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运算放大器电参数测试方法通用集成运算放大器电路测试方法作者：李雷一、器件介绍集成运算放大器（简称运放）是模拟集成电路中较大的一个系列，也是各种电子系统中不可缺少的基本功能电路，它广泛的应用于各种电子整机和组合电路之中。
本文主要介绍通用运算放大器的测试原理和实用测试方法。
1．运算放大器的分类从不同的角度，运算放大器可以分为多类：1．从单片集成规模上可分为：单运放（如：OP07A）、双运放(AD712)、四运放(LM124)。
2．从输出幅度及功率上可分为：普通运放、大功率运放(LM12)、高压运放（OPA445）。
3．从输入形式上可分为：普通运放、高输入阻抗运放(AD515、LF353)。
4．从电参数上可分为：普通运放、高精密运放（例如：OP37A）、高速运放(AD847)等。
5．从工作原理上可分为：电压反馈型运放、电流反馈型运放（AD811）、跨倒运放(CA3180)等。
6．从应用场合上可分为：通用运放、仪表运放（INA128）、音频运放(LM386)、视频运放(AD845)、隔离运放（BB3656）等。
2．通用运放的典型测试原理图（INTERSIL公司）李雷第 1 页2008-9-10运算放大器电参数测试方法二、电参数的测试方法以及注意事项一般来说集成运算放大器的电参数分为两类：直流参数和交流参数。
直流参数主要包括：失调电压、偏置电流、失调电流、失调电压调节范围、输出幅度、大信号电压增益、电源电压抑制比、共模抑制比、共模输入范围、电源电流十项。
交流参数主要包括：大信号压摆率、小信号过冲、单位增益带宽、建立时间、上升时间、下降时间六项。
而其中电源电流、偏置电流、失调电流、失调电压、输出幅度、开环增益、电源电压抑制比、共模抑制比、大信号压摆率、单位增益带宽这十项参数反映了运算放大器的精度、速度、放大能力等重要指标，故作为考核运放器件性能的关键参数。
通常运算放大器电参数的测试分为两种方法：一种是单管测试法，另一种是带辅助放大器的测试方法。
)(1)()(t F t f t -=λ微电子器件可靠性习题第一、二章 数学基础1．微电子器件的可靠性是指产品在 规定条件下 和 规定时间内 ；完成 规定功能 的能力。
2．产品的可靠度为R(t)、失效概率为F(t)，则二者之间的关系式为R(t)+F(t)=1。
3．描述微电子器件失效率和时间之间关系的曲线通常为一“浴盆”，该曲线明显分为三个区域，分别是 早期失效期 、 偶然失效期 和 耗损失效期 。
4．表决系统实际上是 并联 （串联、并联）系统的一种。
5．设构成系统的单元的可靠度均为R ，则由两个单元构成的串联系统的可靠度为 R 2 ；由两个单元构成的并联系统的可靠度为 2R-R 2 。
6．产品的可靠度为R(t)、失效概率密度为f(t)，则二者之间的关系式为f(t)=R ’(t) 。
7．微电子器件的可靠度是指产品在 规定条件下 和 规定时间内 ；完成 规定功能 的 概率 。
8．产品的可靠度为R(t)、失效概率密度为f(t)，失效率λ(t)，则三者之间的关系式为f(f)= λ(t)R(t) 。
9．设构成系统的单元的可靠度均为R ，则由两个单元构成的串联系统的可靠度为 R 2 ；由两个单元构成的并联系统的可靠度为 2R-R 2 ；由三个单元构成的2/3(G)表决系统的可靠度为 3R 2-2R 3 。
10．100块IC ，在第100小时内失效数为6块，到第101小时失效11块，则该IC 在100小时的失效概率密度是 6/100 ，失效率是 5/94 。
（给出分数形式即可）。
（2分）11．产品的可靠度降低到0.5时，其工作时间称为 中位寿命 ，可靠度降低到1/e 时，其工作时间称为 特征寿命 。
12．λ(t )是一个比较常用的特征函数，它的单位用1/h ，也常用%/1000h 或10-9/h ，后者称为菲特（Fit ），100万个器件工作1000h 后只有一个失效率，即1Fit 。
13．失效率单位有三种表示方法：1/h 、%/1000h 、（非特Fit ）10-9/h 。
在处理RF系统的实际应用问题时，总会遇到一些非常困难的工作，对各部分级联电路的不同阻抗进行匹配就是其中之一一般情况下，需要进行匹配的电路包括天线与低噪声放大器(LNA>之间的匹配功率放大器输出(RFOUT>与天线之间的匹配LNA/VCO输出与混频器输入之间的匹配匹配的目的是为了保证信号或能量有效地从信号源传送到负载。
在高频端，寄生元件(比如连线上的电感板层之间的电容和导体的电阻>对匹配网络具有明显的不可预知的影响频率在数十兆赫兹以上时，理论计算和仿真已经远远不能满足要求，为了得到适当的最终结果，还必须考虑在实验室中进行的RF测试并进行适当调谐需要用计算值确定电路的结构类型和相应的目标元件值。
有很多种阻抗匹配的方法，包括∙计算机仿真：由于这类软件是为不同功能设计的而不只是用于阻抗匹配，所以使用起来比较复杂设计者必须熟悉用正确的格式输入众多的数据设计人员还需要具有从大量的输出结果中找到有用数据的技能另外，除非计算机是专门为这个用途制造的，否则电路仿真软件不可能预装在计算机上∙手工计算：这是一种极其繁琐的方法，因为需要用到较长(几公里>的计算公式并且被处理的数据多为复数∙经验：只有在RF领域工作过多年的人才能使用这种方法总之，它只适合于资深的专家∙史密斯圆图：本文要重点讨论的内容本文的主要目的是复习史密斯圆图的结构和背景知识，并且总结它在实际中的应用方法讨论的主题包括参数的实际范例，比如找出匹配网络元件的数值当然，史密斯圆图不仅能够为我们找出最大功率传输的匹配网络，还能帮助设计者优化噪声系数，确定品质因数的影响以及进行稳定性分析图1. 阻抗和史密斯圆图基础b5E2RGbCAP基础知识在介绍史密斯圆图的使用之前，最好回顾一下RF环境下(大于100MHz> IC连线的电磁波传播现象这对RS-485传输线PA和天线之间的连接LNA和下变频器/混频器之间的连接等应用都是有效的大家都知道，要使信号源传送到负载的功率最大，信号源阻抗必须等于负载的共轭阻抗，即：p1EanqFDPwRs + jXs = RL - jXL图2. 表达式Rs + jXs = RL - jXL 的等效图在这个条件下，从信号源到负载传输的能量最大另外，为有效传输功率，满足这个条件可以避免能量从负载反射到信号源，尤其是在诸如视频传输RF或微波网络的高频应用环境更是如此DXDiTa9E3d史密斯圆图史密斯圆图是由很多圆周交织在一起的一个图正确的使用它，可以在不作任何计算的前提下得到一个表面上看非常复杂的系统的匹配阻抗，唯一需要作的就是沿着圆周线读取并跟踪数据史密斯圆图是反射系数(伽马，以符号表示>的极座标图反射系数也可以从数学上定义为单端口散射参数，即s11史密斯圆图是通过验证阻抗匹配的负载产生的这里我们不直接考虑阻抗，而是用反射系数L，反射系数可以反映负载的特性(如导纳增益跨导>，在处理RF频率的问题时L更加有用我们知道反射系数定义为反射波电压与入射波电压之比：图3. 负载阻抗负载反射信号的强度取决于信号源阻抗与负载阻抗的失配程度反射系数的表达式定义为：由于阻抗是复数，反射系数也是复数为了减少未知参数的数量，可以固化一个经常出现并且在应用中经常使用的参数这里Z0 (特性阻抗>通常为常数并且是实数，是常用的归一化标准值，如5075100和600于是我们可以定义归一化的负载阻抗：据此，将反射系数的公式重新写为：从上式我们可以看到负载阻抗与其反射系数间的直接关系但是这个关系式是一个复数，所以并不实用我们可以把史密斯圆图当作上述方程的图形表示为了建立圆图，方程必需重新整理以符合标准几何图形的形式(如圆或射线>首先，由方程2.3求解出；并且令等式2.5的实部和虚部相等，得到两个独立的关系式：重新整理等式2.6，经过等式2.8至2.13得到最终的方程2.14这个方程是在复平面(r, i>上圆的参数方程(x-a>2 + (y-b>² = R²，它以(r/r+1, 0>为圆心，半径为1/1+r. 更多细节参见图4a图4a. 圆周上的点表示具有相同实部的阻抗例如，r = 1的圆，以(0.5, 0>为圆心，半径为0.5它包含了代表反射零点的原点(0, 0> (负载与特性阻抗相匹配）以(0, 0>为圆心半径为1的圆代表负载短路负载开路时，圆退化为一个点(以1, 0为圆心，半径为零>与此对应的是最大的反射系数1，即所有的入射波都被反射回来在作史密斯圆图时，有一些需要注意的问题下面是最重要的几个方面：RTCrpUDGiT∙所有的圆周只有一个相同的，唯一的交点(1, 0>∙代表0也就是没有电阻(r = 0>的圆是最大的圆∙无限大的电阻对应的圆退化为一个点(1, 0>∙实际中没有负的电阻，如果出现负阻值，有可能产生振荡∙选择一个对应于新电阻值的圆周就等于选择了一个新的电阻作图经过等式2.15至2.18的变换，2.7式可以推导出另一个参数方程，方程2.19同样，2.19也是在复平面(r, i>上的圆的参数方程(x-a>² + (y-b>² = R²,它的圆心为(1, 1/x>，半径1/x更多细节参见图4b图4b. 圆周上的点表示具有相同虚部x的阻抗例如，x = 1的圆以(1, 1>为圆心，半径为1所有的圆(x为常数>都包括点(1, 0>与实部圆周不同的是，x 既可以是正数也可以是负数这说明复平面下半部是其上半部的镜像所有圆的圆心都在一条经过横轴上1点的垂直线上5PCzVD7HxA完成圆图为了完成史密斯圆图，我们将两簇圆周放在一起可以发现一簇圆周的所有圆会与另一簇圆周的所有圆相交若已知阻抗为r + jx，只需要找到对应于r和x的两个圆周的交点就可以得到相应的反射系数jLBHrnAILg可互换性上述过程是可逆的，如果已知反射系数，可以找到两个圆周的交点从而读取相应的r和x的值过程如下：确定阻抗在史密斯圆图上的对应点∙找到与此阻抗对应的反射系数(>∙已知特性阻抗和，找出阻抗∙将阻抗转换为导纳∙找出等效的阻抗∙找出与反射系数对应的元件值(尤其是匹配网络的元件，见图7>推论因为史密斯圆图是一种基于图形的解法，所得结果的精确度直接依赖于图形的精度下面是一个用史密斯圆图表示的RF应用实例：例：已知特性阻抗为50，负载阻抗如下：xHAQX74J0X对上面的值进行归一化并标示在圆图中(见图5>：点击看大图(PDF, 502K>图5. 史密斯圆图上的点现在可以通过图5的圆图直接解出反射系数画出阻抗点(等阻抗圆和等电抗圆的交点>，只要读出它们在直角坐标水平轴和垂直轴上的投影，就得到了反射系数的实部r和虚部i (见图6>该范例中可能存在八种情况，在图6所示史密斯圆图上可以直接得到对应的反射系数：LDAYtRyKfE图6. 从X-Y轴直接读出反射系数的实部和虚部用导纳表示史密斯圆图是用阻抗(电阻和电抗>建立的一旦作出了史密斯圆图，就可以用它分析串联和并联情况下的参数可以添加新的串联元件，确定新增元件的影响只需沿着圆周移动到它们相应的数值即可然而，增加并联元件时分析过程就不是这么简单了，需要考虑其它的参数通常，利用导纳更容易处理并联元件我们知道，根据定义Y = 1/Z，Z = 1/Y导纳的单位是姆欧或者-1 (早些时候导纳的单位是西门子或S>并且，如果Z是复数，则Y也一定是复数所以Y = G + jB (2.20>, 其中G叫作元件的电导，B称电纳在演算的时候应该小心谨慎，按照似乎合乎逻辑的假设，可以得出：G = 1/R及B = 1/X，然而实际情况并非如此，这样计算会导致结果错误用导纳表示时，第一件要做的事是归一化， y = Y/Y0，得出y = g + jb但是如何计算反射系数呢？通过下面的式子进行推导：结果是G的表达式符号与z相反，并有(y> = -(z>如果知道z，就能通过将的符号取反找到一个与(0, 0>的距离相等但在反方向的点围绕原点旋转180°可以得到同样的结果(见图7>图7. 180°度旋转后的结果当然，表面上看新的点好像是一个不同的阻抗，实际上Z和1/Z表示的是同一个元件(在史密斯圆图上，不同的值对应不同的点并具有不同的反射系数，依次类推>出现这种情况的原因是我们的图形本身是一个阻抗图，而新的点代表的是一个导纳因此在圆图上读出的数值单位是姆欧尽管用这种方法就可以进行转换，但是在解决很多并联元件电路的问题时仍不适用Zzz6ZB2Ltk导纳圆图在前面的讨论中，我们看到阻抗圆图上的每一个点都可以通过以复平面原点为中心旋转180°后得到与之对应的导纳点于是，将整个阻抗圆图旋转180°就得到了导纳圆图这种方法十分方便，它使我们不用建立一个新图所有圆周的交点(等电导圆和等电纳圆>自然出现在点(-1, 0>使用导纳圆图，使得添加并联元件变得很容易在数学上，导纳圆图由下面的公式构造：解这个方程接下来，令方程3.3的实部和虚部相等，我们得到两个新的独立的关系：从等式3.4，我们可以推导出下面的式子：它也是复平面(r, i>上圆的参数方程(x-a>² + (y-b> ² = R² (方程3.12>，以(-g/g+1, 0>为圆心，半径为1/(1+g>从等式3.5，我们可以推导出下面的式子：同样得到(x-a>² + (y-b>² = R²型的参数方程(方程3.17>dvzfvkwMI1求解等效阻抗当解决同时存在串联和并联元件的混合电路时，可以使用同一个史密斯圆图，在需要进行从z到y或从y到z的转换时将图形旋转考虑图8所示网络(其中的元件以Z0 = 50进行了归一化>串联电抗(x>对电感元件而言为正数，对电容元件而言为负数而电纳(b>对电容元件而言为正数，对电感元件而言为负数图8. 一个多元件电路这个电路需要进行简化(见图9> 从最右边开始，有一个电阻和一个电感，数值都是1，我们可以在r = 1的圆周和I＝1的圆周的交点处得到一个串联等效点，即点A下一个元件是并联元件，我们转到导纳圆图(将整个平面旋转180°>，此时需要将前面的那个点变成导纳，记为A'现在我们将平面旋转180°，于是我们在导纳模式下加入并联元件，沿着电导圆逆时针方向(负值>移动距离0.3，得到点B然后又是一个串联元件现在我们再回到阻抗圆图图9. 将图8网络中的元件拆开进行分析在返回阻抗圆图之前，还必需把刚才的点转换成阻抗(此前是导纳>，变换之后得到的点记为B'，用上述方法，将圆图旋转180°回到阻抗模式沿着电阻圆周移动距离1.4得到点C就增加了一个串联元件，注意是逆时针移动(负值>进行同样的操作可增加下一个元件(进行平面旋转变换到导纳>，沿着等电导圆顺时针方向 (因为是正值>移动指定的距离(1.1>这个点记为D最后，我们回到阻抗模式增加最后一个元件(串联电感>于是我们得到所需的值，z，位于0.2电阻圆和 0.5电抗圆的交点至此，得出z = 0.2 + j0.5如果系统的特性阻抗是50，有Z = 10 + j25(见图10>点击看大图(PDF, 600K>图10. 在史密斯圆图上画出的网络元件rqyn14ZNXI逐步进行阻抗匹配史密斯圆图的另一个用处是进行阻抗匹配这和找出一个已知网络的等效阻抗是相反的过程此时，两端(通常是信号源和负载>阻抗是固定的，如图11所示我们的目标是在两者之间插入一个设计好的网络已达到合适的阻抗匹配图11. 阻抗已知而元件未知的典型电路初看起来好像并不比找到等效阻抗复杂但是问题在于有无限种元件的组合都可以使匹配网络具有类似的效果，而且还需考虑其它因素(比如滤波器的结构类型品质因数和有限的可选元件>实现这一目标的方法是在史密斯圆图上不断增加串联和并联元件直到得到我们想要的阻抗从图形上看，就是找到一条途径来连接史密斯圆图上的点同样，说明这种方法的最好办法是给出一个实例我们的目标是在60MHz工作频率下匹配源阻抗(ZS>和负载阻抗(zL> (见图11>网络结构已经确定为低通，L型(也可以把问题看作是如何使负载转变成数值等于ZS的阻抗，即ZS复共轭>下面是解的过程：点击看大图(PDF, 537K>图12. 图11的网络，将其对应的点画在史密斯圆图上要做的第一件事是将各阻抗值归一化如果没有给出特性阻抗，选择一个与负载/信号源的数值在同一量级的阻抗值假设Z0为50于是zS = 0.5 - j0.3, z*S = 0.5 + j0.3, ZL = 2 -j0.5下一步，在图上标出这两个点，A代表zL，D代表z*S然后判别与负载连接的第一个元件(并联电容>，先把zL转化为导纳，得到点A'确定连接电容C后下一个点出现在圆弧上的位置由于不知道C的值，所以我们不知道具体的位置，然而我们确实知道移动的方向并联的电容应该在导纳圆图上沿顺时针方向移动直到找到对应的数值，得到点B (导纳>下一个元件是串联元件，所以必需把B转换到阻抗平面上去，得到B'B'必需和D位于同一个电阻圆上从图形上看，从A'到D只有一条路径，但是如果要经过中间的B点(也就是B'>，就需要经过多次的尝试和检验在找到点B和B'后，我们就能够测量A'到B和B'到D的弧长，前者就是C的归一化电纳值，后者为L的归一化电抗值A'到B的弧长为b = 0.78，则B = 0.78 x Y0 =0.0156姆欧因为C = B，所以C = B/ = B/(2 f> =0.0156/(2 607> = 41.4pFB到D的弧长为x = 1.2，于是X = 1.2 x Z0 = 60 由L = X, 得L = X/ = X/(2 f>= 60/(2 607> =159nH图13. MAX2472典型工作电路第二个例子是MAX2472的输出匹配电路，匹配于50负载阻抗(zL>，工作品率为900MHz (图14所示>该网络采用与MAX2472数据资料相同的配置结构，上图给出了匹配网络，包括一个并联电感和串联电容，以下给出了匹配网络元件值的查找过程图14. 图13所示网络在史密斯圆a图上的相应工作点首先将S22散射参数转换成等效的归一化源阻抗MAX2472的Z0为50，S22 = 0.81/-29.4°转换成zS = 1.4 - j3.2, zL = 1和zL* = 1下一步，在圆图上定位两个点，zS标记为A，zL*标记为D因为与信号源连接的是第一个元件是并联电感，将源阻抗转换成导纳，得到点A 确定连接电感LMATCH后下一个点所在的圆弧，由于不知道LMATCH的数值，因此不能确定圆弧终止的位置但是，我们了解连接LMATCH并将其转换成阻抗后，源阻抗应该位于r = 1的圆周上由此，串联电容后得到的阻抗应该为z = 1 + j0以原点为中心，在r = 1的圆上旋转180°，反射系数圆和等电纳圆的交点结合A点可以得到B (导纳>B点对应的阻抗为B点找到B和B'后，可以测量圆弧A'B以及圆弧B'D的长度，第一个测量值可以得到LMATCH电纳的归一化值，第二个测量值得到CMATCH电抗的归一化值圆弧A'B的测量值为b = -0.575，B = -0.575 × Y0= 0.0115mhos因为1/L = B，则LMATCH = 1/B = 1/(B2 f> = 1/(0.01156 × 2 × × 900 × 106> = 15.38nH，近似为15nH圆弧B'D的测量值为X = -2.81，X = -2.81 × Z0= -140.5因为-1/C = X，则CMATCH = -1/X = -1/(X2 f> = -1/(-140.5 × 2 ×× 900 × 106> = 1.259pF，近似为1pF这些计算值没有考虑寄生电感和寄生电容，所得到的数值接近与数据资料中给出的数值： LMATCH = 12nH和CMATCH = 1pF EmxvxOtOco总结在拥有功能强大的软件和高速高性能计算机的今天，人们会怀疑在解决电路基本问题的时候是否还需要这样一种基础和初级的方法实际上，一个真正的工程师不仅应该拥有理论知识，更应该具有利用各种资源解决问题的能力在程序中加入几个数字然后得出结果的确是件容易的事情，当问题的解十分复杂并且不唯一时，让计算机作这样的工作尤其方便然而，如果能够理解计算机的工作平台所使用的基本理论和原理，知道它们的由来，这样的工程师或设计者就能够成为更加全面和值得信赖的专家，得到的结果也更加可靠SixE2yXPq5申明：所有资料为本人收集整理，仅限个人学习使用，勿做商业用途。
《微弱信号检测》练习题1、证明下列式子：（1）R xx(τ)=R xx(-τ)（2）∣ R xx(τ)∣≤R xx(0)2x(t)x(t-τ)≤x2(t)+x2(t-τ)∣ R xx(τ)∣≤R xx(0)（3）R xy(-τ)=R yx(τ)（4）| R xy(τ)|≤[R xx(0)R yy(0)]2、设x(t)是雷达的发射信号，遇目标后返回接收机的微弱信号是αx(t-τo)，其中α«1，τo是信号返回的时间。
但实际接收机接收的全信号为y(t)= αx(t-τo)+n(t)。
（1）若x(t)和y(t)是联合平稳随机过程，求R xy(τ)；（2）在（1）条件下，假设噪声分量n(t)的均值为零且与x(t)独立，求R xy(τ)。
3、已知某一放大器的噪声模型如图所示，工作频率f o=10KHz，其中E n=1μV，I n=2nA，γ=0，源通过电容C与之耦合。
请问：（1）作为低噪声放大器，对源有何要求？（2）为达到低噪声目的，C为多少？4、如图所示，其中F1=2dB，K p1=12dB，F2=6dB，K p2=10dB，且K p1、K p2与频率无关，B=3KHz，工作在To=290K，求总噪声系数和总输出噪声功率。
5、已知某一LIA的FS=10nV，满刻度指示为1V，每小时的直流输出电平漂移为5⨯10-4FS；对白噪声信号和不相干信号的过载电平分别为100FS和1000FS。
若不考虑前置BPF的作用，分别求在对上述两种信号情况下的Ds、Do和Di。
6、下图是差分放大器的噪声等效模型，试分析总的输出噪声功率。
7、下图是结型场效应管的噪声等效电路，试分析它的En-In模型。
8、R1和R2为导线电阻，R s为信号源内阻，R G为地线电阻，R i为放大器输入电阻，试分析干扰电压u G在放大器的输入端产生的噪声。
9、如图所示窄带测试系统，工作频率f o=10KHz，放大器噪声模型中的E n=μV，I n=2nA，γ=0，源阻抗中R s=50Ω，C s=5μF。
尼尔曼第三版半导体物理与器件小结+重要术语解释+知识点+复习题第一章固体晶体结构 (4)小结 (4)重要术语解释 (4)知识点 (5)复习题 (5)第二章量子力学初步 (6)小结 (6)重要术语解释 (6)第三章固体量子理论初步 (7)小结 (7)重要术语解释 (7)知识点 (8)复习题 (9)第四章平衡半导体 (9)小结 (9)重要术语解释 (10)知识点 (11)复习题 (12)第五章载流子运输现象 (12)小结 (12)重要术语解释 (13)知识点 (14)复习题 (14)第六章半导体中的非平衡过剩载流子 (15)小结 (15)重要术语解释 (15)知识点 (16)复习题 (17)第七章pn结 (18)小结 (18)重要术语解释 (19)知识点 (20)复习题 (20)第八章pn结二极管 (21)小结 (21)重要术语解释 (22)知识点 (23)复习题 (23)第九章金属半导体和半导体异质结 (24)小结 (24)重要术语解释 (25)知识点 (26)复习题 (26)第十章双极晶体管 (27)小结 (27)重要术语解释 (28)知识点 (29)复习题 (29)第十一章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 (30)小结 (30)重要术语解释 (31)知识点 (32)复习题 (32)第十二章金属-氧化物-半导体场效应管：概念的深入 (33)小结 (33)重要术语解释 (34)知识点 (35)复习题 (35)第一章固体晶体结构小结1.硅是最普遍的半导体材料。
2.半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定。
晶胞是晶体中的一小块体积，用它可以重构出整个晶体。
三种基本的晶胞是简立方、体心立方和面心立方。
3.硅具有金刚石晶体结构。
原子都被由4个紧邻原子构成的四面体包在中间。
二元半导体具有闪锌矿结构，它与金刚石晶格基本相同。
4.引用米勒系数来描述晶面。
这些晶面可以用于描述半导体材料的表面。
密勒系数也可以用来描述晶向。
电子卷1GB/T 13265.2-1997 纤维光学隔离器第1-1部分: 空白详细规范GB 10320-1995 激光设备和设施的电气安全GB 15540-1995 陆地移动通信设备电磁兼容技术要求和测量方法GB 15702-1995 电子海图技术规范GB 15843.1-1995 信息技术安全技术实体鉴别机制第1部分:一般模型GB 15851-1995 信息技术安全技术带消息恢复的数字签名方案GB 15852-1995 信息技术安全技术用块密码算法作密码校验函数的数据完整性机制GB/T 15130.2-1995 信息处理数据交换用90mm改进调频制记录的位密度为15916磁通翻转/弧度、每面80条磁通的软磁盘第二部分, 磁通格式GB/T 15131.2-1995 信息处理数据交换用130mm改进调频制记录的位密度为13262磁通翻转/弧度、每面80条磁道的软磁盘第二部分: 磁道格式 A ( 用于77条磁道)GB/T 15131.3-1995 信息处理数据交换用130mm改进调频制记录的位密度为13262磁通翻转/弧度、每面80条磁道的软磁盘第三部分: 磁道格式B(用于80条磁道)GB/T 15273.2-1995 信息处理八位单字节编码图形字符集第二部分: 拉丁字母二GB/T 15273.3-1995 信息处理八位单字节编码图形字符集第三部分: 拉丁字母三GB/T 15273.4-1995 信息处理八位单字节编码图形字符集第四部分: 拉丁字母四GB/T 15428-1995 电子设备用冷板设计导则GB/T 15429-1995 电子设备用复塑铝板GB/T 15430-1995 红外探测器环境试验方法GB/T 15431-1995 微电路模块总规范GB/T 15448-1995 电子设备用固定电容器第19部分: 分规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流片式固定电容器GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范GB/T 15461-1995 电子设备用机电开关第3部分: 成列直插封装式开关分规范GB/T 15462-1995 电子设备用机电开关第3-1部分: 成列直插封装式开关空白详细规范GB/T 15471-1995 逻辑分析仪通用技术条件和测试方法GB/T 15472-1995 失真度测量仪通用技术条件和测试方法GB/T 15509-1995 半导体集成电路系列和品种彩电遥控器用电路系列的品种GB/T 15515-1995 光功率计技术条件GB/T 15529-1995 半导体发光数码管空白详细规范GB/T 15532-1995 计算机软件单元测试GB/T 15533-1995 信息处理系统小型计算机系统接口GB/T 15534-1995 信息处理系统数据库语言NDLGB/T 15535-1995 信息处理单命中判定表规范GB/T 15536-1995 信息处理 SGML支持设施 SGML文件交换格式(SDIF)GB/T 15537-1995 信息处理 SGML 支持设施公用文本拥有者标识符登记规程GB/T 15538-1995 软件工程标准分类法GB/T 15564-1995 图文电视广播用汉字编码字符集香港子集GB/T 15629.2-1995 信息处理系统局域网第2部分: 逻辑链路控制GB/T 15629.3-1995 信息处理系统局域网第3部分: 带碰撞检测的载波侦听多址访问(CSMA/CD)的访问方法和物理层规范GB/T 15637-1995 数字多用表校准仪通用技术条件GB/T 15647-1995 稳态可用性验证试验方法GB/T 15648-1995 辉光放电显示管测试方法GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范GB/T 15650-1995 半导体集成电路系列和品种 CMOS门阵列电路系列的品种GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法GB/T 15654-1995 电子设备用膜固定电阻网络第1部分:总规范GB/T 15655-1995 超扭曲向列型液晶显示器件分规范GB/T 15656-1995 超扭曲向列型液晶显示器件空白详细规范GB/T 15694.1-1995 识别卡发卡者标识第1部分: 编号体系GB/T 15695-1995 信息处理系统开放系统互连面向连接的表示服务定义GB/T 15696-1995 信息处理系统开放系统互连面向连接的表示协议规范GB/T 15697-1995 信息处理按记录组处理顺序文卷的程序流程GB/T 15698-1995 信息技术系统之间的远程通信和信息交换高级数据链路控制(HDLC)规程通用XID帧信息字段内容和格式GB/T 15732-1995 汉字键盘输入用通用词语集GB/T 15768-1995 电容式湿敏元件与湿度传感器总规范GB/T 15853-1995 软件支持环境GB/T 15861-1995 离子束蚀刻机通用技术条件GB/T 15862-1995 离子注入机通用技术条件GB/T 15866-1995 射频同轴电缆组件第2-1部分:柔软同轴电缆组件分规范GB/T 15867-1995 射频同轴电缆组件第4部分: 半硬同轴电缆组件分规范GB/T 15870-1995 硬面光掩模用铬薄膜GB/T 15871-1995 硬面光掩模基板GB/T 15872-1995 半导体设备电源接口GB/T 15873-1995 半导体设施接口技术文件编写导则GB/T 15876-1995 塑料四面引线扁平封装引线框架规范GB/T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范GB/T 15878-1995 小外形封装引线框架规范GB/T 15879-1995 半导体器件的机械标准化第5部分: 用于集成电路载带自动焊(TAB)的推荐值GB/T 15880-1995 电子设备用电位器第3部分: 分规范旋转式精密电位器GB/T 15881-1995 电子设备用电位器第3部分: 空白详细规范旋转式精密电位器评定水平EGB/T 15882-1995 电子设备用膜固定电阻网络第2部分: 按能力批准程序评定质量的膜电阻网络分规范GB/T 15883-1995 电子设备用膜固定电阻网络第2部分: 按能力批准程序评定质量的膜电阻网络空白详细规范评定水平EGB/T 15884-1995 电子设备用固定电阻器第5部分: 空白详细规范: 精密固定电阻器评定水平 FGB/T 15885-1995 电子设备用固定电阻器第4部分: 空白详细规范: 功率型固定电阻器评定水平 FGB/T 15886-1995 C型射频同轴连接器GB/T 15887-1995 SMC型射频同轴连接器GB/T 15888-1995 UHF 型射频同轴连接器GB/T 15889-1995 SSMA型射频同轴连接器GB/T 15890-1995 SSMB 型射频同轴连接器GB/T 15891-1995 射频电缆第四部分: 超屏蔽电缆规范第一篇: 一般要求和试验方法GB/T 15935-1995 存折本的磁条GB/T 15936.1-1995 信息处理文本与办公系统办公文件体系结构(ODA)和交换格式第1部分:引言和总则GB/T 15936.8-1995 信息处理文本与办公系统办公文件体系结构(ODA)和交换格式第八部分:几何图形内容体系结构GB/T 15946-1995 可程控测量设备的标准数字接口GB/T 15947-1995 用于行政、商业和运输业的电子数据交换报文设计指南与规则GB/T 4588.10-1995 印制板第10部分: 有贯穿连接的刚挠双面印制板规范GB/T 9387.2-1995 信息处理系统开放系统互连基本参考模型第2部分:安全体系结构GB/T 9387.3-1995 信息处理系统开放系统互连基本参考模型第三部分:命名与编址GB/T 12200.2-1994 汉语信息处理词汇 02部分: 汉语和汉字GB/T 14915-1994 电子数据交换术语GB/T 14916-1994 识别卡物理特性GB/T 15020-1994 电子设备用石英晶体元件空白详细规范电阻焊石英晶体元件评定水平 EGB/T 15120.1-1994 识别卡记录技术第1部分: 凸印GB/T 15120.2-1994 识别卡记录技术第2部分: 磁条GB/T 15120.3-1994 识别卡记录技术第3部分: ID-1型卡上凸印字符的位置GB/T 15120.4-1994 识别卡记录技术第4部分: 只读磁道的第1磁道和第2磁道的位置GB/T 15120.5-1994 识别卡记录技术第5部分: 读写磁道的第3磁道的位置GB/T 15121.1-1994 信息处理系统计算机图形存储和传送图片描述信息的元文卷第一部分: 功能描述GB/T 15121.2-1994 信息处理系统计算机图形存储和传送图片描述信息的元文卷第二部分: 字符编码GB/T 15122-1994 信息处理系统未记录软磁盘的标志GB/T 15123-1994 信息处理数据通信使用25插针连接器的DTE/DCE 接口备用控制操作GB/T 15124-1994 信息处理系统数据通信多链路规程GB/T 15125-1994 信息技术数据通信 25插针DTE/DCE 接口连接器及接触件号分配GB/T 15126-1994 信息处理系统数据通信网络服务定义GB/T 15127-1994 信息处理系统数据通信双扭线多点互连GB/T 15128-1994 信息处理系统开放系统互连面向连接的基本会话服务定义GB/T 15129-1994 信息处理系统开放系统互连服务约定GB/T 15130.1-1994 信息处理数据交换用90mm改进调频制记录的位密度为15916 磁通翻转/弧度、每面80条磁道的软磁盘第一部分:尺寸、物理性能和磁性能GB/T 15131.1-1994 信息处理数据交换用130mm改进调频制记录的位密度为13262 磁通翻转/弧度、每面80条磁道的软磁盘第一部分:尺寸、物理性能和磁性能GB/T 15132.1-1994 信息处理数据交换用130mm双频制记录的位密度为7958 磁通翻转/弧度、道密度为1.9道/毫米的单面软磁盘第一部分:尺寸、物理性能和磁性能GB/T 15132.2-1994 信息处理数据交换用130mm双频制记录的位密度为7958 磁通翻转/弧度、道密度为1.9道/毫米的单面软磁盘第2部分: 磁道格式GB/T 15133.1-1994 信息处理数据交换用200mm双频制记录的位密度为13262磁通翻转/弧度、道密度为1.9道/毫米的单面软磁盘第一部分: 尺寸、物理性能和磁性能GB/T 15133.2-1994 信息处理数据交换用200mm双频制记录的位密度为13262磁通翻转/弧度、道密度为1.9道/毫米的单面软磁盘第二部分: 磁道格式GB/T 15136-1994 半导体集成电路石英钟表电路测试方法的基本原理GB/T 15137-1994 体效应二极管空白详细规范GB/T 15138-1994 膜集成电路和混合集成电路外形尺寸GB/T 15150-1994 产生报文的银行卡交换报文规范金融交易内容GB/T 15151.1-1994 频率计数器通用技术条件GB/T 15151.2-1994 频率计数器测试方法GB/T 15152-1994 脉冲噪声干扰引起移动通信性能降级的评定方法GB/T 15154-1994 电子陶瓷用氧化铝粉体材料GB/T 15155-1994 滤波器用压电陶瓷材料通用技术条件GB/T 15156-1994 压电陶瓷换能元件总规范GB/T 15157-1994 印制板用频率低于3 MHz的连接器第1 部分: 总规范一般要求和编制有质量评定的详细规范的导则GB/T 15158-1994 音响设备用连接器系列和品种GB/T 15167-1994 半导体激光光源总规范GB/T 15174-1994 可靠性增长大纲GB/T 15175-1994 固体激光器主要参数测试方法GB/T 15176-1994 插入式电子元器件用插座及其附件总规范GB/T 15177-1994 微波检波、混频二极管空白详细规范GB/T 15178-1994 变容二极管空白详细规范GB/T 15183-1994 按能力批准评定质量的电子设备用电源变压器分规范GB/T 15189-1994 DOS中文信息处理系统接口规范GB/T 15217-1994 同轴电缆屏蔽衰减测量方法 (吸收钳法)GB/T 15271-1994 识别卡卡产生的信息金融交易的内容GB/T 15272-1994 程序设计语言CGB/T 15273.1-1994 信息处理八位单字节编码图形字符集第一部分: 拉丁字母一GB/T 15274-1994 信息处理系统开放系统互连网络层的内部组织结构GB/T 15275-1994 8位微型计算机STD总线GB/T 15276-1994 信息处理系统系统间信息交换 DTE/DCE接口处同步传输的信号质量GB/T 15277-1994 信息处理 64bit分组密码算法的工作方式GB/T 15278-1994 信息处理数据加密物理层互操作性要求GB/T 15285-1994 漏泄同轴电缆分规范GB/T 15286-1994 端接件总规范GB/T 15287-1994 抑制射频干扰整件滤波器第一部分: 总规范GB/T 15288-1994 抑制射频干扰整件滤波器第二部分: 分规范试验方法的选择和一般要求GB/T 15289-1994 数字存储示波器通用技术条件和测试方法GB/T 15290-1994 电子设备用电源变压器和滤波扼流圈总技术条件GB/T 15295-1994 电缆分配系统用混合集成电路高频宽带放大器系列和品种GB/T 15297-1994 微电路模块机械和气候试验方法GB/T 15298-1994 电子设备用电位器第一部分: 总规范GB/T 15299-1994 电子设备用电位器第二部分: 分规范螺杆驱动和旋转预调电位器GB/T 15300-1994 电子设备用电位器第二部分: 空白详细规范螺杆驱动和旋转预调电位器评定水平 E GB/T 15301-1994 气体激光器总规范GB/T 15312-1994 制造业自动化术语GB/T 15396-1994 射频电缆和连接器用六角和正方形压模腔体、压头、标准规、外导体压接套和中心接触件压接导线筒的尺寸GB/T 15426-1994 收讯放大电子管空白详细规范GB/T 15427-1994 彩色显示管测试方法GB/T 5271.20-1994 信息技术词汇 20部分系统开发GB 13000.1-1993 信息技术通用多八位编码字符集（UCS）第一部分：体系结构与基本多文种平面GB/T 14078-1993 氦氖激光器技术条件GB/T 14079-1993 软件维护指南GB/T 14080-1993 温盘驱动器小型磁头通用技术条件GB/T 14081-1993 信息处理用键盘(西文)通用技术条件GB/T 14082-1993 9磁道数字磁带机磁头通用技术条件GB/T 14083-1993 汉字整字键盘通用技术条件GB/T 14084-1993 办公事务处理用中西文电子打字机通用技术条件GB/T 14085-1993 信息处理系统计算机系统配置图符号及约定GB/T 14110-1993 闸流管与充气整流管总规范 (可供认证用)GB/T 14111-1993 闸流管与充气整流管空白详细规范 (可供认证用)GB/T 14112-1993 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T 14113-1993 半导体集成电路封装术语GB/T 14114-1993 半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理GB/T 14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理GB/T 14117-1993 彩色液晶显示器件空白详细规范 (可供认证用)GB/T 14119-1993 半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范(可供认证用)GB/T 14120-1993 单孔轴套安装、轴控电子元件的安装尺寸GB/T 14121-1993 电子设备用固定电容器第3 部分: 分规范片状钽固定电容器(可供认证用)GB/T 14122-1993 电子设备用固定电容器第3 部分: 空白详细规范片状钽固定电容器评定水平 E(可供认证用)GB/T 14126-1993 显示管防眩玻屏技术要求及试验方法GB/T 14127-1993 黑白电视接收机可靠性验证试验贝叶斯方法GB/T 14128-1993 掺铷钇铝石榴石激光棒尺寸系列GB/T 14129-1993 半导体集成电路TTL电路系列和品种 PAL系列的品种GB/T 14136.1-1993 纤维光学滤光器第一部分: 总规范(可供认证用)GB/T 14137-1993 光纤机械式固定接头插入损耗测试方法GB/T 14182-1993 变像管和像增强管总规范(可供认证用)GB/T 14183-1993 变像管和像增强管空白详细规范(可供认证用)GB/T 14184-1993 变像管和像增强管测试方法GB/T 14186-1993 充气稳压管总规范(可供认证用)GB/T 14213-1993 初始图形交换规范GB/T 14241-1993 信息处理处理机系统总线接口(欧洲总线A)GB/T 14242-1993 信息交换用汉字6464点阵黑体字模集及数据集GB/T 14243-1993 信息交换用汉字6464点阵楷体字模集及数据集GB/T 14244-1993 信息交换用汉字6464点阵仿宋体字模集及数据集GB/T 14245-1993 信息交换用汉字6464点阵宋体字模集及数据集GB/T 14246.1-1993 信息技术可移植操作系统界面第一部分: 系统应用程序界面(POSIX.1)GB/T 14275-1993 纤维光学调制器第二部分: 分规范波导电光调制器 (可供认证用)GB/T 14276-1993 绕接工具总规范GB/T 14278-1993 电子设备热设计术语GB/T 14279-1993 交流等离子体显示器件空白详细规范(可供认证用)GB/T 14280-1993 热时间延迟开关总规范GB/T 14281-1993 恒温开关总规范GB/T 14313-1993 精密硬同轴线及其精密连接器总规范GB/T 14394-1993 计算机软件可靠性和可维护性管理GB/T 14397-1993 信息处理 DTE/DCE接口处起止式传输的信号质量GB/T 14398-1993 数据通信使用V.24和X.24互换电路的DTE到DTE物理连接的接法GB/T 14399-1993 信息处理系统数据通信高级数据链路控制规程与X.25LAPB兼容的DTE数据链路规程的描述GB/T 14400-1993 信息处理系统数据通信高级数据链路控制平衡类规程交换环境中数据链路层地址的决定/协商GB/T 14515-1993 有贯穿连接的单、双面挠性印制板技术条件GB/T 14516-1993 无贯穿连接的单、双面挠性印制板技术条件GB/T 14557-1993 射频同轴连接器电气试验和测量程序反射系数GB/T 14579-1993 电子设备用固定电容器第17部分: 分规范金属化聚丙烯膜介质交流和脉冲固定电容器GB/T 14580-1993 电子设备用固定电容器第17部分: 空白详细规范金属化聚丙烯膜介质交流和脉冲固定电容器评定水平EGB/T 14598.1-1993 电气继电器电气继电器的触点性能GB/T 14598.2-1993 电气继电器有或无电气继电器GB/T 14598.3-1993 电气继电器第五部分: 电气继电器的绝缘试验GB/T 14598.4-1993 电气继电器第十四部分: 电气继电器触点的寿命试验触点负载的优先值GB/T 14598.5-1993 电气继电器第十五部分: 电气继电器触点的寿命试验试验设备的特性规范GB/T 14598.6-1993 电气继电器第十八部分: 有或无通用继电器的尺寸GB/T 14619-1993 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片GB/T 14620-1993 薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片GB/T 14708-1993 挠性印制电路用涂胶聚酯薄膜GB/T 14709-1993 挠性印制电路用涂胶聚酰亚胺薄膜GB/T 14714-1993 微小型计算机系统设备用开关电源通用技术条件GB/T 14715-1993 信息技术设备用不间断电源通用技术条件GB/T 14717-1993 信息交换用汉字128128点阵宋体字模集及数据集GB/T 14718-1993 信息交换用汉字128128点阵黑体字模集及数据集GB/T 14719-1993 信息交换用汉字256256点阵宋体字模集及数据集GB/T 14720-1993 信息交换用汉字256256点阵黑体字模集及数据集GB/T 14805-1993 用于行政、商业和运输业电子数据交换的应用级语法规则GB/T 14814-1993 信息处理文本和办公系统标准通用置标语言(SGML)GB/T 14815.1-1993 信息处理图片编码表示第一部分: 在七位或八位环境中图片表示的编码原则GB/T 14860-1993 通信和电子设备用变压器和电感器总规范GB/T 14862-1993 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法GB/T 14864-1993 实芯聚乙烯绝缘射频电缆GB/T 14865-1993 SMB型射频同轴连接器GB/T 5271.18-1993 数据处理词汇 18部分分布式数据处理GB/T 5271.22-1993 数据处理词汇 22部分: 计算器GB/T 5271.8-1993 数据处理词汇 08部分: 控制、完整性和安全性GB/T 13415-1992 射频混频器总规范GB/T 13416-1992 射频传输线(同轴)开关总规范GB/T 13443-1992 信息交换用汉字128128点阵楷体字模集及数据集GB/T 13444-1992 信息交换用汉字128128点阵仿宋体字模集及数据集GB/T 13445-1992 信息交换用汉字256256点阵楷体字模集及数据集GB/T 13446-1992 信息交换用汉字256256点阵仿宋体字模集及数据集GB/T 13502-1992 信息处理程序构造及其表示的约定GB/T 13537-1992 电子类家用电器用电动机通用技术条件GB/T 13555-1992 印制电路用挠性覆铜箔聚酰亚胺薄膜GB/T 13556-1992 印制电路用挠性覆铜箔聚脂薄膜GB/T 13557-1992 印制电路用挠性覆铜箔材料试验方法GB/T 13583-1992 红外探测器外形尺寸系列GB/T 13584-1992 红外探测器参数测试方法GB/T 13703-1992 信息处理信息交换用软磁盘盘卷和文卷结构GB/T 13706-1992 光电管总规范 (可供认证用)GB/T 13707-1992 光电管空白详细规范 (可供认证用)GB/T 13708-1992 光电倍增管空白详细规范 (可供认证用)GB/T 13709-1992 检测用Ｘ射线管空白详细规范 (可供认证用)GB/T 13710-1992 分析用Ｘ射线管空白详细规范 (可供认证用)GB/T 13712-1992 纤维光学调制器第一部分∶总规范 (可供认证用)GB/T 13713-1992 纤维光学分路器第一部分∶总规范 (可供认证用)GB/T 13714-1992 纤维光学分路器第三部分∶分规范１至ｎ个波长复用器／解复用器 (可供认证用)GB/T 13715-1992 信息处理用现代汉语分词规范GB/T 13716-1992 信息处理数据交换用130mm改进调频制记录的位密度为7958磁通翻转／弧度、道密度为3.8 道／毫米的双面软磁盘第一部分：尺寸、物理性能和磁性能GB/T 13717-1992 信息处理数据交换用130mm改进调频制记录的位密度为7958磁通翻转／弧度、道密度为3.8 道／毫米的双面软磁盘第二部分：磁道格式 AGB/T 13718-1992 信息处理数据交换用130mm改进调频制记录的位密度为7958磁通翻转／弧度、道密度为3.8道／毫米的双面软磁盘第三部分：磁道格式 BGB/T 13719-1992 信息处理数据交换用 90mm 改进调频制记录的位密度为7958磁通翻转／弧度、每面80磁道的软磁盘第一部分：尺寸、物理性能和磁性能GB/T 13720-1992 信息处理数据交换用 90mm 改进调频制记录的位密度为7958磁通翻转／弧度、每面80磁道的软磁盘第二部分：磁道格式GB/T 13723-1992 中型数字电子计算机通用技术条件GB/T 13724-1992 821总线１至４字节数据微处理机系统总线GB/T 13739-1992 激光辐射横模鉴别方法GB/T 13740-1992 激光辐射发散角测试方法GB/T 13741-1992 激光辐射光束直径测试方法GB/T 13840-1992 晶片承载器GB/T 13841-1992 电子陶瓷件表面粗糙度GB/T 13842-1992 掺钕钇铝石榴石激光棒GB/T 13843-1992 蓝宝石单晶抛光衬底片GB/T 13844-1992 图形信息交换用矢量汉字单线宋体字模集及数据集GB/T 13845-1992 图形信息交换用矢量汉字宋体字模集及数据集GB/T 13846-1992 图形信息交换用矢量汉字仿宋体字模集及数据集GB/T 13847-1992 图形信息交换用矢量汉字楷体字模集及数据集GB/T 13848-1992 图形信息交换用矢量汉字黑体字模集及数据集GB/T 13863-1992 激光辐射功率测试方法GB/T 13864-1992 激光辐射功率稳定度测试方法GB/T 13918-1992 办公机器用非连续格式纸尺寸系列GB/T 13943-1992 荧光显示管总规范(可供认证用)GB/T 13944-1992 荧光显示管空白详细规范(可供认证用)GB/T 13945-1992 辉光放电显示管总规范(可供认证用)GB/T 13946-1992 辉光放电显示管空白详细规范(可供认证用)GB/T 13947-1992 电子元器件塑料封装设备通用技术条件GB/T 13973-1992 半导体管特性图示仪通用技术条件GB/T 13974-1992 半导体管特性图示仪测试方法GB/T 14004-1992 电子设备用固定电容器第六部分: 分规范金属化聚碳酸酯膜介质直流固定电容器(可供认证用)GB/T 14005-1992 电子设备用固定电容器第六部分: 空白详细规范金属化聚碳酸酯膜介质直流固定电容器评定水平 E(可供认证用)GB/T 14006-1992 通信和电子设备用变压器和电感器外形尺寸第一部分: 采用 YEI-1铁心片的变压器和电感器GB/T 14010-1992 阴极射线管玻壳试验方法GB/T 14011-1992 阴极射线管X射线辐射测试方法GB/T 14012-1992 黑白显象管玻壳总规范 (可供认证用)GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片GB/T 14025-1992 半导体集成电路门阵列电路系列和品种 ECL系列的品种GB/T 14026-1992 半导体集成电路微型计算机电路系列和品种80C86系列的品种GB/T 14027.1-1992 半导体集成电路通信电路系列和品种有源滤波器系列品种GB/T 14027.2-1992 半导体集成电路通信电路系列和品种脉码调制编译码器系列品种GB/T 14027.3-1992 半导体集成电路通信电路系列和品种模拟开关阵列系列品种GB/T 14027.4-1992 半导体集成电路通信电路系列和品种双音多频电路系列品种GB/T 14027.5-1992 半导体集成电路通信电路系列和品种电话电路系列品种GB/T 14027.6-1992 半导体集成电路通信电路系列和品种频率合成器系列品种GB/T 14027.7-1992 半导体集成电路通信电路系列和品种数字交换系统接口电路系列品种GB/T 14028-1992 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理GB/T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理GB/T 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理GB 13134-1991 信息交换用彝文编码字符集GB/T 12750-1991 半导体集成电路分规范 (不包括混合电路) (可供认证用)GB/T 12774-1991 同轴电气假负载总规范GB/T 12775-1991 电子设备用圆片型瓷介预调可变电容器总规范GB/T 12792-1991 射频电缆阻抗均匀性测量方法GB/T 12793-1991 电连接器接触件嵌卸工具总规范GB/T 12794-1991 电子设备用固定电容器第十五部分: 空白详细规范非固体电解质箔电极钽电容器评定水平 E (可供认证用)GB/T 12795-1991 电子设备用固定电容器第十五部分: 空白详细规范非固体电解质多孔阳极钽电容器评定水平 E (可供认证用)GB/T 12796-1991 永磁铁氧体磁体总规范 (可供认证用)GB/T 12797-1991 微电机用永磁铁氧体磁体分规范 (可供认证用)GB/T 12798-1991 磁性氧化物或铁粉制成的轴向引线磁芯GB/T 12842-1991 膜集成电路和混合膜集成电路术语GB/T 12843-1991 半导体集成电路微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理GB/T 12844-1991 半导体集成电路非线性电路系列和品种采样/ 保持放大器的品种GB/T 12845-1991 半导体集成电路非线性电路系列和品种电压/ 频率和频率/ 电压转换器的品种GB/T 12846-1991 脉冲闸流管总规范 (可供认证用)GB/T 12847-1991 氢闸流管空白详细规范 (可供认证用)GB/T 12848-1991 扭曲向列型液晶显示器件总规范 (可供认证用)GB/T 12849-1991 钟、表用扭曲向列型液晶显示器件空白详细规范 (可供认证用)GB/T 12850-1991 计算器用扭曲向列型液晶显示器件空白详细规范 (可供认证用)GB/T 12851-1991 仪器、仪表用扭曲向列型液晶显示器件空白详细规范 (可供认证用)GB/T 12852-1991 磁控管总规范 (可供认证用)GB/T 12853-1991 连续波磁控管空白详细规范 (可供认证用)GB/T 12854-1991 脉冲调制管空白详细规范 (可供认证用)GB/T 12855-1991 小功率发射管的使用和维护GB/T 12856-1991 程序设计语言 BASIC 子集GB/T 12859-1991 电子设备用压电陶瓷谐振器总规范 (可供认证用)GB/T 12860-1991 电子设备用压电陶瓷谐振器分规范低频压电陶瓷谐振器GB/T 12861-1991 电子设备用压电陶瓷谐振器空白详细规范低频压电陶瓷谐振器评定水平 E(可供认证用) GB/T 12862-1991 电子设备用压电陶瓷谐振器分规范高频压电陶瓷谐振器 (可供认证用)GB/T 12863-1991 电子设备用压电陶瓷谐振器空白详细规范高频压电陶瓷谐振器评定水平 E(可供认证用) GB/T 12991-1991 信息处理系统数据库语言SQLGB/T 12992-1991 电子设备强迫风冷热特性测试方法GB/T 12993-1991 电子设备热性能评定GB/T 13062-1991 膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范 (可供认证用)GB/T 13063-1991 电流调整和电流基准二极管空白详细规范GB/T 13064-1991 半导体集成电路系列和品种复印机用系列的品种GB/T 13065-1991 过电压保护气体放电管空白详细规范 (可供认证用)GB/T 13066-1991 单结晶体管空白详细规范GB/T 13067-1991 半导体集成电路系列和品种石英电子钟表用系列的品种GB/T 13068-1991 半导体集成电路系列和品种磁敏传感器用系列的品种GB/T 13069-1991 半导体集成电路系列和品种数控机床用系列的品种GB/T 13133-1991 数据通信 DTE提供定时的使用X.24 互换电路的DTE到DTE物理连接GB/T 13135-1991 信息交换用彝文字符1516点阵字模集及数据集GB/T 13141-1991 书目信息交换用希腊字母编码字符集GB/T 13142-1991 书目信息交换用拉丁字母代码字符扩充集GB/T 13166-1991 电子测量仪器设计余量与模拟误用试验GB/T 13170.10-1991 反射式电视测试图重合测试图 B 型GB/T 13170.11-1991 反射式电视测试图圆域测试图GB/T 13170.1-1991 反射式电视测试图综合测试图GB/T 13170.12-1991 反射式电视测试图辐射条测试图GB/T 13170.13-1991 反射式电视测试图区域测试图GB/T 13170.14-1991 反射式电视测试图灰度测试图 A 型GB/T 13170.15-1991 反射式电视测试图灰度测试图 B 型GB/T 13170.2-1991 反射式电视测试图线性测试图 A 型GB/T 13170.3-1991 反射式电视测试图线性测试图 B 型GB/T 13170.4-1991 反射式电视测试图高频特性测试图GB/T 13170.5-1991 反射式电视测试图中频特性测试图GB/T 13170.6-1991 反射式电视测试图余像测试图GB/T 13170.7-1991 反射式电视测试图棋盘格测试图GB/T 13170.8-1991 反射式电视测试图辐值响应测试图GB/T 13170.9-1991 反射式电视测试图重合测试图 A 型GB/T 13183-1991 扫频信号发生器通用技术条件GB/T 13184-1991 扫频信号发生器测试方法GB/T 13189-1991 旁热式负温度系数热敏电阻器总规范 (可供认证用)GB/T 3789.25-1991 发射管电性能测试方法图象输出功率的测试方法GB/T 3789.26-1991 发射管电性能测试方法功率增益的测试方法GB/T 3789.27-1991 发射管电性能测试方法三音互调失真的测试方法GB/T 3789.28-1991 发射管电性能测试方法交叉调制的测试方法GB/T 3789.29-1991 发射管电性能测试方法低频亮度非线性的测试方法GB/T 3789.30-1991 发射管电性能测试方法由亮度信号不同引起的色度信号失真 (微分增益DG和微分相位DP) 的测试方法GB/T 3789.31-1991 发射管电性能测试方法同步脉冲压缩的测试方法。
