第1章 功率电子线路

电子线路第六版参考答案电子线路第六版参考答案电子线路是电子学的基础，掌握电子线路的原理和设计方法对于从事电子工程的人来说至关重要。

而电子线路第六版是电子线路领域的经典教材，被广泛应用于电子工程专业的教学和研究中。

本文将为大家提供电子线路第六版的参考答案，帮助读者更好地理解和掌握电子线路的知识。

第一章：基本概念1. 电子线路是由电子元件组成的物理结构，用于实现电子信号的处理和控制。

2. 电子元件包括有源元件（如晶体管和集成电路）和无源元件（如电阻和电容）。

3. 电子线路的主要特性包括电压、电流、功率和频率等。

第二章：基本电路1. 基本电路包括电源、负载和连接它们的导线。

2. 串联电路是将电子元件依次连接起来，电流在电路中只有一条路径。

3. 并联电路是将电子元件同时连接在一起，电流在电路中有多条路径。

第三章：电路分析方法1. 基尔霍夫定律是电路分析的基本原理之一，它包括节点电流定律和回路电压定律。

2. 罗尔定理是电路分析的另一个重要工具，它可以简化复杂电路的计算过程。

3. 叠加定理可以将复杂电路分解为简单电路进行分析，然后再将结果叠加得到最终的解。

第四章：放大电路1. 放大电路是将输入信号放大到一定幅度的电子线路，常用于信号处理和放大器设计。

2. 放大电路的常用参数包括增益、带宽和失真等。

3. 放大电路的设计需要考虑输入输出阻抗、负载和稳定性等因素。

第五章：振荡电路1. 振荡电路是产生稳定振荡信号的电子线路，常用于时钟和信号发生器等应用。

2. 振荡电路的常用结构包括反馈网络和振荡器。

3. 振荡电路的设计需要考虑振荡频率、稳定性和输出波形等因素。

第六章：滤波电路1. 滤波电路是将特定频率的信号通过，而阻断其他频率的信号的电子线路，常用于信号处理和通信系统等应用。

2. 滤波电路的常用类型包括低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。

3. 滤波电路的设计需要考虑滤波特性、频率响应和阻带衰减等因素。

通过以上对电子线路第六版参考答案的论述，我们可以看到电子线路的知识体系是非常庞大和复杂的。

高频电子线路课程教学大纲课程名称：高频电子线路英文名称：High frequency electronics circuit课程类别：学科基础课学时：72学时学分：4.5适用对象：电子信息工程、通信工程专业本科生一、本课程的性质、目的与任务本课程是电子信息工程和通信工程等专业继电路理论、低频电子线路之后必修的主要基础课程，也是一门工程性和实践性要求都很强的课程。

高频电子线路的最大特点就是高频和非线性，这也是本课程的重点和难点所在，本课程的重点内容就是面向通信和电子系统，围绕高频和非线性两个方面展开的。

本课程的目的是使学生了解高频电子信息产生、发射、接收的原理与方法；分析高频电子器件和高频电路的工作原理；掌握高频电子线路的基本组成和分析、计算方法；培养学生高频电子线路的识图、作图和简单设计能力；培养学生分析和解决高频电子线路中实际问题的能力,培养创新实践精神；了解高频电子线路的最新发展动态，为后续电子课程及电子专业打下基础。

通过本课程的教学要使学生了解高频电子线路的特点，高频电子信息产生、发射、接收的原理与方法；熟悉基本高频电子器件的功能特点和用途；掌握基本高频电子线路的电路结构、分析方法和基本设计方法；掌握基本高频电子线路实验技能和安装调试方法。

二、教学基本要求教学中应突出功能电路的组成、工作原理、性能特点及分析方法，加强实践环节，达到课堂教学与实验教学紧密结合。

要求学生掌握具体电路的工作原理和性能特点的同时，还要致力于洞悉各种功能之间的内在联系、实现各种功能的基本原理以及由此导出的各种电路结构；要求具有模拟电子线路的设计、装配、调整和测试能力，熟悉常用电子仪器设备的使用方法。

三、课程内容绪论（讲授2学时）1．非线性电子线路的作用；2．非线性器件的基本特点及本课程的特点。

第一章功率电子线路（讲授 14学时）1．功率放大器的电路组成、工作原理和性能特点；2．乙类推挽功率放大电路；3．传输线变压器工作原理和功率合成技术；4．整流与稳压原理、斩波器的概念。

1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？解：否。

还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。

1-3 一功率放大器要求输出功率P 。

= 1000 W ，当集电极效率C 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？解：当C1 = 40 时，P D1 = P o / C = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W当C2 = 70 时，P D2 = P o / C =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 WP C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W1- 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、C （运用图解法）：（1）R L = 10，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 ，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 ，Q 点在负载线中点，充分激励。

解：(1) R L = 10 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA所以mW 26421cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 =1.1 W ， C = P L / P D = 24(2) 当 R L = 5 时，由V CE = V CC - I C R L作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA所以 mW 15621cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ， C = P L / P D = 12(3) 当 R L = 5 ，Q 在放大区内的中点，激励同(1)，由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。

第1章 半导体器件的特性1.1知识点归纳1.杂质半导体与PN 结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。

半导体中有两种载流子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生的运动成为漂移运动。

在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了PN 结。

其基本特性是单向导电性。

2.半导体二极管一个PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散电流，电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。

体现出单向导电性。

3晶体管晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流B I ，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ，体现出B I 对C I 的控制，可将C I 视为B I 控制的电流源。

晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。

4.场效应管场效应管是电压控制器件，它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流，因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。

场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。

学完本章后应掌握：1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区，PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。

2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物理意义。

1.2习题与思考题详解1-1试简述PN 结的形成过程。

空间电荷压，阻挡层，耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。

答：PN 结的形成过程：当两块半导体结合在一起时，P 区的空穴浓度高于N 区，于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散；同理，N 区的电子浓度高于P 区，电子越过交界面由N 区向P 区扩散。

多子由一区扩散到另一区时，形成另一区的少子并与该区的多子复合，因此，在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子，另一侧留下带正电荷的施主离子。

电子线路第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空1、晶体二极管加一定的（正向）电压时导通，加（反向）电压时（截止）这一导电特性称为二极管的（单相导电）特性。

2、不加杂质的纯净半导体称为（本征半导体）。

3、P型半导体它又称为（空穴）型半导体，其内部（空穴）数量多于（自由电子）数量。

4、加在二极管两端的（电压）和流过二极管的（电流）间的关系称为二极管的（伏安特性）。

5、把（交流）电转换成（直流）电的过程称为整流。

6。

直流电的电路称为二极管单相整流电路，常用的有（单相半波整流）、（单相桥式整流）和（倍压整流）电路。

7。

三极管工作在放大区时，通常在它的发射结加（正向）电压，集电结加（反向）电压。

8。

三极管在电路中的三种基本连接方式是（共发射极接法）、（共基极接法）、（共集电极接法）。

9。

晶体二极管的主要参数有（最大整流电流IFm）、（最高反向工作电压VRm）、（反向漏电流IR）。

10。

导电能力介于（导体）和（绝缘体）之间物体称为半导体。

11、在半导体内部，只有（空穴）和（自由电子）两种载流子。

12、一般来说，硅晶体二极管的死区电压应（大于）锗晶体二极管的死区电压。

13、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（既有少数载流子，又有多数载流子）。

14、用万用表测晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有+号插孔中的测试表笔（通常是红色表笔）所连接的二极管的管脚是二极管的（负）极，另一电极是（正）极。

15、面接触性晶体二极管比较适用（大功率整流）16。

晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则晶体二极管处于（反偏）17。

用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆档拨到（R1K档）18。

当硅晶体二极管加上0。

3V正向电压时，该晶体管相当于（阻值很大的电阻)19。

晶体二极管加（反向）电压过大而（击穿），并且出现（烧毁）的现象称为热击穿20。

晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流（极小）；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会急速（增大）21、二极管的正极又称（阳）极，负极又称（阴）极。