速无痛的脱毛模式和多种肤色的治疗模式。

5、需具有彩色触摸屏控制方式。

6、需具有激光内置式手具，不需光纤传导可实现直接传输；手具上需具有控制开关，可实现手动控制；激光输出窗口介质需为宝石材质。

7、光斑形状需为方形光斑，半导体手具光斑尺寸需不小于15x10mm。

8、需为内置接触式冷却方式，可直接对激光输出窗口介质进行冷却。

9、半导体激光能量密度755nm波长需为1-60J/cm2可调，810nm波长需为1-120J/cm2可调，重复频率需为0.5-10Hz可调。

10、需配备专用激光防护眼镜1副。

11、整套设备自验收合格之日起原厂保修期不低于两年。

许昌市中心医院。

半导体激光器特性测量一、实验目的：1.通过本实验学习半导体激光器原理。

2.测量半导体激光器的几个主要特性。

3.掌握半导体激光器性能的测试方法。

二、实验仪器：半导体激光器装置、WGD-6型光学多道分析器、电脑等。

三、实验原理：WGD-6 型光学多道分析器，由光栅单色仪，CCD 接收单元，扫描系统，电子放大器，A/D 采集单元，计算机组成。

该设备集光学、精密机械、电子学、计算机技术于一体。

光学系统采用C－T 型，如图M1 反射镜、M2 准光镜、M3 物镜、M4 转镜、G 平面衍射光栅、S1 入射狭缝、S2 光电倍增管接收、S3 CCD 接收。

入射狭缝、出射狭缝均为直狭缝，宽度范围0－2mm 连续可调，光源发出的光束进入入射狭缝S1、S1 位于反射式准光镜M2 的焦面上，通过S1 射入的光束经M2 反射成平行光束投向平面光栅G 上，衍射后的平行光束经物镜 M3 成像在S2 上。

四、实验内容及数据分析1.半导体激光器输出特性的测量：a)将各仪器按照要求连接好；b)打开直流稳压电源，打开光多用仪；c) 将激光器的偏置电流输入插头接于稳压电源的电流输出端；d) 将激光器与光多用仪的输入端相连并使探头正好对激光器输出端，打开光多用仪； e) 缓慢增加激光器输入电流（0mA~36mA ），注意电流不要超过ＬＤ的最大限定电流（实验中不超过38mA ）。

从功率计观察输出大小随电流变化的情况； f) 记录数据； g) 绘图绘成曲线。

实验数据及结果分析： I （mA ） 1.02.03.04.05.06.07.0 8.09.010.011.0 12.0 P (uW) 0.40 0.80 1.25 1.75 2.25 2.85 3.54.255.05 5.956.98.0I （mA ） 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0 21.0 22.0 23.0 24.0 P (uW) 9.310.7512.4514.5517.8522.941.0311.5753.51179.51594.51845.0根据以上实验数据绘制I —P 曲线:半导体激光器输出特性2004006008001000120014001600180020000510152025I(mA)P(uW)实验结果分析：通过半导体激光器的控制电源改变它的工作电流I ，测量对应的发光功率P ，以P 为纵轴，I 为横轴作图，描成曲线。

半导体激光治疗仪技术参数要求
1、激光类型：半导体激光器（进口激光器）
2、波长： 980nm（±10nm）
3、光学技术：光学耦合技术
★4、最大输出功率：30W±2W ，连续可调
5、输出方式：连续脉冲，重复脉冲，单脉冲
6、重复脉冲宽度：0.01ms-1000ms, 脉冲频率 0.5Hz-10000Hz
7、单脉冲宽度：0.01ms-1000ms
8、传输系统：带SMA-905标准连接器的400μm,600μm光纤和探头，并且注册
证中包含光纤传输系统
★9、适用范围：注册证中须注明可对体表和腔道内血管性病变进行接触式汽化、凝固、切割治疗
10、指示光：激光二极管635nm（±20nm）≤5mW 亮度1-7档可调
★11、出光定时：0—999秒，连续可调
12、操作方式：高档精密彩色触摸液晶屏（800×600像素）
13、电源输入：220V ,5A,50Hz
14、冷却方式：风冷
15、激光类别：4类激光
16、安全分类：Ⅰ类B型
17、方案存储：可存储16种治疗方案，方便随时调取
★18、功率检测：内置激光功率反馈监测系统，可以检测和校准功率，确保激光输出功率精确
★19、认证：欧盟CE认证
★20、所投机型在四川省内医院装机台数≥5台，并提供用户名单和联系电话。

以上参数为参考参数，具体参数及要求以询价文件为准。

附件二
潜在投标人报名备案表。

半导体激光器测试方法
半导体激光器是一种常见的光电器件，通过将电能转化为光能产生激光。

为了确保半导体激光器的性能和质量，需要进行各种测试。

以下是常见的半导体激光器测试方法：
1.激光器波长测试：使用光谱仪进行激光器波长的检测，以确保激光器的波长符合要求。

2.光功率测试：测量激光器的输出功率，以确保激光器的输出功率符合要求。

这可以使用功率计或功率传感器进行测量。

3.光电特性测试：通过测量激光器的光电流和光谱特性等参数，来确定激光器的光电特性。

4.稳定性测试：对激光器进行长时间的稳定性测试，以确保激光器的性能和可靠性。

5.阈值电流测试：测试激光器的阈值电流，以确定激光器的启动电流和电压。

6.温度测试：测试激光器在不同温度下的性能，以确定激光器在各种环境下的工作条件。

半导体激光器测试是半导体激光器制造过程中非常重要的一环，只有通过严格的测试可以确保激光器的性能和质量。

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《InP基1550 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着信息技术的快速发展，光通信技术在长距离、大容量通信系统中发挥着重要作用。

作为光通信系统的核心元件之一，半导体激光器在光电领域得到了广泛的应用。

本文针对InP基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行了深入研究，为进一步优化激光器性能、提升通信系统效率提供理论支持。

二、InP基1550 nm半导体激光器概述InP基1550 nm半导体激光器是一种以InP为基底材料，工作波长为1550 nm的半导体激光器。

由于其具有低损耗、高带宽等优点，在光通信系统中得到了广泛应用。

然而，激光器的性能受外延结构、材料质量、制造工艺等多种因素影响。

因此，对InP 基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行研究具有重要意义。

三、外延结构设计3.1 结构设计思路本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器外延结构，主要考虑了以下几个方面：波导层、有源区、注入区以及电流阻挡层等。

通过优化各层厚度、掺杂浓度及组分等参数，实现激光器的优异性能。

3.2 具体结构设计本结构采用多量子阱（MQW）作为有源区，以提高激光器的增益和光子寿命。

同时，通过引入电流阻挡层，有效控制电流的分布，降低阈值电流密度。

此外，优化波导层的设计，提高光束质量，降低传输损耗。

四、光电性能研究4.1 实验方法本实验采用分子束外延（MBE）技术制备InP基1550 nm半导体激光器外延片，并通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备器件。

利用光学测试系统、电流电压测试仪等设备对激光器的光电性能进行测试和分析。

4.2 实验结果与分析（1）阈值电流密度：本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器阈值电流密度较低，表明器件具有较好的电流注入效率。

这主要得益于电流阻挡层的优化设计以及有源区的多量子阱结构。

（2）光束质量：通过优化波导层设计，本激光器具有较低的光束发散角和较小的传输损耗。

半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪技术标准可能包括以下内容：
1. 治疗波长：半导体激光治疗仪使用的激光波长应符合相关国家或行业标准，例如在医疗领域常用的激光波长为650纳米至1000纳米。

2. 激光功率和能量密度：治疗仪的激光功率和能量密度应符合安全标准，并能够满足不同治疗需求，例如在医疗领域通常要求功率在几毫瓦至几十瓦的范围内。

3. 光斑大小和均匀性：治疗仪的光斑大小和均匀性应满足治疗需求，例如在医疗领域通常要求光斑直径在几毫米至几厘米的范围内，而且应具有均匀的能量分布。

4. 工作模式和治疗参数：治疗仪应支持不同的工作模式，例如连续输出模式和脉冲输出模式，并且应允许用户调整治疗参数，如激光功率、脉冲频率等。

5. 安全性能：治疗仪应具备相应的安全性能，包括但不限于过热保护、过载保护、电磁辐射等。

6. 使用界面和操作方式：治疗仪的使用界面应简洁明了，操作方式应方便易懂，以提高操作者的使用体验和效率。

7. 质量和可靠性：治疗仪应具备良好的质量和可靠性，能够稳定可靠地工作，并且应符合相关国家或地区的质量认证标准。

8. 兼容性：治疗仪应具备一定的兼容性，能够与其他相关设备或系统进行连接和通信，以便实现数据传输和管理。

以上仅为一般性的技术标准，具体的半导体激光治疗仪技术标准可能还会因不同的应用领域和行业而有所区别。

半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪是一种应用于医疗领域的设备，使用半导体激光器发射出的特定波长的激光光束，对人体进行治疗和康复。

以下是一些半导体激光治疗仪的常见技术标准：
1. 波长范围：半导体激光治疗仪通常具有特定的波长范围，常见的波长包括650纳米、808纳米、980纳米等。

不同波长的光能在治疗过程中具有不同的作用和效果。

2. 输出功率：输出功率是指激光器每秒钟发射的激光能量，通常以瓦特（W）为单位。

输出功率的大小会影响治疗的深度和强度。

3. 能量密度：能量密度是指激光能量在单位面积上的分布情况，通常以焦耳/平方厘米（J/cm²）为单位。

适当的能量密度可以确保治疗效果，并避免对组织造成损伤。

4. 脉冲模式：半导体激光治疗仪可能支持不同的脉冲模式，如连续波、脉冲和调制等。

不同脉冲模式可以适应不同的治疗需求。

5. 治疗模式：半导体激光治疗仪可以提供多种治疗模式，如单点照射、扫描治疗、面板照射等。

不同的治疗模式适用于不同的治疗场景和部位。

6. 安全性：半导体激光治疗仪需要符合相关的安全标准和规定，确保在使用过程中对患者和操作人员的安全。

7. 制造质量：半导体激光治疗仪的制造商应符合相关的质量管理体系和认证要求，如ISO 13485标准等，以确保产品的质量和可靠性。

请注意，具体的技术标准可能因不同的产品和厂家而有所差异。

在购买半导体激光治疗仪时，建议与厂家沟通，并了解其具体的技术规格和性能参数。