平板波导理论
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第2章介质光波导分析方法2.1 平板介质光波导一般概念2.1 平板介质光波导一般概念波动理论法则是把平板介质光波导中的光波看作是满足波导边界条件的麦克斯韦方程组的解。
2.2 平板光波导分析的射线法振幅反射率和附加相移振幅反射率和附加相移S 波(TE 波——电矢量平行于界面)振幅反射率:光传播过程相位变化:光波不仅在介质中传播过程中相位会发生改变,在界面上反射时相位也会变化。
对于θ1 < θ1c ,界面上发生全反射,此时上式的分子和分母中第二个平方根内为负数,因此得到的振幅反射率r 为复数。
1.106分子分母同乘k )振幅反射率和附加相移振幅反射率和附加相移s 波( TE波——电矢量平行于界面) 附加相移为:p 波( TM波——磁矢量平行于界面)在界面发生全反射时引起的附加相移为:(1.145)(1.144)界面:n1、n2、n3的界面,不是入射面平板波导中的其他光场均可视为TEM 模:模式只有横向分量,而无纵导模特征方程导模特征方程入射光线两次反射后与入射光线同方向传输特征方程特征方程A、B 两点的距离为:C、D两点的距离为:光线CD 还经历了两个附加相移:分别是介质1、3 界面处全反射的附加相移ϕ3 和介质1、2 界面处全反射的附加相移ϕ2.平板光波导的特征方程:特征方程特征方程 界面处的附加相移会因入射光偏振方向的不同而有所差异,因此就能够得到两个不同模式下的特征方程电矢量平行于界面的导波式中:特征方程特征方程同样地,磁矢量平行于界面的导波TM 模的特征方程(代入ΦM2和ΦM3) :这里采用的是简单光线传播的射线理论。
实际上,从麦克斯韦方程出发,结合介质界面处的边界条件也可以推导出以上特征方程。
引入的几个重要参数——都是θ的函数,得到一个光波模式的波矢就可以求解其他引入的几个重要参数——都是θ的函数,得到一个光波模式的波矢就可以求解其他纵向波矢横向波矢衰减系数< n 1kn 2k << n 1k2.3 平板光波导中的TE模TE模的电磁理论求解TE模的电磁理论求解平板光波导中的TE模仅有E y由麦克斯韦方程:(2.30)TE模的电磁理论求解TE模的电磁理论求解的式子因此可以将H的分量表示为Ey代入式(2.30),可以得到关于Ey的波动方程,j = 1;2;3 表示分别是在芯层、衬底和覆盖层。