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MOS管封装分析报告（含主流厂商封装）在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。
该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。
而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。
封装的重要性不言而喻。
MOS管封装分类按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。
常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。
插入式封装表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。
典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。
表面贴装式封装随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
1、双列直插式封装(DIP)DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP(Shrink DIP)，即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。
DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。
DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。
但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差;同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DIP封装逐渐退出了历史舞台。
mos管封装技术
以下是常见的mos管封装技术：
1.D-PAK（Dual Package-Axial Leaded Package）：是一种常见的封装形
式，用于中等功率和高功率的应用。
D-PAK的管脚间距通常为2.54毫米，管脚数量可以从3到8个不等。
这种封装形式的优点是易于安装和散热性能良好。
2.SOT（Small Outline Transistor）：是一种小型封装形式，常用于低功率
应用。
SOT的管脚间距通常为1.27毫米，管脚数量可以从2到6个不等。
这种封装形式的优点是体积小、重量轻、价格低。
3.SOP（Small Outline Package）：是一种中等到大型封装形式，常用于高
功率应用。
SOP的管脚间距通常为1.27毫米或2.54毫米，管脚数量可以从4到10个不等。
这种封装形式的优点是易于安装、散热性能良好、可以容纳较大的芯片。
4.TO（Transistor Outline）：是一种常见的封装形式，用于各种功率的应
用。
TO的管脚间距通常为1.27毫米或2.54毫米，管脚数量可以从2到8个不等。
这种封装形式的优点是易于安装、散热性能良好、价格低。
mos管封装类型MOS管封装（Metal-OxideSemiconductor）是一种常见的集成电路封装，它由多层金属薄膜和夹紧材料组成，通常用于集成电路芯片以及磁性头印刷电路板（PCB）上的元件、部件和其他元件的封装。
封装的主要功能是使电路板上的元件可靠地与外部电路连接，并且结构上做到密封和降低散热发热量。
MOS管封装类型有很多种，它们的形状大小正方形、圆形和多边形，像普通的条形芯片封装一样，可以根据用户的需求进行定制。
MOS 封装类型最常用的部分包括：1. TO-92(三脚插件)：采用单一的外部封装，由一个半圆型的框、三个螺纹芯和一个型号定义的热焊接销组成，用于引出元件的脚。
2. TO-220（四脚插件）：标准封装，主要用于高功率、高热量保护元件。
它由一个椭圆形框、两个螺纹芯和两个焊接螺丝组成，设计用于引出元件的四个腿。
3. DIP（双列插件）：具有较低的均匀度，以及可以容纳电极管或其他封装类型的不同组件，是最常用的组件封装产品。
它由垂直双列引线，金属支架和型号定义的焊接钉组成，可供引出数字IC的脚位。
4. SOT-23（双列型）：双列型封装，3脚和5脚型，结构紧凑，空间小，提供一个紧凑而密封的方案，有助于降低功耗，而且可以采用多种技术来封装多达8个引脚。
5. SMD（小型管件）：表面贴装的封装，包括全封装、框架和附件等，适用于普通的表面贴装元件，它们的外形要求较为严格，可以进行更大规模的封装。
MOS管封装的优势在于其表面贴装的技术，能够实现紧凑的外形、高密度的封装，并可以采用机械装配以及自动安装，这有助于降低产品生产成本，提高生产效率，并且它们可以通过良好的电气特性，实现自动测试和自动贴装，更好地提高了制造质量和可靠性。
此外，MOS管封装与其他封装相比，还具有其他优点，例如具有较高的热稳定性，可以有效降低因应用程序的温度变化而导致的失效，而且可以使用金属支架有效减少封装温度和震动的影响，从而比其他封装类型更加高效地传输热量。
MOS管的封装类型分享
MOS管的封装类型，常常影响着电路的设计方向，甚至是产品性能走向；但面对形色各异的封装，我们该如何辨别？主流企业的封装又有什么特点？
在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。
该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。
而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。
封装的重要性不言而喻，今天我们就来聊聊MOS管封装的那些事。
MOS管封装分类
按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。
常见的插入式封装有：双列直插式封装（DIP）、晶体管外形封装（TO）、插针网格阵列封装（PGA）三种样式。
插入式封装
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。
典型表面贴装式封装有：晶体管外形（D-PAK）、小外形晶体管（SOT）、小外形封装（SOP）、方形扁平式封装（QFP）、塑封有引线芯片载体（PLCC）等。
表面贴装式封装
随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
1、双列直插式封装（DIP）。
MOS管外部封装-标准封装形式概览下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。
按照“封装形式+要点介绍+相关图片”的方式进行如下说明。
TO（Transistor Out-line）封装1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。
2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。
TO252和TO263就是表面贴装封装。
其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。
TO封装的进展D-PAK(TO-252)封装SOT（Small Out-Line Transistor）封装SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。
这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。
SOT封装常用的四端引脚SOT-89 MOSFETSOP（Small Out-Line Package）封装1、SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。
SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。
材料有塑料和陶瓷两种。
SOP也叫SOL 和DFP。
2、SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。
MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
3、SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。
4、SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。
SOP-8封装这些派生的几种封装规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装QFN-56封装1、QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面贴装型封装之一，中文叫做四边无引线扁平封装，是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。
MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的封装结构MOS管（金属氧化物半导体场效应管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的封装结构一般采用以下几种形式：
1.TO封装（Tin-Can Outline Package）：这是一种传统的封装形
式，外观类似金属罐。
TO封装通常具有3个引脚，通过引脚与电路进行连接。
MOS管内部的芯片被放置在金属罐体内，并通过引脚与外部电路连接。
2.DIP封装（Dual Inline Package）：DIP封装是一种常见的直插
式封装形式。
它通常包含了两排引脚，引脚与MOS管内部芯片相连。
DIP封装的主要优点是容易安装和替换。
3.SMD封装（Surface Mount Device Package）：SMD封装是一
种表面贴装封装形式，常用于表面贴装技术（SMT）的电子设备制造中。
SMD封装通常具有平面外形，方便在PCB （Printed Circuit Board）上进行组装。
常见的SMD封装类型包括SOIC、QFN和QFP等。
4.Power Package（功率封装）：功率MOS管通常需要具备较大
的功率承受能力和散热性能，因此采用特殊的功率封装结构。
常见的功率封装形式包括TO-220、TO-247和D2PAK等，具有较大的引脚和散热片。
mosfet封装工艺流程(一)MOSFET封装工艺介绍MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在生产中，封装工艺起到将MOSFET芯片封装成实际可用的器件的作用。
本文将介绍MOSFET封装工艺的各个流程。
1. 设计封装参数在MOSFET封装工艺中，首先需要进行封装参数的设计。
这包括选择适当的封装类型和尺寸，确定引脚排列和材料选择等。
封装参数的设计决定了器件的外观、性能和可靠性。
2. 器件封装在器件封装过程中，首先将MOSFET芯片粘连到封装基底上。
然后，使用焊接技术将芯片与引脚连接起来，以实现电气连接和机械强度。
这一步骤通常使用焊线或球（Wire Bonding or Ball Bonding）技术完成。
3. 导电胶连接导电胶连接是封装工艺中的关键步骤之一。
通过将导电胶覆盖在芯片和引脚之间，实现芯片与引脚之间的电气连接。
导电胶连接要求精准的控制和高品质的材料，以确保良好的电气性能和可靠性。
4. 封装密封封装密封是为了保护MOSFET芯片和引脚不受环境中的尘埃、湿气等污染物的侵害，提高器件的可靠性。
封装密封的常用材料包括环氧树脂、硅胶等。
5. 引脚整形引脚整形是将封装好的MOSFET器件的引脚进行整形和修剪，以满足各种应用的需求。
引脚整形可通过机械方式（例如剪切），也可通过热力方式（例如焊接）完成。
6. 器件测试最后，进行器件测试以确保封装完好的MOSFET器件的性能符合设计要求。
器件测试包括电性能测试、可靠性测试等，以验证封装质量和器件性能，为产品交付客户前的出货前测试。
结论MOSFET封装工艺是将MOSFET芯片封装成实际可用器件的关键步骤。
通过设计封装参数、实施器件封装、导电胶连接、封装密封、引脚整形和器件测试等流程，可以确保封装好的MOSFET器件具有良好的性能和可靠性，满足各种应用的需求。
以上是MOSFET封装工艺的详细流程介绍，希望本文能对读者对MOSFET封装工艺有所了解和认识。
MOS管的引脚，G、S、D分别代表什么？
MOS管是电路设计中常用的功率开关器件，是压控型的，有三个电极，分别是：栅极G、源极S、漏极D。
MOS管分为NMOS和PMOS，其电路符号如下图所示。
栅极G
MOS管的栅极G是控制端，名字为gate，在G端加入高低电平即可控制MOS管的开断。
对于NMOS而言，要求Vgs>0时，MOS 管导通，否则MOS关断；对于PMOS而言，要求Vgs<>
源极S
源极，名字为Source，简称S。
对NMOS而言，源极S是流出端，对PMOS而言，源极S是流入端。
漏极D
漏极，名字为Drain，简称D。
对NMOS而言，漏极D是流入端，对PMOS而言，源极S是流出端。
MOS管常用的封装有TO-220,TO-263,SOT23等，一般从左往右的顺序为G、S、D，对于具体的芯片大家可以查阅其datasheet。
全系列MOS管型号参数封装资料常用全系列场效应管 MOS MOS管型号参数封装资料场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V0.115A TO-92DISCRETEMOS FET 2N700260V0.2A SOT-23DISCRETEMOS FET IRF510A 100V5.6A TO-220DISCRETEMOS FETIRF520A 100V9.2A TO-220DISCRETEMOS FET IRF530A 100V14A TO-220DISCRETEMOS FET IRF540A 100V28A TO-220DISCRETEMOS FET IRF610A 200V3.3A TO-220DISCRETEMOS FET IRF620A 200V5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF630A 200V9A TO-220DISCRETEMOS FET IRF634A 250V8.1A TO-220DISCRETEMOS FET IRF640A200V18A TO-220DISCRETEMOS FET IRF644A 250V14A TO-220DISCRETEMOS FETIRF650A 200V28A TO-220DISCRETEMOS FET IRF654A 250V21A TO-220DISCRETEMOS FET IRF720A 400V3.3A TO-220DISCRETEMOS FET IRF730A 400V5.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF740A 400V10A TO-220DISCRETEMOS FET IRF750A 400V15A TO-220DISCRETEMOS FET IRF820A 500V2.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF830A500V4.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF840A 500V8A TO-220DISCRETEMOS FETIRF9520 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V43A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFP250A 200V32A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFP450A 500V14A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFR024A 60V15A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR120A100V8.4A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR214A 250V2.2A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR220A 200V4.6A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR224A 250V3.8A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR310A 400V1.7A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR9020TFD-PAKDISCRETEMOS FET IRFS540A 100V17A TO-220FDISCRETEMOS FETIRFS630A 200V6.5A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS634A 250V5.8A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS640A 200V9.8A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS644A 250V7.9A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS730A 400V3.9A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS740A 400V5.7A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS830A 500V3.1A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS840A 500V4.6A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V12A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V14A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V20A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFU110A 100V4.7A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU120A 100V8.4A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU220A200V4.6A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU230A 200V7.5A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU420A 500V2.3A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V17A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V30A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V50A TO-220DISCRETEMOS FET IRLS530A100V10.7ALogic TO-220FDISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V8ALogic TO-220FDISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V17ALogic TO-220DISCRETEMOS FET IRLZ44A60V50ALogic TO-220DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V36A TO-220DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V65A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V17A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V5A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V8.6A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V18A TO-220DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V1.53A D-PAKDISCRETEMOS FET SFR9224 -250V2.5AD-PAKDISCRETEMOS FET SFR9310 -400V1.5A D-PAKDISCRETEMOS FET SFS9630 -200V4.4A TO-220FDISCRETEMOS FET SFS9634 -250V3.4A TO-220FDISCRETEMOS FET SFU9220 -200V3.1A I-PAKDISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual8SOPDISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOPDISCRETEMOS FET SSD210130V N-ch Single 8SOPDISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V5A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3PDISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V6A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V70A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V7A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V9A TO-3PDISCRETEMOS FET SSP10N60A600V9A TO-220DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V1A TO-220DISCRETEMOS FETSSP2N90A 900V2A TO-220DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS900V4.5A TO-220DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V5A TO-220DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V60A TO-220DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V6A TO-220DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V55A TO-220DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V7A TO-220DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V7A TO-220DISCRETEMOS FET SSP80N06A60V80A TO-220DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V0.9A D-PAKDISCRETEMOS FETSSR2N60A 600V1.8A D-PAKDISCRETEMOS FET SSR3055A 60V8A D-PAKDISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V5.1A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V1.3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V2A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS3N90A900V2A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V3.5A TO-220F/PDISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V2.3A TO-220F/PDISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V2.3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V2.8A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V TO-220F/P如有出入请明示，争取完善、正确～。
MOS管制作工艺1. 简介MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常见的半导体器件，广泛应用于集成电路中。
MOS管制作工艺是指制造MOS管的过程，包括材料准备、晶圆制备、沉积、光刻、蚀刻、离子注入和封装等多个步骤。
本文将详细介绍MOS管制作工艺的各个环节。
2. 材料准备MOS管制作工艺首先需要准备所需的材料，主要包括硅片（Silicon wafer）、掺杂材料（Dopant）、氧化物（Oxide）和金属。
硅片是MOS管的基底，通常使用高纯度单晶硅材料。
硅片需要经过退火和抛光等处理，以获得较好的表面平整度和晶格结构。
掺杂材料用于改变硅片的电性能，常见的掺杂元素有磷（Phosphorus）和硼（Boron）。
掺杂过程可以通过扩散或离子注入实现。
氧化物用于形成MOS结构中的绝缘层。
在制作过程中，通过热氧化或化学气相沉积等方法在硅片表面形成一层氧化物。
金属用于制作MOS管的接触电极和互连线。
常用的金属有铝（Aluminum）和铜（Copper），通过物理气相沉积、溅射或电镀等工艺进行制备。
3. 晶圆制备晶圆是硅片的载体，通常采用直径为8英寸或12英寸的圆形硅片。
晶圆制备包括切割、抛光和清洗等步骤。
首先，将大块的硅单晶材料切割成薄片，然后使用机械或化学机械抛光（CMP）技术对硅片进行平整度处理。
接下来，通过酸洗和超声清洗等步骤去除表面的杂质和污染物，以保证晶圆表面的干净度。
4. 沉积在MOS管制作工艺中，需要进行多次沉积过程来形成不同的材料层。
常见的沉积方法包括热氧化、化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。
热氧化是指在高温下，通过将硅片暴露在氧气或水蒸汽中，使其表面形成一层氧化硅（SiO2）的过程。
这一步骤用于形成MOS结构中的绝缘层。
CVD是通过将气体反应物传输到硅片表面，使其发生化学反应并沉积出所需材料的过程。
CVD可以制备多种材料，如多晶硅（Polysilicon）和金属。
MOS管简介MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。
因此，MOS管有时被称为场效应管。
在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
而在板卡上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位。
MOS管的作用是什么MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。
目前板卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。
由于MOS 管主要作用是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、GPU和插槽等附近。
MOS 管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。
MOS管封装形式MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。
MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。
按照安装在PCB方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
常见的插入式封装MOSFET典型的表面贴装式封装MOSFET随着技术的革新与进步，主板和显卡的PCB板采用直插式封装的MOSFET越来越少了，而多改用表面贴装式封装的MOSFET。
故而本文中重点讨论表面贴装式封装MOSFET，并从MOS管外部封装技术、MOS管内部封装改进技术、整合式DrMOS、MOSFET发展趋势和MOSFET实例讲解等进行详细介绍。
MOS管外部封装-标准封装形式概览MOS管外部封装-标准封装形式概览下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如未买到相应电流的，可用更多大额定电流的代替（注意mos开关电压和原mos相同，不然会导致烧mos或者电机根本不转）。
注意，焊接ＭＯＳ管应防止静电或烙铁接地。
电调常用mos封装分为SOT SO TO这三种中最常用的分别是SOT-32（0~5a） powerSO-8（0~15a）powerPAK so-8（20a~30a）TO-252（20a~30a）mos封装(56.89K)封装形式极性型号电流(A) 耐压(V) 导通电阻(mΩ) SO-8 N型SI4336 22 30 4.2SO-8 N型IRF7831 21 30 3.6SO-8 N型IRF7832 20 30 4SO-8 N型IRF7822 18 30SO-8 N型IRF7836 17 30 5.7SO-8 N型IRF8113 17 30 5.6SO-8 N型SI4404 17 30 8SO-8 N型FDS6688 16 30 6SO-8 N型IRF7805Z 16 30 6.8SO-8 N型IRF7477 14 30 8.5SO-8 N型IRF8721 14 30 8.5SO-8 N型IRF7805 13 30SO-8 N型IRF7805Q 13 30 11SO-8 N型IRF7413 12 30 18SO-8 N型TPC8003 12 30 6SO-8 N型IRF7477 11 30 20SO-8 N型IRF7811 11 30 12SO-8 N型IRF7466 10 30 15SO-8 N型SI4410 10 30 14SO-8 N型SI4420 10 30 10SO-8 N型A2700 9 30 7.3SO-8 N型IRF7807 8.3 30SO-8 N型SI4812 7.3 30 28SO-8 N型SI9410 6.9 30 50SO-8 N型IRF7313 6 30 29 SO-8 P型SI4405 17 30 7.5 SO-8 P型STM4439A 14 30 18 SO-8 P型FDS6679 13 30 9 SO-8 P型SI4411 13 30 8 SO-8 P型SI4463 12.3 20 16 SO-8 P型SI4407 12 30SO-8 P型IRF7424 11 30 13.5 SO-8 P型IRF7416 10 30 20 SO-8 P型IRF7416Q 10 30 20 SO-8 P型SI4425 9 30 19 SO-8 P型IRF7424 8.8 30 22 SO-8 P型SI4435 8 30 20 SO-8 P型SI4435DY 8 30 20 SO-8 P型A2716 7 30 11.3 SO-8 P型IRF7406 5.8 30 45 SO-8 P型SI9435 5.3 30 50 SO-8 P型IRF7205 4.6 30 70 TO-252 N型FDD6688 84 30 5 TO-3 N型IRF150 40 100 55 TO-220 N型IRF3703 210 30 2.8 TO-220 N型IRL3803 140 30 6 TO-220 N型IRF1405 131 55 5.3 TO-220 N型IRF3205 110 55 8 TO-220 N型BUZ111S 80 55 8 TO-220 N型05N05 75 50 9.5 TO-220 N型IRF2804 75 40 2 TO-220 N型60N06 60 60 14 TO-220 N型50N03L 28 25 21 TO-220 N型BTS120 19 100 100 TO-220 N型BTS110 10 100 200 TO-220 N型06N60 5.5 600 750。
场效应管封装类型和标识解释说明以及概述1. 引言1.1 概述场效应管（MOSFET）是一种常用的电子元件，广泛应用于电路设计和功率控制系统中。
在实际应用中，不同的场效应管需要使用不同的封装类型和标识来满足特定的需求。
1.2 文章结构本文将重点介绍场效应管封装类型和标识的相关知识。
首先，我们将解释说明什么是场效应管封装类型，包括其定义、特点和主要分类。
然后，我们将详细讨论场效应管封装标识，介绍其作用、使用方法以及常见的标识符号含义。
最后，我们将对场效应管封装进行概述，总结各种封装的主要特点和适用范围。
1.3 目的通过本文对场效应管封装类型和标识进行详细说明和概述，旨在帮助读者更好地理解场效应管及其相关标识信息，并为正确选择合适的封装类型提供参考依据。
此外，本文还将为读者提供一个全面了解场效应管封装领域发展动态的基础，在电子领域中有关设计、测试和选型方面提供实用指导。
2. 场效应管封装类型和标识2.1 场效应管封装类型解释说明场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
场效应管的封装类型决定了其外观形状、引脚布局以及安装方式等特征。
常见的场效应管封装类型有TO-92、TO-220、SOT-23等。
TO-92是一种较小型的封装，通常具有三个引脚。
其中一个引脚是栅极（Gate），另外两个引脚分别是漏极（Drain）和源极（Source）。
这种封装适用于低功率的电路应用，如小型信号放大器和开关等。
TO-220是一种较大型的封装，通常具有三个或四个引脚。
其中一个引脚是栅极，其他引脚则用于漏极和源极之间的电流传输以及导热至散热器。
这种封装适用于中高功率的电路应用，如交流驱动器、开关稳压器和电机控制等。
SOT-23是一种更小型的表面贴片封装，通常具有三个引脚。
与TO-92相比，SOT-23封装更适用于小型空间集成电路和低功耗应用，如便携式设备和手机等。
2.2 场效应管封装标识解释说明场效应管的封装标识通常是指封装型号或代号，其目的是方便对不同类型的场效应管进行识别和选择。
MOS管封装分类
在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。
该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。
而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样;另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。
封装的重要性不言而喻。
MOS管封装分类
按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。
常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。
插入式封装
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。
典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。
表面贴装式封装
随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
1、双列直插式封装(DIP)
DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP(Shrink DIP)，即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。
DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式。
mos管的分类
MOS管可以根据其工作原理、控制电极和封装形式等角度进行分类，具体如下：
1. 工作原理分类：
MOS管可按照其工作原理分为三种类型：增强型MOS（Enhancement-mode MOS，
E-MOS）、耗尽型MOS（Depletion-mode MOS，D-MOS）和结型MOS（Junction-type MOS，J-MOS）。
2. 控制电极分类：
MOS管可以根据其控制电极的种类分为两类，一种是栅极控制型（Gate-Controlled Device，GCD），另一种是双极型（Bipolar Device，BD）。
3. 封装形式分类：
MOS管可以根据其封装形式分为多种类型，如TO-92、TO-220、SOT-223等。
其中，TO-92封装小巧，适合SMD制造；TO-220封装较大且散热良好，适合大功率应用场合；SOT-223封装小巧，集成度高，适合便携式设备。
将主板MOSFET看透，看明白，让你更了解主板主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。
这是因为随着MOSFET技术的进展，大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET以及多芯片DrMOS开始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用户的眼球。
本文将对主板采用的MOSFET 器件的封装规格和封装技术作简要介绍。
MOSFET芯片制作完成后，需要封装才可以使用。
所谓封装就是给MOSFET芯片加一个外壳，这个外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。
芯片的材料、工艺是MOSFET性能品质的决定性因素，MOSFET厂商自然注重芯片内核结构、密度以及工艺的改进，以提高MOSFET的性能。
这些技术改进将付出很高的成本。
MOSFET的封装形式封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。
所以芯片的封装技术是非常重要的。
以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。
典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等等。
电脑主板一般不采用直插式封装的MOSFET，本文不讨论直插式封装的MOSFET。
一般来说，“芯片封装”有2层含义，一个是封装外形规格，一个是封装技术。
对于封装外形规格来说，国际上有芯片封装标准，规定了统一的封装形状和尺寸。
封装技术是芯片厂商采用的封装材料和技术工艺，各芯片厂商都有各自的技术，并为自己的技术注册商标名称，所以有些封装技术的商标名称不同，但其技术形式基本相同。
我们先从标准的封装外形规格说起。
标准封装规格TO封装TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。
这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。
近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。
TO252和TO263就是表面贴装封装。
其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。
D-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。
其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热。
所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。
SOT封装SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。
这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。
常见的规格如上。
主板上常用四端引脚的SOT-89 MOSFET。
SOP封装SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。
SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。
材料有塑料和陶瓷两种。
SOP也叫SOL 和DFP。
SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。
MOSFET 的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。
SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。
这些派生的几种封装规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。
QFN-56封装QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面贴装型封装之一，中文叫做四边无引线扁平封装，是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。
现在多称为LCC。
QFN是日本电子机械工业会规定的名称。
封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。
这种封装也称为LCC、PCLC、P－LCC等。
QFN本来用于集成电路的封装，MOSFET不会采用的。
Intel 提出的整合驱动与MOSFET的DrMOS采用QFN-56封装，56是指在芯片背面有56个连接Pin。
最新封装形式由于CPU的低电压、大电流的发展趋势，对MOSFET提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。
MOSFET 厂商除了改进芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。
下面分别介绍主要MOSFET厂商最新的封装形式。
瑞萨（RENESAS）的WPAK、LFPAK和LFPAK-I 封装WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。
WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET，减小布线电感。
LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。
LFPAK类似D-PAK比D-PAK体积小。
LFPAK-i是将散热板向上，通过散热片散热。
威世Power-PAK和Polar-PAK封装Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。
Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。
Polar PAK是双面散热的小形封装。
安森美的SO-8和WDFN8扁平引脚封装安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引脚被很多主板采用。
菲利普（Philps）的LFPAK和QLPAK封装首先开发SO-8的菲利普也有改进SO-8的新封装技术，就是LFPAK和QLPAK。
意法（ST）半导体的PowerSO-8封装法意半导体的SO-8改进技术叫做Power SO-8。
飞兆（Fairchild）半导体的Power 56封装飞兆半导体的SO-8改进技术叫做Power 56。
国际整流器（IR）的Direct FET封装Direct FET封装属于反装型的，漏极（D）的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。
内部封装技术前面介绍的最新封装形式都是MOSFET的外部封装。
这些最新封装还包括内部封装技术的改进，尽管这些新封装技术的商标名称多种多样，其内部封装技术改进主要有三方面：一是改进封装内部的互连技术，二是增加漏极散热板，三是改变散热的热传导方向。
封装内部的互连技术:早期的标准封装，包括TO，D-PAK、SOT、SOP，多采用焊线式的内部互连，在CPU核心电压较高，电流较小时期，这种封装可以满足需求。
当CPU供电进展到低电压、大电流时代，焊线式封装就难以满足了。
以标准焊线式SO-8为例，作为小功率MOSFET封装，发热量很小，对芯片的散热设计没有特别要求。
主板的局部小功率供电（风扇调速）多采用这种SO-8的MOSFET。
但用于现代的CPU供电就不能胜任了。
这是由于焊线式SO-8的性能受到封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳的热阻等四个因素的限制。
封装电阻MOSFET在导通时存在电阻（RDS(on)），这个电阻包括芯片内PN结电阻和焊线电阻，其中焊线电阻占50%。
RDS(on)是影响MOSFET性能的重要因素。
封装电感内部焊线的引线框封装的栅极、源极和漏极连接处会引入寄生电感。
源极电感在电路中将会以共源电感形式出现，对MOSFET的开关速度有着重大影响。
芯片PN结到PCB的热阻芯片的漏极粘合在引线框上,引线框被塑封壳包围，塑料是热的不良导体。
漏极的热传导路径是芯片→引线框→引脚→PCB，这么长的路径必然是高热阻。
至于源极的热传导还要经过焊线到PCB，热阻更高。
芯片PN结到外壳(封装顶部)的热阻由于标准的SO-8采用塑料包封,芯片到封装顶部的传热路径很差。
上述四种限制对其电学和热学性能有着极大的影响。
随着电流密度要求的提高,MOSFET厂商采用SO-8的尺寸规格，同时对焊线互连形式进行改进，用金属带、或金属夹板代替焊线，降低封装电阻、电感和热阻。
国际整流器（IR）称之为Copper Strap技术，威世（Vishay）称之为Power Connect 技术，还有称之为Wireless Package。
据国际半导体报道，用铜带取代焊线后，热阻降低了10-20%，源极至封装的电阻降低了61%。
特别一提的是用铜带替换14根2-mil金线，芯片源极电阻从1.1 降到0.11 m m。
漏极散热板标准SO-8封装采用塑料把芯片全部包围，低热阻的热传导通路只是芯片到PCB的引脚。
底部紧贴PCB的是塑料外壳。
塑料是热的不良导体，影响漏极的散热。
封装的散热改进自然是除去引线框下方的塑封混合物，让引线框金属结构直接（或者加一层金属板）与PCB接触,并焊接到PCB焊盘上。
它提供了大得多的接触面积,把热量从芯片上导走。
这种结构还有一个附带的好处,即可以制成更薄的器件,因为塑封材料的消除降低了其厚度。
威世的Power-PAK，法意半导体的Power SO-8，安美森半导体的SO-8 Flat Lead，瑞萨的WPAK、LFPAK，飞兆半导体的Power 56和Bottomless Package都采用这种散热技术。
改变散热的热传导方向Power-PAK封装显著减小了芯片到PCB的热阻，实现芯片到PCB的高效率传热。
不过，当电流的需求继续增大时，PCB 也将出现热饱和，因此散热技术的进一步改进是改变散热方向，让芯片的热量传导到散热器而不是PCB。
瑞萨的LFPAK-I 封装，国际整流器的Direct FET封装就是这种散热技术。
整合驱动IC的DrMOS传统的主板供电电路采用分立式的DC/DC降压开关电源，分立式方案无法满足对更高功率密度的要求，也不能解决较高开关频率下的寄生参数影响问题。
随着封装、硅技术和集成技术的进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块（MCM）已经成为现实。
与分立式方案相比，多芯片模块可以节省相当可观的空间并提高功率密度，通过对驱动器和MOSFET的优化提高电能转换效率以及优质的DC电流。
这就是称之为DrMOS的新一代供电器件。
