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FEATURES● For surface mounted applications● Metal silicon junction, majority carrier conduction ● Built-in strain relief, ideal for automated placement ● Low power loss, high efficiency. ● High forward surge current capability ● Plastic package has Underwriters LaboratoryFlammability Classification 94V-0MECHANICAL DATA● Case: SMAF Molded plastic ● Terminals: Pure tin plated, lead free ● Polarity: Indicated by cathode band ● Weight: 27mg (approx.)MAXIMUM RA TINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSRating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.2.P .C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areasParameterSymbolSS12F SS 13F SS 14F SS 15F SS 16F SS 18F SS 110F SS 115F SS 120FUnit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V Maximum RMS Voltage V RMS 14 21 28 35 42 56 70 105 140 V Maximum DC Blocking VoltageV DC 2030405060 80100150200V Maximum Average Forward Rectified Current I F(AV) 1.0 A Peak Forward Surge Current 8.3 ms Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method)I FSM30.0AMaximum Instantaneous Forward Voltage at 1A V F 0.45 0.55 0.70 0.85 0.95 V Maximum DC Reverse CurrentCat Rated DC BlockingVoltage@ T A =25°C@ T A =100°CI R 0.50.2mA 10.0 5.0 2.0mA Typical Junction Capacitance(Note1) C j 11090pF Typical Thermal Resistance (Note2) R θJA 88 °C/w Operating Temperature Range T J -50 to +150 °C Storage Temperature RangeT STG-50 to +150°CSMAFCathodeTypical Characteristics1.00.80.60.40.20.1 1.0 10 1000.01 0.1 1 10 1001001010.1REVERSE VOLTAGE,VOLTSt,PULSE DURATION,sec.FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCEFIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCENUMBER OF CYCLES AT 60 HzFIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARDFIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVEA V E R A G E F O R W A R D R E C T I F I E D C U R R E N T ,A M PE R E SJ U N C T I O N C A P A C I T A N C E , p FP E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T ,A M P E R ES1001010.10.010.001PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T ,M I L L I A M P E R E ST R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E ,C /WAMBIENT TEMPERATURE, C FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARDCHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E SINSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,VOLTS5010.010.10.01UNITmm1.10.20 3.72.7 4.90.90.123.3 2.44.47°maxminmil maxmin43357.94.714613010694193173A C D E H E∠1.61.36351eBottom View Top View1.20.84731gPackage Outline Dimensions SMAF。
zno压敏电阻阻抗
ZNO压敏电阻是一种常见的电子元器件，常用于电子电路中的过压保护和限流功能。
它由氧化锌粉末和少量其它物质制成，具有高阻值和压敏特性，能够在电路中起到重要的作用。
ZNO压敏电阻的阻值通常在几千欧姆至数百兆欧姆之间，其阻值随着电压的变化而变化，从而能够对高压下的电路进行限流和过压保护。
在电路中，ZNO压敏电阻通常与其它电阻、电容和变阻器等器件一起组成复杂的脉冲电路，可以用于温度传感器、光控设备、电子情报仪器等多个领域。
在压敏电阻中，氧化锌粉末是其最为重要的组成部分。
氧化锌粉末的选材和制造工艺是影响压敏电阻性能的主要因素，其制作精度和生产工艺的优化可以大幅提高压敏电阻的性能。
另外，在ZNO压敏电阻的生产过程中，通常会添加一些稀土元素、二氧化钇和镁等物质，以提高其敏感性和防止老化效应。
同时，在选择ZNI压敏电阻时，还需要考虑其额定电压、额定电流、温度系数、工作温度范围等多个因素，确保它能够正常工作，并能在其额定电压范围内发挥其过压保护和限流功能。
总之，ZNO压敏电阻作为一种常用的电子元器件，在多个领域都有重要应用，能够对电路进行过压保护和限流，为电子设备的稳定运行提
供了有力保障。
而在使用压敏电阻时，还需要注意选择合适的型号、
合理设计电路，以及进行正确的使用和维护，从而保证其性能和寿命。
深圳市晶科鑫实业有限公司样品承认书客户代码：物料名称：贴片钟振规格型号：7050 OSC 50.000MHZ 1.8~3.3V ±30PPM CMOSP N/ SJK：6N50000G33YC承认签章供应商承认（）公司承认制定审核核准工程师审核批准林雁杨霞黄灏东盖章签署盖章签署日期日期批示：□接受□有条件接受备注：公司地址:深圳市龙岗区天安云谷产业园一期3栋C座12楼1204～1206室电话：传真：Approved by: 黄灏东Checked by: 杨霞Issued by: 玉静霞产品规格书SPECIFICATIONPN / SJK: 6N50000G33YC深圳市晶科鑫实业有限公司SHENZHEN CRYSTAL TECHNOLOGY INDUSTRIAL CO., LTD.公司地址:深圳市龙岗区天安云谷产业园一期3栋C座12楼1204～1206室电话：*************-837传真：*************修改记录版次修改日项目改定内容改定者确认者A1 2015-6-5 初版林雁杨霞1. ELECTRICAL SPECIFICATIONSStandard atmospheric conditionsUnless otherwise specified, the standard range of atmospheric conditions for making measurement and tests are as follow:Ambient temperature : 25±5℃Relative humidity : 40%~70%If there is any doubt about the results, measurement shall be made within the following limits: Ambient temperature : 25±3℃Relative humidity : 40%~70%Measure equipmentElectrical characteristics measured by MD 37WX-05M or equivalen t.Crystal cutting typeThe crystal is using AT CUT (thickness shear mode).Parameters SYMElectrical Spec. Notes MIN TYPE MAX UNITS1 Nominal Frequency 50.000000 MHZ2 FrequencyStabilityAT 25℃±10 PPM Over OperatingTemperature range±20 PPM3 Operating Temperature Topr -40 25 85 ℃4 Storage Temperature Tstg -55 ~ 125 ℃5 Supply Voltage VDD 1.8~3.3 ±10% V6 Input Current Icc 15 mA7 Enable Control Yes Pad18 Output Load : CMOS CL 15 pF9 Output Voltage High VoH 90%VddV10 Output Voltage Low VoL 10%VddV11 Rise Time Tr 5 ns 10%→90%VDDLevel12 Fall Time Tf 5 ns 90%→10%VDDLevel13 Symmetry (Duty ratio) TH/T 45 ~ 55 %14 Start-up Time Tosc 10 ms15 Enable Voltage High Vhi 70%VddV16 Disable Voltage Low Vlo 30%VddV17 Aging ±3 ppm/yr. 1st. Year at 25℃18 Output Disable Delay Time T off 150 us19 Output Enable Delay Time T on 150 us20 Phase Jitter （12KHZ~20MHZ）0.5 1.0 ps2. DIMENSIONS (Units :mm)MARKING3. TEST CIRCUITControl input (output enable/disable)Logic 1 or open on pad 1: Oscillator outputLogic 0 on pad 1 : Disable output to high impedance4. PART NUMBER GUIDESJK -6N— 50000 Frequency 50.000MHz — GFrequency tolerance—33Supply voltage — Y Fan out type X:TTL/CMOS — C Temperatur e5. WAVEFORM CONDITIONSWaveform measurement system shouldhave a min. bandwidth of 5 times thefrequency being tested.6. OUTPUT ENABLE / DISABLE DELAYThe following figure shows the oscillator timing during normal operation . Note that when the device is in standby,the oscillator stops. When standby is released, the oscillator starts and stable oscillator output occurs after a short delay7. SUGGESTED REFLOW PROFILE8. STRUCTURE ILLUSTRATIONNO COMPONENTSMATERIALS FINISH/SPECIFICATIONS1 LID Kovar (Fe/Co/Ni)2 Base(Package)Ceramic (AI2O3) + Kovar (Fe/Co/Ni)+ Ag/CuColor black 3 PAD Au Tungsten metalize+ Ni plating + Au plating4 Crystal blank SiO25 Conductive adhesiveAg Silicon resin6 Electrode Noble Metal7 IC chip8 Bonding wire Au Pad 1 options : NC is 5wires , EN is 6 wires.9. PACKING10. RELIABILITY TEST SPECIFICATION1.Mechanical EnduranceNo.Test Item Test Methods REF. DOC 1 Drop Test75 cm height,3 times on concrete floor .JIS C67012 Mechanical Shock Device are shocked to half sine wave ( 1000G ) three mutuallyperpendicular axes each 3 times. 0.5m sec.duration timeMIL-STD-202F3 VibrationFrequency range 10 ~ 2000 HzAmplitude 1.52 mm/20GSweep time 20 minutesPerpendicular axes each test time 4 Hrs(Total test time 12 Hrs)MIL-STD-883E4 Gross Leak Standard Sample For Automatic Gross LeakDetector, Test Pressure: 2kg / cm2MIL-STD-883E5 Fine Leak Helium Bomging 4.5 kgf / cm 2 for 2 Hrs6 SolderabilityTemperature 245 ℃ ± 5℃Immersing depth 0.5 mm minimumImmersion time 5 ± 1 secondsFlux Rosin resin methyl alcoholsolvent ( 1 : 4 )MIL-STD-883E2.Environmental EnduranceNo. Test Item Test Methods REF. DOC1 Resistance To SolderingHeatPre-heat temperature 125 ℃Pre-heat time 60 ~ 120 sec.Test temperature 260 ± 5 ℃Test time 10 ± 1 sec.MIL-STD-202F2 High Temp. Storage + 125 ℃ ±3 ℃ for 1000 ± 12 HrsMIL-STD-883E 3 Low Temp. Storage - 40 ℃ ± 3 ℃ for 1000 ± 12 Hrs4 Thermal Shock Total 100 cycles of the following temperaturecycleMIL-STD-883E5 Pressure CookerStorage121 ± 3℃ , RH100% , 2 bar , 240 Hrs JIS C67016 High Temp＆Humidity 85℃ ± 3℃, RH 85% , 1000 Hrs JIS C5023。
2512 3W合金电阻，指的是2512的体积与3W的功率，这类合金电阻是目前非常通用的产品之一，主要是应用于各类大功率电源与工业自动化设备中。
2512 3W 合金电阻也是说明了合金电阻的体积与合金电阻的功率关系，合金电阻在选型的时候主要参考的数据就是体积，功率，阻值与精度，另外就是可靠性。
2512 3W合金电阻主要是哪些参数可以做到呢，下面初步列举：
2512 3W 材料区分可以分为铁铬铝合金电阻，陶瓷合金电阻，康铜合金电阻等等。
2512 3W 从电极可以分为普通3W合金电阻与长电极3W合金电阻
2512 3W 精度为1%，0.5%，也有部分国产厂家有5%的精度，正常这类合金电阻的精度为1%。
2512 3W 稳定性一般是从温度系数作为区分，常规的温度系数都是在50ppm/℃以内，这类产品都是以45℃做升温处理，跟电容一样，上升至125℃最高极限值的阻值变化率。
2512 3W 阻值范围一般控制在0.39R以内，长电极则可以做到0.75R以内，这个是由于产品的焊线与流过的大电流和散热效果岁觉得的。
（所谓的长电极的焊点就是刚好是普通电阻的侧边焊点）。
ZNO压敏电阻阻抗介绍ZNO（氧化锌）压敏电阻是一种常见的功能材料，具有高阻抗和高耐压能力，广泛应用于电子元器件中。
本文将对ZNO压敏电阻的阻抗特性进行全面、详细、完整且深入地探讨。
电阻和阻抗的概念电阻电阻是指电子在导体中流动时遭受阻碍的程度，通常用欧姆（Ω）来表示。
电阻越大，表示对电子流动的阻碍越大。
阻抗阻抗是指电路中对交流电流的阻碍程度，包括电阻和电抗。
电抗又可分为电感抗和电容抗。
阻抗用欧姆（Ω）来表示，是复数形式，包括实部和虚部。
ZNO压敏电阻的特性ZNO压敏电阻具有以下几个特性，使其成为电子元器件中广泛使用的材料。
高阻抗能力ZNO压敏电阻的阻抗能力很高，能够有效地阻碍电流的流动。
这使得ZNO压敏电阻可以在电路中起到限流的作用，保护其他电子元器件。
快速响应速度ZNO压敏电阻在面对外部电压变化时，具有快速的响应速度。
这使得它能够迅速调整阻抗，保护电路免受过电流或过压的损害。
耐压能力强ZNO压敏电阻具有较高的耐压能力，能够承受较大的电压。
这使得它适用于需要处理高电压的电子设备中。
温度特性稳定ZNO压敏电阻的阻抗与温度的变化关系较小，具有较好的温度特性稳定性。
这使得它适用于在不同温度环境下使用的电子设备。
ZNO压敏电阻的结构与工作原理ZNO压敏电阻一般由氧化锌陶瓷制成。
它的结构可以分为三个部分：电极、氧化锌陶瓷和封装材料。
1.电极电极是连接电路的部分，通常由金属材料制成，如银、铜等。
电极的选材和制备工艺对ZNO压敏电阻的性能有着重要的影响。
2.氧化锌陶瓷氧化锌陶瓷是ZNO压敏电阻的核心部分，它具有高阻抗和压敏特性。
氧化锌陶瓷的制备过程包括原料选择、混合、成型、烧结等多个步骤。
3.封装材料封装材料用于保护ZNO压敏电阻不受外界环境的影响。
常见的封装材料包括树脂、玻璃等。
ZNO压敏电阻的工作原理基于ZNO陶瓷的压敏效应。
当外加电压在一定范围内时，ZNO陶瓷的阻抗保持较高，限制电流的流动。
而当外加电压超过一定阈值时，ZNO陶瓷的阻抗迅速下降，允许大电流通过。
