常用三极管(场效应管)二极管参数表

常用二极管三极管参数大全一、常用二极管参数1.直流正向电压降（Vf）：指二极管正向导通时的电压降，也称为前向压降，一般常用的正向电压降为0.6V或0.7V。

2. 最大正向电流（Ifmax）：表示二极管正向工作时的最大电流，超过该电流可能会损坏二极管。

3. 最大反向电压（Vrmax）：指二极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致二极管击穿。

4. 最大反向电流（Irmax）：表示二极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏二极管。

5. 最大耗散功率（Pdmax）：表示二极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致二极管过热损坏。

6.负温度系数（TK）：指二极管在正向工作时，正向电流随温度升高而减小的程度，一般单位为%/℃。

7. 正向电导（Gon）：指二极管正向工作时的导通电导，一般单位为S（西门子）或mA/V。

8.反向电容（Cj）：指二极管反向偏置条件下的电容，一般单位为pF（皮法）。

9. 反向延迟时间（trr）：指二极管正向导通结束到反向电流消失的时间。

10.导通角（θF）：指二极管在正向导通状态下的导电角，即Ⅲ象限导通角。

二、常用三极管参数1. 最大漏极源极电压（Vceo）：表示三极管漏极与源极之间的最大电压，超过该电压可能会导致击穿。

2. 最大集电极电流（Icmax）：表示三极管集电极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。

3. 最大发射极电流（Iemax）：表示三极管发射极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。

4. 最大功率（Pmax）：表示三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致三极管过热损坏。

5. 最大反向电压（Vrmax）：指三极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致击穿。

6. 最大反向电流（Irmax）：表示三极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏三极管。

7. 输入电容（Cin）：指三极管输入端的电容，一般单位为pF（皮法）。

8. 输出电容（Cout）：指三极管输出端的电容，一般单位为pF（皮法）。

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT） 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT） 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W FQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75W FQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35WFQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220 IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W FQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220F FCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220 RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220 RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管） 60V/0.12A/SOT-23HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252 HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252 ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263 ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220。

常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。

它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。

以下是一些常用晶体管参数的详细说明。

1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。

NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。

2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。

超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。

3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。

超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。

4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。

超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。

5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。

hFE的值越高，晶体管放大能力越强。

6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。

通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。

7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。

饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。

8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。

输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。

9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。

输出电容越小，晶体管的输出速度越快。

10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。

射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。

11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。

这是指晶体管可以正常工作的最高频率。

12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。

噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。

以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。

常见大中功率管三极管参数大中功率管（也叫功放管）是一种用于放大和驱动信号的电子器件，主要用于音频功放、RF射频放大器、电力调节、发光二极管驱动、扫描和切换等应用中。

下面将介绍一些常见的大中功率管的参数。

1. 最大漏极电压（Vds max）：是指管子能够承受的最大工作电压。

它通常以VDC（直流电压）或Vp（脉冲电压）来表示。

功率管的Vds max值通常在几十至几百伏之间。

2. 最大漏-源电流（Id max）：是指管子能够承受的最大电流。

它通常以ADC（直流电流）或Ap（脉冲电流）来表示。

功率管的Id max值通常在几十至几百安培之间。

3. 最大功率耗散（Pd max）：是指管子能够承受的最大功率。

它通常以瓦特（W）为单位。

功率管的Pd max值通常在几十至几百瓦特之间。

4. 饱和电压（Vsat）：是指管子在饱和状态下的漏-源电压。

它通常以伏特为单位。

功率管的Vsat值通常在几十至几百伏之间。

5. 饱和电流（Isat）：是指管子在饱和状态下的漏-源电流。

它通常以安培为单位。

功率管的Isat值通常在几十至几百安培之间。

6. 输出电阻（Ron）：是指管子在线性工作区域内的漏-源等效电阻。

它决定了管子的放大倍数以及输出能力。

功率管的Ron值通常在几至几十欧姆之间。

7. 峰值放大因子（hfe max）：是指管子在特定工作条件下的电流放大倍数。

它决定了管子的放大能力。

功率管的hfe max值通常在几十至几百之间。

8. 开启时间（ton）和关闭时间（toff）：是指管子从截止状态到饱和状态（ton）以及从饱和状态到截止状态（toff）所需要的时间。

它们通常以纳秒（ns）为单位。

这两个参数影响了功率管的工作频率和开关速度。

以上是一些常见的大中功率管的参数。

不同的型号和应用会有一些差异，但这些参数大多是影响功率管性能和工作条件的重要指标。

在选取和使用功率管时，需要根据具体的应用要求来选择合适的功率管，并严格控制工作条件，以确保功率管的可靠性和稳定性。

y2三级管参数全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：y2三极管，也被称为二极管，是一种常用的半导体元件，常用于放大、开关等电路中。

y2三极管的参数对于电路设计和性能起着至关重要的作用，了解这些参数对于工程师和技术人员来说非常重要。

本文将介绍y2三极管的几个重要参数及其含义。

1. 饱和电压（VCEsat）：饱和电压是指在三极管处于饱和状态时，集电极与发射极之间的电压。

在饱和状态下，三极管的开关速度较快，可以快速响应信号。

饱和电压越小，三极管在饱和状态下的性能就越好。

2. 最大集电极电压（VCEO）：最大集电极电压是指三极管能够承受的最大集电极与发射极之间的电压。

超过这个电压值，三极管可能会烧坏。

因此在电路设计时需要考虑集电极电压的问题，以确保不会损坏三极管。

4. 直流增益（hFE）：直流增益是指三极管放大直流信号时的放大倍数。

直流增益越大，三极管的放大效果就越好。

工程师通常会根据需要选择合适的直流增益值来设计电路。

5. 频率特性：三极管的频率特性指的是在不同频率下的工作性能。

三极管的频率特性决定了它适用于哪种频率的信号放大。

在设计高频率电路时，需要选择具有良好频率特性的三极管。

y2三极管的参数对于电路设计和性能至关重要。

工程师和技术人员在选择三极管时需要考虑这些参数的具体数值，以确保电路性能稳定可靠。

希望本文对读者有所帮助，谢谢阅读。

第二篇示例：y2三极管，又称为场效应三极管（FET），是一种重要的半导体器件，在电子电路中起着关键的作用。

它的参数包括很多方面，下面我们就来详细了解一下y2三极管的参数。

y2三极管的主要参数之一是导通电阻。

导通电阻是指在y2三极管导通状态下的电阻大小，一般用单位欧姆来表示。

导通电阻大小直接影响y2三极管的导通能力，导通电阻越小，y2三极管导通能力越强。

通过控制y2三极管的导通电阻，可以实现对电路中电流的调节。

导通电阻也受到温度的影响，温度越高，导通电阻越大，导通能力也会受到影响。

名称:常用半导体二极管的主要参数常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类型普通检波二极管&Pound;16 &Sup3;2.5 &Pound;1 &Sup3;40 20 &Pound;250 &Pound;1 F H (MHz)150&Sup3;5 &Sup3;150 100&Pound;25 &Sup3;10 &Pound;1 &Pound;10 &Pound;250 &Pound;1 F H (MHz)40&Pound;15 &Sup3;10 &Pound;100锗开关二极管&Sup3;150 &Pound;1 30 10 &Pound;3 &Pound;20040 20&Sup3;200 &Pound;0.9 60 40 &Pound;2 &Pound;150&Sup3;10 &Pound;1 70 50 &Pound;2 &Pound;150&Sup3;250 &Pound;0.7 60 4070 50硅开关二极管&Sup3;10 &Pound;0.8 A&Sup3;30 B&Sup3;45 C&Sup3;60 D&Sup3;75 E&Sup3;90 A&Sup3;20 B&Sup3;30 C&Sup3;40 D&Sup3;50 E&Sup3;60 &Pound;1.5 &Pound;3&Sup3;20 &Pound;4&Sup3;30 &Pound;1 &Pound;5&Sup3;50 &Pound;1&Sup3;100&Sup3;150&Sup3;200类型整流二极管 2 0.1 &Pound;1 25 L 6006 0.3 &Pound;1 50 L 100010 0.5 &Pound;1 50 L 100020 1 &Pound;1 50 L 100065 3 &Pound;0.8 25 L 100030 1 1.1 50 L 1000 550 1.5 1.4 50 L 1000 10200 3 1.2 50 L 1000 103.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数整流电流/A反向工作电压/V最高工作结温/ O CQL1 1 0.05 &Pound;1.2 &Pound;10 130QL2 2 0.1QL4 6 0.3QL5 10 0.5QL6 20 1QL7 40 2 &Pound;15QL8 60 3 4.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度<50 O C稳定电流下稳定电流下环境温度＜10 O C稳定电压/V稳定电流/MA最大稳定电流/MA反向漏电流动态电阻/W电压温度系数/10 -4 / O C最大耗散功率/W2CW51 2.5~3.5 10 71 &Pound;5 &Pound;60 &Sup3;-9 0.252CW52 3.2~4.5 55 &Pound;2 &Pound;70 &Sup3;-82CW53 4~5.8 41 &Pound;1 &Pound;50 -6~42CW54 5.5~6.5 38 &Pound;0.5 &Pound;30 -3~52CW56 7~8.8 27 &Pound;15 &Pound;72CW57 8.5~9.8 26 &Pound;20 &Pound;82CW59 10~11.8 5 20 &Pound;30 &Pound;92CW60 11.5~12.5 19 &Pound;40 &Pound;92CW103 4~5.8 50 165 &Pound;1 &Pound;20 -6~4 12CW110 11.5~12.5 20 76 &Pound;0.5 &Pound;20 &Pound;92CW113 16~19 10 52 &Pound;0.5 &Pound;40 &Pound;112CW1A 5 30 240 &Pound;20 12CW6C 15 30 70 &Pound;8 12CW7C 6.0~6.5 10 30 &Pound;10 0.05 0.2 5.常用半导体三极管的主要参数表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数原型号3AX31测试条件新型号3AX51A 3AX51B 3AX51C 3AX51D极限参数P CM (MW) 100 100 100 100 T A＝25 O CI CM (MA) 100 100 100 100T JM ( O C) 75 75 75 75BV CBO (V) &Sup3;30 &Sup3;30 &Sup3;30 &Sup3;30 I C＝1mABV CEO (V) &Sup3;12 &Sup3;12 &Sup3;18 &Sup3;24 I C＝1mA直流参数I CBO (MA) &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 V CB＝-10VI CEO (MA) &Pound;500 &Pound;500 &Pound;300 &Pound;300 V CE＝-6VI EBO (MA) &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 V EB＝-6VH FE 40~150 40~150 30~100 25~70 V CE＝-1V I C＝50mA交流参数 F A (KHz) &Sup3;500 &Sup3;500 &Sup3;500 &Sup3;500 V CB＝-6V I E＝1mAN F (DB)－&Pound;8－－V CB＝-2V I E＝0.5mA F＝1kHzH Ie (KW) 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 V CB＝-6V I E＝1mA F＝1kHzH Re (&Acute;10) &Pound;2.2 &Pound;2.2 &Pound;2.2 &Pound;2.2H Oe (Ms) &Pound;80 &Pound;80 &Pound;80 &P ound;80H Fe－－－－H FE色标分档管脚表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A 3AX81B测试条件极限参数P CM (MW) 200 200I CM (MA) 200 200T JM ( O C) 75 75BV CBO (V) -20 -30 I C＝4mABV CEO (V) -10 -15 I C＝4mABV EBO (V) -7 -10 I E＝4mA直流参数I CBO (MA) &Pound;30 &Pound;15 V CB＝-6VI CEO (MA) &Pound;1000 &Pound;700 V CE＝-6VI EBO (MA) &Pound;30 &Pound;15 V EB＝-6VV BES (V) &Pound;0.6 &Pound;0.6 V CE＝-1V I C＝175mAV CES (V) &Pound;0.65 &Pound;0.65 V CE＝V BE V CB＝0 I C＝200mAH FE 40~270 40~270 V CE＝-1V I C＝175mA交流参数 F B (KHz) &Sup3;6 &Sup3;8 V CB＝-6V I E＝10mAH FE色标分档管脚表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号3BX31M 3BX31A 3BX31B 3BX31C测试条件极限参数P CM (MW) 125 125 125 125 T A =25 O CI CM (MA) 125 125 125 125T JM ( O C) 75 75 75 75BV CBO (V) -15 -20 -30 -40 I C＝1mABV CEO (V) -6 -12 -18 -24 I C＝2mABV EBO (V) -6 -10 -10 -10 I E＝1mA直流参数I CBO (MA) &Pound;25 &Pound;20 &Pound;12 &Pound;6 V CB＝6VI CEO (MA) &Pound;1000 &Pound;800 &Pound;600 &Pound;400 V CE＝6VI EBO (MA) &Pound;25 &Pound;20 &Pound;12 &Pound;6 V EB＝6VV BES (V) &Pound;0.6 &Pound;0.6 &Pound;0.6 &Pound;0.6 V CE＝6V I C＝100mA V CES (V) &Pound;0.65 &Pound;0.65 &Pound;0.65 &Pound;0.65 V CE＝V BE V CB＝0 I C＝125mAH FE 80~400 40~180 40~180 40~180 V CE＝1V I C＝100mA交流参数 F B (KHz)－－&Sup3;8 F A &Sup3;465 V CB＝-6V I E＝10mAH FE色标分档管脚表19 3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D极限参数CM (MW)CM (MA)CBO (V) C＝100&Micro;ACEO (V) C＝100&Micro;AEBO (V) E＝100mA直流参数CBO (MA) CB＝10VCEO (MA) CE＝10VEBO (MA) EB＝1.5VBES (V) C＝10mA I B＝1mACES (V) C＝10mA I B＝1mAFE CE＝10V I C＝3mA交流参数T (MHz) CB＝10V I E＝3mA F＝100MHz R L＝5WP (DB) CB＝-6V I E＝3mA F＝100MHzOb (PF) CB＝10V I E＝0H FE色标分档管脚表20 3DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG12测试条件新型号3DG130A 3DG130B 3DG130C 3DG130D极限参数P CM (MW) 700 700 700 700I CM (MA) 300 300 300 300BV CBO (V) &Sup3; 40 &Sup3; 60 &Sup3; 40 &Sup3; 60 I C＝100&Micro;ABV CEO (V) &Sup3; 30 &Sup3; 45 &Sup3; 30 &Sup3; 45 I C＝100&Micro;ABV EBO (V) &Sup3; 4 &Sup3; 4 &Sup3; 4 &Sup3; 4 I E＝100mA直流参数I CBO (MA) &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 V CB＝10VI CEO (MA) &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 V CE＝10VI EBO (MA) &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 V EB＝1.5VV BES (V) &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 I C＝100mA I B＝10mAV CES (V) &Pound; 0.6 &Pound; 0.6 &Po und; 0.6 &Pound; 0.6 I C＝100mA I B＝10mAH FE &Sup3;30 &Sup3; 30 &Sup3; 30 &Sup3; 30 V CE＝10V I C＝50mA交流参数 F T (MHz) &Sup3; 150 &Sup3; 150 &Sup3; 300 &Sup3; 300 V CB＝10V I E ＝50mA F＝100MHz R L＝5WK P (DB) &Sup3; 6 &Sup3; 6 &Sup3; 6 &Sup3; 6 V CB＝–10V I E＝50mA F＝100MHz C Ob (PF) &Pound; 10 &Pound; 10 &Pound; 10 &Pound; 10 V CB＝10V I E＝0H FE色标分档管脚表21 9011~9018塑封硅三极管的参数型号(3DG) 9011 (3CX) 9012 (3DX) 9013 (3DG) 9014 (3CG) 9015 (3DG) 9016 (3DG) 9018极限参数P CM (MW) 200 300 300 300 300 200 200I CM (MA) 20 300 300 100 100 25 20BV CBO (V) 20 20 20 25 25 25 30BV CEO (V) 18 18 18 20 20 20 20BV EBO (V) 5 5 5 4 4 4 4直流参数I CBO (MA) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05I CEO (MA) 0.1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5I EBO (MA) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05V CES (V) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.35V BES (V) 1 1 1 1 1 1H FE 30 30 30 30 30 30 30交流参数 F T (MHz) 100 80 80 500 600C Ob (PF) 3.5 2.5 4 1.6 4K P (DB) 10H FE色标分档管脚表22常用场效应三极管主要参数参数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ2 3DJ4 3DJ6 3DJ7 3D01 3D02 3D04D~H D~H D~H D~H D~H D~H D~H饱和漏源电流I DSS (MA) 0.3~10 0.3~10 0.3~10 0.35~1.8 0.35~10 0.35~25 0.35~10.5夹断电压V GS (V) <&Iuml;1~9&Iuml; <&Iuml;1~9&Iuml; <&Iuml;1~9&Iuml; <&Iuml;1~9&Iuml; &Pound;&Iuml;1~9&Iuml; &Pound;&Iuml;1~9&Iuml;&Pound;&Iuml;1~9&Iuml;正向跨导G M (MV) >2000 >2000 >1000 >3000 &Sup3;1000 &Sup3;4000 &Sup3;2000最大漏源电压BV DS (V) >20 >20 >20 >20 >20 >12~20 >20最大耗散功率P DNI (MW) 100 100 100 100 100 25~100 100栅源绝缘电阻R GS (W) &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8~10 9 &Sup3;100管脚。

常用二极管三极管参数1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：即二极管在正向导通时的电压降。

不同类型和材料的二极管正向电压降不同，一般为0.1V到1V之间。

2. 反向电压（Reverse Voltage）：即二极管在反向施加电压时可以承受的最大电压，超过该电压则会发生击穿。

3. 正向电流（Forward Current）：即二极管在正向导通时通过的电流。

不同类型和材料的二极管正向电流不同，一般为几十mA到几百mA。

4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：即二极管在反向施加电压时的漏电流。

一般来说，漏电流越小，二极管的质量越好。

5. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）：即二极管在反向施加电压时发生击穿的最小电压。

不同类型的二极管反向击穿电压不同。

常用三极管参数：1. 最大正向电流增益（Max Forward Current Gain）：即三极管在正向工作状态下电流放大的倍数。

这个数值越大，三极管的放大效果越好。

2. 最大反向漏电流（Max Reverse Leakage Current）：即三极管在反向工作状态下的漏电流。

这个数值越小，三极管的质量越好。

3. 最大集电结（Collector Junction）饱和电压（VCEsat）：即三极管在饱和状态下集电极和发射极之间的电压降。

通常情况下，饱和电压应尽可能低，以确保三极管能够有效地导通。

4. 最大集电极电流（Max Collector Current）：即三极管所能承受的最大集电电流。

超过这个数值将导致三极管的击穿和损坏。

5. 最大功耗（Max Power Dissipation）：即三极管所能承受的最大功率。

超过这个数值将导致三极管过热并可能损坏。

以上介绍了二极管和三极管的常见参数，这些参数的理解和掌握对于选择合适的二极管和三极管，以及正确设计和应用电路非常重要。