固体物理学---第六章

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第六章 半导体

6.1 半导体的能带结构

一、本征半导体

导带(空带)

价带(满带)

在能带底有:

xxCmkhEE2(22yymk22)22zzmk

实际上,等能面一般为椭球面,如图所示:

二、杂质半导体

如图所示:

多出一个正电中心和一个电子,这个电子受到正电中心的某种束缚,它的能量在禁带里,不完全自由,形如:

若参杂B族元素,相当于:

参杂后在禁带中产生一些附加的能级:

自由时 Emh222)2/( 非自由时 Eremh]2)2/([222

Eremhee]2)2/([,222则:令222)2/(24nhemE

mmnhem222)2/(24

2mmEH

224)2(2nhmeEH

此类型叫类氢模型。

加A类型的杂质叫施主,对应的能级叫施主能级;加B类型的杂质叫受主,对应的能级叫受主能级;

三、缺陷引起的附加能级

如图所示:

当纳过量,则晶体中形成正电中心-----将出现施主能级;当氯过量,则晶体形成负电中心,将出现受主能级。

6.2 半导体的光吸收

一、本征吸收

当gEh2 时发生吸收,谱线为连续谱,但有一个吸收下限值

由准动量守恒:kh2kh202kh可见光的

cmk/10240 ;

电子的为kkcmk,/1018;

称此种跃迁叫竖直跃迁。

如图所示:

这就是光敏电阻,光电二极的原理,非常普遍用于信号传递、隔离及照明。还有如下的情形:

如果仅考虑电子的动量和光子的动量,则不满足动量守恒,为此可考虑在此过程中电子吸收或房产一个声子:

qkqkkk0

由能量守恒:

2hEEEhkkq2

而 DBqkh2 只有百分之几电子伏特,

Eh2

二、 激子吸收

实验上发现在禁带有吸收峰,但此处无光电流。假设光子打出一个电子,但电子不能一下子到达导带上,而是在导带下面差一个类氢电子能级的某一能级上,如图所示:

在导带 e *em 令****hehemmmm

在价带 e *hm 222422nheE

称这样的电子~空穴对叫激子。此激子在外场作用下会运动,但因为正负电荷成对出现,因此不会产生电流。

三、 自由载流子吸收

当情况如图所示时,自由载流子可以在本身所在的能带内跃迁,也是个二级过程。

四、 晶格吸收

声子本身也可以吸收光子(物理效应是光热效应),离子晶

体在红外范围,半导体也在红外范围。

五、 杂质吸收

杂质能级较深时,如硅中的金

吸收谱如图所示:

作用:1)它可以是有效的复合中心,使载流子的寿命降低;

2)可以成为非辐射复合中心,影响发光效率;

3)作为补偿杂质大大提高材料的电阻率。

六、 晶格振动对电子跃迁的影响

一般电子跃迁较快,而原子的调整较慢,因此原子来不及调

整,电子已经跳上去了。而原子慢慢调整,在此过程中放出声子,把能量交给晶格,使温度上升。

6.3 回旋共振

由劳伦兹公式:)1()(HvcEevdtvdm ~驰豫时间

设 kHH iEEx

则:

)1(1HvcEmevvyxxx

HvcmeHvcmevvxxyy1)10(1

设tixxeEE0 tivv0 代入上式,得:

ycxxvEmevi)1(

xcyvvi)1(

xcxxviEmevi1)1(2

1)1(2iiEmevcxx

一方面,电流密度: 1)1(22iiEmnenevjcxxx

另一方面,按欧姆定律:xxEj ,对比上两式,得:

tiimnec1)1(122

iic111222222222204)(1)(1ccR

如图所示:

 6.4 电子空穴的统计分布

如图所示:

)()(fDdNcce

)](1)[(fDdNvhh

自由电子:mkh222 2/132/3)2(4)(hmVD

导带内:ecmkh222

价带内:hvmkh222

态密度: 2/12/132/3)()()2(4)(eeeeechmVD

2/12/132/3)()()2(4)(vhvhhchmVD

费米分布:TkuTkuBBeef/)(/)(11

TkuBef/)(1

BckTuceeecdN/)(2/1)(

TkuckTueBcBcedec/)(2/1/)()(

TkuBhBceTkhmV/)(2/132/3/))(4)2(4TkuBeeeBcehTkmVNn/)(2/32)2(2TkuBhhhBvehTkmVNn/)(2/32)2(2)()()2(4/2/32/32TcemmhTknnTkheBheBg

对本征半导体henn TkeBcem/)(TkuhBvem/)(

则 TkehBvcemm/)2(

)(21)(143)(2vcehBvcmmnTkTkheBheBgemmhTknn/2/332)()2(4TkheBheBgemmhTknnn/4/3232)()2(2

若考虑有施主能级存在的情况下,当温度低时,附加能级上的电子跳到c上去,如图所示:

设en为dN上空出的数目,则:

]111[)](1[/)(TkdIdeBIeNfNn

]11[/)(TkdBIeN

TkdBIeN)(

TkBeBehTkm/2/32)2(2

2/32)2(21212hTkmNnTkBedBITkBedeBIehTkmNn/4/32)2(2

6.5 半导体的电导率

在真实空间内对一维的可以想象为:

一般地,运动方程:eEvdtdvme)(

Enevnej EEmev2

ehehheeenennnene)()(

TkheBheBgemmhTke/4/32/32)()2)((2TkBdBIehTkNe/4/32)2(2

主要由指数部分决定,如图所示: