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教学目标：1. 理解电子技术的基本概念和原理，为后续课程打下坚实基础。
2. 掌握电路元件、基本电路、信号分析等基础知识。
3. 学会使用电子测量仪器和电路仿真软件。
4. 培养学生分析问题和解决问题的能力。
教学内容：一、第一章：电子技术概述1. 电子技术的基本概念和原理2. 电子技术的应用领域3. 电子技术的未来发展二、第二章：电路元件1. 电阻、电容、电感等基本元件的特性2. 元件参数的测量与计算3. 元件的选择与应用三、第三章：基本电路1. 基本电路的组成与特点2. 电路分析方法（节点电压法、回路电流法）3. 电路的等效变换与简化四、第四章：信号分析1. 信号的基本概念和分类2. 信号的时域分析3. 信号的频域分析五、第五章：电子测量仪器1. 电子测量仪器的基本原理2. 常用电子测量仪器的使用方法3. 测量误差与数据处理六、第六章：电路仿真软件1. 电路仿真软件的基本功能2. 常用电路仿真软件的使用方法3. 仿真结果的分析与处理教学过程：一、导入1. 引入电子技术的基本概念，激发学生的学习兴趣。
2. 介绍电子技术的应用领域，让学生认识到电子技术在现代社会的重要性。
二、讲解1. 详细讲解电路元件、基本电路、信号分析等基础知识。
2. 结合实际案例，讲解电子测量仪器和电路仿真软件的使用方法。
三、实践1. 学生分组进行实验，巩固所学知识。
2. 教师巡回指导，解答学生疑问。
四、总结1. 对本节课所学内容进行总结，强调重点和难点。
2. 布置课后作业，巩固所学知识。
教学评价：1. 课堂表现：学生的出勤率、参与度、课堂提问等。
2. 实验报告：学生的实验操作、数据处理、问题分析等。
3. 课后作业：学生的完成情况、质量等。
教学资源：1. 教材：《电子技术基础》2. 教学课件3. 实验指导书4. 电子测量仪器5. 电路仿真软件教学课时：共6课时备注：1. 教师应根据学生的实际情况调整教学内容和进度。
2. 鼓励学生积极参与课堂讨论，培养学生的创新思维和解决问题的能力。
《电子技术基础》课程教案一、课程概述1. 课程定位：《电子技术基础》是工科电类相关专业的一门核心专业基础课程，旨在培养学生掌握电子技术的基本理论、基本知识和基本技能。
2. 课程目标：通过本课程的学习，使学生了解电子技术的基本概念、基本原理，掌握基本电子元件的工作原理及应用，具备分析和解决电子技术问题的能力。
二、教学内容1. 第一章：电子技术概述教学内容：电子技术的定义、发展历程、应用领域及发展趋势。
2. 第二章：常用电子元件教学内容：电阻、电容、电感、二极管、三极管等基本电子元件的原理、特性及应用。
3. 第三章：基本电路分析教学内容：电路的基本概念、基本定律，直流电路、交流电路和模拟电路的分析方法。
4. 第四章：放大电路教学内容：放大器的基本原理、分类及应用，常见放大电路的设计与分析。
5. 第五章：数字电路基础教学内容：数字电路的基本概念、数字逻辑运算、逻辑门电路、组合逻辑电路和时序逻辑电路。
三、教学方法1. 讲授法：通过讲解、案例分析等方式，使学生掌握电子技术的基本概念、原理和方法。
2. 实践法：安排实验课程，让学生动手操作，加深对理论知识的理解和应用。
3. 讨论法：组织学生进行小组讨论，培养学生的团队合作能力和解决问题的能力。
四、教学评价1. 平时成绩：包括课堂表现、作业完成情况、实验报告等，占总评的40%。
2. 期末考试：包括理论考试和实际操作考试，占总评的60%。
五、教学资源1. 教材：《电子技术基础》教材及相关辅导资料。
2. 实验设备：电子实验台、示波器、信号发生器、万用表等。
3. 网络资源：电子技术相关网站、论坛、教学视频等。
六、第四章：放大电路1. 教学内容：本章主要介绍放大器的基本原理、分类及应用，包括常见放大电路的设计与分析。
具体内容包括：放大器的静态工作点与动态工作点调整放大器的类型：共射放大器、共基放大器、共集放大器放大器的频率特性放大器的级联与多级放大器设计放大器的实用电路设计实例2. 教学方法：结合理论知识讲解放大电路的原理与设计方法。
《电子技术基础》第一章教案教学目标：1. 理解电子技术的基本概念和原理；2. 掌握电子元件的基本特性和使用方法；3. 熟悉电子电路的基本组成部分和基本分析方法。
教学内容：1. 电子技术的基本概念；2. 电子元件的基本特性；3. 电子元件的使用方法；4. 电子电路的基本组成部分；5. 电子电路的基本分析方法。
教学步骤：1. 导入：通过引入日常生活中的电子设备，激发学生对电子技术的兴趣，引出本章的教学内容。
2. 讲解电子技术的基本概念，通过示例和图示让学生理解电子技术的基本原理。
3. 讲解电子元件的基本特性，如电阻、电容、电感等，并通过实物展示和实验让学生熟悉这些元件的使用方法。
4. 通过示例电路，讲解电子电路的基本组成部分，如电源、信号源、放大器、滤波器等，并让学生了解这些元件在电路中的作用。
5. 讲解电子电路的基本分析方法，如电压分析法、电流分析法等，并通过实际电路让学生进行实践操作。
教学评价：1. 课堂讲解的清晰度和连贯性；2. 学生对电子技术基本概念和原理的理解程度；3. 学生对电子元件的基本特性和使用方法的掌握程度；4. 学生对电子电路的基本组成部分和基本分析方法的熟悉程度。
《电子技术基础》第二章教案教学目标：1. 理解半导体器件的基本原理和特性；2. 掌握二极管、晶体管等基本半导体器件的使用方法；3. 熟悉半导体电路的基本组成部分和基本分析方法。
教学内容：1. 半导体器件的基本原理和特性；2. 二极管的基本特性和使用方法；3. 晶体管的基本特性和使用方法；4. 半导体电路的基本组成部分；5. 半导体电路的基本分析方法。
教学步骤：1. 导入：通过介绍半导体器件在现代电子技术中的重要性，引出本章的教学内容。
2. 讲解半导体器件的基本原理和特性，如PN结、二极管、晶体管等，并通过示例和图示让学生理解这些器件的工作原理。
3. 讲解二极管的基本特性和使用方法，如整流、稳压等，并通过实验让学生熟悉二极管的应用。
《电子技术基础》正式教案一、教学目标1. 了解电子技术的基本概念、发展和应用。
2. 掌握电子元件的基本原理和特性，包括电阻、电容、电感等。
3. 学习基本的电子电路分析方法，包括串联、并联、混联电路等。
4. 学会使用常用的电子仪器仪表，如万用表、示波器等。
5. 培养学生的实验操作能力和团队协作精神。
二、教学内容第一章：电子技术概述1.1 电子技术的定义和发展1.2 电子技术的应用领域1.3 电子技术的基本电路元素第二章：电子元件2.1 电阻2.2 电容2.3 电感2.4 二极管2.5 晶体管第三章：基本电路分析3.1 串联电路3.2 并联电路3.3 混联电路3.4 电路的功率和能量第四章：常用电子仪器仪表4.1 万用表的使用4.2 示波器的使用4.3 信号发生器和频率计的使用第五章：实验操作与团队协作5.1 电子实验的基本操作5.2 电子实验的安全注意事项5.3 团队协作与沟通技巧三、教学方法1. 讲授法：讲解电子技术的基本概念、原理和分析方法。
2. 实验法：通过实验操作，让学生亲手实践，加深对电子技术的理解和掌握。
3. 案例分析法：分析实际应用中的电子技术案例，提高学生的应用能力。
4. 小组讨论法：鼓励学生相互交流、讨论，培养团队合作精神。
四、教学评价1. 平时成绩：包括课堂表现、作业完成情况等，占总评的30%。
3. 期末考试：包括理论知识、电路分析和实际操作，占总评的40%。
五、教学资源1. 教材：《电子技术基础》正式教案。
2. 实验设备：电阻、电容、电感、二极管、晶体管等元件，万用表、示波器等仪器仪表。
3. 辅助材料：教案、PPT课件、实验指导书等。
六、教学进度安排1. 第一章：2课时2. 第二章：3课时3. 第三章：4课时4. 第四章：3课时5. 第五章：2课时七、教学注意事项1. 注重学生的安全意识和实验操作规范。
2. 鼓励学生提问，及时解答学生疑问。
3. 关注学生的学习进度，适时调整教学难度和节奏。
电子技术全册教案完整版教学设计第一章：电子技术基础1.1 电子技术概述了解电子技术的定义和发展历程。
掌握电子元件的基本概念和特性。
1.2 电子元件学习电阻、电容、电感等基本电子元件的符号和功能。
了解二极管、晶体管等半导体元件的原理和应用。
1.3 电子电路的基本分析方法学习电路分析的基本原理和方法，如欧姆定律、基尔霍夫定律等。
掌握电子电路的简单分析和计算能力。
第二章：模拟电子技术2.1 放大电路学习放大电路的基本原理和分类。
掌握放大电路的设计和分析方法。
2.2 滤波器了解滤波器的作用和分类。
学习模拟滤波器的设计和应用。
2.3 振荡电路掌握振荡电路的原理和分类。
学习振荡电路的设计和应用。
第三章：数字电子技术3.1 数字逻辑基础学习数字逻辑的基本概念和原理。
掌握逻辑门、逻辑函数和逻辑代数的基本运算。
3.2 数字电路学习组合逻辑电路和时序逻辑电路的原理和设计。
掌握数字电路的应用和实例。
3.3 数字计算机基础了解计算机的基本组成和工作原理。
学习计算机的中央处理器、存储器和输入输出系统。
第四章：电子测量与仪器4.1 电子测量基础学习电子测量的基本概念和方法。
掌握电子测量仪器的原理和使用方法。
4.2 常用电子测量仪器学习示波器、信号发生器、万用表等常用电子测量仪器的使用。
了解电子测量仪器的维护和保养。
4.3 电子测量实验进行电子测量实验，掌握实验操作技能和数据处理方法。
分析实验结果，提高实验能力和科学思维。
第五章：电子技术应用实例5.1 电子控制系统了解电子控制系统的基本原理和组成。
学习电子控制系统的设计和应用。
5.2 电子制作实例学习电子制作的步骤和技巧。
完成一个简单的电子制作项目，提高动手能力和创新能力。
5.3 电子技术在现代社会中的应用了解电子技术在现代社会中的广泛应用。
学习电子技术在通信、家电、工业控制等领域的应用实例。
第六章：集成运算放大器6.1 运算放大器概述学习运算放大器的基本原理和特性。
掌握运算放大器的应用领域和选用原则。
《电子技术基础》正式教案第一章：电子技术概述1.1 电子技术的定义与发展介绍电子技术的定义讲解电子技术的发展历程1.2 电子技术的基本组成部分介绍电子电路的基本组成部分讲解电子元件的功能和特点1.3 电子技术的基本测量与测试方法介绍电子技术的测量与测试方法讲解测量工具的使用和测量原理第二章：模拟电子技术基础2.1 模拟电子元件介绍电阻、电容、电感等基本元件的特性讲解二极管、晶体管等有源元件的功能和特点2.2 模拟电子电路分析并讲解基本放大电路、滤波电路、振荡电路等介绍模拟集成电路的基础知识2.3 模拟信号处理讲解模拟信号的采样与保持介绍模拟信号的调制与解调第三章：数字电子技术基础3.1 数字电子元件介绍逻辑门、逻辑电路的功能和特点讲解触发器、计数器等数字电路的应用3.2 数字电路设计分析并讲解组合逻辑电路、时序逻辑电路的设计方法介绍数字集成电路的基础知识3.3 数字信号处理讲解数字信号的编码与解码介绍数字信号的滤波与加密技术第四章：电子电路的设计与实践4.1 电子电路设计的基本原则和方法讲解电子电路设计的基本原则介绍电子电路设计的方法和步骤4.2 电子电路仿真与实验讲解电子电路仿真软件的使用方法安排电子电路实验项目，讲解实验原理和方法4.3 电子电路的安装与调试讲解电子电路的安装工艺和注意事项介绍电子电路调试的方法和技巧第五章：现代电子技术应用与发展5.1 微电子技术及其应用介绍微电子技术的基本概念和特点讲解微电子技术在现代电子产品中的应用5.2 通信技术及其应用介绍通信技术的基本原理和分类讲解通信技术在现代通信系统中的应用5.3 嵌入式系统及其应用介绍嵌入式系统的基本概念和组成讲解嵌入式系统在现代工业中的应用第六章：传感器与信号检测6.1 传感器的基本原理与应用介绍传感器的作用和分类讲解常见传感器的原理及其在电子技术中的应用6.2 信号检测技术讲解信号检测的基本原理和方法介绍信号处理技术在电子技术中的应用6.3 传感器与信号检测实验安排传感器与信号检测实验项目讲解实验原理和操作方法第七章：电源技术与电子测量7.1 电源技术基础介绍电源的分类和基本原理讲解电源电路的设计和保护7.2 电子测量技术介绍电子测量的基本概念和方法讲解电子测量仪器仪表的使用和维护7.3 电源与电子测量实验安排电源与电子测量实验项目讲解实验原理和操作方法第八章：可编程逻辑器件与计算机8.1 可编程逻辑器件介绍可编程逻辑器件的分类和特点讲解可编程逻辑器件的设计和应用8.2 计算机硬件基础介绍计算机硬件系统的组成和功能讲解中央处理器（CPU）、存储器、输入输出设备等的基本原理和应用8.3 计算机软件与编程介绍计算机软件的分类和特点讲解计算机编程语言及其应用第九章：电子技术在工程应用中的案例分析9.1 电子技术在通信工程中的应用分析电子技术在通信系统、设备中的应用案例讲解通信工程中的关键技术及其解决方案9.2 电子技术在自动化控制中的应用分析电子技术在自动化控制系统中的应用案例讲解自动化控制工程中的关键技术及其解决方案9.3 电子技术在现代医疗设备中的应用分析电子技术在医疗设备中的应用案例讲解医疗电子工程中的关键技术及其解决方案第十章：电子技术的创新与发展趋势10.1 电子技术的创新与发展介绍电子技术在科研、产业等领域的创新成果分析电子技术的发展趋势和前景10.2 现代电子技术的应用领域讲解电子技术在物联网、大数据、等领域的应用10.3 电子技术的创新与产业发展探讨电子技术产业发展对经济社会的影响分析电子技术创新对人才培养的需求和挑战重点解析本文档是《电子技术基础》正式教案的完整版，共包含十个章节。
《电子技术基础》第一章教案【教学目标】1. 了解电子技术的基本概念和应用领域。
2. 掌握电子元件的基本原理和特性。
3. 学会使用电子元件进行基本的电路设计。
【教学内容】1. 电子技术的基本概念和应用领域。
2. 电子元件的基本原理和特性。
3. 电路设计的基本方法。
【教学过程】1. 导入：介绍电子技术的基本概念和应用领域，引发学生对电子技术的兴趣。
2. 讲解：讲解电子元件的基本原理和特性，通过示例进行说明。
3. 实践：学生分组进行电路设计，使用电子元件进行实践操作。
【教学评价】1. 学生对电子技术的基本概念和应用领域的了解程度。
2. 学生对电子元件的基本原理和特性的掌握程度。
3. 学生对电路设计的基本方法的掌握程度。
《电子技术基础》第二章教案【教学目标】1. 了解半导体器件的基本原理和特性。
2. 掌握半导体器件的应用方法和技巧。
3. 学会使用半导体器件进行基本的电路设计。
【教学内容】1. 半导体器件的基本原理和特性。
2. 半导体器件的应用方法和技巧。
3. 电路设计的基本方法。
【教学过程】1. 导入：介绍半导体器件的基本原理和特性，引发学生对半导体器件的兴趣。
2. 讲解：讲解半导体器件的基本原理和特性，通过示例进行说明。
3. 实践：学生分组进行电路设计，使用半导体器件进行实践操作。
【教学评价】1. 学生对半导体器件的基本原理和特性的了解程度。
2. 学生对半导体器件的应用方法和技巧的掌握程度。
3. 学生对电路设计的基本方法的掌握程度。
《电子技术基础》第三章教案【教学目标】1. 了解放大电路的基本原理和特性。
2. 掌握放大电路的设计和调试方法。
3. 学会分析放大电路的性能指标。
【教学内容】1. 放大电路的基本原理和特性。
2. 放大电路的设计和调试方法。
3. 放大电路的性能指标分析。
【教学过程】1. 导入：介绍放大电路的基本原理和特性，引发学生对放大电路的兴趣。
2. 讲解：讲解放大电路的基本原理和特性，通过示例进行说明。
湘乡市第一职业中专《电子技术基础》教案教师：李梅阳第一章半导体的基础知识第一节半导体二极管教学目的： 1、了解半导体材料2、知道 PN 结的特性3、了解晶体二极管的结构和工作原理4、掌握基本二极管电路的分析方法教学重点： 1、PN 结导电特性2、二极管的导电特性及主要参数教学难点： 1、PN 结导电特性2、二极管伏安特性教学方法与手段： 1、教师讲授与学生练习、实验实训相结合。
2、板书与多媒体课件相结合。
课时计划： 4 课时一、本征半导体纯净的半导体称为本征半导体。
1）半导体的特性按导电能力物质划分为 :导体、绝缘体、半导体。
半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体的导电特性：有热敏性、光敏性和掺杂性。
本征激发：我们把在热或光的作用下,本征半导体中产生电子空穴对的现象 ,称为本征激发,又称为热激发。
本征激发产生了电子－空穴对。
二、杂质半导体1）N在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后,就可成为 N 型半导体 ,在这种半导体中 ,自由电子数远大于空穴数,导电以电子为主 ,故此类半导体亦称电子型半导体。
自由电子 --多数载流子（简称多子）,空穴 --少数载流子（简称少子）＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋N 型半导体P 型半导体2）P在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼（或铟）等，就构成了 P 型半导体，在这种半导体中，自由电子数远小于空穴数，导电以空穴为主，故此类半导体亦称为空穴型半导体。
三、 PN1） PN在一块完整的晶片上 ,通过一定的掺杂工艺 ,一边形成 P 型半导体 , 另一边形成 N 型半导体。
在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层 , 称为空间电荷区 ,并产生内电场 ,其方向是从 N 区指向 P 区 ,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强 ,多子的扩散运动逐步减弱 ,直至停止 ,使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即 PN 结。
因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了 ,因此空间电荷区又称为耗尽层。
PN结合因多子浓度差多子的扩散空间电荷区形成内电场阻止多子扩散，促使少子漂移。
P 区N 区P 区空间电荷区N 区＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋内电场方向载流子的扩散运动PN 结及其内电场2） PN偏置电压：在 PN 结两端外加电压 ,称为给 PN 结以偏置电压。
（1) PN 结正向偏置正向偏置：给 PN 结加正向偏置电压 ,即 P 区接电源正极 ,N 区接电源负极 ,此时称 PN 结为正向偏置 (简称正偏 ),此时 PN 结处于正向导通状态。
空间电荷区变窄PI外电场E ＋＋＋N内电场R如上图所示。
由于外加电场与内电场的方向相反,因而削弱了内电场,使 PN 结变窄 ,促进了多子的扩散运动。
形成了较大的正向电流。
（2) PN反向偏置：给 PN 结加反向偏置电压 ,即 N 区接电源正极 ,P 区接电源负极 ,称 PN 结反向偏置 (简称反偏 )。
只有少数载流子形成的很微弱的电流 ,称为反向电流。
空间电荷区变宽＋＋＋P＋＋＋N＋＋＋内电场外电场IER如上图所示。
由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使 PN 结加宽 ,阻碍了多子的扩散运动。
在外电场的作用下,应当指出,少数载流子是由于热激发产生的,因而 PN 结的反向电流受温度影响很大。
结论： PN 结具有单向导电性。
即加正向电压时导通,加反向电压时截止。
四、半导体二极管一) 、二极管的结构外壳(阳极)(阴极)(阳极)V(阴极)P N＋－＋－阳极引线阴极引线2AP2CZ542CZ132CZ30(a)( b)2CP(c )二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图4.7 所示 , (a)结构； (b) 符号； (c) 外形在图所示电路符号中 ,箭头指向为正向导通电流方向。
类型：(1)按材料分 :有硅、锗二极管和砷化镓二极管等。
(2）按结构分 :有点接触型、面接触型二极管、平面型二极管。
(3）按用途分 :有整流、稳压、开关、发光、光电等二极管。
(4）按封装形式分 :有塑封及金属封等二极管。
(5)按功率分 :有大功率、中功率及小功率等二极管。
二) 、二极管的伏安特性i V / m A硅锗15B ′B105I －U(BR)－ 30RAOA ′C0.20.40.60.8u V / V－5C′( A)DD ′二极管伏安特性曲线若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来, 就构成二极管的伏安特性曲线, 如上图所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）。
下面对二极管伏安特性曲线加以说明。
1.正向特性：二极管两端加正向电压时 ,就产生正向电流 ,当正向电压较小时 ,正向电流极小（几乎为零） ,这一部分称为死区 ,相应的 A(A ′) 点的电压称为死区电压或门槛电压 (也称阈值电压。
如上图中 OA(OA ′) 段。
死区电压：硅管约为0.5V, 锗管约为 0.1V当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。
正向导通压降：硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V, 锗管约为 0.2~0.3V 。
如图 4.8 中 AB(A ′B′)段。
二极管正向导通时 , 要特别注意它的正向电流不能超过最大值 ,否则将烧坏 PN 结。
2.反向特性：二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内 ,二极管相当于非常大的电阻 ,反向电流很小 ,且不随反向电压而变化。
此时的电流称之为反向饱和电流IR,见上图中 OC（OC ′）段。
3、二极管的击穿特性反向击穿：二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大 ,这种现象称为反向击穿。
此时对应的电压称为反向击穿电压 ,用 UBR 表示,如 C′D′)段。
三) 、二极管的主要参数1.最大整流电流 IF2.最大反向工作电压 URM本课小结：1.PN 结是组成半导体二极管和其他有源器件的重要环节。
2.当 PN 结加正向电压时正向偏置时的情况，加反向电压时反向偏置的情况。
3．PN 结具有单向导电性。
4、二极管的重要特性是单向导电性。
5、二极管的主要参数有最大整流电流、最大反向电压和最大反向电流。
练习题与作业题：1、思考题： PN 结在什么情况下正偏？什么情况下反偏？2、作业题： PN 结为什么具有单向导电性？3、《电子技术基础》教材P20 1-5。
第二节半导体三极管教学目的：了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数。
教学重点：了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数。
教学难点：输入输出特性曲线、电流放大作用。
教学方法与手段：教师讲授与学生练习、实验实训相结合；板书与多媒体课件相结合。
课时计划： 4 课时一 .晶体三极管的结构结构组成：由两个 PN 结、 3 个杂质半导体区域和三个电极组成，杂质半导体有 P、N 型两种。
三个区：基区 ---很薄。
一般仅有 1 微米至几十微米厚 .发射区 ---发射区浓度很高。
集电区 ---集电结截面积大于发射结截面积。
两个 PN 结：发射结 ---为发射区与基区之间的PN 结。
集电结 ---为集电区与基区之间的PN 结。
三个电极：发射极 e、基极 b 和集电极 c; 分别从这三个区引出的电极。
三个区组成形式：有 NPN 型和 PNP 型两种。
结构和符号如图 5.1.1 所示。
NPN 型晶体三极管的结构图及表示符号PNP 型三极管种类：按基片材料分 ---硅管，目前国内生产硅管多为NPN 型（3D 系列）；锗管，目前国内生产锗管多为PNP 型（3A 系列）。
按频率特性分 ---高频管和低频管。
按功率大小分 ---大功率管、中功率管和小功率管等。
按组成形式分 ---有 NPN 型和 PNP 型两种。
实际应用中采用 NPN 型三极管较多。
PNP 型和 NPN 型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同，这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。
二、电流放大原理（1）产生放大作用的条件内部： a）发射区杂质浓度 >> 基区 >>集电区b）基区很薄外部：发射结正偏，集电结反偏（2）三极管内部载流子的传输过程a）发射区向基区注入电子，形成发射极电流iEb）电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流iBc ）集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流I C（3）电流分配关系：I E =I C +I BI CNR CI B PR BUCCNUBB I E1）发射区向基区发射电子的过程2）电子在基区的扩散和复合过程3）电子被集电区收集的过程三极管的电流放大作用：实验表明 I C 比 I B 大数十至数百倍，因而有。
I B 虽然很小，但对 I C有控制作用， I C 随 I B 的改变而改变， 即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化， 表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。
当 I CBO 可以忽略时，上式可简化为把集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比定义为三极管的共发射极交流电流放大系数β，其表达式为：湘乡市第一职业中专《电子技术基础》教案教师：李梅阳I CIBIICB三、晶体三极管的特性曲线三极管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线。
mAR ci Bi C ＋AUCC＋ R b＋i E－UBB＋ Vu CEVuBE－－－三极管特性曲线的测试电路（一）输入特性曲线三极管的输入特性曲线如图下图所示。
I CmAI B /mA I B+ 40μAR CU CE30 U CE ≥1VR B+－V20V U BEUCC100 0.4 0.8 U BE /VU BB－测量三极管特性的实验电路三极管的输入特性曲线1. 当 u CE ＝０时从输入端看进去 , 相当于两个ＰＮ结并联且正向偏置 , 此时的特性曲线类似于二极管的正向伏安特性曲线。
2. 当 u CE ≥111图中可见 ,的曲线比 u CE＝０ V 时的曲线稍向右移移动。
但当u CE≥2Ｖ后，曲线基本重合。
(二) 输出特性i曲线iCB（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置。
i B0,i C0（ 2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置。
I C /mA饱和区100Aμ4μA803放60μ A（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置。
2大μA40区μA截止区120I B=0036912U CE /V四、晶体三极管的主要参数1、三极管为共发射极接法静态（直流）电流放大系数：三极管为共发射极接法，在集电极 - 发射极电压 UCE 一定的条件下，由基极直流电流 IB 所引起的集电极直流电流与基极电流之比，称为共发射极静态（直流）电流放大系数，记作 :12IC I CEO ICI B I B动态（交流）电流放大系数β：当集电极电压U CE 为定值时，集电极电流变化量I C 与基极电流变化量I B 之比，即：Ic I B(二) 极间反向截止电流１、发射极开路，集电极－基极反向截止电流I CBO 。
