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MOS管封装分析报告（含主流厂商封装）在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。
该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。
而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。
封装的重要性不言而喻。
MOS管封装分类按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。
常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。
插入式封装表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。
典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。
表面贴装式封装随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
1、双列直插式封装(DIP)DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP(Shrink DIP)，即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。
DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。
DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。
但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差;同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DIP封装逐渐退出了历史舞台。
mos管封装类型MOS管封装（Metal-OxideSemiconductor）是一种常见的集成电路封装，它由多层金属薄膜和夹紧材料组成，通常用于集成电路芯片以及磁性头印刷电路板（PCB）上的元件、部件和其他元件的封装。
封装的主要功能是使电路板上的元件可靠地与外部电路连接，并且结构上做到密封和降低散热发热量。
MOS管封装类型有很多种，它们的形状大小正方形、圆形和多边形，像普通的条形芯片封装一样，可以根据用户的需求进行定制。
MOS 封装类型最常用的部分包括：1. TO-92(三脚插件)：采用单一的外部封装，由一个半圆型的框、三个螺纹芯和一个型号定义的热焊接销组成，用于引出元件的脚。
2. TO-220（四脚插件）：标准封装，主要用于高功率、高热量保护元件。
它由一个椭圆形框、两个螺纹芯和两个焊接螺丝组成，设计用于引出元件的四个腿。
3. DIP（双列插件）：具有较低的均匀度，以及可以容纳电极管或其他封装类型的不同组件，是最常用的组件封装产品。
它由垂直双列引线，金属支架和型号定义的焊接钉组成，可供引出数字IC的脚位。
4. SOT-23（双列型）：双列型封装，3脚和5脚型，结构紧凑，空间小，提供一个紧凑而密封的方案，有助于降低功耗，而且可以采用多种技术来封装多达8个引脚。
5. SMD（小型管件）：表面贴装的封装，包括全封装、框架和附件等，适用于普通的表面贴装元件，它们的外形要求较为严格，可以进行更大规模的封装。
MOS管封装的优势在于其表面贴装的技术，能够实现紧凑的外形、高密度的封装，并可以采用机械装配以及自动安装，这有助于降低产品生产成本，提高生产效率，并且它们可以通过良好的电气特性，实现自动测试和自动贴装，更好地提高了制造质量和可靠性。
此外，MOS管封装与其他封装相比，还具有其他优点，例如具有较高的热稳定性，可以有效降低因应用程序的温度变化而导致的失效，而且可以使用金属支架有效减少封装温度和震动的影响，从而比其他封装类型更加高效地传输热量。
mos管封装类型
MacOS管封装类型有以下几种：
1. PVC管封装：PVC管封装是使用聚氯乙烯（PVC）制成的管封装，具有良好的耐腐蚀性，耐温性和耐腐蚀性，常用于水处理、空气净化和污水处理等应用。
2. 聚氯乙烯（PVC）管封装：聚氯乙烯（PVC）管封装是使用聚氯乙烯（PVC）制成的管封装，具有良好的耐腐蚀性，耐温性和耐腐蚀性，常用于水处理、空气净化和污水处理等应用。
3. 硅胶管封装：硅胶管封装是使用硅胶制成的管封装，具有良好的耐温性和耐腐蚀性，常用于电子行业、医疗设备、汽车行业等应用。
4. 聚四氟乙烯（PTFE）管封装：聚四氟乙烯（PTFE）管封装是使用聚四氟乙烯（PTFE）制成的管封装，具有良好的耐温性、耐腐蚀性和抗氧化性，常用于石油化工、化学制药、食品加工等行业应用。
MOS管的封装类型分享
MOS管的封装类型，常常影响着电路的设计方向，甚至是产品性能走向；但面对形色各异的封装，我们该如何辨别？主流企业的封装又有什么特点？
在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。
该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。
而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。
封装的重要性不言而喻，今天我们就来聊聊MOS管封装的那些事。
MOS管封装分类
按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。
常见的插入式封装有：双列直插式封装（DIP）、晶体管外形封装（TO）、插针网格阵列封装（PGA）三种样式。
插入式封装
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。
典型表面贴装式封装有：晶体管外形（D-PAK）、小外形晶体管（SOT）、小外形封装（SOP）、方形扁平式封装（QFP）、塑封有引线芯片载体（PLCC）等。
表面贴装式封装
随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
1、双列直插式封装（DIP）。
元器件封装及基本管脚定义说明以下收录说明的元件为常规元件A: 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。
包括了实际元件的外型尺寸，所占空间位置，各管脚之间的间距等，是纯粹的空间概念。
因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装. 普通的元件封装有针脚式封装(DIP与表面贴片式封装(SMD两大类.(像电阻，有传统的针脚式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD ）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD 元件放上，即可焊接在电路板上了。
元件按电气性能分类为:电阻, 电容(有极性, 无极性, 电感, 晶体管(二极管, 三极管, 集成电路IC, 端口(输入输出端口, 连接器, 插槽, 开关系列, 晶振,OTHER(显示器件, 蜂鸣器, 传感器, 扬声器, 受话器1. 电阻: I.直插式 [1/20W 1/16W 1/10W 1/8W 1/4W] AXIAL0.3 0.4II. 贴片式 [0201 0402 0603 0805 1206]贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5III. 整合式 [0402 0603 4合一或8合一排阻]IIII. 可调式[VR1~VR5]2. 电容: I.无极性电容[0402 0603 0805 1206 1210 1812 2225]II. 有极性电容分两种:电解电容 [一般为铝电解电容, 分为DIP 与SMD 两种]钽电容 [为SMD 型: A TYPE (3216 10V B TYPE (3528 16V C TYPE (6032 25VD TYPE (7343 35V]3. 电感: I.DIP型电感II.SMD 型电感4. 晶体管: I.二极管[1N4148 (小功率 1N4007(大功率发光二极管 (都分为SMD DIP两大类]II. 三极管 [SOT23 SOT223 SOT252 SOT263]常见的to-18（普通三极管）to-22 (大功率三极管to-3 (大功率达林顿管5. 端口: I.输入输出端口[AUDIO KB/MS(组合与分立 LAN COM(DB-9RGB(DB-15 LPT DVI USB(常规, 微型 TUNER(高频头 GAME 1394 SATA POWER_JACK等]II. 排针[单排双排 (分不同间距, 不同针脚类型, 不同角度过 IDE FDD, 与其它各类连接排线.III. 插槽 [DDR (DDR分为SMD 与DIP 两类 CPU座 PCIE PCI CNR SD MD CF AGP PCMCIA]6. 开关:I.按键式II. 点按式III. 拔动式IIII. 其它类型7. 晶振: I. 有源晶振 (分为DIP 与SMD 两种包装，一個電源PIN ，一個GND PIN,一個訊號PINII.无源晶振（分为四种包装, 只有接兩個訊號PIN ，另有外売接GND ）8. 集成电路IC:I.DIP （Dual In-line Package）：双列直插封装。
MOS管外部封装-标准封装形式概览下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。
按照“封装形式+要点介绍+相关图片”的方式进行如下说明。
TO（Transistor Out-line）封装1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。
2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。
TO252和TO263就是表面贴装封装。
其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。
TO封装的进展D-PAK(TO-252)封装SOT（Small Out-Line Transistor）封装SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。
这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。
SOT封装常用的四端引脚SOT-89 MOSFETSOP（Small Out-Line Package）封装1、SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。
SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。
材料有塑料和陶瓷两种。
SOP也叫SOL 和DFP。
2、SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。
MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
3、SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。
4、SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。
SOP-8封装这些派生的几种封装规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装QFN-56封装1、QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面贴装型封装之一，中文叫做四边无引线扁平封装，是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。
MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的封装结构MOS管（金属氧化物半导体场效应管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的封装结构一般采用以下几种形式：
1.TO封装（Tin-Can Outline Package）：这是一种传统的封装形
式，外观类似金属罐。
TO封装通常具有3个引脚，通过引脚与电路进行连接。
MOS管内部的芯片被放置在金属罐体内，并通过引脚与外部电路连接。
2.DIP封装（Dual Inline Package）：DIP封装是一种常见的直插
式封装形式。
它通常包含了两排引脚，引脚与MOS管内部芯片相连。
DIP封装的主要优点是容易安装和替换。
3.SMD封装（Surface Mount Device Package）：SMD封装是一
种表面贴装封装形式，常用于表面贴装技术（SMT）的电子设备制造中。
SMD封装通常具有平面外形，方便在PCB （Printed Circuit Board）上进行组装。
常见的SMD封装类型包括SOIC、QFN和QFP等。
4.Power Package（功率封装）：功率MOS管通常需要具备较大
的功率承受能力和散热性能，因此采用特殊的功率封装结构。
常见的功率封装形式包括TO-220、TO-247和D2PAK等，具有较大的引脚和散热片。
mos管封装结构
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Transistor）的封装结构可以分为以下几种：
1. DIP封装（Dual In-line Package）：是最早使用的封装结构之一，通过在芯片两侧引出引脚，并在两侧焊接封装外壳来实现封装。
DIP封装常见于较早期的芯片，如74系列逻辑芯片。
2. TO封装（Transistor Outline）：TO封装是一种带有金属外壳和引脚的封装形式，适用于功率较大的MOS管。
TO封装通过外壳的金属引脚将芯片内部的引脚引出，并通过螺旋和紧固装置将外壳紧固在散热器上，以便散热。
3. SMD封装（Surface Mount Device）：SMD封装是一种表面贴装封装形式，适用于高集成度和小尺寸的MOS管。
SMD封装通过在芯片的底部引出金属焊盘，使芯片可以直接焊接在PCB上，而无需外部引脚。
常见的SMD封装包括SOT （Small-Outline Transistor）、SOT-23、SOT-89等。
4. BGA封装（Ball Grid Array）：BGA封装是一种高密度封装形式，适用于需要更多引脚和更高集成度的MOS管。
BGA封装通过在芯片的底部引出多个金属球，这些金属球与PCB上的焊盘相连接，以实现连接。
BGA封装具有更好的散热性能和更高的可靠性，但制造和维修难度较大。
这些封装结构可以根据应用需求和芯片特性进行选择。
同时，随着技术的不断发展，新型的封装结构也在不断涌现，以满足不同的应用需求。
mos管封装结构摘要：1.MOS 管的概述2.MOS 管的封装结构分类3.常见MOS 管封装结构的特点及应用4.MOS 管封装结构的发展趋势正文：一、MOS 管的概述MOS 管，全称为金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），是一种广泛应用于现代电子设备的半导体器件。
它依据半导体材料的导电特性，利用栅极电压的变化来控制源漏极之间的电流，具有高输入阻抗、低噪声和低功耗等特点。
二、MOS 管的封装结构分类根据封装形式和材料，MOS 管的封装结构可分为以下几类：1.塑料封装：采用塑料材料作为封装外壳，具有成本低、工艺简单等优点，但散热性能相对较差，适用于低功率MOS 管。
2.金属封装：采用金属材料作为封装外壳，具有良好的散热性能和高频特性，适用于高功率和超高频MOS 管。
3.陶瓷封装：采用陶瓷材料作为封装外壳，具有较高的散热性能和良好的密封性，适用于高功率MOS 管。
4.玻璃封装：采用玻璃材料作为封装外壳，具有良好的绝缘性能和较高的可靠性，适用于高压MOS 管。
三、常见MOS 管封装结构的特点及应用1.SOP（Small Outline Package）：小型封装，具有体积小、成本低等特点，适用于低功率MOS 管。
2.DIP（Dual In-Line Package）：双列直插式封装，具有插拔方便、可靠性高等特点，适用于中功率MOS 管。
3.TO（Transistor Outline）：晶体管外形封装，具有散热性能好、可靠性高等特点，适用于高功率MOS 管。
4.QFN（Quad Flat No-lead Package）：四侧无引脚扁平封装，具有体积小、引脚数多等特点，适用于高频、低功耗MOS 管。
四、MOS 管封装结构的发展趋势随着电子技术的发展，对MOS 管封装结构的要求也越来越高。
未来的发展趋势主要体现在以下几个方面：1.封装尺寸的微型化：为了满足电子设备轻薄短小的要求，MOS 管封装结构将朝着微型化方向发展。
mos原理封装
MOS原理封装是指将金属-氧化物-半导体（MOS）器件的物
理结构和电路特性进行整合和封装，以便于在集成电路中使用和布局。
MOS原理封装一般包括以下几个方面：
1. 封装物理结构设计：根据MOS器件的物理结构和特性，设
计合适的封装物理结构，包括封装的尺寸、形状和材料等。
2. 封装引脚设计：根据MOS器件的电路连接需求，设计封装
的引脚布局和连接方式，以便于MOS器件与外部电路的连接。
3. 封装辐射和热传导设计：考虑MOS器件的辐射和热传导问题，设计合理的封装结构和散热设计，以确保器件在工作状态下的稳定性和可靠性。
4. 封装测试和封装工艺控制：设计相应的封装测试电路和封装工艺，以保证封装后的MOS器件能够正常工作，并能够通过
测试和质量控制。
通过对MOS原理封装的设计和控制，可以将MOS器件成功
应用于各种集成电路中，提供了方便、可靠和高性能的电路解决方案。
全系列MOS管型号参数封装资料常用全系列场效应管 MOS MOS管型号参数封装资料场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V0.115A TO-92DISCRETEMOS FET 2N700260V0.2A SOT-23DISCRETEMOS FET IRF510A 100V5.6A TO-220DISCRETEMOS FETIRF520A 100V9.2A TO-220DISCRETEMOS FET IRF530A 100V14A TO-220DISCRETEMOS FET IRF540A 100V28A TO-220DISCRETEMOS FET IRF610A 200V3.3A TO-220DISCRETEMOS FET IRF620A 200V5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF630A 200V9A TO-220DISCRETEMOS FET IRF634A 250V8.1A TO-220DISCRETEMOS FET IRF640A200V18A TO-220DISCRETEMOS FET IRF644A 250V14A TO-220DISCRETEMOS FETIRF650A 200V28A TO-220DISCRETEMOS FET IRF654A 250V21A TO-220DISCRETEMOS FET IRF720A 400V3.3A TO-220DISCRETEMOS FET IRF730A 400V5.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF740A 400V10A TO-220DISCRETEMOS FET IRF750A 400V15A TO-220DISCRETEMOS FET IRF820A 500V2.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF830A500V4.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF840A 500V8A TO-220DISCRETEMOS FETIRF9520 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V43A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFP250A 200V32A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFP450A 500V14A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFR024A 60V15A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR120A100V8.4A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR214A 250V2.2A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR220A 200V4.6A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR224A 250V3.8A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR310A 400V1.7A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR9020TFD-PAKDISCRETEMOS FET IRFS540A 100V17A TO-220FDISCRETEMOS FETIRFS630A 200V6.5A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS634A 250V5.8A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS640A 200V9.8A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS644A 250V7.9A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS730A 400V3.9A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS740A 400V5.7A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS830A 500V3.1A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS840A 500V4.6A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V12A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V14A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V20A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFU110A 100V4.7A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU120A 100V8.4A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU220A200V4.6A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU230A 200V7.5A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU420A 500V2.3A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V17A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V30A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V50A TO-220DISCRETEMOS FET IRLS530A100V10.7ALogic TO-220FDISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V8ALogic TO-220FDISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V17ALogic TO-220DISCRETEMOS FET IRLZ44A60V50ALogic TO-220DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V36A TO-220DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V65A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V17A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V5A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V8.6A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V18A TO-220DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V1.53A D-PAKDISCRETEMOS FET SFR9224 -250V2.5AD-PAKDISCRETEMOS FET SFR9310 -400V1.5A D-PAKDISCRETEMOS FET SFS9630 -200V4.4A TO-220FDISCRETEMOS FET SFS9634 -250V3.4A TO-220FDISCRETEMOS FET SFU9220 -200V3.1A I-PAKDISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual8SOPDISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOPDISCRETEMOS FET SSD210130V N-ch Single 8SOPDISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V5A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3PDISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V6A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V70A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V7A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V9A TO-3PDISCRETEMOS FET SSP10N60A600V9A TO-220DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V1A TO-220DISCRETEMOS FETSSP2N90A 900V2A TO-220DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS900V4.5A TO-220DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V5A TO-220DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V60A TO-220DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V6A TO-220DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V55A TO-220DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V7A TO-220DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V7A TO-220DISCRETEMOS FET SSP80N06A60V80A TO-220DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V0.9A D-PAKDISCRETEMOS FETSSR2N60A 600V1.8A D-PAKDISCRETEMOS FET SSR3055A 60V8A D-PAKDISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V5.1A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V1.3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V2A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS3N90A900V2A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V3.5A TO-220F/PDISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V2.3A TO-220F/PDISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V2.3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V2.8A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V TO-220F/P如有出入请明示，争取完善、正确～。
场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEDISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料场效应管（MOS管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
在设计和选择MOS管时，我们通常需要考虑一些参数，如型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。
下面是一些常用的全系列MOS管型号参数封装资料：1.型号：MOS管有许多不同的型号，每个型号都有不同的特性和应用场景。
常见的MOS管型号有IRF44N、IRFP22N、IRF520N等。
2.封装形式：MOS管的封装形式有多种，常见的封装形式有TO-220、TO-247、DPAK、SOT-23等。
不同的封装形式适用于不同的应用场景，如TO-220适用于高功率应用，SOT-23适用于小功率应用等。
3.工作电压：MOS管的工作电压范围是选择MOS管时需要注意的一个重要参数。
常见的工作电压范围有10V、30V、60V、100V等。
4.电流：MOS管的电流处理能力也是一个重要的参数。
通常以最大电流（ID）来表示，最大电流是指在特定的工作条件下，MOS管能够承受的最大电流。
常见的最大电流有1A、5A、10A、20A等。
5.功率：MOS管的功率参数也需要考虑，在一定的工作电压和电流下，MOS管能够承受的最大功率是通过最大电流和额定工作电压计算得出的。
常见的功率参数有10W、50W、100W等。
6.频率特性：MOS管的频率特性也是一个重要的参数，表示MOS管在特定频率下的响应能力。
常见的频率特性有数十kHz、数百kHz、MHz等。
综上所述，常用全系列MOS管型号参数封装资料包括型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。
在选择MOS管时，我们需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑这些参数，并选择最适合的型号和封装形式。
通过合理选择和使用MOS管，可以有效地满足电路设计和应用需求。
MOS管简介MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。
因此，MOS管有时被称为场效应管。
在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
而在板卡上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位。
MOS管的作用是什么MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。
目前板卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。
由于MOS 管主要作用是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、GPU和插槽等附近。
MOS 管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。
MOS管封装形式MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。
MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。
按照安装在PCB方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
常见的插入式封装MOSFET典型的表面贴装式封装MOSFET随着技术的革新与进步，主板和显卡的PCB板采用直插式封装的MOSFET越来越少了，而多改用表面贴装式封装的MOSFET。
故而本文中重点讨论表面贴装式封装MOSFET，并从MOS管外部封装技术、MOS管内部封装改进技术、整合式DrMOS、MOSFET发展趋势和MOSFET实例讲解等进行详细介绍。
MOS管外部封装-标准封装形式概览MOS管外部封装-标准封装形式概览下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。
板卡稳压器 显卡帝详解MOSFET封装技术MOS管简介MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。
因此，MOS管有时被称为场效应管。
在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
而在板卡上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位。
MOS管的作用是什么MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。
目前板卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。
由于MOS管主要作用是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近。
MOS管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。
MOS管封装形式MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。
MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。
按照安装在PCB 方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB 上。
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
常见的插入式封装MOSFET典型的表面贴装式封装MOSFET随着技术的革新与进步，主板和显卡的PCB板采用直插式封装的MOSFET越来越少了，而多改用表面贴装式封装的MOSFET。
故而本文中重点讨论表面贴装式封装MOSFET，并从MOS管外部封装技术、MOS管内部封装改进技术、整合式DrMOS、MOSFET发展趋势和MOSFET实例讲解等进行详细介绍。
MOS管外部封装-标准封装形式概览MOS管外部封装-标准封装形式概览下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。
按照“封装形式+要点介绍+相关图片”的方式进行如下说明。
TO（Transistor Out-line）封装1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。
2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。
TO252和TO263就是表面贴装封装。
其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。
TO封装的进展D-PAK(TO-252)封装SOT（Small Out-Line Transistor）封装SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。
这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。
SOT封装常用的四端引脚SOT-89 MOSFETSOP（Small Out-Line Package）封装1、SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。
SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。
材料有塑料和陶瓷两种。
SOP也叫SOL 和DFP。
2、SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。
MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
3、SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。
4、SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。
SOP-8封装这些派生的几种封装规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装 QFN-56封装1、QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面贴装型封装之一，中文叫做四边无引线扁平封装，是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。
现在多称为LCC。
2、封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。
这种封装也称为LCC、PCLC、P－LCC等。
QFN本来用于集成电路的封装，MOSFET不会采用的。
INTEL提出的整合驱动与MOSFET的DrMOS采用QFN-56封装，56是指在芯片背面有56个连接Pin。
QFN56封装的DrMOSMOS管外部封装-最新封装形式概览MOS管外部封装-最新封装形式概览下面我们介绍主要的MOSFET生产厂商所采用的最新封装形式。
瑞萨（RENESAS）的WPAK、LFPAK和LFPAK-I 封装1、WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。
WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET，减小布线电感。
2、LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。
LFPAK 类似D-PAK比D-PAK体积小。
LFPAK-i是将散热板向上，通过散热片散热。
瑞萨WPAK封装LFPAK和LFPAK-I封装威世（Vishay）的Power-PAK和Polar-PAK封装Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。
Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。
Polar PAK是双面散热的小形封装。
Power-PAK1212-8Power-PAK SO-8Polar PAK安森美（Onsemi）的SO-8和WDFN8扁平引脚（ Flat Lead）封装安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引脚被很多板卡采用。
SO-8扁平引脚封装WDFN8封装菲利普（Philps）的LFPAK和QLPAK封装首先开发SO-8的Philps也有改进SO-8的新封装技术，就是LFPAK和QLPAK。
LFPAK封装QLPAK封装意法（ST）半导体的PowerSO-8封装意法半导体的SO-8改进技术叫做Power SO-8。
Power SO-8封装飞兆（Fairchild）半导体的Power 56封装飞兆半导体的SO-8改进技术叫做Power 56。
Power 56封装国际整流器（IR）的Direct FET封装1、Direct FET封装属于反装型的，漏极（D）的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。
2、Direct FET封装极大地改善了散热，并且占用空间更小，散热良好Direct FET封装MOS管内部封装改进技术概览MOS管内部封装改进技术概览前面我们所介绍的是MOSFET的外部封装技术，其实最新封装技术也包括内部封装技术的改进，归纳起来总共有三个方面：一是改进封装内部的互连技术，二是增加漏极散热板，三是改变散热的热传导方向。
下面我们分别介绍这三种内部封装改进技术。
封装内部的互连技术之前的封装标准，如：TO，D-PAK，SOT,SOP等多采用焊线式的内部互连。
而当CPU或GPU供电进展到低电压、大电流时代，例如焊线式的SO-8封装就受到了封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳热阻等因素的限制。
SO-8内部封装结构上述四种限制对其电学和热学性能有着极大的影响。
随着电流密度要求的提高,MOSFET厂商采用SO-8的尺寸规格，同时对焊线互连形式进行改进，用金属带、或金属夹板代替焊线，降低封装电阻、电感和热阻。
标准型SO-8与无导线SO-8封装形式的对比国际整流器（IR）的改进技术称之为Copper Strap，威世（Vishay）称之为Power Connect 技术，还有称之为Wireless Package。
国际整流器的Copper Strap技术据悉再用铜带取代焊线后，热阻降低了10-20%，源极至封装的电阻降低了61%。
威世的Power Connect技术和飞兆半导体的Wirless Package技术增加漏极散热板标准的SO-8封装采用塑料将芯片包围，低热阻的热传导通路只是芯片到PCB 的引脚。
而底部紧贴PCB的塑料外壳是热的不良导体，故而影响了漏极的散热。
所以改进的方法自然就是要除去引线框下方的塑封化合物，方法就是让引线框金属结构直接或加一层金属板与PCB接触，并焊接到PCB焊盘上，这样就提供了更多的散热接触面积，把热量从芯片上带走。
同时也可以制成更薄的器件。
威世Power-PAK技术威世的Power-PAK，法意半导体的Power SO-8，安美森半导体的SO-8 Flat Lead，瑞萨的WPAK、LFPAK，飞兆半导体的Power 56和Bottomless Package都采用这种散热技术。
改变散热的热传导方向Power-PAK的封装虽然显著减小了芯片到PCB的热阻，但当电流需求继续增大时，PCB同时会出现热饱和现象。
所以散热技术的进一步改进就是改变散热方向，让芯片的热量传导到散热器而不是PCB。
Direct FET封装瑞萨LFPAK-i封装瑞萨的LFPAK-I 封装，国际整流器的Direct FET封装就是这种散热技术。
整合驱动IC的DrMOS和MOSFET发展趋势整合驱动IC的DrMOS和MOSFET发展趋势传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求，也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。
随着技术的革新与进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这样一种整合的方式同时也可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流，这就是整合驱动IC的DrMOS。
瑞萨第2代DrMOSDrMOS的主要特点是：- 采用QFN56无脚封装，热阻抗很低。
- 采用内部引线键合以及铜夹带设计，尽量减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。
- 采用先进的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，显著降低传导、开关和栅极电荷损耗。
- 兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持APS（Auto Phase Switching）。
- 针对目标应用进行设计的高度优化。
DrMOS性能对比低压MOSFET封装趋势从上图我们可以很清楚的看出：随着MOS管封装技术的发展趋势，未来对MOSFET的要求将趋于高频率大电流、高密度封装和体积小型化。
显卡上的MOSFET实例解析显卡MOSFET实例解析了解了详细的MOSFET介绍，下面我们挑选了几款显卡的PCB供电部分的图来进行实例解析。
