反激 同步整流设计

由于传统开关电源存在对电网造成谐波污染以及工作效率低等问题，因此目前国内外各类开关电源研究机构正努力寻求运用各种高新技术改善电源性能[1]。

其中，在开关电源设计中通过功率因数校正PFC(Power Factor Correction)技术降低电磁污染及利用同步整流技术提高效率的研发途径尤其受到重视。

参考文献[2-3]专题研讨了有源功率因数校正(APFC)技术;参考文献[4]综述了单相并联式技术的最新发展;参考文献[5-6]分别优化设计了带负载电流反馈、并联式PFC芯片的AC/DC变换器和升压式PFC变换器，但所设计的电源效率及功率因数分别在85%和90%以下，其性能还有待进一步提高。

本文设计并制作了一种高效低电磁污染的开关电源样机。

测试结果表明，该电源具有优良的动态性能、较高的功率因数和工作效率，且控制简单，故具有一定的实际应用价值。

1 开关电源设计方案开关电源的结构如图1所示，它主要由220V交流电压整流及滤波电路、功率因数校正电路、DC/DC变换器三大部分组成。

220V交流电经整流供给功率因数校正电路，采用Boost型PFC来提高电源的输入功率因数，同时降低了谐波电流，从而减小了谐波污染。

PFC的输出为一直流电压UC，通过DC/DC变换可将该电压变换成所要求的两输出直流电压Uo1(12V)和Uo2(24V)。

从图中可以看出，本电源系统设计的关键是在整流滤波器和DC/DC变换器之间加入了功率因数校正电路，使输入电流受输入电压严格控制，以实现更高的功率因数。

同时设计中还采用同步整流技术以减少整流损耗，提高DC/DC变换效率。

选用反激式准谐振DC/DC变换器，既能增强对输入电压变化的适应能力，又可以降低工作损耗。

为保证开关电源的性能，电源实际制作时还附加了一些电路：(1)保护电路。

防止负载本身的过压、过流或短路;(2)软启动控制电路。

它能保证电源稳定、可靠且有序地工作，防止启动时电压电流过冲;(3)浪涌吸收电路。

几种反激同步整流电路
不知有没有专利，原理很简单。

分析如下：
导通： T2A有电流流过，T2B同名端有电流流出，使Q2截止（ZD2负压），使Q4迅速导通，通过D2把C2上面的电位嵌位到接近0，这时正脉冲使Q3迅速导通（Q3的be结通过R2，D2，Q4到地）正脉冲通过R3，ZD1加到了Q1的栅极，Q1导通，Q5反偏截止。

关断：T2A电流反向，T2B也反向，Q4截止，Q2导通，ZD2嵌位Q2的栅极电压，Q5通过R4，D1加速Q1的关断，Q3由于有D1的存在处于截止状态。

线路工作过程是这样的：18V正向输出的时候，通过Q200，Q201管体内寄生二极管流过一股小电流，从而在L200上感应出电压，左正右负，Q204负偏截止，Q206正偏导通，促使Q203导通，从而Q200，Q201彻底导通，这样完成正向输出过程。

反之则工作状态相反，完成反向关闭过程。

同步整流实现反激变换器设计摘要：详细分析了同步整流反激变换器的工作原理和该驱动电路的工作原理，并在此基础上设计了100V~375VDC 输入，12V/4A 输出的同步整流反激变换器，工作于电流断续模式，控制芯片选用UC3842，对设计过程进行了详细论述。

通过Saber 仿真验证了原理分析的正确性，证明该变换器具有较高的变换效率。

引言反激变换器具有电路简单、输入输出电压隔离、成本低、空间要求少等优点，在小功率开关电源中得到了广泛的应用。

但输出电流较大、输出电压较低时，传统的反激变换器，次级整流二极管通态损耗和反向恢复损耗大，效率较低。

同步整流技术，采用通态电阻极低的专用功率MOSFET来取代整流二极管。

把同步整流技术应用到反激变换器能够很好提高变换器的效率。

1 同步整流反激变换器原理反激变换器次级的整流二极管用同步整流管SR 代替，构成同步整流反激变换器，基本拓扑如图1(a)所示。

为实现反激变换器的同步整流，初级MOS 管Q 和次级同步整流管SR 必须按顺序工作，即两管的导通时间不能重叠。

当初级MOS 管Q 导通时，SR 关断，变压器存储能量;当初级MOS 管Q 关断时，SR 导通，变压器将存储的能量传送到负载。

驱动信号时序如图1(b)所示。

在实际电路中，为了避免初级MOS 管Q 和次级同步整流管SR 同时导通，Q 的关断时刻和SR 导通时刻之间应有延迟;同样Q 的导通时刻和SR 的关断时刻之间也应该有延迟。

图1 同步整流反激变换器2 同步整流管的驱动SR 的驱动是同步整流电路的一个重要问题，需要合理选择。

本文采用分立元件构成驱动电路，该驱动电路结构较简单、成本较低，适合宽输入电压范围的变换器，具体驱动电路如图2 所示。

SR 的栅极驱动电压取自变换器输出电压，因此使用该驱动电路的同步整流变换器的输出电压需满足SR 栅极驱动电压要求。

图2 驱动电路该驱动电路的基本工作原理：电流互感器T2 与次级同步整流管SR 串联在同一支路，用来检测SR 的电流。

APPLYING STSR3 TO SA80T-3115-1412Yukan YuPrepared by :Yukan YuChecked by :Approved by :Name SignaturePRE-xxREV DATE RemarkREF. No. : Dxx-xxx1. ABSTRACTThis report will give you a brief introduction of STSR3. Then it will describe you the IC’s performance when it was used as a controller of the secondary synchronous rectifier in SA80T-3115-1412 (an 80W Flyback topology switched mode power supply).2. STSR3 INTRODUCTIONTable 1: Pin DescriptionPin Number Pin Name Pin Function1N/C Not internally connected2Vcc Supply input from 4V to 5.5V3SETANT Sets the anticipation in turning-off the OUTgate4CK Synchronisation for IC’s operation5INHIBIT Discontinuous Mode Detector6SGLGND Reference for all the control logic signals7OUTGate Output for MOSFET Gate Drive8PWRGND Reference for power signalsFigure 1: Block Schematic3. GENERAL DEVICE DESCRIPTIONFigure 2 shows the typical application schematic. From a synchronising clock input, withdraw on the secondary side of the isolation transformer, STSR3 generates a driving signal with set dead times with respect to the primary side PWM signal. The IC operation prevents secondary side shoot-through conditions at turn-on of the primary switch providing anticipation in turning-off of the output. This smart function is implemented by a fast cycle-after-cycle logic control mechanism, based on a high frequency oscillator synchronised by the clock signal.Comparing with the traditional discrete SR circuit, this device has two advantages. One is that STSR3 can obtain the synchronisation signal directly on the secondary side. We don’t need a current transformer or something else to detect the sync signal, the space are saved. Moreover, this device has some smart functions such as turn-off anticipation, automatic turn-off according to the duty-cycle. These functions will be explained in detail later.Figure 2: Application SchematicTable 2: Components NotesPin Name NotesVcc100nF ceramic capacitor C3 is put between Vcc and PWRGND. U3 (ST78L05) isa standard voltage regulator to provide 5V supply voltage. D7 protects Vcc fromvoltages higher than 5.6V. C7 is ST78L05’s input capacitor (330nF ceramic), C8 isST78L05’s output capacitor (150nF ceramic).SGLGND C4 is a 100nF ceramic bypass capacitor. This capacitor is very close to Vcc and SGLGND pins of STSR3.CK D2 blocks the high voltage coming from the SR Drain. R5 is CK’s series resistor.R1, R2, R4, C2, C5 and U1 make up the external clock detector. (U1, a non-inverting buffer ST74V1T70). D3 protects the device from voltages higher than Vcc(not necessary is U1 is used).INHIBIT Connecting this pin to the Drain of the power mosfet allows operation in DCM. R8 limits the current to diode D6 when SR Drain voltage is higher than Vcc. D6protects INHIBIT pin from voltage higher than Vcc. D5 protects INHIBIT pin fromnegative voltage. D4, R7, R6 and C11 is a circuit to provides a negative voltage anda proper blanking time to cover the ringing caused by primary switch turn off. SETANT When this pin is connected to SGLGND, the anticipation time in turning off the synchronous rectifier mosfet is about 75ns.OUTGate R9 is the Gate series resistor (typically 0ohm). D8 speeds up turn-off of SR Mosfet if R9 is used.PWRGND Q1 is Synchronous Mosfet IRF530. D1 (63CTQ100) is a Schottky Rectifier in parallel to Synchronous Mosfet can increase converter efficiency due to low dropvoltages during dead time. C1 and R3 is a small snubber to reduce SynchronousMosfet turn-off spike.4. SYNCHRONIZATIONIC synchronisation is obtained directly on the secondary side using the voltage across the Synchronisation mosfet as information for the switching transitions. CK pin is the input for the synchronisation signal. The minimum threshold on the CK pin is 2.5V and the maximum voltage on this pin is limited to Vcc. So the input voltage range for this pin is 1:2. Of cause, a resistor divider can provide the correct voltage range for the CK pin. But the adapter works in wide range AC input from 85Vac to 260Vac. Even with a PFC circuit, the input voltage range of the flyback converter is typically 180V to 390V, which is beyond the IC’s guaranteed range.There is another problem during DCM. Since the signal taken on the secondary winding of the transformer is not a square waveform, but presents some oscillations. These oscillationmust not be understood by the IC as switching transitions.(See Fig 3)Figure 3: Without external Peak DetectorRemark: Ch1---CK; Ch2---OUTGateSo we need an external Peak Detector. As Fig 2 shows, when the SR MOSFET is on or its body diode is conducting, Vck is low, when the MOSFET is off, the Vck is 5V. R2 and C2 form a low pass filter; R1 and C5 group reduce the delay caused by the filter. ST741T70 eliminates the noise. This external Peak Detector assures correct operation of STSR3 both in discontinuous and continuous mode providing to CK a pure square waveform. (See Fig 4)Figure 4: With External Peak DetectorRemark: Ch1---SR Mosfet Drain; Ch2---CK; Ch3---OUTGate5. INHIBIT OPERATIONIf discontinuous mode operation is wanted, the synchronous mosfet must be turned of when the current is zero. Then the Inhibit pin is able to turn off synchronous mosfet when its current is approaching zero allowing discontinuous mode operation for the converter. Because there is an internal comparator with a -25mV threshold. At the beginning of the off time (when CK goes to low level), OUTGate goes high. If the voltage on Inhibit is higher than -25mV, OUTGate becomes low; if the voltage on Inhibit is lower than -25mV, OUTGate is kept high until the voltage reaches -25mV. (See Fig 5)Although INHIBIT pin allows operation in Discontinuous Mode, the –25mV threshold could be sensitive to the ringing present at the SR Mosfet drain, causing incomplete turn on of OUTGate. (See Fig 6) This inconvenient can be avoided using the clock signal to provide a negative voltage to INHIBIT pin acting as a blanking time. (See Fig 7) As Fig 2 shows, C6 and R6 determine the blanking time value. This time has to last the necessary time to cover the ringing caused by primary switch turn off. (Typically 500ns in this adapter)Figure 5: Inhibit operationRemark: Ch1---INHIBIT; Ch2---OUTGate Figure 6: Without blanking timeRemark: Ch1---INHIBIT; Ch2---OUTGateFigure 7: Without blanking timeRemark: Ch1---INHIBIT; Ch2---OUTGate6. ANTICIPATIONWhen the primary Mosfet is turned-on, the voltage Vs tends to go negative. If the synchronous mosfet is turned off with some delay a short circuit loop between primary side and secondary side occurs. In order to avoid this bad condition, synchronous mosfet must be turned off, that's the function of the Anticipation.And the Ant is possible to choose from 75ns to 250ns using SETAnt pin under different voltage. (See Fig 7 and Fig 8)Figure 8: SETAnt is connected to GNDRemark: Ch1---CK; Ch2---OUTGateFigure 9: SETAnt is connected to VccRemark: Ch1---CK; Ch2---OUTGate7. NO LOAD AND LIGHT LOAD OPERATIONWhen the duty-cycle is lower than 15%, an internal feature of the STSR3 allows a total shutdown of OUTGate and of most parts of the device, causing a reduction of the power consumption. The IC starts to operate again when duty-cycle is higher than 18%, therefore having a 3% of hysteresis.Applying a surge load, we can see this operation. (See in Fig 9 and Fig 10)Figure 10: The waveform of output current (2A/10mV)Figure 11: The OUTGate under a varying duty-cycleRemark: Ch1---CK (without external detector); Ch2---OUTGate; Ch3---output current8. MEASUREMENT8.1.Turn-off SpikeDue to the bad performances of the synchronous Mosfet in terms of Trr and Qrr a big voltage spike is present at turn-off the Mosfet. This spike is dependent on the amount of current carried by the body diode during turn-off. So, once the converter steps into continuous mode, the big spike will occur. (See Figure 12)Figure 12: Turn-off spike (without SK-diode)Remark: Ch1--- SR Mosfet Drain; Ch2---OUTGateThis spike can be reduced by adding a schottky and a snubber circuit. But due to the stray inductance of the leads and of the tracks, the current takes some time to pass from the body diode to the schottky diode. Then the spike can not be eliminated completely. (See Fig 13) So a good PCB layout is very important here.Figure 13: Turn-off spike (with SK-diode)8.2. EfficiencyIn order to avoid the big turn-off spike, efficiency was measured at full load (19V/4.2A) with 230Vac input in comparison with schottky rectification (two MBR20100CT-1 in parallel). Then the converter was running in a discontinuous mode.Table 3: Efficiency test resultRunning Time (minute)SR Rectification (%)SK Rectification (%)1083.9186.132083.9686.13083.986.24083.9786.19From above test data, we can not see the advantage of the synchronous rectification. Because the power saved due to low Rds (on) of the mosfet, is lost in gate drive losses, switching losses andSTSR3 power consumption. On the other hand, the 5V drive voltage is not high enough to get a low Rds(on). Significant improvement of synchronous rectification versus diode rectification can be achieved with higher output current (>5A) and DCM.9. CONCLUSION-External peak detector is necessary when input voltage varies by 2:1 or higher.-Converter can work properly in DCM due to the use of INHIBIT pin.-Smart turn-off anticipation timing can avoid secondary side shoot-through condition.-STSR3 has an automatic turn off for dutycycle less than 13%-Turn-off spike is a problem when converter works in CCM.-Io>5A, DCM is recommended in applying STSR3 to get a better efficiency.。

反激同步整流MOS短路尖峰高一、简介反激同步整流MOS短路尖峰高是指在反激同步整流MOS电路中，当短路故障发生时，尖峰电流较高的现象。

在工程实践中，这种现象会导致电路的不稳定和损坏，因此需要对其进行深入的分析和研究。

二、反激同步整流MOS电路1. 反激同步整流MOS电路是一种常用于电源转换器中的电路拓扑结构。

它利用同步整流MOS管来代替常规二极管，实现更高的效率和更低的功耗。

2. 反激同步整流MOS电路通常由反激变压器、开关管、滤波电感、输出电容等组成。

其工作原理是利用变压器的缓冲作用，使得开关管能够按照一定的频率进行通断，从而实现电能的转换和输出。

三、短路故障1. 短路故障是指两个或多个电器设备或电路组件之间产生直接或间接的短路，使得电流绕开正常的路径，直接流通而导致电路的短路现象。

在反激同步整流MOS电路中，由于短路故障引起的异常电流会使得电路元件的工作状态发生改变，进而影响整个电路的正常工作。

四、短路故障引起的尖峰电流1. 短路故障引起的尖峰电流是指在反激同步整流MOS电路中，由于短路故障引起的瞬态电压和电流急剧变化所造成的高峰值电流现象。

这种尖峰电流会对电路中的元件和元器件产生不可忽视的影响。

2. 尖峰电流的产生原因主要包括：反激变压器中的互感耦合变压器效应、电容和电感元件的瞬态响应、开关管的快速开关等。

这些因素共同作用，导致了短路故障产生的尖峰电流。

五、影响1. 短路故障引起的尖峰电流会对反激同步整流MOS电路及其所在的电源转换器系统造成多方面的影响。

高峰值电流会导致电路元件承受较大的压力，可能造成元件的损坏甚至烧毁。

尖峰电流也会引起电源转换器系统的不稳定，甚至引发系统失效。

在一些对电流波形要求较高的应用中，尖峰电流也可能引起电路的性能不达标。

六、解决方案1. 针对短路故障引起的尖峰电流问题，可以采取以下一些解决方案：一是增加电路中的限流电感和限流电容等元件，通过限制电流的瞬时变化来降低峰值电流；二是改进反激同步整流MOS电路的控制算法和参数设计，使得在短路故障发生时能够及时限制尖峰电流的产生并保护电路元件；三是优化电源转换器系统的设计和结构，减小短路故障对整个系统的影响。

张恒浩（１９８９—），男，高级工程师，主要从事开关电源研究。

宋浩谊（１９７７—），男，高级工程师，主要从事开关电源研究。

黄　超（１９８５—），男，高级工程师，主要从事开关电源研究。

一种反激变换器自驱同步整流设计张恒浩，　宋浩谊，　黄　超（中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆　４０００６０）摘　要：在小功率开关电源中反激变换器应用广泛，同步整流技术的引入使反激变换器的工作效率得到显著提升。

基于自驱同步整流技术原理，提出一种改进的反激变换器电压自驱同步整流线路。

功率开关具备自动开通和定时关断功能，实现了宽输入电压范围的高可靠同步整流，最后实验验证了设计方案。

关键词：反激变换器；同步整流；自驱；功率开关中图分类号：ＴＭ４６　文献标志码：Ａ　文章编号：２０９５ ８１８８（２０２１）１１ ００８０ ０５ＤＯＩ：１０．１６６２８／ｊ．ｃｎｋｉ．２０９５ ８１８８．２０２１．１１．０１２ＤｅｓｉｇｎｏｆＳｅｌｆ ｄｒｉｖｅｎＳｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓＲｅｃｔｉｆｉｃａｔｉｏｎｆｏｒＦｌｙｂａｃｋＣｏｎｖｅｒｔｅｒＺＨＡＮＧＨｅｎｇｈａｏ，　ＳＯＮＧＨａｏｙｉ，　ＨＵＡＮＧＣｈａｏ（ＳｉｃｈｕａｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ，ＣｈｉｎａＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＧｒｏｕｐＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ４０００６０，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｆｌｙｂａｃｋｃｏｎｖｅｒｔｅｒｉｓｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄａｓｌｏｗｐｏｗｅｒｓｗｉｔｃｈｉｎｇｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙ．Ｔｈｅｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆｆｌｙｂａｃｋｃｏｎｖｅｒｔｅｒｉｓｇｒｅａｔｌｙｉｍｐｒｏｖｅｄｗｉｔｈｔｈｅｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓｒｅｃｔｉｆｉｃａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｐｒｉｎｃｉｐｌｅｏｆｓｅｌｆ ｄｒｉｖｅｎｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓｒｅｃｔｉｆｉｃａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ａｎｉｍｐｒｏｖｅｄｖｏｌｔａｇｅｓｅｌｆ ｄｒｉｖｅｎｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓｒｅｃｔｉｆｉｃａｔｉｏｎｃｉｒｃｕｉｔｏｆｆｌｙｂａｃｋｃｏｎｖｅｒｔｅｒｉｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．Ｔｈｅｄｅｓｉｇｎｓｃｈｅｍｅｉｓｖｅｒｉｆｉｅｄｂｙｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｆｌｙｂａｃｋｃｏｎｖｅｒｔｅｒ；ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓｒｅｃｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ；ｓｅｌｆ ｄｒｉｖｅｎ；ｐｏｗｅｒｓｗｉｔｃｈ０　引　言直流稳压电源主要分为线性电源和开关电源两种，线性电源存在体积大、效率低、质量大等缺点，因此应用受到限制［１］。

反激同步整流对EMI的影响和消除同步整流基本原理同步整流解决方案是采用MOSFET进行输出电流整流，相比于二极管相对固定的正向压降来说，MOSFET的压降与电流和导通电阻成正比（见图1）。

MOSFET对整流的传导功率损耗有很大影响。

换句话说，通过选择具有理想导通电阻的SRMOSFET，SR解决方案可以实现比传统二极管解决方案更好的效率和散热性能，而这正是大功率适配器设计最关键的需求。

图1:MOSFET和二极管之间的I-V特性差异众所周知，在副边带肖特基二极管的传统反激式变换器应用中，二极管的开关特性（尤其是反向恢复电流）对EMI性能有显著影响。

因此在实际应用中必须谨慎处理。

但用同步整流MOSFET代替二极管后，情况就完全不同了，因为MOSFET没有理论上的反向恢复效应。

然而，这并不一定意味着同步整流解决方案的EMI问题更少。

相反，设计人员在设计带同步整流（SR）的反激解决方案时应更加谨慎，尤其是在EMI噪声源和耦合路径方面。

同步整流对EMI噪声源幅度的影响要了解同步整流对EMI噪声源的影响，首先要详细了解同步整流的工作原理。

大多数控制器基于漏源电压（VDS)的直接检测来驱动同步整流（SR）MOSFET，因为它不需要与原边进行通信且降低了总BOM成本。

图2显示出SRMOSFET的导通和关断通常由两个阈值来控制。

它们都是负电压阈值，可以确保SRMOSFET在反向偏置时始终安全关断。

图2:反激SR解决方案的基本工作原理由上图可以看出，两端的二极管有很短的导通时间：刚好在器件导通之前和同步整流（SR）MOSFET关断之后。

因此，时序控制对同步整流（SR）控制器来说至关重要，因为这两个导通时间会引入额外的传导损耗（时间越长损耗越严重）。

而且如果关断时间过长，则可能会因为MOSFET二极管比较差的特性而导致SR关断后出现严重的反向恢复电流。

图3:SR提前关断导致的高尖峰电流和电压图3显示了二极管的反向恢复电流由于SR提前400ns关断而上升到9A，然后由于漏电感又导致80V高压尖峰。

一种反激式同步整流线路的研究摘要：本文介绍了一种反激式同步整流线路的设计方案，对电路损耗及改进措施进行了分析，并通过对线路的试验验证及实际产品测试，该线路能够有效提高单端反激式产品的转换效率。

线路稳定，能够广泛应用于电源产品的设计中。

关键词：反激式；同步整流；转换效率1引言随着电子技术的不断发展，人们对电子设备的性能要求越来越高，与此同时，电子设备对配套电源的要求也越来越高，供电电源的小型化、高功率密度化尤为突出，使得我们对设计高效率电源产品的紧迫感越来越强。

电源产品的损耗主要由3部分组成：即功率MOSFET的损耗，变压器的磁损和铁损，以及输出整流管的损耗。

由于目前使用的整流管的导通压降普遍较大，导致输出整流管的损耗尤为突出。

以致电源在低压大电流输出场合效率很难提升，在此背景下，寻求低压降的输出整流方案迫在眉睫，而采用低导通压降MOSFET来代替二级管整流成为一种解决方案。

本文介绍一种应用于单端反激式线路的同步整流技术，能够有效降低线路损耗，提高产品的转换效率。

2同步整流线路的研究2.1同步整流反激变换器工作原理基于同步整流技术的反激式线路如图1所示。

线路的基本工作原理为：当MOS管T1导通时，整流MOS管T2关断，变压器B1储存能量，输出电容C O给负载R L供电；当MOS管T1截止时变压器绕组电压反向，T2导通充电整流管的作用，实现同步整流，变压器将储存的能量传递到次级，给负载供电，同时也给电容C O充电，进入下一个周期后重复上述过程。

图12.2同步整流损耗分析同步整流线路的整流损耗主要为MOS管的损耗，它的损耗主要包括三个方面：导通损耗P on、驱动损耗P dr及开关损耗P sw。

（1）导通损耗分析功率MOS管的导通损耗P on是指当MOS管打开的时候，并且驱动和开关波形达到稳定时，功率MOS管处于导通状态时的损耗。

P on=I in2×R on /2,式中I in为输入端的稳态电流，R on为MOS管的导通电阻。