模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

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第1章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(1) 在本征半导体中加入(A )元素可形成N 型半导体，加入(C )元素可形成P 型半导体。

A.五价B.四价C.三价(2) 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) oA.增大B.不变C.减小(3) 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，l c 从I mA 变为2mA ,那么它的B 约为(c ) oA.83B.91C.100(4) 当场效应管的漏极直流电流 I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将(A )。

A.增大；B.不变；C.减小1.3电路如图P1.2所示，已知u i =10sin •・t (V )，试画出u i 与u o 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计解图P1.2解：u i 与u °的波形如解图Pl.2所示1.4电路如图P1.3所示，已知5 =5sin - 't (V )，二极管导通电压 U D =0.7V O 试画出u i 与u o 的波形图，并标岀幅值。

解图P1.3垃-J{>+al一 A图P1.3图 P1.2屮 f I I |1.6电路如图P1.4所示，二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T:26mV ,电容C对交流信号可视为短路解：I u i为正弦波，有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少二极管的直流电流D =(V -U D)/R =2.6mA其动态电阻故动态电流的有效值：l d二U j/r D: 1mA1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正向导通电压为0.7V。

试问：(1) 若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？(2) 若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V；14V； 6.7V；8.7V。

1、两个管子都正接。

(1.4V)2、6V的管子反接，8V的正接。

(6.7V)3、8V的反接，6V的管子正接。

(8.7V)4、两个管子都反接。

(14V)(2)并联相接可得2种：0.7V；6V。

1、两个管子都反接，电压小的先导通。

(6V)2. 、一个正接，一个反接，电压小的先导通。

(0.7V)1.8已知稳压管的稳定电压U Z= 6V，稳定电流的最小值求图P1.8所示电路中电阻R的取值范围。

I zmin解：稳压管的最大稳定电流I ZM =P ZM / U Z= 25mA电阻R的电流为I ZM〜I zmin5mA，最大功耗P ZM = 150mW。

试t/j = !5V1.9已知图Pl.9所示电路中稳压管的稳定电压 U z =6V ,最小稳定电流I zmin =5mA ,最大稳定电流 I Z max = 25mA 。

⑴分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压 U O 的值； ⑵若U | =35V 时负载开路，则会出现什么现象？为什么？解：（1）只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输岀电压才为6V/•U I =10V 时，U OR ^U | =3.3V ；R+R LU O — U | •■>11.7V ，U Z ，二U O =U Z — 6V oR +R L⑵当负载开路时，l z 二U|_U z =29mA・l zmax=25mA ，故稳压管将被烧毁R1.11电路如图P1.11 （ a ）、（ b ）所示，稳压管的稳定电压 U z = 3V ，R 的取值合适，u i 的波形如图（c ）所示。

试分别画出U O1和U O2的波形。

U I =15V时,U ^R R L R ;U I =5V ； U I =35V 时2.7电路如图P2.7所示，晶体管的忻80 , r bb ' =1000。

分别计算 R =°0和 R = 3k C解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be 均相等，它们分别为26mV Ge 二％ (1)1.3k'11 EQ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为R o 二 R c =5k-R L ^3k f 1时，静态管压降、电压放大倍数分别为U CEQ」V CC -I CQ (R O 〃R L ) ： 2.3VR L R C人二 _-(R C // R), 一115 A us丘 A u ： -34.7rberbe * R sR =R b 〃「be :- r b e 1.3^ R o =R C =5k 「。

1 BQV CC - U BEQ U BEQR b拓22^A I CQ = B l BQ 吒1.76mA R sUCEQ =V CC _ 1 CQR c： 6.2V；人「竺一308rbeR 二 R b // r be r be ：1.3k"；rbe n 為 Q -93时的Q 点、2.8在图P2.7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如(c )所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除ta)⑹ ⑹解：(a )饱和失真，增大R b ，减小R c 。

(b) 截止失真，减小R b 。

2.10已知图P2.10所示电路中，晶体管3=100，r be =1.4k Qo (1) 现已测得静态管压降 U CEQ =6V ，估算R b ；⑵若测得U i 和U 。

的有效值分别为1mV 和100 mV ，则负载电阻 R 为多少？2.13电路如图P2.13所示，晶体管3=100，r bb =100 Q o⑴求电路的Q 点、A u 、R i 和R 。

；⑵若改用3=200的晶体管，则Q 点如何变化？(3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图 P2.8( a )、UCEQ 弘 _l EQ （Ro+R f +R e ）=5.7V动态分析：r be 二 r bb' （1 ：）2严：2.732 1 EQA u （尺〃R L ）「7.7r be （1 ：）R fR 二 & 〃氐〃[% （1 JR f ]3.7k-U CEQ 二V CC -I EQ （R C R f R e ） = 5.7V （不变）R -R b1 // R b2 //[ r be （1 J （R R f ）] ： 4.1k 「（增大）； R o 二 R c =5k"（不变）解：（1）静态分析：UBQ 吕 V "2V1 EQ图 P2.13B=oo 时，U BQV CC =2V（不变）；EQU BQ U BEQR f R e = 1mA （不变） l BQ 冬=5" A （减小）；1 +戸 ⑶Ce 开路时，A-（R C //R L ）r be （1「）（R e R f ）出一1.92（减小）；Rb1Rb2.专业.专注.2.12电路如图P2.12所示，晶体管的3=80 , %=你Q(2) 求解放大倍数和输入、输出电阻：e0.996R L = a 时；A Jr be （1 JR eR 二 R b 〃Wbe （V JR e ］ 110k'1亠」（1+0）（R e 〃 R L ）R_=3k Q 时；A ue L0.992r be +（1+0）（R e 〃R L ）R i 二 R b 〃［r be （1「）（R e 〃 R L ）］： 762输出电阻：民二艮〃艮〃，37门1 +P2.13电路如图P2.13所示，晶体管的3=60 , r bb ' -100' 1 (1)求解Q 点、A u 、R j 和R o⑵设 U s = 10 mV (有效值)，问 U i 二？,U o 二？⑴求出Q 点；(2)分别求出R_=a 和R =3k Q 时电路的解：⑴求解Q 点:1 BQVcc-U BEQR. （1 jR e:32321EQ =（1）BQ： 2.61mAU CEQ ~ Vcc _ I EQ R e7.17V（1 JR e若C3开路，则Uj =?,U o=?A u、R i和R o的分析：图P2.13「be Fbb，(1 )26mV952 1,1 EQ-95Ri = Rb// % ■952心•，R o = R c = 3k1」。

⑵设U s = 10 mV （有效值），则5 R U s = 3.2mV ；R s RU o A J U j 二304mV 若C3开路，则:R = R b//[r b e (1 JR e] ： 51.3k」，Au ：■R C//R LR e:-1.5U s =9.6mV ,U。

=|A J U i =14.4mV。

试求R w的滑动端在中点时「管和T2管的发射极静态电流I EQ以及动态参数A d图P3.6解：R w滑动端在中点时T i管和T2管的发射极静态电流I E Q分析如下：'；U BEQ ' 1 E^ 21EQ R e =V EE2VEE —U BEQ「•I EQ亍——0.517 mA 寸+2R e动态参数A d和R i分析如下：.26mV「be =r bb' (1 5.18k'11EQR =2「be （1「）R W20.5k"P Rc「be （1「）F W/2 :-983.7电路如图P3.7所示，T i和T2两管的B均为140 , r be均为4k Q。

试问：若输入直流信号u I1 = 20mV ，U|2 =10mV ，则电路的共模输入电压U i c =?差模输入电压U|d =?输出动态电压-u o = ?解：电路的共模输入电压U ic、差模输入电压U id、差模放大倍数A d和动态电压U O分别为：u iC=业亚=15mV ；u id =Ux _u i2 =10mV2['■ RA - - -175 ；u O = Au|d =—1.75V2r be4.1根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。

已知现有集成运放的类型是：①通用型②高阻型③高速型④低功耗型⑤高压型⑥大功率型⑦高精度型(1) 作低频放大器，应选用(①)。

(2) 作宽频带放大器，应选用(③)。

(3) 作幅值为1 N以下微弱信号的量测放大器，应选用(⑦)。

(4) 作内阻为100k Q。

信号源的放大器，应选用(②)。

(5) 负载需5A电流驱动的放大器，应选用(⑥)。

(6) 要求输出电压幅值为+80V的放大器，应选用(⑤)。

(7) 宇航仪器中所用的放大器，应选用(④)。

6.1选择合适答案填入空内。

（1）对于放大电路,所谓开环是指（B ）。

A.无信号源B.无反馈通路C.无电源D.无负载而所谓闭环是指（B ）A.考虑信号源内阻B.存在反馈通路C.接入电源D.接入负载（2）在输入量不变的情况下，若引入反馈后（D ），则说明引入的反馈是负反馈。

模拟电子技术基础第三版课后答案

-习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。

解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。

解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术第三版详细答案

（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
第三章
自测题
一、（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√
二、（1）A A（2）D A（3）B A（4）D B（5）C B
三、（1）B D（2）C（3）A（4）A C（5）B（6）C
四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/Re3＝0.3mAIE1＝IE2＝0.15mA
4.16T1－共射电流的放大管，T2和T3－互补输出级，T4、T5、R2－消除交越失失真。
4.17（1）u11为反相输入端，u12为同相输入端。
（2）为T1和T2管的有源负载，将T1管集电极电路变化量转换到输出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
（3）为T6设置静态电流，且为T6的集电极有源负载。
5.12
5.13（1）
（2）
图略。
5.14
5.15
图略。
5.16
（3）折线画法，低频段有两个拐点，f＜4Hz时幅频特性的斜率为40dB/十倍频，4Hz＜f＜50Hz时幅频特性的斜率为20dB/十倍频；高频段有一个拐点，f＞105Hz时幅频特性的斜率为－40dB/十倍频。图略。
5.17（1）Ce
（2）所在回路的τ大于所在回路的τ，第二级的上限频率低。
（4）消除交越失真。
4.18（1）由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。
（2）三级放大电路：
T1～T4－共集-共基差分放大电路，T14～T16－共集-共射-共集电路，T23、T24－互补输出级。
（3）消除交越失真。UBE23＋UBE24＝UBE20＋UBE19
第五章
自测题
一、（1）A（2）B A（3）B A（4）C C

模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc

模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一：模电资料】术基础是高等院校电气、信息类（包括原自动化、电气类、电子类）专业知识平台重要核心课程，是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。

课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容，工程实践性很强。

课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。

旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。

课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础；其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础；其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。

《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。

其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论，基本知识和基本技能。

本课程在介绍半导体器件的基础上，重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法，使学生具有一定的实践技能和应用能力。

培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。

教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础analog electronics二、学时与学分本课程学时：60 学时(课内) 本课程学分： 3.5 学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程，是实践性很强的技术基础课。

课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力。

通过本课程的学习，使学生具备应用电子技术的能力，为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。

六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二：模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系（院）课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论＋实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009 年12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称：模拟电子技术课时：72适用专业：应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术1．课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程，是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程，是十分强调应用实践的工程性质的课程，对人才培养有着至关重要的作用。

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。