三极管2N3904
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3904三极管参数1. 引言三极管是一种常用的电子元件,具有放大信号、开关和稳压等功能。
在电子电路设计中,了解三极管的参数是非常重要的。
本文将重点介绍3904型三极管的常见参数。
2. 3904三极管简介3904是一种双极型NPN晶体管,用于低功率放大和开关电路。
它广泛应用于电子设备,如音频放大器、功率放大器和信号放大器等。
3. 3904三极管参数3.1 最大额定值•封装形式:TO-92、SOT-23•最大集电极电流(ICmax):200 mA•最大集电极-基极电压(VCEOmax):40V•最大集电极-发射极电压(VCBOmax):40V•最大晶体管功耗(PDmax):625 mW•最大结温(TJmax):150°C3.2 尺寸和引脚配置3904三极管一般有两种封装形式:TO-92和SOT-23。
以下是它们的引脚配置和尺寸:TO-92:E||B | | C-----SOT-23:E||B | | C-----3.3 电流增益(hFE)•直流当前放大倍数(hFE):通常在100到300之间电流增益表示一个三极管能够放大输入电流的倍数。
对于3904三极管,通常的电流增益在100到300之间。
3.4 饱和电压(VCEsat)•集电极-发射极饱和电压(VCEsat):通常在0.2V左右饱和电压是指当三极管处于开关状态时,集电极-发射极之间的电压。
对于3904三极管,通常的饱和电压在0.2V左右。
3.5 输出电容(Cob)•集电极-基极电容(Cob):通常在4 pF到8 pF之间输出电容表示三极管在高频情况下的电容。
对于3904三极管,通常的输出电容在4 pF到8 pF之间。
4. 3904三极管应用3904三极管常用于以下应用:•低功率放大器:由于它的小封装和低功耗特性,适合用于低功率放大电路中。
•信号处理:用于信号放大器、调制解调器和滤波器等电路中。
•开关电路:由于其饱和电压较低,可用于开关电路的设计。
三极管代换手册
三极管(transistor)是一种重要的电子元件,常用于放大和开关电路中。
由于各种类型的三极管有不同的参数和规格,所以在实际应用中可能涉及到三极管的替代。
以下是
一些常见的三极管类型及其替代品的参考手册,供您参考:
1. NPN型三极管代替手册:
- 2N2222可以替代2N3904
- 2N4401可以替代2N2222
- BC548可以替代2N3904
- BC337可以替代2N2222
2. PNP型三极管代替手册:
- 2N3906可以替代2N3906
- 2N4403可以替代2N3906
- BC558可以替代2N3906
- BC327可以替代2N3906
请注意,替代三极管可能会对电路的工作特性产生一定的影响,因此在替代之前应确保替代元件的参数和规格与原始元件相匹配。
此外,还有一些通用型的三极管可以用作替代品,如
2N3904或2N3906等。
这些通用型的三极管具有较广泛的可用性和替代性,在许多应用中可以作为替代品使用。
最好的方法是参考特定型号的三极管的数据手册,以比较特定参数和规格,以确定最合适的替代品。
这样可以确保替代品能够提供与原始元件相近的性能和特性。
国内三极管的命名规则在电子领域中,三极管是一种重要的电子元件,广泛应用于各种电子设备中。
国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范,它规定了三极管的命名方式和代号的含义。
遵循这个规则,可以方便地识别和使用各种类型的三极管。
国内三极管的命名规则主要包括以下几个方面:1. 代号中的字母:国内三极管的代号中通常包含两个字母。
第一个字母表示三极管的类型,常见的有N(NPN型)和P(PNP型)。
第二个字母表示三极管的功率等级,常见的有A、B、C、D等。
其中,A代表小功率,B代表中功率,C代表大功率,D代表超大功率。
2. 代号中的数字:国内三极管的代号中通常包含两个数字。
第一个数字表示三极管的最大集电极电流,单位为毫安。
第二个数字表示三极管的最大集电极电压,单位为伏特。
3. 代号中的其他字母:有些国内三极管的代号中还包含其他字母,表示一些特殊的功能或参数。
例如,代号中的字母H表示高频特性好,字母L表示低噪声,字母R表示可靠性好,字母T表示温度特性好等。
根据这些规则,我们可以通过三极管的代号来了解它的基本性能和特点。
例如,一个代号为2N3904的三极管,其中的字母N表示NPN型,数字2表示最大集电极电流为200毫安,数字3表示最大集电极电压为30伏特,字母90表示该三极管的特殊功能或参数。
除了代号中的字母和数字,国内三极管还有一些其他的参数和性能指标需要注意。
例如,最大集电极电流、最大集电极电压、最大功率等是选择三极管时需要考虑的重要参数。
此外,三极管的频率响应特性、噪声系数、放大倍数等也是需要了解的关键指标。
在实际应用中,我们需要根据具体的需求选择合适的国内三极管。
根据不同的电路要求,我们可以选择不同类型、功率等级和特殊功能的三极管。
通过合理选择和使用三极管,可以有效地实现电子设备的各种功能,提高设备的性能和可靠性。
国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范,它规定了三极管的命名方式和代号的含义。
C BETO-92CBEBCCSOT-223E NPN General Purpose AmplifierThis device is designed as a general purpose amplifier and switch.The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to Absolute Maximum Ratings* T A= 25°C unless otherwise notedParameter SOT-23Mark: 1A2N3904 / MMBT3904 / PZT3904查询2N3904供应商TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORTDEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant intothe body, or (b) support or sustain life, or (c) whosefailure to perform when properly used in accordancewith instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a lifesupport device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of Terms Datasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationPreliminary No Identification Needed Obsolete This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.This datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.This datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.This datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.Formative or In DesignFirst ProductionFull ProductionNot In ProductionDISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY , FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.PowerTrench QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™SILENT SWITCHER SMART START™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8FASTr™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™ISOPLANAR™MICROWIRE™OPTOLOGIC™OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Rev. GACEx™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™E 2CMOS TM EnSigna TM FACT™FACT Quiet Series™FAST SyncFET™TinyLogic™UHC™VCX™Copyright © Each Manufacturing Company.All Datasheets cannot be modified without permission.This datasheet has been download from :100% Free DataSheet Search Site.Free Download.No Register.Fast Search System.。
2N3904SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORPRELIMINARY DATAs SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORs TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY sTHE PNP COMPLEMENTARY TYPE IS 2N3906APPLICATIONS s WELL SUITABLE FOR TV AND HOME APPLIANCE EQUIPMENTs SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITH HIGH GAIN AND LOW SATURATION VOLTAGE®February 2003ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1/5e t e P r o d u c t (s ) - O b s o l e t e P r o d u c t (s ) -2N3904THERMAL DATAELECTRICAL CHARACTERISTICS (T case = 25 o C unless otherwise specified)O b2N39042N3904Ob s o l e t e P r o d uc t (s ) - O b s o l e t e P r od u c t (s ) Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specification mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.The ST logo is a trademark of STMicroelectronics© 2003 STMicroelectronics – Printed in Italy – All Rights ReservedSTMicroelectronics GROUP OF COMPANIESAustralia - Brazil - Canada - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan - Malaysia - Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States.2N3904O b s o l e t e P r o d u c t (s ) - O b s o l e t e P r o d u c t (s )分销商库存信息: STM2N3904。
2N3903, 2N39042N3903 is a Preferred DeviceGeneral Purpose TransistorsNPN SiliconMAXIMUM RATINGSTHERMAL CHARACTERISTICS (Note 1.)Device Package Shipping ORDERING INFORMATION2N3903TO–925000 Units/Box Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value.2N3903RLRM TO–922000/Ammo Pack 2N3904TO–925000 Units/Box 2N3904RLRA TO–922000/T ape & Reel 2N3904RLRE TO–922000/T ape & Reel 2N3904RLRM TO–922000/Ammo Pack 2N3904RLRP TO–922000/Ammo Pack 2N3904RL1TO–922000/T ape & Reel 2N3904ZL1TO–922000/Ammo PackELECTRICAL CHARACTERISTICS (T= 25°C unless otherwise noted)ON CHARACTERISTICSSMALL–SIGNAL CHARACTERISTICSSWITCHING CHARACTERISTICSFigure 1. Delay and Rise TimeEquivalent Test Circuit Figure 2. Storage and Fall TimeEquivalent Test Circuit-ā0010 < t 1 < 500 m * T otal shunt capacitance of test jig and connectorsTYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICSFigure 3. Capacitance REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)2.03.05.07.0101.0Figure 4. Charge DataI C , COLLECTOR CURRENT (mA)C A P A C I T A N C E (p F )T J = 25°C T J = 125°C7010020030050050T I M E (n s )5Figure 7. Storage Time I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 8. Fall TimeI C , COLLECTOR CURRENT (mA)1030720701002003005005051030720t , S T O R A G E T I M E (n s )s ′TYPICAL AUDIO SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICSNOISE FIGURE VARIATIONS(V CE = 5.0 Vdc, T A = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)Figure 9.f, FREQUENCY (kHz)46810122Figure 10.R S , SOURCE RESISTANCE (k OHMS)N F , N O I S E F I G U R E (d B )h PARAMETERS(V CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz, T A = 25°C)Figure 11. Current GainI C , COLLECTOR CURRENT (mA)7010020030050Figure 12. Output AdmittanceI C , COLLECTOR CURRENT (mA)h , C U R R E N T G A I Nh , O U T P U T A D M I T T A N C E ( m h o s )Figure 13. Input Impedance I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 14. Voltage Feedback RatioI C , COLLECTOR CURRENT (mA)3010050510202.03.05.07.0101.00.10.21.02.0 5.00.5100.30.5 3.00.72.05.010201.00.20.5o e h , V O L T A G E F E E D B A C K R A T I O (X 10 )r e h , I N P U T I M P E D A N C E (k O H M S )i e 0.10.21.02.0 5.0100.30.5 3.00.10.21.02.0 5.0100.30.5 3.0210.10.21.02.0 5.0100.30.5 3.0f e m -4TYPICAL STATIC CHARACTERISTICSFigure 15. DC Current GainI C , COLLECTOR CURRENT (mA)0.30.50.71.02.00.2h , D C C U R R E N T G A I N (N O R M A L I Z E D )0.1F E Figure 16. Collector Saturation RegionI B , BASE CURRENT (mA)0.40.60.81.00.2V , C O L L E C T O R E M I T T E R V O L T A G E (V O L T S )0CE Figure 17. “ON” Voltages I C , COLLECTOR CURRENT (mA)0.40.60.81.01.20.2Figure 18. Temperature CoefficientsI C , COLLECTOR CURRENT (mA)V , V O L T A G E (V O L T S )PACKAGE DIMENSIONSTO–92TO–226AACASE 29–11NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSIY14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.3.CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION RIS UNCONTROLLED.4.LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P ANDBEYOND DIMENSION K MINIMUM.DIM MIN MAX MIN MAXMILLIMETERSINCHESA0.1750.205 4.45 5.20B0.1700.210 4.32 5.33C0.1250.165 3.18 4.19D0.0160.0210.4070.533G0.0450.055 1.15 1.39H0.0950.105 2.42 2.66J0.0150.0200.390.50K0.500---12.70---L0.250--- 6.35---N0.0800.105 2.04 2.66P---0.100--- 2.54R0.115--- 2.93---V0.135--- 3.43---STYLE 1:PIN 1.EMITTER2.BASE3.COLLECTORSTYLE 14:PIN 1.EMITTER2.COLLECTOR3.BASEON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. PUBLICATION ORDERING INFORMATIONJAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031Phone: 81–3–5740–2700Email: r14525@。
各种三极管放大倍数三极管是一种电路元器件,经常被用来放大电信号和控制电流。
在实际应用中,三极管的放大倍数是很重要的参数,它决定了电路的放大效果和性能。
不同种类的三极管放大倍数也不同,接下来我们就来了解一下常见三极管的放大倍数。
一、NPN型晶体管放大倍数NPN型晶体管是常用的三极管之一。
在放大作用中,NPN晶体管被用来放大小电荷变化以产生更大的电流。
NPN晶体管的放大倍数也称为其电流放大系数。
它通常等于型号后面带的数字。
例如,BC547B型号的三极管的放大倍数为200,而2N3904型号的放大倍数则为100。
为了计算NPN晶体管的放大倍数,可以使用以下公式:β = Ic / Ib其中,β是NPN晶体管的放大倍数,Ic是晶体管的输出电流,Ib是晶体管的输入电流。
一般来说,Ib的数值应该要小于Ic的数值。
如果Ib大于Ic,晶体管将失去其放大作用。
PNP型晶体管是另一种常用的三极管。
PNP晶体管的结构与NPN晶体管相似,但输入信号的极性相反。
在使用PNP晶体管放大电流或控制电流时,电流流向就是从正极到负极。
PNP晶体管的放大倍数也称为其共射放大系数。
三、JFET放大倍数JFET(结型场效应晶体管)是一种非常常见的三极管,其放大倍数基于JFET管的特性曲线和输入-输出电阻之间的关系。
JFET的放大倍数通常被称为转移电导(gm)。
其公式如下:gm = ΔId / ΔVgs其中,gm是JFET的转移电导,ΔId是JFET的源-漏电流变化量,ΔVgs是JFET的门电压变化量。
JFET放大倍数的计算非常有用,因为它可以帮助设计者预测电路的放大效果和性能。
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种具有很高输入阻抗和低输出阻抗的晶体管。
在放大电流或控制电流方面,MOSFET的放大倍数也是转移电导。
MOSFET的转移电导计算公式如下:综上所述,常见的三极管放大倍数包括了NPN型晶体管、PNP型晶体管、JFET和MOSFET。
串口通信用的高速三极管
串口通信中,为了驱动较长的线路或提高信号的传输质量,有时需要使用到三极管来增强信号的驱动能力。
在选择用于串口通信的高速三极管时,需要考虑以下几个关键因素:
开关速度:三极管的开关速度要快,以确保在高速数据传输时不会引入过多的延迟。
增益:三极管需要有足够的电流增益,以便能够提供足够的驱动电流。
带宽:三极管的频率响应要宽,以保证在通信频率范围内信号不失真。
噪声性能:低噪声的三极管可以减少信号传输过程中的噪声干扰。
封装和功耗:根据应用需求选择合适的封装,并确保三极管在工作时的功耗不会过高。
在实际应用中,常用的高速三极管型号有2N3904、2N2222、BC547等。
这些三极管通常具有较快的开关速度和适中的电流增益,适用于一般的串口通信应用。
然而,对于更高速的通信,可能需要使用更专业的驱动器IC,如RS-485驱动器,它们内部集成了多个高速驱动器,提供了更强的驱动能力和更好的性能。
另外,随着技术的发展,现代的串口通信接口(如USB、Ethernet等)已经很少直接使用三极管来驱动信号了,而是使用
更复杂的集成电路和驱动器芯片来实现更高速、更可靠的通信。
因此,在选择串口通信方案时,也需要考虑使用更现代的通信接口和驱动器芯片。
高频电路三极管一、三极管的基本概念三极管是一种半导体器件,它由三个掺杂不同的半导体材料组成。
它有一个发射极、一个集电极和一个基极,可以用来放大电信号、开关电路等。
二、三极管的结构1. PNP型三极管PNP型三极管由两个N型半导体夹着一个P型半导体构成。
其中P型半导体为基区,N型半导体为发射区和集电区。
2. NPN型三极管NPN型三极管由两个P型半导体夹着一个N型半导体构成。
其中N 型半导体为基区,P型半导体为发射区和集电区。
三、三极管的工作原理1. 放大作用当在基端加上正向偏压时,会使得基区中的少数载流子增多,从而使得发射结中的少数载流子也增多。
这些少数载流子会被集电结收集,并在外部形成一个电流。
这样就实现了从输入信号到输出信号之间的放大。
2. 开关作用当在基端加上反向偏压时,会使得基区中的少数载流子减少,从而不再有电流通过三极管。
这样就实现了从输入信号到输出信号之间的开关。
四、三极管的参数1. 放大倍数放大倍数是指输出信号与输入信号之间的比值,常用β来表示。
2. 饱和电压饱和电压是指当三极管工作在饱和区时,集电极与发射极之间的电压。
3. 截止电流截止电流是指当三极管工作在截止区时,集电极与发射极之间的电流。
五、高频电路三极管的应用1. 放大器高频放大器主要用于无线通讯、雷达等领域。
在高频放大器中,需要使用高频特性好的三极管来实现信号的放大。
2. 振荡器振荡器是一种能够产生稳定振荡信号的电路。
在振荡器中,需要使用具有稳定特性和高频特性好的三极管来实现正反馈回路。
3. 混频器混频器是一种能够将两个不同频率信号进行混合得到中频信号的电路。
在混频器中,需要使用高速开关能力好且具有低噪声系数的三极管来实现信号的混合。
六、常见的高频电路三极管1. 2N39042N3904是一种NPN型三极管,具有高频特性好、放大倍数大等特点。
它广泛应用于无线电通讯、雷达等领域。
2. BF199BF199是一种NPN型三极管,具有高频特性好、噪声系数低等特点。
直流电压5v,三极管为2n3904的放大电路1. 介绍在现代电子学和电路设计中,放大电路是一种非常重要的部件。
它可以将输入信号放大到更高的电压、电流或功率,从而实现信号的增强和处理。
本文将围绕直流电压5v和三极管2n3904的放大电路展开深入探讨。
2. 直流电压5v直流电压是指电流方向不变的电压。
在电子设备中,由于直流电压稳定,因此常常被用作电路的供电源。
直流电压5v是一种比较常见的电压,通常用于供电电路、传感器和数字电路等部件。
在电路设计中,合理利用直流电压5v的特性,可以实现信号的稳定和可靠传输。
3. 三极管2n3904的特性三极管是一种常见的半导体器件,广泛应用于电子设备和电路中。
2n3904是一种常用的NPN型三极管,具有较高的放大倍数和频率响应。
它适用于各种电路设计,包括放大电路、开关电路和稳压电路等。
在放大电路中,3n3904可以很好地实现信号的放大和增强,是一种非常理想的放大器件。
4. 放大电路设计基于直流电压5v和三极管2n3904,我们可以设计一种简单的放大电路。
通过合理的电路连接和元件选择,可以实现对输入信号的放大和处理。
在设计放大电路时,需要考虑电路的稳定性、增益和频率响应等因素,以确保输出信号的质量和稳定性。
5. 实例分析假设我们需要设计一个将输入信号从直流电压5v增强到10v的放大电路。
我们可以选择合适的三极管2n3904作为放大元件,通过合理的电阻和电容连接,设计出一种满足需求的放大电路。
在实际电路连接过程中,需要考虑电路的稳定性、温度漂移和元件参数的匹配等因素,以确保电路的可靠性和性能。
6. 个人观点放大电路作为电子设备中非常重要的部件,对于信号的处理和增强起着至关重要的作用。
通过合理设计和选择放大电路的元件,可以实现对输入信号的精准处理和放大,从而得到符合要求的输出信号。
在实际应用中,需要充分考虑电路的稳定性、可靠性和成本等因素,以实现最佳的电路设计和性能表现。
7. 总结通过本文的介绍和分析,我们对直流电压5v和三极管2n3904的放大电路有了更深入的了解。
2N3904 TRANSISTOR (NPN)
FEATURE
z NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and Amplifier applications
z As complementary type, the PNP transistor 2N3906 is
Recommended z This transistor is also available in the SOT-23 case with
the type designation MMBT3904
MAXIMUM RATINGS (T A =25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units V CBO Collector-Base Voltage 60 V V CEO
Collector-Emitter Voltage 40 V V EBO
Emitter-Base Voltage 6 V I C
Collector Current -Continuous 0.2 A P C
Collector Power Dissipation 0.625 W T J
Junction Temperature 150 ℃ T stg
Storage Temperature
-55-150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =10μA, I E =0 60 V
Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO
I C = 1mA , I B =
0 40 V
Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E = 10μA, I C =
0 6 V
Collector cut-off current I CBO V CB =60V, I E =
0 0.1 μA
Collector cut-off current I CEO V CE = 40V, I B =0 0.1 μA
Emitter cut-off current I EBO V EB = 5V, I C =
0 0.1 μA
h FE1 V CE =1V, I C =
10mA 100 400
h FE2 V CE =1V, I C =50mA 60
DC current gain
h FE3
V CE =1V, I C =100mA 30
Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =50mA, I B =
5mA 0.3 V
Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =50mA, I B =5mA 0.95
V Transition frequency f T
V CE =20V,I C =10mA,f =
100MHz 300
MH Z
Delay Time t d 35 ns Rise Time t r V CC =3V,V BE =0.5V, I C =10mA,I B1=1mA 35 ns
Storage Time t s 200 ns
Fall Time
t f
V CC =3V, I C =10mA I B1=I B2=1mA
50 ns
CLASSIFICATION OF h FE1
Rank O Y G
Range
100-200 200-300 300-400
1
2
3
TO-92
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
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