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模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、选择题1. 下列哪种器件是一种双极型晶体管？（A）锗二极管（B）硅二极管（C）三极管（D）场效应晶体管答案：C2. 在放大电路中，下列哪种反馈方式可以使放大倍数增加？（A）电压反馈（B）电流反馈（C）串联反馈（D）并联反馈答案：A3. 下列哪种电路可以实现交流信号的放大？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：C4. 下列哪种元件在放大电路中起到稳定放大倍数的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：D5. 下列哪种电路可以实现信号的整流？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：B6. 在整流电路中，下列哪种元件可以实现全波整流？（A）二极管（B）三极管（C）晶闸管（D）grt答案：A7. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：A8. 在滤波电路中，下列哪种元件可以实现低通滤波？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C9. 下列哪种电路可以实现信号的转换？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：D10. 在振荡电路中，下列哪种元件可以起到决定振荡频率的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、基极和_______极。
答案：集电极2. 放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小，这样可以使得输入信号的电压得到_______放大。
答案：有效3. 放大电路中，反馈分为电压反馈和电流反馈，其中电压反馈可以使放大倍数_______。
答案：增加4. 整流电路的作用是将交流信号转换为_______信号。
答案：直流5. 滤波电路的作用是去除信号中的_______分量。
答案：高频6. 振荡电路的作用是产生_______信号。
答案：稳定三、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础试题库（附答案）一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称？A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案：A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路？A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案：A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用？A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案：A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相？A. common-emitter amplifier（共射放大器）B. common-base amplifier（共基放大器）C. common-collector amplifier（共集放大器）D. emitter-follower（发射极跟随器）答案：A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分？A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案：B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波？A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案：A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。
答案：发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。
答案：放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
一、单项选择题1. 下列关于电路中电压方向的描述，错误的是（）A. 电压的参考方向可任意设定B. 电压的实际方向就是参考方向C. 电位降低的方向是电压的实际方向D. Uab表示a点与b点之间电压参考方向由a指向b答案：B解析：电压的实际方向不一定与参考方向相同，取决于电路的连接方式。
2. 电路如题2图所示，则以下关于电源功率的描述中，正确的是（）A. 电压源吸收功率20W，电流源吸收功率40WB. 电压源吸收功率20W，电流源提供功率40WC. 电压源提供功率20W，电流源吸收功率40WD. 电压源提供功率20W，电流源提供功率40W答案：D解析：电压源提供功率，电流源吸收功率。
3. 已知加在电容C2F两端的电压为U(t)100cos(2000t)(mV)，则流过该电容的电流为（）A. 10cos(2000t) AB. 10sin(2000t) AC. 10cos(2000t) AD. 10sin(2000t) A答案：A解析：电容的电流与电压之间满足关系 i = C dU/dt，代入公式可得 i =10cos(2000t) A。
4. 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A. 仅自由电子是载流子B. 仅空穴是载流子C. 自由电子和空穴都是载流子D. 三价杂质离子也是载流子答案：B解析：P型半导体中的载流子主要是空穴。
5. 以下关于差动放大电路的描述中，错误的是（）A. 差动放大电路是一个对称电路B. 差动放大电路的共模抑制比越大，性能越好C. 差动放大电路能抑制零点漂移D. 差动放大电路能抑制共模干扰答案：D解析：差动放大电路能抑制共模干扰，但不能抑制共模干扰。
二、多项选择题1. 下列哪些元件属于无源元件（）A. 电阻B. 电容C. 电感D. 晶体管答案：A、B、C解析：电阻、电容、电感都属于无源元件。
2. 下列哪些电路具有正反馈作用（）A. 同相放大电路B. 反相放大电路C. 比较器电路D. 振荡电路答案：A、D解析：同相放大电路和振荡电路具有正反馈作用。
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。
答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。
6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。
7．某三极管工作在放大区时，当I B从20µA增大到40µA，I C从1mA变成2mA。
则该管的β约为 50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。
14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。
15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。
16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。
少数载流子是空穴。
17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。
18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。
19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。
20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。
二．选择题1．电路如图所示，设二极管的正向压降V D =0.6V ，则流过二极管的电流I D 为（ B ）。
2．电路如图所示，设二极管具有理想特性，已知v i =1.0Sin ωt (V)，V=2V ，则输出v o 的波形如图（ a ）所示。
3．由稳压管组成的稳压电路如图所示，已知Vi=18V ，稳压管D Z1的稳压值为7V ，稳压管D Z2的稳压值为6V ，稳压管具有理想特性，则输出Vo 为（ B ）。
4．电路如图（a ）～(b)所示，已知vi=20Sin ωt （V ），稳压管D Z1稳定电压V Z1=10V ，稳压管D Z2稳定电压V Z2=6V ，稳压管的正向压降忽略不计。
图（e ）所示波形为电路图（ b ）的输出波形。
5．电路如图所示，该电路的静态电流表达式I CQ =（ C ）。
6．电路如图所示，已知晶体管的饱和压降V CES =0.3V ，R C =R L =2k Ω，静态工作点I CQ =2mA ，V CEQ =6V 。
该放大电路的最大不失真输出正弦电压的幅值为 B 。
7．电路如图（a ）所示，其等效电路如图（b ）所示。
该电路的电压放大倍数表达式为 B 。
e be Lebe LR r R B R r R A )1()()1()(''ββββ++-++ebe Lebe LR r R D R r R C +-+'')()(ββ8．电路如图所示，已知晶体管的β=50，V BE =0.6V ，r be =1.5k Ω。
该电路的输入电阻Ri 为 C 。
（A ） 1.36k Ω （B ）15k Ω （C ） 13.4k Ω ( D ) 1.5k Ω9．电路如图所示，C1、C2可视为交流短路，该电路的输出电阻为D。
环电压放大倍数A vf=Vo/Vi=( C)。
（A）10 （B）-11 （C）11 （D）-1011．电路如图所示，要引入电压并联负反馈，正确的接法是（ D ）。
（A）C1接N，C2接P，F接B1；（B）C1接N，C2接P，F接B2；（C）C1接P，C2接N，F接B1；（D）C1接P，C2接N，F接B2。
*12．某放大电路的电压放大倍数的对数幅频特性如图所示，其下限频率f L、上限频率f H及下限频率和上限频率所对应的实际电压增益Av是（B）。
（A）f L=100HZ ，f H=100kHZ , Av=60dB（B）f L=100HZ ，f H=100kHZ , Av=57dB（C）f L<100HZ ，f H<100kHZ , Av=60dB（D）f L>100HZ ，f H>100kHZ , Av=57dB13．差动放大电路如图所示，已知|A vd|=100，A vc=0，v i1=10mV，v i2=5mV，则输出电压|vo| 为（A）。
（A）500mV （B）200mV （C）250mV （D）125mV14．带有调零电路的差动放大电路如图所示，若输入电压v i1=v i2=0时，输出电压vo=v o1-v o2<0，欲使此时输出电压为0，则应该（ D ）。
15．电路如图所示，已知电路参数：R S =1k Ω，R C1=R C2=R L =10k Ω，晶体管的β=50，r be =1.5k Ω。
该电路的共模抑制比K CMR =（ A ）。
16．由运算放大器组成的电路如图所示，则电流I 2=（ D ）。
17．电路如图所示，设A 1、A 均为理想运算放大器，则输出电压vo=（ A ）。
18．由理想运算放大器组成的电路如图所示，该电路的电压放大倍数 A v =v o /v i =( B).19．积分电路如图所示，运放是理想的。
已知：v i1=1V ，v i2=-2V 。
在t=0时开关断开，试问当v o 达到6V 时，所需的时间t = ( A )秒。
20．运算放大器组成的放大电路如图所示，运放的饱和电压为±12V 。
其电压传输特性如图（ｂ）所示，则电路中的电阻R 1应为（ B ）。
*21．输入失调电流补偿电路如图所示，已知：I BN =100nA ，I BP =75nA ，R 1=10kΩ, R f =30kΩ。
要求没有输入时，输出为0，则平衡电阻R 2的数值约为（ D ）。
22．由模拟乘法器和运算放大器组成大电路如图所示，已知v i1>0，则电路的输出与输入关系为（ D ）。
2121)()(i i o i i o v kv v B v kv v A ==1221)()(i i o i i o kv v v D v kv v C ==23．由运算放大器组成的比较器电路如图所示，设V REF >0，则该电路的电压传输特性为图中的图（ C ）所示。
（A ） （B ） （C ） （D ）24．比较器电路如图所示，已知V i1=2V ，V i2=1V ，则输出电压V O =（ C ）。
25．具有RC 串并联选频网络的正弦波振荡电路如图所示，已知R f =120k Ω，为保证电路起振，R 1应满足（ D ）。
26．试用相位平衡条件判断如下电路中有可能产生振荡的图是（ C ）。
（A ） a (B) b (C) c (D) a 、b 、d27．电路如图所示，设运算放大器为理想的，热敏电阻Rt 具有正温度系数。
为能起振和稳定振幅，R f 和Rt 在电路中的位置以及Rt 的最大值分别为（ A ）。
（A ）R f 接虚框1，Rt 接虚框2，500Ω （B ）R f 接虚框1，Rt 接虚框2，2k Ω （C ）R f 接虚框2，Rt 接虚框1，500Ω （D ）R f 接虚框2，Rt 接虚框1，2k Ω28．信号发生器电路如图所示，试指出v 01、v o2、v o3的波形是（ D ）。
（A）v01方波、v o2方波、v o3三角波（B）v01方波、v o2锯齿波、v o3三角波（C）v01三角波、v o2方波、v o3锯齿波（D）v01方波、v o2三角波、v o3锯齿波29．如图所示功率放大电路，已知V CC=20V，R L=8Ω。
功率管的参数应满足的条件是（A）。
V RM约为（B）。
（A）I D=2A，V RM=17V （B）I D=1A，V RM=24V（C）I D=2A，V RM=24V（D）I D=1A，V RM=17V31．串联式稳压电路如图所示，已知T1的V CE1=5V，T2的V BE2=0.6V，稳压管V Z=5.4V，R1=R2=2kΩ，R W=1kΩ，则变压器的副边电压有效值V2为（B）。
（A）15V （B）16.7V（C）20V （D）12.5Ｖ32．并联式稳压电路如图所示，已知稳压管稳定电压V Z=8V，最小稳定法电流Izmin=5mA，最大允许电流Izmax=30mA，Vi=22V，R L的变化范围为400~800Ω。
限流电阻R的取值范围约为（A）。
（A ） 350~560Ω （B ）280~933Ω （C ） 560~933Ω （D ）280~560Ω33．某MOS 场效应管的转移特性如图所示，则该MOS 管为（ B ）。
34．某MOS 场效应管的转移特性如图所示，则该MOS 管为（ A ）。
36．某MOS 场效应管的转移特性如图所示，则该MOS 管为（ C ）。
37．甲乙类互补功率放大电路如图所示，图中D 1、D 2的作用是消除（ C ）。
38．如图所示功率放大电路，已知V CC =20V ，R L =8Ω。
该功率放大器的最大输出功率为（ D ）。
39．LC 振荡电路如图所示。
试判断那个电路满足相位平衡条件（ C ）。
（A ） （B ） （C ） （D ）40．RC 振荡电路如图所示。
试判断那个电路满足相位平衡条件（ A 、D ）。
（A ） （B ） （C ） （D ）。
