电通量、高斯定理
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电通量、高斯定理1、均匀电场的场强E与半径为R 的半球面的轴线平行,则通过半球面的电场强度通量φ = πR 2E ,若在半球面的球心处再放置点电荷q ,q不改变E分布,则通过半球面的电场强度通量 φ =πR 2E ±q/2ε0。
2、真空中的高斯定理的数学表达式为∑⎰=⋅0/εq s d E i s ,其物理意义是静电场是有源场。
3、一点电荷q 位于一位立方体中心,立方体边长为a ,则通过立方体每个表面的E的通量是q/6ε0;若把这电荷移到立方体的一个顶角上,这时通过电荷所在顶角的三个面E的通量是 0 ,通过立方体另外三个面的E的通量是 q/8ε0。
4、两个无限大均匀带正电的平行平面,电荷面密度分别为σ1和σ2,且σ1>σ2,则两平面间电场强度的大小是( C )(A)(B) (C)(D) 5、应用高斯定理求场强E时,要求E的分布具有对称性,对于没有对称性的电场分布,例如电偶极子产生的电场,高斯定理就不再成立,你认为这种说法:( B )(A)正确 (B)错误 (C)无法判断6、下述带电体系的场强分布可能用高斯定理来计算的是( D )(A)均匀带电圆板 (B)有限长均匀带电棒 (C)电偶极子 (D)带电介质球(电荷体密度是离球心距离r 的函数) 7、如果在静电场中所作的封闭曲面内没有净电荷,则( C )(A)封闭面上的电通量一定为零,场强也一定为零;()0212/εσσ+()021/εσσ+()0212/εσσ-()021/εσσ-(B)封闭面上的电通量不一定为零,场强则一定为零;(C)封闭面上的电通量一定为零;场强不一定为零;(D)封闭面上的电通量不一定为零;场强不一定为零。
8、无限长均匀带电圆柱体,电荷体密度为ρ,半径为R,求柱体内外的场强分布解:作一半径为r,高为h的同轴圆柱面为高斯面根据对称性分析,圆柱面侧面上任一点的场强大小相等,方向沿矢径方向⎰⎰⎰⎰⋅+⋅+⋅=⋅侧面下底上底s dEs dEs dEs dEs=⎰⋅侧面s dE=E⎰侧面ds=2rhEπ(1)r < R时, ∑=ρπhrqi2,2/2ερππhrrhE=,2ερrE=(2)r > R时, ∑=ρπhRqi2,2/2ερππhRrhE=,rRE22ερ=∴=E)(,2)(,22RrrRRrr><ερερ。
电场的电通量与高斯定理电场的电通量是描述电场线通过一个封闭曲面的程度的物理量,它在物理学中有着重要的应用。
而高斯定理则是计算电场电通量的一种重要方法。
本文将探讨电场的电通量的概念及计算方法,以及高斯定理的原理和应用。
1. 电场的电通量电场的电通量是指单位时间内通过垂直于电场线的面积的电场线数目。
常用符号表示为Φ,单位为“麦可伏伦/米平方”(C·V/m^2)。
电通量的大小与电场线的密度有关,电场线越密集,则电通量越大。
2. 电通量的计算电通量的计算可以通过积分来实现。
设曲面S为一个封闭曲面,并在曲面上选取微小面元dS,该微小面元的面积为ΔS。
假设电场E在该面元上的投影长度为E⊥,则通过该微小面元的电场线条数为E⊥·ΔS。
将所有微小面元上的电场线条数相加,就可以得到通过整个曲面的电通量Φ,即Φ = ∫ E⊥ · dS。
3. 高斯定理的原理高斯定理主要应用于具有对称性的电场问题。
它指出,对于任意封闭曲面S,通过该曲面的电通量Φ与该封闭曲面所包围的总电荷量Q之间存在以下关系:Φ = Q/ε0,其中ε0为真空中的电介质常数,约等于8.85 × 10^-12 C^2/N·m^2。
4. 高斯定理的应用高斯定理在电场问题的求解中具有广泛的应用。
通过选择合适的封闭曲面,可以简化电场问题的求解过程。
例如,当电场具有球对称性时,可以选择以球心为中心的球面作为封闭曲面,这样可以使计算过程更加简化。
5. 实例分析考虑一个均匀带电球体,球心位于原点,半径为R,总电荷量为Q。
我们希望计算通过球面的电通量。
根据高斯定理,可以选择以球心为中心,球面为封闭曲面进行计算。
由于球对称性,电场E在球面上的大小处处相等。
根据球面积分的计算公式,可以得到Φ = E · 4πR^2。
而球内的总电荷量为Q,因此根据高斯定理,我们可以得到Φ = Q/ε0。
将上述两个等式联立,可以解得E = Q / (4πε0R^2)。
习题 七 电通量、高斯定理
一、选择题
1、 一电场强度为→E 的均匀电场,→
E 的方向与x
则通过图中一半径为R 的半球面的电通量为(D )
A 、πR 2
E B 、
2
1πR 2E C 、2πR 2
E D 、0
提示:电通量的几何意义:穿过该曲面的电场线的条数。
穿过该半球面的任一电场线必穿过两次,一次算正的,一次算负的,因半球面是有方向的,穿过该半球面的电场线的条数是代数量。
2、点电荷放在球形高斯面的中心处,下列哪种情况高斯面的电通量会发生变化(C ) A 、将另一点电荷放在高斯面外 B 、将球心处的点电荷移到高斯面内另一处 C 、将另一点电荷放进高斯面内 D 、改变高斯面半径大小 提示:由高斯定理知,高斯面的电通量只和面内的电荷有关。
3、真空中两平行带电平板相距为d ,面积为S ,且有d 2
<< S ,带电量分别为+q 和-q ,则两极板之间的作用力大小为( D ) A 、2
024d
q F πε=
B 、2
0q F S ε=
C 、202q F S ε=
D 、2
02q F S
ε=
提示:A 板在B 板处的电场:000/222q S q
E S
σεεε=
== B 板上一电荷微元的受力:00()()
()22q q dF dq E dq dq S
S
εε===
B 板总受力:2
000()()2222S S S q
q
q
q F dF dq dq q S S S S εεεε====⋅=⎰⎰⎰ 4、如果一点电荷q 位于立方体一个顶点上,则通过不与该顶点相连的任一立方体侧面的电通量为( D ) A 、0
B 、
εq
C 、
6εq D 、
24εq 提示:以该立方体为一个卦限,作一边长为该立方体边长2倍的立方体。
将大立方体的6个面分别分成4个小正方形,这样的小正方形共24个。
由
对称性,通过每个小正方形的电通量相等:
00
1112424
2424S
q q
E dS εεΦ=
Φ=⋅=
=⎰
总 5、下列说法正确的是( A )
A 、若高斯面上→
E 处处为0,则该面内必无净电荷(
0S
q E dS ε⋅==
⎰
内
,0q ⇒=内)
B 、若高斯面内无电荷,则高斯面上的→
E 必定处处为0(反例:处在均匀电场中的球面) C 、若高斯面上→
E 处处不为0,则高斯面内必有净电荷(反例:处在均匀电场中的球面) D 、若高斯面内有电荷,则高斯面上→
E 处处不为0(反例:两正的点电荷相距2R ,高斯面为以
一电荷为球心,以R 为半径的球面,则在两电荷连线和球面的交点处,场强为0) 二、填空题
1、一均匀带有电量为Q ,长为l 的直线,以直线中心为球心,R (R >l )为半径作球面,则通过该
球面的电通量为
Q
ε,在带电直线的延长线上与球面的交点处的场强大小为
0422Q
l l R R πε⎛⎫⎛⎫
+- ⎪⎪
⎝
⎭⎝⎭。
提示:第一空:该带电线完全被球面所包围,由高斯定理可知结果。
第二空:建立Or 坐标系,坐标轴位于带电线上,坐标原点位于带电线的中心,方向沿球面的半径向外。
在带电线上取微元dQ 。
22
00(/)4()4()
dQ Q l dr
dE R r R r πεπε=
=-- /2
/2
2
/2
/2
00(/)4()422l l l l Q l dr
Q
E dE l l R r R R πεπε++--===
-⎛
⎫⎛⎫+- ⎪⎪
⎝
⎭⎝⎭⎰
⎰
2、由一半径为R 、均匀带有电量Q 的球面,产生的电场空间,在距离球心r 处的电场强度为:当
r<R 时,E= 0 ,当r>R 时,E=
2
04Q r πε。
提示:参考课件有关例题。
3、由一半径为R 的无限长均匀带电圆筒面产生的电场空间,与圆筒中心轴线相距为r 处的电场强
度大小为:当r<R 时,E= 0 当r>R 时,E=r
02πελ
(已知圆筒面上带电线密度为λ)。
提示:参考课件有关例题。
4、由一半径为R ,电荷体密度为ρ的无限长均匀带电圆柱体产生的电场空间,当r<R 时,E=
2r ρε,当r>R 时,E=r
R 02
2ερ。
提示:由高斯定理:
(2)S
q E dS E rh πε⋅==
⎰
内
200
2
2000(),(),()222(),(),()22r
r h r R r R hr q E hr R
R h r R r R r hr ρρπεπεπερρπεπε⎧⎧<<⎪⎪⎪⎪⇒===⎨⎨⎪⎪
>>⎪⎪⎩⎩
内 省略了一些步骤,可参照课件学习!
5、一无限大均匀带电面密度为σ的平面上有一半径为R 的圆面型空缺,则在空缺的中垂线上与圆
面相距为d 处的电场强度大小为
2
2
02d
R d
+εσ。
提示:均匀带电圆环在其轴线上的电场:223/2
04()
qx
E x R πε=
+ 把带电面划分成无数带电圆环,每一带电圆环的电场:
223/2223/2223/2
000()()(2)4()4()4()dq d dS d rdr d
dE d R d R d R σσππεπεπε⋅=
==
+++
带电面的电场:223/20(2)4()R
rdr d E dE d R σππε∞
⋅==
=+⎰⎰
或用补偿法,直接用无限大均匀带电面的场减均匀带电圆盘的场。
三、计算题
1、一对无限长的同轴直圆筒,半径分别是R 1和R 2(R 1<R 2),筒面上都均匀带电,沿轴线单位长度
的电量分别为λ1和λ2,试求其空间的电场强度分布。
解:取一半径为r ,长度为L 的同轴圆筒面为高斯面,应用高斯定理,
(2)S
q E dS E rL πε⋅==
⎰
内
1
011112120001212
22000,()20,(),(),()222(),(),()22r R rL r R q L E R r R R r R rL rL r L r R r R rL r
πελλπεπεπελλλλπεπε⎧⎧
<⎪⎪<⎪⎪⎪⎪⇒==<<=<<⎨⎨⎪⎪
⎪⎪++>>⎪⎪
⎩⎩内
2、内外半径分别为R 1、R 2的均匀带电厚球壳,电荷体密度为ρ,求空间各处的电场强度。
解:取一半径为r 的同心球面为高斯面,应用高斯定理,
20
4S
q E dS E r πε⋅=⋅=
⎰
内
()()12
013333111212222
00033
332
12122022
00
,()40,()4433,(),()44344,()333,()4r R r r R r R r R q E R r R R r R r r r R R R R r R r r R r περππρπεπεερρππεπε⎧<⎪⎧⎪⎪
<⎪⎪⎛⎫
-⎪⎪ ⎪-⎪⎪⎝⎭==<<=<<⎨⎨⎪⎪
⎪⎪⎛⎫--⎪⎪ ⎪>⎝⎭⎪⎪>⎩⎪⎩
内 3、厚度为d 的无限大均匀带电平板,若电荷体密度为ρ,求空间各处的电场强度。
解:方法一: 参考课件有关例题。
由无限大均匀带电平面周围空间的电场
2E σ
ε=
可计算得出: ()()
2,02,02x d
x d E d x x d ρερε⎧-<<⎪
⎪=⎨
⎪<>⎪⎩或,方向均远离对称面。
提示:1)dx σρ=;
2)在板外,所有无限大带电面的电场同向;在板内,考察点两侧的无限大带电面的电场反向;
方法二:利用高斯定理。
为方便见,此次坐标原点定在板的对称面上。
00,2,22x d x E d d x ρερε⎧⎛⎫
<⎪ ⎪
⎝
⎭⎪=⎨
⎛⎫
⎪> ⎪⎪⎝
⎭⎩,方向均远离对称面。
( 提示:参考课件有关例题。
)
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