电子束蒸发操作规范

电子束蒸发设备使用方法说明书使用方法说明书一、简介电子束蒸发设备是一种常见的薄膜蒸发工艺设备，用于将固态材料蒸发成薄膜。

本使用方法说明书将详细介绍电子束蒸发设备的使用流程和注意事项，以便用户正确操作设备，获得高质量的薄膜产品。

二、设备准备1. 打开电子束蒸发设备箱体，确保所有配件完好无损，无缺陷。

2. 将电子束源、样品托板等配件装入设备，注意配件固定牢固，且无障碍物堵塞。

三、设备操作1. 打开电子束蒸发设备电源，启动电子束发射系统。

2. 调节加热系统，根据所使用的材料类型和蒸发要求，设定合适的温度和加热时间。

3. 调节电子束均匀性，确保电子束在样品表面均匀蒸发，避免产生不均匀的薄膜。

4. 调节蒸发速率，控制蒸发速度，以获得所需的薄膜厚度。

5. 监控真空度，确保设备处于适宜的真空环境，避免对薄膜质量的负面影响。

四、薄膜蒸发操作注意事项1. 室温控制：薄膜蒸发需要在适宜的工作室温度下进行，因此应确保操作环境恒温，并避免温度过高或过低对薄膜形成的影响。

2. 材料选择：根据所需薄膜的应用，选择适合的蒸发材料，并确保材料纯度，以提高薄膜质量。

3. 样品准备：将待蒸发的样品进行预处理，如清洗、抛光等，以确保薄膜附着良好。

4. 附着控制：根据所需薄膜的厚度要求，控制蒸发时间和速度，确保薄膜附着均匀。

5. 真空度控制：适当的真空度能提高薄膜的质量，因此在蒸发过程中应监测和控制真空度。

6. 安全操作：操作时应注意个人安全，避免暴露在高温、高真空等危险环境中。

五、设备维护1. 清洁保养：设备使用后，应及时清理残留物，保持设备干净，以延长设备寿命。

2. 零部件更换：定期检查设备零部件的磨损程度，如发现磨损需更换零部件，避免影响设备正常运行。

3. 执行维护：设备故障时，应立即停止使用并联系维修人员，不得私自拆卸或修理设备。

六、注意事项1. 请仔细阅读本使用方法说明书，并按照说明进行操作。

2. 请保持操作环境干燥、整洁，并避免操作过程中产生灰尘、杂质等对薄膜质量的负面影响。

电子束蒸发使用步骤一、前期准备工作1、放基片材料（找准对应坩埚位置）。

2、将样品台和坩埚的两个挡板都挡上。

3、关门前，检查密封圈是否正常。

4、将放气和进Ar气口都拧紧。

二、抽真空1、开供电电源开冷却水（约5min之后）开真空计开机械泵开粗抽阀（先开小一点，将门压紧后，再全打开）。

2、真空计压强小于10Pa时，关粗抽阀（屏幕上尾数显示为0，尾数代表10的几次方）。

3、开电磁阀开分子泵开关，点击运行（约6min之后，分子泵进入正常工作状态，转数逐渐增大，可达27000r/min）。

4、开高真空闸板阀，开到最大（真空正常为6.67×10-4 Pa,最小为6.67×10 -5 Pa）。

5、开步进电机开关，控制转数为10 r/min（通过观察，设置好转数，然后关挡板）。

三、开始镀膜1、开E型枪电源，选择手动模式，按回车键确认（电压控制在6KV）。

2、确认屏幕上5个灯全绿。

3、点击屏幕上灯丝，调灯丝电流0.5A。

4、开气瓶，数值调为0.3左右开坩埚挡板（屏幕和遥控均可用），关基底挡板。

5、开高压，观察坩埚内是否有光斑。

6、调整X、Y位移，使光斑位于坩埚中央。

调整X、Y幅度，使光斑较大且在坩埚内均匀7、缓慢增大束流（手动遥控最下方中间的“蒸发调节旋钮”），直到观察坩埚内材料表面出现波纹状时停止，此时为坩埚内材料的束流最大值。

（经验值：钛－束流值77左右）。

8、开膜厚仪，（提前设置好厚度，根据经验找出膜厚的误差范围）。

9、开基底挡板，开始计时。

10、关基底挡板，计时结束，镀膜完成。

四、镀膜完成，关闭设备1、缓慢关束流，听到“滴”声关高压关挡板关灯丝关总电源。

2、降温30min左右。

3、关高真空闸板阀（顺时针拧，最紧时没有全关，再沿顺时针方向拧，变松即可）。

4、点击分子泵“停止”按钮（频率降为0），关分子泵电源开关关电磁阀关机械泵。

5、松开活门旋钮，打开放气孔（开到最大），从充气阀向系统充入干燥气体（最好使用N2），气瓶上读数不要超过0.3，系统气体充满，门自动打开。

电子束蒸发镀膜仪简易操作流程1、打开北313高纯氮气瓶主阀（减压阀0.25 MPa，使用结束切记关阀，因为漏气）；2、打开电子束蒸发仪后面的高氮手阀；3、登陆界面。

沉积系统和膜厚系统分别登陆；4、观察两个腔室真空度情况：主腔室一般~ 10-8 torr，送样室一般~ 10-7 torr；5、在真空界面，Loadlock自动充气（提前打开门把手）；6、取样品盘，装样，放入腔体，关仓门；7、Loadlock自动抽气，待真空达到~ 10-7 torr；8、送样：在送样界面，点击自动送样，稍等一会（待字体由红变黑结束送样），打开观察窗挡板观察送样是否到位，随后关闭观察窗挡板；9、打开下方的电子束高压电源与扫描控制器；10、在膜厚系统，Edit -> Process ->选择对应靶材，更改速率Set point（Å/s）以及厚度Finalthickness（kÅ），点击OK；11、在工艺控制界面，材料分布处输入对应靶材的号码并确定，点击坩埚导位（由绿变红完成导位）；打开观察窗挡板观察是否导位正确，随后关闭观察窗挡板；12、在工艺控制界面，样品旋转~10 rpm；13、待主腔室真空度达到~ 10-8 torr，点击HV1 On，开电子束，由红变绿，响一声；14、点击Start process，开始自动镀膜；15、在膜厚系统观察蒸镀过程。

Output power graph和Rate graph；若出现异常，点Abortprocess；16、蒸镀结束后，关闭HV1 ON。

若还需蒸镀其他材料，回到第9步；17、关闭高压电源以及扫描控制器；18、在送样界面，自动取样，稍等一会，待取样完成；19、Loadlock自动充气（提前打开门把手），取样；20、将样品盘放回，关仓门，Loadlock自动抽气；21、待Loadlock自动抽气按钮变成黑色后，退出登录（点击注销）；22、关闭高氮手阀，以及北313高氮气瓶；23、实验登记。

电热蒸发器操作规程电热蒸发器是一种常用的蒸发设备，广泛应用于化工、制药等行业。

为了确保设备的安全运行，提高蒸发效果，以下是电热蒸发器的操作规程。

一、安全操作规程1. 操作人员必须熟悉设备的结构、性能以及操作步骤，并获得相关的培训和授权。

2. 在操作之前，需要检查设备的各个部分是否正常，如蒸发室、加热器、冷凝器、泵等。

3. 操作人员必须穿戴好工作服和劳动防护用品，如防护眼镜、防护手套等。

4. 在操作过程中，严禁擅自改变设备的参数设置，如加热温度、冷凝温度等。

5. 严禁在设备运行时进行非必要的移动或搬运，以免造成设备的损坏或人身伤害。

6. 在维修、清洗或更换设备零部件时，必须关闭设备电源，并设置相应的标识，防止他人误操作。

7. 若设备发生故障或异常情况，操作人员应立即停止操作并报告相关负责人进行处理。

二、操作步骤1. 充分了解待处理物料的性质和蒸发要求，根据实际情况确定操作参数，如蒸发温度、蒸发时间等。

2. 检查电热蒸发器的各个部分是否处于正常状态，如加热器是否干净、泵是否正常工作等。

3. 打开蒸发室的进料阀门，通过泵将待处理物料送入蒸发室。

4. 根据设定参数，打开加热器，开始加热蒸发室内的液体。

5. 同时打开冷凝器，以降低蒸发室内的温度，使液体蒸发成蒸汽。

6. 根据物料的蒸发性质和要求，控制加热和冷凝的效果，保持适当的蒸发速度。

7. 常规检查蒸发室内的液位和蒸汽压力，确保设备的正常运行。

8. 当待处理物料蒸发至所需浓度或蒸发时间达到要求时，关闭加热器和冷凝器。

9. 关闭进料阀门，停止物料的进料。

10. 清洗设备内部，清除残留物，确保设备处于干净的状态。

11. 关闭设备电源，做好设备的保养和维护工作。

三、设备维护与保养1. 定期检查设备的电气接线、传动部件的润滑情况，确保设备的正常运行。

2. 检查设备的阀门和管道连接处是否存在泄漏，如有发现问题及时修理或更换。

3. 清洗设备内部的沉淀物和污垢，防止设备堵塞或减低蒸发效果。

TF500 操作流程1 操作安全•在您操作任何部件之前请阅读所有相关的说明。

•TF500的表面或部件可能很热或很冷.请不要触碰热的或冷的表面，比如泵体，材料,夹具,真空腔体和连有石英加热并有其他排气工艺的部件。

•请保持所有配件柜处于闭锁状态。

请不要把钥匙留在锁上.•在腔体打开的时候,电子枪挡板是可以转动的。

操作员需注意，因为挡板不留意的转动可能导致人员伤害并导致设备损坏。

2 TF500启动2.1 启动TF5001. 启动冷却水源。

2. 启动压缩气体源。

3. 启动充气气体源。

4. 请确保在19寸控制柜面板上的所有部件的控制都处于“关”的位置。

5. 打开TF500的电源空气开关，确保EMO松开。

按下前面板“I/O”按钮启动设备，然后按“Reset”按钮给各个部件加电自检。

6. 打开电脑，进入Win7的密码为admin，SCADA软件将在win7中自动打开，点“Start”开始运行SCADA软件， SCADA软件将初始化并加载各部件(注意！不要关闭设备自动打开的其他界面），在主软件界面登陆相应的权限,进入组态的CONTROL SCREEN，按按钮。

抽真空系统随后将会启动。

7. 当系统状态为“TURBO PUMP READY”，这就表示腔体已经准备好了，可以对腔体抽真空开始做工艺了。

2。

2 装载TF500腔体请参考PC操作的补充材料“PC控制”文件。

当腔体处于真空状态,如果可以请先按按钮再按按钮对腔体进行充气.充气阀打开并对腔体充气,并在腔体充气时间结束后自动关闭充气阀门，如果门已经打开，充气时间还未结束，请再次按下键关闭充气气源.打开腔体门并将基板安装到旋转盘上。

关闭腔门并检查确保基板仍在正确的位置上.按或按钮对系统抽真空.3 TF500关机3.1正常关机我们推荐您使用如下流程进行关机。

在您关闭TF500时，保持TF500腔体处于真空状态。

1. 确保真空腔门是关闭的.2. 在系统控制界面，按按钮,然后等到腔体压力降到3 x 10-4 mbar或更低。

电子束蒸发系统操作步骤抽真空→热蒸发/电子枪操作→关闭热蒸发/电子枪系统→关闭真空系统抽真空1.关闭进气阀，开冷却水，打开总电源（仪器柜后面与前面）2.将抽气管子放窗外，打开冷却水报警（鸣叫表示分子泵冷却水未开）3.开机械泵，电磁阀1，开角阀（先慢后快）4.开真空计，当真空度高于10帕时，关闭角阀5.电磁阀2，开插板阀（双手操作），开分子泵6.当运行分子泵后，真空示数正常下降，关闭真空计电子枪系统操作1.（当真空计读数低于6.7×10-3Pa),开内5开关2.按扫描键（柜门灯亮，开电子枪冷却水，枪水流灯亮，X电流0.8A，Y 电流0A）3.枪灯丝电源（0.4A，电压60V，预热3至5分钟）4.束流控制调为手动，打开高压8Kv5.检查束流是否最小，按手控仪上高压键，稳定2分钟6.慢慢增加束流（顺时针旋增大，不同金属蒸发束流参数不同，需保存）7.调节光斑位置（X顺时针向下，Y顺时针向右）8.打开膜厚仪冷却水，打开膜厚仪，打开样品台挡板关闭电子枪系统过程1.束流慢慢调到最小，关闭手控仪上高压，关闭8KV开关2.枪灯丝电流关闭，关闭扫描键，关闭内5开关关闭真空系统过程（电子束做完应等待半小时或更长时间才关闭真空）1.停止分子泵，关闭插板阀，分子泵转速为0，电磁阀中间2.分子泵停止半小时后，停止机械泵，关闭真空计，关闭总电源（柜门前后），关冷却水膜厚仪操作（先打开膜厚仪冷却水）Setting: 进入参数设置→移动光标到参数类型（setting只按一次，若多按请继续按setting直到回到“层次”）；↑，↓：更改参数（层次，材料，方式），厚度，密度，声阻抗按数字直接输入；begin:按两次测膜厚；operating：停止镀膜；delete：镀膜结束；再按operating回到基本显示状态热蒸发操作压缩机操作1.电源（红色把）竖直→关闭；水平→打开2.气路（0.25MPa）平直→打开；垂直→关闭旋钮：控制气压大小注意事项1.真空度低于0.1Pa，机械泵不能直接打开连通，会造成回油，电离规不能打开2.电子束结束，束流旋到最小；X/Y振幅最小，X/Y位置不要变化3.真空计，膜厚仪不需要显示时，及时关闭；真空腔及时关闭，不要让腔体长时间暴露大气4.分子泵，电子束停止操作后，冷却水继续冷却20分钟左右5.打开气路，要慢慢操作；电子器件要预热6.不要把东西丢在真空腔内7.定期清洁真空室8.戴口罩，手套，穿实验服操作紧急断电事项1.关闭高压部分：关闭手控仪上高压键，关柜8KV，束流调到自动，关枪灯丝电源，关扫描键2.关真空系统部分：电磁阀中间，关闭插板阀，关闭分子泵电源，关闭机械泵，关前后总电源3.学习灭火器灭火特别提醒定期检查分子泵，机械泵的油，注意声音水，电，气，门，窗关闭了吗？。

一，电子束蒸发开机流程1，开循环水。

先开回水阀，再开进水阀。

打开腔室装样品(参考关机流程第7条)。

2，开总控制电源。

3，开机械泵4，开初抽阀，开真空计。

5，待真空计读书小于10Pa,关初抽阀，开电磁阀。

6，若真空计读数稳定，开分子泵。

7，开启高真空阀。

8，开控温电源并设定样品基座温度（功率限制控制在6到7之间）。

9，待真空达到工艺要求（一般小于6.7E-3Pa），则开始电子束蒸发工艺。

二电子束蒸发工艺流程1，开蒸发控制电源。

2，枪灯丝预热。

将灯丝工作电流由预置开关调整到0.6A并等待5分钟。

3，高压选择开关开，根据工艺要求可选择6千伏或者8千伏档。

4，扫描开。

此时可打开步进电机控制电源。

关闭真空计。

5，通过调节器上按纽开高压。

6，通过手动选纽调整光斑，使得光斑处于坩埚中央并有小幅晃动。

（注意应使得X扫描电流在1附近，Y扫描电流在0附近）7, 束流加大，开始融料并蒸发。

注意一定要缓慢调节束流，防止由于加热过快而打坏坩埚或者使得蒸发源飞溅出来。

8，待料融化后手动开关打开挡板。

9，打开样品挡板，开始蒸发。

蒸发结束，关闭挡板。

10，束流调为零。

（非常关键，一定要注意）11，手动高压关。

12，扫描关。

13，通过预置开关将灯丝电流调小。

14，枪灯丝开关关。

15，高压选择开关关。

16，电源关。

三电子束蒸发关机流程1，关步进电机控制电源，关控温电源。

2，关分子泵。

3，关高真空阀。

4，待分子泵转速小于10000转时，关电磁阀。

5，关机械泵。

6，关总电源。

若不直接取片，直接到第12条。

7，若需要取片，则请等待15分钟后打开前门搭扣，打开氮气充气阀充气，待充气完成后关闭充气阀。

打开腔门，取出样品。

关门，扣上搭扣。

8，打开总电源。

9，开机械泵，开初抽阀，开真空计。

待气压小于10pa后关闭初抽阀，关闭真空计，关机械泵。

10，关总电源。

12，关循环水。

先关进水，再关回水。

注意：蒸发开始后人不可离开设备，须随时观察蒸发的情况。

电子束炉安全操作规程1. 引言本文档旨在指导电子束炉的操作人员进行安全、高效的操作。

电子束炉主要用于高温、高真空下的材料熔炼、表面处理等工艺。

正确的操作是保证工艺成功实施和操作人员安全的前提条件。

2. 操作前准备2.1 清理操作区域操作人员应确保操作区域清洁、干燥，排除可燃物、易爆物和其他杂物。

2.2 工装准备根据具体工艺要求，准备好所需的炉具、试样、工装以及其他辅助设备。

检查这些设备的完整性并确保其合适并可靠。

2.3 炉具检查检查电子束炉的各项设备是否完好，如真空密封装置、冷却系统、控制系统等。

确认设备运行状态正常后，才能进行下一步操作。

2.4 操作人员准备操作人员应戴好防护设备，包括耐高温手套、防护眼镜、口罩和防护服，并确保具备相关专业知识和技能。

3. 炉内操作3.1 真空检查在开始操作之前，必须确保炉内真空度正常。

打开真空检漏仪器，检查并确认炉内的真空度符合工艺要求。

3.2 试样放置根据工艺要求，将试样放置到炉具中。

注意试样的放置位置和数量，确保其不会相互干扰或发生倾斜。

3.3 炉内密封将试样放置好后，进行炉内密封操作。

检查密封装置是否完好，并确保密封性良好。

3.4 启动电子束炉根据操作手册的要求，启动电子束炉。

确保各项参数设置正确，例如加热功率、加热时间和真空度。

3.5 监控操作在电子束炉启动后，操作人员需要持续监控设备运行情况和试样状态。

注意观察试样的熔化情况和任何异常情况的出现。

3.6 熔炼结束当试样熔炼完成或达到所需的状态后，关闭电子束炉。

注意等待设备冷却至安全温度后，才能进行下一步操作。

4. 操作后清理和检查4.1 关闭电子束炉在熔炼结束后，关闭电子束炉。

按照操作手册的指引，逐步关闭各项设备，如真空系统和冷却系统。

4.2 清理操作区域清理操作区域，包括清除试样残留物、清理操作台面和周围区域。

保持操作区域清洁整齐。

4.3 设备检查定期检查电子束炉的设备，包括密封装置、冷却系统和控制系统等。

电子束蒸发制备Si0.95Co0.05稀磁半导体薄膜赵庆旺１程亮１叶舟１马亚军１艾志伟１阮学锋２周忠坡１吴昊１ 郭立平１,3１（武汉大学物理科学与技术学院，武汉，430072）２（武汉大学动力与机械学院，武汉，430072）３(武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室，武汉，430072 )摘要 用放电等离子体烧结技术（SPS）制备Si:Co靶，并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。

薄膜分别在200 o C、300 o C、400 o C下退火10分钟，利用交变梯度磁强计分别测量退火前后各组样品的磁性，结果显示，在300 o C下退火的样品磁性最强，200 o C下退火的磁性次之，未退火的磁性最弱。

实验中还对样品进行了XRD测量，结果表明样品为非晶态。

实验说明，电子束蒸发是制备硅基稀磁半导体的有效方法。

关键词硅基稀磁半导体，电子束蒸发，等离子体烧结，退火由于稀磁半导体（DMS）同时具备电子的电荷和自旋特性受到广泛关注[1-5]。

因为硅已经被广泛的应用，且工艺成熟，近年来，硅基稀磁半导体已成为半导体领域的热点。

目前国内外对硅基DMS的研究均是致力于寻求提高磁学性能（磁化强度、磁矩、居里温度等）的途径，以使DMS能应用于实际。

目前已经见于报道的制备硅基DMS的方法有分子束外延(MBE)[6]，离子注入[7]和磁控溅射[8]．最常用方法是离子注入，但是制得的样品居里温度不高、平均每个掺杂原子的磁矩比理论值小很多，导致材料的饱和磁化强度很弱、掺杂元素的偏析成团，而且其镀膜深度不够、且不均匀。

因此，新方法的探索是必要的，我们探索用电子束蒸发方法制备硅基DMS薄膜。

电子束蒸发具有成本低廉，成膜较快，薄膜均匀，污染小，便于大面积制备等优点。

由于电子束蒸发制膜是利用聚焦电子束对靶材加热，是一种局部加热，可避免容器材料的蒸发以及容器材料与膜材之间的反应，可得到高纯薄膜。

而且在蒸发沉积过程中，掺杂元素在薄膜中的分布非常均匀。