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半导体废水及废气的处理半导体废水及废气的处理由于制程技术不断演进，使得相关供应系统等级及质量日趋精密且复杂，如毒性气体，化学药品或纯水系统等，而此物质的排放却造成环境恶化的来源之一；因此，如何处理此类高纯度且大量的毒性物质之排放，将是厂务废水，废气处理的重要工作与任务。
一、首先是废水处理系统半导体厂废水之来源，可略分为制程废水，纯水系统之废水，废气洗涤中和液废水等三种，如表七所列。
各排放水可分为直接排放及回收处理方式。
？1.制程废水：直接排放－ HF浓废液， HF 洗涤废水，酸／碱性废水，晶圆研磨废水等五种，经各分类管线排至废水厂。
回收处理－有机系列(Solvent,IPA),H2SO4,DIR70%，及 DIR90%等，经排放收集委外处理或直接再利用。
2.纯水系统之废水：直接排放－纯水系统再生时之洗涤药剂混合水（含盐酸再生／洗涤液及碱洗涤液）回收处理－系统浓缩液（逆渗透膜组，超限外滤膜组）或是碱性再生废液。
_,3.废气洗涤废水直接排放－洗涤制程所排放的废气之水，均直接排放至处理厂。
至于其处理的程序及步骤，下文为其各项之说明：1.HF 浓废液：此废液至处理系统后，添加 NaOH提升 pH 值至 8～ 10 之间，注入 CaCl2，Ca(OH)2 与 HF反应向生成 CaF2污泥，即HF+CaCl2 + Ca(OH)2←CaF2 + HCl + H2O的反应式。
藉此去除氟离子之浓度量，而CaF2污泥产物与晶圆研磨废液混合，且添加Polymer （高分子）增进其沈降性，以利CaF2 污泥经脱水机挤压过滤。
污泥饼则委托代处理业者处理。
另一产物 HCl 酸气由处理厂废气洗涤后排放，污泥滤液则注入调节池。
2.一般废水：包括 HF洗涤废水，酸／碱性废水。
经水系统树脂塔再生废液，废气洗涤废水等进入调节池混合均匀，稀释后泵入调整池中，添加 NaOH， H2SO4等酸碱中和剂，将之调整为～的 pH 值范围后放流入园区下水道。
浅析半导体硅片行业废水处理工程浅析半导体硅片行业废水处理工程随着信息技术的迅速发展，半导体行业作为现代高科技产业中的重要组成部分，扮演着重要的角色。
然而，半导体生产过程中产生的废水污染却也引起了广泛关注。
为了应对这一问题，半导体硅片行业采取了多种废水处理工程技术来减少污染物的排放，保护环境，实现可持续发展。
本文将对半导体硅片行业废水处理工程进行浅析。
1.废水来源与特点半导体硅片生产过程中产生的废水主要包括工艺废水和冷却水两部分。
工艺废水是指在制备硅片的过程中产生的含有各种污染物的废水，其中包括酸碱废液、重金属离子、溶剂等。
冷却水则是在生产设备冷却过程中循环使用的水，在使用过程中会带走一些游离态的污染物。
2.废水处理工艺为了减少废水排放对环境的影响，半导体硅片行业广泛采用了多种废水处理工艺。
主要包括物理处理、化学处理和生物处理。
2.1 物理处理物理处理是将废水经过一系列的物理作用，如沉淀、澄清等，使悬浮物和溶解性物质与水分离的过程。
常用的物理处理工艺包括沉淀、过滤、蒸发浓缩等。
其中，沉淀是将废水中的悬浮物通过重力的作用使其沉降到池底，沉淀后的悬浮物可以进一步进行固液分离，减少废水中的固体颗粒；过滤则是通过过滤介质的作用，使废水中的悬浮物被截留下来。
蒸发浓缩则是通过水的蒸发，使废水中的污染物浓缩。
2.2 化学处理化学处理是利用化学物质与废水中的污染物发生化学反应，将其转化为无害物质的过程。
常用的化学处理方法包括氧化反应、沉淀反应、络合反应等。
例如，通过添加氧化剂如氯气、次氯酸钠等，可以将废水中的有机物氧化为无机物，从而降低废水的有机污染物浓度。
此外，还可以利用化学沉淀的原理，将废水中的重金属离子与沉淀剂反应生成沉淀物，在沉淀后再进行固液分离。
2.3 生物处理生物处理是利用微生物的作用将废水中的有机污染物分解为无害的物质，达到净化废水的目的。
生物处理的主要方式有好氧处理和厌氧处理。
好氧处理是利用空气中的氧气，通过好氧微生物，将废水中的有机物转化为二氧化碳和水。
半导体废气制程排放_图文（精）半導體廠製程排氣系統魏振翼, 彭淑惠, 胡石政摘要新竹新學園區的設立，帶動了台灣的經濟發展，但也造成了環境方面的污染，半導體業在製造過程中，無可避免地必須使用不同種類的化學物質，為了提高產品的良率，必須精密控制產品所接觸之環境的空氣品質。
而製程排氣系統（Exhaust System），雖非製程生產所需設備，但卻是為生產區域營造一個可供生產人員在安全無虞情況下的工作環境，因此製程排氣系統，從廢氣物質相容性至排放氣體輪送，以至於各種污染處理設備，皆需經嚴格且縝密選擇，這些均是環環相扣缺一不可。
本文研究的目的乃是希望藉由針對廢氣種類及化學性質之源頭分析，進而分類，以期能從目前園區常用系統中篩選出既安全又環保的系統。
關鍵詞：半導體工業、揮發性有機廢氣、洗滌塔1．前言半導體工業，雖已有四十年的發展，卻是在近十年內快速發展，成長之速非常驚人，且電子產品已成為人們生活中不可缺少的必需品，各個先進國家無不努力於研究發展，以期在工業能力及市場佔有方面能取得優勢。
但在半導體製程生產既可符合製程生產需求，又能兼顧工業安全，同時更可為環保盡一份心力時，所排放之廢氣，除了對人體會有安全性之威脅外，更會造成環保空氣污染。
有鑑於此，在投入半導體工業建廠的同時，希望能對製程排氣之處理原理，環保相關法規甚至各個系統處理所使用之管材，做全面通盤的了解。
2．製程排氣系統之分類：半導體製程流程中，使用機台種類相當煩多，各種排放物質種類更是不勝枚舉，若要針對單一種類設置單獨排放處理設施，不僅有其設置上的因難，而且施工上及日後維修保養更屬不易，因而，目前半導體廠房中，依據排放之特性大致上區分為酸／毒性（Acid Exhaust）、鹼性（Alkali Exhaust）、有機溶劑（Solvent Exhaust）及一般排氣（General Exhaust）四個系統：(1 酸、鹼性廢氣：其主要來源為化學清洗工作站，清洗晶片時所產生之揮發性氣體，此氣體部分含有濃煙，部分則對呼吸系統有刺激性作用有害人體，故必須經過Central Scrubber做水洗中和處理後，再排入大氣。
半导体厂污水处理新技术探索随着半导体产业的迅速发展，半导体厂的污水排放已成为一大环境保护问题。
传统的污水处理方法已不能满足需求，因此迫切需要开发新的技术来解决这个问题。
本文将探讨半导体厂污水处理的新技术，并分点详细介绍。
1. 污水来源分析：- 分析半导体厂污水的主要成分及特殊性，如有机溶剂、重金属等。
- 探究半导体生产过程中产生的污水和废水的主要来源，如冲洗液、酸碱废水等。
2. 污水处理新技术：- 生物处理技术：利用微生物将有机物分解为无害的物质，减少污水中的化学需氧量（COD）和氨氮含量。
例如，以好氧细菌和厌氧细菌为基础的序贯反应器（SBR）技术。
- 膜分离技术：通过膜过滤或逆渗透过滤，将污水中的微粒、离子和有机物分离出来。
这种技术主要用于处理高浓度的废水，如化学品废水和电镀废水。
- 高级氧化技术：利用紫外线、臭氧、高压电等方式来氧化降解污水中的有机物。
这种技术能有效降低有机物的浓度，使废水更易于处理。
- 脱盐技术：通过电离交换或反渗透等方式，去除水中的溶解性固体，减少废水中的无机盐浓度。
3. 技术优劣势评估：- 生物处理技术：处理效果稳定且成本较低，但对于高浓度有机物处理效果不佳。
- 膜分离技术：能够有效去除微粒和离子，但运营成本较高且膜的耐用性有限。
- 高级氧化技术：处理效果较好，但能耗较高，对设备的要求也较高。
- 脱盐技术：适用于处理高盐度废水，但处理效率较低。
4. 利用多种技术的联合处理：- 综合利用各种技术的优势，组合使用不同的处理方法，提高处理效果。
- 例如：先采用生物处理技术去除有机物，然后再利用膜分离技术去除微粒和离子。
5. 技术应用案例：- 介绍一些半导体厂实际应用的成功案例，包括所采取的技术和效果评估。
- 引用一些相关的研究论文或技术报告，支撑所介绍的技术在实际应用中的可行性。
6. 可持续性考虑：- 分析新技术的可持续性，包括对能源和资源消耗的影响。
- 探讨如何进一步提高技术的能源效率和资源回收利用率。
半导体尾气处理系统工作原理
半导体尾气处理系统是一种应用于半导体行业的环保设备，主要用于处理半导体制造过程中产生的废气。
该系统的工作原理是通过物理、化学等方式对废气进行处理，将废气中的有害物质转化为无害物质，从而达到净化空气、保护环境的目的。
半导体尾气处理系统会将废气收集起来，经过初步处理后进入主处理设备。
主处理设备分为物理处理和化学处理两个阶段。
物理处理主要是通过过滤、吸附、凝结等方式将废气中的粉尘、烟雾等固体物质去除，化学处理则主要是通过化学反应将废气中的有机物、无机物等化学物质转化为无害物质。
物理处理阶段，废气首先进入过滤器，通过滤网将气体中的粉尘、烟雾等固体物质去除。
然后进入吸附设备，通过吸附剂将废气中的有机物、无机物等化学物质吸附在吸附剂上。
最后进入凝结器，将废气中的水蒸气等液态物质通过冷却凝结成液态，再通过排水管道排出。
化学处理阶段，废气进入反应室，与氧气、催化剂等物质进行化学反应。
反应后，废气中的有机物、无机物等化学物质被转化为二氧化碳、水等无害物质，并通过排气管道排出。
经过物理、化学处理后的废气会经过排放管道排出，但在排放前还需要进行尾气监测，确保废气排放标准符合国家规定。
如果发现废
气排放不符合标准，需要及时调整处理设备，直至达到标准。
半导体尾气处理系统通过物理、化学等方式对废气进行处理，将废气中的有害物质转化为无害物质，达到净化空气、保护环境的目的。
该系统的工作原理复杂，需要各种设备协同作业，但却是一项十分重要的环保设备，对半导体行业的可持续发展起到了重要作用。
半导体行业废水处理方法概述半导体行业在电子产品制造的过程中产生大量的废水，废水中含有多种有害物质，对环境和人体健康造成威胁。
因此，半导体行业废水处理至关重要。
本文将概述半导体行业废水处理的方法。
1. 生物处理方法生物处理方法是处理半导体行业废水的常见方式之一。
该方法利用微生物对废水中有机物的降解作用，将废水中的有机物转化为无害物质。
生物处理方法具有操作简单、处理效果好、处理成本低的优点。
2. 化学处理方法化学处理方法是另一种常见的半导体行业废水处理方法。
该方法通过化学反应，将废水中的有害物质转化为无害物质或沉淀下来。
化学处理方法通常需要使用特定的化学试剂，处理流程相对较为复杂。
3. 物理处理方法物理处理方法是指通过物理手段来处理废水中的污染物。
例如，通过过滤、吸附、沉降等方式，将废水中的固体颗粒和悬浮物分离出来。
物理处理方法通常用于预处理废水，使其更适合进行后续的生物或化学处理。
4. 高级氧化技术高级氧化技术是一种相对较新的半导体行业废水处理方法。
该技术通过产生高活性的氧化剂，将废水中的有害物质氧化分解。
高级氧化技术具有处理效果好、处理时间短、不产生副产物的特点。
5. 反渗透技术反渗透技术是一种通过半透膜分离的方法来处理废水的技术。
该技术通过利用半透膜对废水进行逆渗透，将废水中的溶解物质和微生物分离出来。
反渗透技术适用于处理废水中含有高浓度溶解物质的情况。
6. 电化学处理方法电化学处理方法是利用电化学反应来处理废水中的有害物质。
该方法通过电解池中的阳极和阴极间的反应，将有害物质降解或转化为无害物质。
电化学处理方法可以有效地去除废水中的重金属和有机物。
7. 综合处理方法综合处理方法是将多种废水处理技术进行组合应用，以达到更好的处理效果。
通过综合应用不同的处理方法，可以针对不同的废水成分和处理要求进行更加有效的处理。
总之，半导体行业废水处理是一项重要的环保工作。
通过生物处理、化学处理、物理处理、高级氧化技术、反渗透技术、电化学处理和综合处理等方法的应用，可以有效地去除废水中的有害物质，保护环境和人类健康。
怎么处理半导体(LED)废水
1、国内LED产业具有广阔的发展前景，LED半导体照明应用，广泛地用于大屏幕显示、交通信号灯、手机背光源等，并开始应用于城市美化亮化、景观灯、地灯、手电筒、汽车用灯、指示牌等特殊照明领域。
随着单个LED光通亮和发光效率的提
LED
2、
3、
4、酸碱废水排放：主要包括工艺酸碱废水、废气洗涤塔废水、纯水站酸碱再生废水，采用化学中和法处理。
含砷废水：主要来自背面减薄及划片/分割工序，采用化学沉淀法处理。
一般废水：排放方式均为连续排放，主要指纯水站RO浓缩废水主要污染物为无机盐类，采用生化法去除。
含氟废水：主要清洗废水中含有HF，使用混凝沉淀去除。
5
5.1、
PH值
处理工艺
酸碱废水进入酸碱废水调节池后与投加的药剂进行中和反应，达到工艺要求后进入有机废水调节池。
人工收集到含氟废水收集池，加药剂进行沉淀。
上清液达标排放，污泥排入污泥浓缩池处理。
利用有机废水调节池的池容增加生化处理功能，向池内投加厌氧性水解菌，池
内配置穿孔水力搅拌系统以加强传质，为后继处理单元提供部分水解处理服务。
某半导体芯片生产项目含砷废水处理方案浅析摘要：随着半导体行业的高速发展，半导体芯片生产将产生大量的含砷废水。
同时，日趋严格的废水排放标准对含砷废水处理提出了更高的要求。
本文针对半导体集成电路芯片生产产生的含砷废水，结合工程实际情况，分析了袋滤-氢氧化钙-氯化铁混凝沉淀的处理方法，并采用膜分离技术及离子交换技术对废水进行深度处理，取得了良好的除砷效果，将出水总砷稳定地控制在0.1mg/L以下，达到污染排放标准，降低了对环境的影响。
关键词：半导体；砷化镓；含砷废水；共沉淀；超滤；离子交换随着信息技术和通讯产业的高速发展，化合物半导体材料在微电子和光电子领域发挥越来越重要的作用。
在半导体材料发展过程中，半导体材料主要经历了以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代元素半导体，以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代化合物半导体，以及以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体材料三大阶段[1]。
作为第二代半导体材料，砷化镓是除硅之外研究最深入、应用最广泛的半导体材料。
相对于硅，砷化镓具有较大的禁带宽度，更高的电子迁移率和饱和迁移速率[2]，其不仅可直接研制光电子器件，以砷化镓为衬底制备的集成电路芯片是实现高速率光线通信及高频移动通信必不可少的关键部件[3]，在光电子、微电子及移动通信中应用愈加广泛。
近年来，砷化镓半导体材料市场需求迅速增长。
我国的砷化镓产业也在不断发展，近几年成立了多家砷化镓芯片生产企业。
基于自身材料和生产工艺，在砷化镓芯片的生产过程中排放的废气和废水中均含有砷化合物，其含砷废水的处理也成为砷化镓生产项目亟待解决的问题之一。
砷及其化合物对人体及其他生物体均有广泛的毒害作用，已被国际防癌研究机构和美国疾病控制中心确定为第一类致癌物[4]。
由于砷的高毒性和致癌性，在GB8978-1996《污水综合排放标准》[5]中总砷被列于第一类污染物，最高允许排放浓度为0.5mg/L。
半导体废水回用流程
半导体废水回用的流程一般包括以下几个步骤：
1. 废水收集：将半导体制造过程中产生的废水收集起来，可以通过管道系统或集中收集池进行。
2. 初级处理：将收集到的废水进行初级处理，主要包括固液分离和沉淀过程。
可以通过沉淀池、过滤器等设备将悬浮物和固体颗粒去除，沉淀池中的污泥可以进一步处理。
3. 中级处理：对初级处理后的废水进行中级处理，主要是通过化学方法去除废水中的溶解性有机物和重金属离子。
可能用到的处理方法包括氧化、还原、沉淀、酸碱中和等。
4. 高级处理：对中级处理后的废水进行高级处理，主要是通过物理、化学和生物等方法去除残留的有机物、离子和微生物等。
常见的高级处理方法包括活性炭吸附、反渗透、超滤、紫外线消毒等。
5. 检测和监控：在废水回用过程中，需要进行定期的检测和监控，以确保回用水质量符合相关标准和要求。
常见的监测参数包括悬浮物、化学需氧量、总溶解固体、重金属、微生物等。
6. 回用利用：经过处理后达到回用标准的废水可以进一步用于半导体制造过程中，如再次用于清洗、冷却等。
回用水需要经过适当的处理和消毒，以确保不会对半导体制造过程造成污染。
7. 残余废水处理：部分处理后的废水可能无法回用，需要进行残余废水处理。
常见的方法包括深度处理、浓缩和焚烧等，以达到环境排放标准。
含氟废湿法刻蚀含HF废水水CMP抛光CMP废水研磨废水2 废水处理工艺2.1 含氟废水含氟废水的处理技术主要为化学沉淀法，即投加化学药品形成氟化物沉淀或氟化物被吸附于所形成的沉淀物中而共沉淀，然后分离固体沉淀物即可去除氟化物。
通常使用的药剂为CaCl2或Ca(OH)2，化学反应式为：C a2++2F+ CaF2具体处理工艺流程为：从生产厂房工艺机台排出的含氟废水经收集进入调节池，经充分混合后出水经水泵加压输送至pH调节池，在pH调节池中调至中性或碱性后重力流进入下一级反应池，在该反应池中将废水调节至沉淀反应所需的最佳pH值同时投加CaCl2药剂，去除水中的氟离子，CaCl2和氟离子通过化学反应生成CaF2沉淀，随后废水流入混凝池，在池内投加混凝剂（PAC），在混凝剂的作用下，使废水中的胶体和细微悬浮物凝聚成絮凝体，充分反应后的废水再流入絮凝池，继续投加絮凝剂（PAM），使产生的矾花继续增大，随后废水流入沉淀池进行泥水分离，沉淀池上清液出水经三角堰溢流至含氟废水出水池，并对经过混凝絮凝沉淀单元处理过的水进行F-在线监测，合格的废水经水泵加压输送至酸碱中和系统进行下一步操作，不合格的废水返回至含氟废水调节池重新处理，直至废水达标。
沉淀池池底污泥经污泥泵输送至污泥系统进行处理。
该工艺采用两段化学沉淀，可以使F-<10mg>；另一方面，加药采用CaCl2代替传统的Ca(OH)2，减少了管道堵塞的发生，操作方便，易于控制。
2.2 研磨废水研磨废水主要产生在晶圆减薄研磨过程，主要污染因子为SS、COD、少量盐分。
研磨废水宜采用化学混凝沉淀法处理。
研磨废水与含氟废水处理工艺相近，从节省投资方面考量可以将研磨废水与含氟废水合并处理。
2.3 有机废水有机废水主要污染因子为SS、COD、氮磷，处理方法一般使用生物降解的方法，其中包括好氧生物处理和厌氧生物处理。
某项目有机废水进水水质，PH：8～10，COD：364.9 mg/L，氨氮：37.2 mg/L，总氮：86.7 mg/L；出水水质为，PH：6～8，COD：54.9mg/L，总氮：34.7 mg/L。
半导体废水及废气的处理半导体废水及废气的处理由于制程技术不断演进，使得相关供应系统等级及质量日趋精密且复杂，如毒性气体，化学药品或纯水系统等，而此物质的排放却造成环境恶化的来源之一；因此，如何处理此类高纯度且大量的毒性物质之排放，将是厂务废水，废气处理的重要工作与任务。
一、首先是废水处理系统半导体厂废水之来源，可略分为制程废水，纯水系统之废水，废气洗涤中和液废水等三种，如表七所列。
各排放水可分为直接排放及回收处理方式。
？1. 制程废水：直接排放－HF浓废液，HF洗涤废水，酸／碱性废水，晶圆研磨废水等五种，经各分类管线排至废水厂。
回收处理－有机系列(Solvent,IPA), H2SO4,DIR70%，及DIR90%等，经排放收集委外处理或直接再利用。
2.纯水系统之废水：直接排放－纯水系统再生时之洗涤药剂混合水（含盐酸再生／洗涤液及碱洗涤液）回收处理－系统浓缩液（逆渗透膜组，超限外滤膜组）或是碱性再生废液。
_,3.废气洗涤废水直接排放－洗涤制程所排放的废气之水，均直接排放至处理厂。
至于其处理的程序及步骤，下文为其各项之说明：1. HF浓废液：此废液至处理系统后，添加NaOH提升pH值至8～10之间，注入CaCl2，Ca(OH)2与HF反应向生成CaF2污泥，即HF+CaCl2 + Ca(OH)2←CaF2 + HCl + H2O的反应式。
藉此去除氟离子之浓度量，而CaF2污泥产物与晶圆研磨废液混合，且添加Polymer（高分子）增进其沈降性，以利CaF2污泥经脱水机挤压过滤。
污泥饼则委托代处理业者处理。
另一产物HCl酸气由处理厂废气洗涤后排放，污泥滤液则注入调节池。
2.一般废水：包括HF洗涤废水，酸／碱性废水。
经水系统树脂塔再生废液，废气洗涤废水等进入调节池混合均匀，稀释后泵入调整池中，添加NaOH，H2SO4等酸碱中和剂，将之调整为～的pH值范围后放流入园区下水道。
3.回收处理单元：a.有机废液回收－将IPA溶剂、显影液及浓硫酸废液等独立收集，并委外处理。
b.浓缩液回收再利用－纯水系统设备产生之浓缩液，除供应原系统反洗，再生用外，更可补充大量飞散之冷却用水，如此不但降低排水量，亦可节省用水量。
c.纯水供应系统回收水－目前纯水供应系统可直接回收70%至纯水制造系统，另将制程之洗涤水回收以供冷却系统及卫生用水，此部份占20%，因此，纯水供应系统回收水已可达90%。
}d.碱性再生废液－纯水系统碱性再生废液收集应用于废水处理系统之pH值调节用，如此可减少化学药剂之使用量。
(2)废气处理系统废气产生的设备约有离子布值机，化学清洗站，蚀刻机，炉管，溅镀机，有机溶剂与气瓶柜等，其中有较高浓度污染的废气均先由该机台所属的Local Scrubber（局部洗涤机）先行处理后，在经由全厂之中央废气处理系统做三次处理后，再排入大气中，以达到净化气体之功能。
晶圆厂的废气常含有酸，碱性或腐蚀性，故处理系统的管材就必须能耐酸、碱性或腐蚀性，故处理系统的管材就必须能耐酸、碱性，抗蚀性，甚至耐高温及防水性等，故表八乃将常用材质及使用种类整理归纳。
而其废气处理种类及方式如下： o }v _1.一般性废气，其来源为氧化扩散炉的热气，烤箱及干式帮浦的排气，此废气可直接排放至大气。
2. 酸、碱性之废气，来源为化学清洗站，具刺激性及有害人体。
故一般以湿式洗涤塔做水洗处理后再排入大气。
洗涤塔利用床体或湿润的表面可去除微米以上的粒子。
其气体与液体的接触方式有交叉（垂直交叉）流式、同向流式及逆向流式三种，而水流的设计上，有喷嘴式，喷雾式，颈式及拉西环式等四种。
3. 3.有机溶剂废气通常使用吸附式处理，其常用之吸附剂为活性碳，饱和后可以更换或以再生方式处理。
4.含毒气性废气，其来源为化学气相沈积，干蚀刻机，扩散，离子布值机及磊晶等制程时所产生。
在经机台本身的局部洗涤机的处理后，其后段的处理方法有吸附法，直接燃烧法及化学反应法等数种。
尤其是薄膜成长和磊晶制程时SiH4气体，须特别注意，因其为一俱爆炸及可燃性的气体。
所以单独配管且先经一密闭坚固的燃烧室(Burning Box)，内通空气稀释SiH4至可燃之浓度，令它先行燃烧后再经湿式洗涤塔处理后排出室外。
其反应方式为：4. SiH4 + 2O2←SiO2 （粉末） + 2H2O5. 其中SiO2粉末须定期清洗，以免污染及堵塞管路系统。
另可采用KOH水溶液做为循环液系统，利用二者反应去除SiH 4，反应式如下：6. SiH4 + 2KOH + H2O←K2SiO3 + 4H2再经湿式洗涤塔处理后排出。
其它一些常用的毒性气体，如AsH3,PH3, B2H6亦可以此类化学反应处理。
氟是人体必需的微量元素之一，饮用水适宜的氟质量浓度为～1 mg／L。
当饮用水中氟含量不足时，易患龋齿病；但若长期饮用氟质量浓度高于1 mg/L的水，则会引起氟斑牙病；长期饮用氟质量浓度为3～6 mg/L的水会引起氟骨病。
我国含氟地下水分布广泛，尤其是在西北干旱地区，约有7000万人饮用含氟量超标的水，导致不同程度的氟中毒。
工业上，含氟矿石开采、金属冶炼、铝加工、焦炭、玻璃、电子、电镀、化肥、农药等行业排放的废水中常含有高浓度的氟化物，造成环境污染。
对于这些含氟废水，目前国内大多数生产厂尚无完善的处理没施，所排放的废水中氟含量指标尚未达到国家排放标准，严重污染着人类赖以生存的环境。
按照国家工业废水排放标准，氟离子浓度应小于10 mg/L；对于饮用水，氟离子浓度要求在1 mg／L以下。
含氟废水的处理方法有多种，国内外常用的方法大致分为两类，即沉淀法和吸附法。
除这两类工艺外，还有冷冻法、离子交换树脂除氟法、活性炭除氟法、超滤除氟法、电渗析，至今很少推广应用于除氟工艺，主要是因为成本高、除氟率低。
本文对近年来国内外含氟水化学沉淀、絮凝沉淀、吸附三种处理工艺的研究现状及工程应用进行综述。
1 化学沉淀法对于高浓度含氟工业废水，一般采用钙盐沉淀法，即向废水中投加石灰，使氟离子与钙离子生成CaF2沉淀而除去。
该工艺具有方法简单、处理方便、费用低等优点，但存在处理后出水很难达标、泥渣沉降缓慢且脱水困难等缺点。
氟化钙在18 ℃时于水中的溶解度为 mg/L，按氟离子计为 mg／L，在此溶解度的氟化钙会形成沉淀物。
氟的残留量为10～20 mg/L时形成沉淀物的速度会减慢。
当水中含有一定数量的盐类，如氯化钠、硫酸钠、氯化铵时，将会增大氟化钙的溶解度。
因此用石灰处理后的废水中氟含量一般不会低于20～30 mg／L。
石灰的价格便宜，但溶解度低，只能以乳状液投加，由于生产的CaF2沉淀包裹在Ca(OH)2颗粒的表面，使之不能被充分利用，因而用量大。
投加石灰乳时，即使其用量使废水pH达到12，也只能使废水中氟离子浓度下降到15 mg/L左右，且水中悬浮物含量很高。
当水中含有氯化钙、硫酸钙等可溶性的钙盐时，由于同离子效应而降低氟化钙的溶解度。
含氟废水中加入石灰与氯化钙的混合物，经中和澄清和过滤后，pH为7～8时，废水中的总氟含量可降到10 mg／L左右。
为使生成的沉淀物快速聚凝沉淀，可在废水中单独或并用添加常用的无机盐混凝剂(如三氯化铁)或高分子混凝剂(如聚丙烯酰胺)。
为不破坏这种已形成的絮凝物，搅拌操作宜缓慢进行，生成的沉淀物可用静止分离法进行固液分离。
在任何pH下，氟离子的浓度随钙离子浓度的增大而减小。
在钙离子过剩量小于40 mg／L时，氟离子浓度随钙离子浓度的增大而迅速降低，而钙离子浓度大于100 mg／L时氟离子浓度随钙离子浓度变化缓慢。
因此，在用石灰沉淀法处理含氟废水时不能用单纯提高石灰过剩量的方法来提高除氟效果，而应在除氟效率与经济性二者之间进行协调考虑，使之既有较好的除氟效果又尽可能少地投加石灰。
这也有利于减少处理后排放的污泥量。
由于氟化物不是废水中唯一要被除去的污染物，因此要根据实际情况选择合适的处理方法。
例如含氟废水中溶有碳酸钠、重碳酸钠时，直接投加石灰或氯化钙，除氟效果会降低。
这是因为废水中存在着一定量的强电解质，产生盐效应，增加了氟化钙的溶解度，降低除氟效果。
其有效的处理方法是先用无机酸将废水pH调到6～8之间，再与氯化钙等反应就可有效地除去氟离子。
若废水中含有磷酸根离子，则先用石灰处理至pH大于7，再将沉淀物分离出来。
对于成分复杂的含氟废水，可用加酸反调pH法，即首先在废水中加入过量的石灰，使pH＝11，当钙离子不足时补加氯化钙，搅拌20 min，然后加盐酸使废水pH反调到～8，搅拌20 min，加入絮凝剂，搅拌后放置30 min，然后底部排泥，上清液排放。
近年来有些研究者提出在投加钙盐的基础上联合使用镁盐、铝盐、磷酸盐等工艺，处理效果比单纯加钙盐效果好。
如阎秀芝提出氯化钙与磷酸盐除氟法，其工艺过程是：先在废水中加入氯化钙，调pH至～，反应 h，然后加入磷酸盐，再调pH为～，反应4～5 h，最后静止澄清4～5 h，出水氟质量浓度为5 mg/L左右。
钙盐、磷酸盐、氟三者的摩尔比大约为(15～20)∶2∶1。
文献中报道了一种用氯化钙和三氯化铝联合处理含氟水的方法，其工艺过程是：先在废水中投加氯化钙，搅溶后再加入三氯化铝，混合均匀，然后用氢氧化钠调pH至7～8。
沉降15 min后砂滤，出水氟离子浓度为4 mg/L。
氯化钙、三氯化铝和氟的摩尔比为～1)∶(2～∶1。
钙盐联合使用镁盐、铝盐、磷酸盐后，除氟效果增加，残氟浓度降低，主要是因为形成了新的更难溶的含氟化合物，剩余污泥和运行费用仅为原来的1/10。
如钙盐与磷酸盐合用时，会生成Ca5(PO4)3F沉淀；氯化钙与三氯化铝合用时形成有钙、铝、氟组成的络合物沉淀，其具体组成和结构尚待进一步研究。
利用化学沉淀法可以处理高浓度的含氟废水，氟离子初始浓度为1000～3000mg/L 时，石灰法处理后的最终浓度可达20～30 mg／L，该法操作简便，处理费用低。
但由于泥渣沉降速度慢，需要添加氯化钙或其它絮凝剂，使沉淀加速。
设法提高钙离子浓度及保持高的 pH而使氟化钙沉降是降低氟离子浓度的主要途径。
另外，联合使用磷酸盐、镁盐、铝盐等，比单※自动化操作。
某半导体有限公司废水处理方案一、项目概述某半导体有限公司位于某某市某某路，占地面积为万平方米，目前已建部分占地约三分之一，已建成并投产的为半导体器件“封装和测试”项目，生产的类型属于塑料封装器件，主要生产工艺流程为：芯片整理切割绕线封装测试成品生产过程中主要废水为清洗废水，并有一定量的倾槽废液，现针对上述生产废水、废液，提出本治理方案，请公司领导和上级主管部门审核，提出宝贵意见。
二、废水分类、水质、水量及处理目标1.根据业主提供的有关资料及我司对其生产工艺的现场了解，并结合我司在同类型工程中积累的工程经验，将产生废水分为清洗废水和倾槽废液，具体见下表：序号名称水量（m3/d）pHCOD(mg/L)BOD(mg/L)SS(mg/L)(mg/L)Ni (mg/L)Pb (mg/L)Sn (mg/L)1. 清洗废水350 1～8 3580 1290450 80～100 3～5840 33402. 倾槽废液5<1或>13 350000200002000200015000600002. 本项目经处理后与生活污水一起排入某污水处理厂，达到《污水综合排放标准》（GB8978-1996）三级标准；总镍和总铅需单独达标（生产废水），具体指标如下：pHCOD cr(mg/L)BOD5(mg/L)SS(mg/L)Cu(mg/L)Ni(mg/L)Pb(mg/L)氨氮(mg/L)总磷石油类(mg/L)6～950030040035820三、设计依据及遵循的标准、规范1．业主提供的数据和相关资料。
