为了提高观察到网络的几 率,我们使选定的金相面 与网络所在的平面成一小 的夹角α ,取α≈1 0 网络所在的{111}面为PQ, 它和金相面MN的夹角为 α≈1 0从表面MN腐蚀掉d ≈ 0.01mm的一层,得到金相 观察表面UV,显示出网络 宽度OA。通过简单的几何 计算,可以得到 OA=0.5mm。 取a为1 0对金相观察是较适 宜的。
抛光划痕经氧化后的热氧化层错
利用微缺陷与位错的相互作用观察位错
根据相关文献中对半绝缘砷化镓单晶中晶体缺陷的化学腐 蚀后显微观察及TEM、SEM研究结果可知:在GaAs晶体 中微缺陷由于受到位错应力场的作用而被吸附到位错附近, 在位错密度较低区域,微缺陷呈点状分布,随位错密度增 大,由于同号位错相互吸引,异号位错相互排斥而形成位 错排、星型结构或网状结构分布。微位错也同样按线状、 星状结构或网络结构分布。 也就是说微缺陷与位错分布有着强烈的依赖关系,位错吸 附微缺陷,微缺陷缀饰位错。
硅单晶漩涡缺陷的铜缀饰腐蚀显示实验:在研究Si中Cu行 为的基础上 拟定合理的缀饰工艺,在采用择优腐蚀来显示 铜缀饰增强后的漩涡缺陷,参照半导体学报铜缀饰具体工艺 过程为: ①切片、研磨、抛光 ②镀铜和铜缀饰 ③再次研磨抛光后,择优腐蚀
在半导体材料硅单晶上, Dash用铜缀饰样品,并对 位错进行了观察。由于Si是 不透明的,因而他使用了对 Si是透明的红外显微镜。在 加温和应力的条件下拍得的 一个正在开动的位错增殖机 ――Frank-Read源。
晶体缺陷显微镜研究中的方法
缀饰法
腐蚀剂有时对某些晶体缺陷不能显示,或者用透射法观察 时不能产生明显的衬度,此时可采用扩散的方法或其他方 法使某些重金属原子优先淀积在缺陷上,这就称为用重金 属原子对晶体缺陷进行了缀饰。 经过缀饰的晶休缺陷容易用腐蚀剂显示,这是由于缺陷上 淀积了重金属原子,它们对光线强烈散射,当用透射显微 镜观察时可形成强烈的反差 。