高纯金属技术及应用
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集成电路靶材用超高纯金属材料产业化技术集成电路是当今信息科技产业的重要基础,而集成电路的靶材是其制造过程中至关重要的原材料。
近年来,随着集成电路产业的不断发展,对靶材的要求也越来越高,要求其具有超高纯度和稳定性,以确保制造出的集成电路具有更高的性能和可靠性。
因此,超高纯金属材料的产业化技术成为了集成电路靶材制造领域的关键技术之一。
一、超高纯金属材料的重要性超高纯金属材料是指纯度达到99.999%以上的金属材料,其主要包括铜、铝、镍、钨等材料。
在集成电路制造过程中,这些金属材料被用于制造导线、电极、焊料等关键部件,对纯度和稳定性的要求非常高。
由于电子器件的尺寸越来越小,工艺尺寸逐渐减小,因此超高纯金属材料的纯度要求也越来越高,以保证电子器件的性能和可靠性。
二、超高纯金属材料的产业化技术超高纯金属材料的制备技术包括物理法、化学法和电化学法等多种方法。
传统的方法主要包括真空熔炼、电解法、化学还原法等。
然而,这些方法在生产效率、成本和环保等方面存在一定的局限性,无法满足当今集成电路靶材制造的需求。
因此,急需研发一种新的超高纯金属材料的产业化技术。
近年来,国内外的科研机构和企业纷纷开展超高纯金属材料的产业化技术研究,取得了一系列重要的进展。
其中,物理气相沉积、物理溶液法等新技术的应用,为超高纯金属材料的产业化提供了新的思路和方法。
这些新技术不仅能够提高金属材料的纯度和稳定性,还能够提高生产效率,降低成本,同时也更加环保和可持续。
三、超高纯金属材料产业化技术的关键问题尽管超高纯金属材料产业化技术已经取得了一些重要的进展,但是仍然存在一些关键问题亟待解决。
首先,制备工艺的稳定性和可控性仍然需要进一步提高,以确保生产出来的超高纯金属材料具有更高的纯度和稳定性。
其次,成本控制是产业化过程中的一个关键问题,需要不断提高生产效率,降低原材料和能耗成本,从而提高超高纯金属材料的竞争力。
另外,环保和可持续性也是一个重要的考量因素,需要不断改进技术和工艺,减少对环境的影响,保护生态环境。
高纯铟的用途高纯铟是一种稀有金属,具有许多优异的物理和化学性质,因此在许多领域都有重要的用途。
以下是关于高纯铟的用途的详细介绍:1. 半导体材料高纯铟是常用的半导体材料之一,可以用于生产半导体器件,如变阻器、热敏电阻、光电器件等。
铟化合物具有优良的电学性能和光学性能,能够在电子、光电子和光学领域发挥作用,因此在半导体工业中有着广泛的应用。
2. 低熔点合金高纯铟与其他金属如铋、锡、铅等金属合金可以制成低熔点合金。
因为其熔点较低且对其他金属腐蚀性低,因此可以用于制造低温焊料、低温熔融的保护合金等,广泛应用于电子元件的焊接和封装领域。
3. 高温润滑材料高纯铟具有良好的润滑性能,在高温环境下仍能保持较好的润滑性能,因此被用于高温润滑材料的制备。
在航空航天、船舶和汽车等领域,高温润滑材料的应用是至关重要的,高纯铟在其中发挥了重要作用。
4. 核反应堆中的冷却剂高纯铟也可用作核反应堆中的冷却剂,用于调节反应堆的温度,保持核反应堆的稳定运行。
同时,高纯铟还可以用于制备核燃料的包壳和密封材料,这些都是核能领域中非常重要的应用。
5. 医学影像检查高纯铟的一种同位素铟-111具有较长的半衰期,可以用于医学影像检查中的放射性示踪剂。
铟-111是一种良好的放射性示踪剂,可以用于肿瘤、白血病等疾病的诊断和治疗。
因此,在医学领域有着重要的应用价值。
6. 其他领域除了以上几个领域外,高纯铟还在其他领域有着重要的应用。
比如在化工领域,高纯铟可以用于催化剂的制备;在光学领域,高纯铟可以用于制备光学器件;在航天领域,高纯铟可以作为航天器的结构材料等。
总的来说,高纯铟具有许多优异的物理和化学性质,因此在半导体材料、低熔点合金、高温润滑材料、核能领域、医学影像检查以及其他领域都有着重要的用途。
随着科学技术的不断进步,高纯铟的应用范围还将继续扩大,为人类的生产生活带来更多的便利和发展。
高纯度电解钴高纯度电解钴是一种具有重要应用价值的金属材料,其纯度要求高于一般的电解钴。
高纯度电解钴在许多领域都有广泛的应用,例如电池工业、化工工业、冶金工业等。
本文将从高纯度电解钴的制备方法、性质特点以及应用领域等方面进行探讨。
一、高纯度电解钴的制备方法高纯度电解钴的制备方法主要有两种:电解法和化学法。
1. 电解法电解法是通过电解过程将含有钴离子的溶液中的杂质去除,从而得到高纯度的钴金属。
具体步骤如下:将含有钴离子的溶液作为电解质,分别作为阳极和阴极,通过外加电压进行电解。
在电解过程中,钴离子会在阴极上还原成为钴金属,而杂质则会在阳极上析出或被氧化。
通过控制电解条件,如电压、电流密度和电解时间等,可以实现对钴金属纯度的控制。
2. 化学法化学法是通过化学反应将含有杂质的钴化合物转化为高纯度的钴金属。
具体步骤如下:选择一种适当的钴化合物作为原料,如钴盐或钴矿石。
然后,通过一系列的化学反应,如溶解、沉淀、还原等,将钴化合物转化为纯净的钴金属。
在化学反应过程中,需要控制反应条件,如温度、pH 值、反应时间等,以确保得到高纯度的钴金属。
二、高纯度电解钴的性质特点高纯度电解钴具有以下几个性质特点:1. 纯度高:高纯度电解钴的纯度要求高于一般的电解钴,通常要求纯度在99.9%以上。
高纯度的钴金属可以提供更好的物理和化学性能,适用于更多的应用领域。
2. 密度大:高纯度电解钴的密度较大,约为8.9克/立方厘米。
这使得高纯度钴具有较高的强度和硬度,可以用于制备耐磨、耐腐蚀的材料。
3. 熔点高:高纯度电解钴的熔点较高,约为1495摄氏度。
这使得高纯度钴具有较好的耐高温性能,可以在高温环境下使用。
4. 导电性好:高纯度电解钴具有良好的电导率,是一种优良的导电材料。
这使得高纯度钴在电子元器件、电池等领域有广泛的应用。
三、高纯度电解钴的应用领域高纯度电解钴在许多领域都有广泛的应用,下面列举几个典型的应用领域:1. 电池工业:高纯度电解钴是锂离子电池和镍氢电池等新型电池材料的重要组成部分。
高纯铌的用途
高纯铌是一种具有极高纯度的铌金属,广泛应用于多个高科技领域,其主要用途包括:
1、航空航天工业:
1高纯铌因其优异的耐高温和高强度性能,常被用于制造高性能航空发动机和火箭发动机的高温部件,如铌合金的涡轮叶片、喷嘴和燃烧室零件。
2、原子能工业:
1铌在核反应堆中有重要应用,高纯铌因其良好的耐腐蚀性、高熔点和低中子吸收截面(铌的中子吸收截面为0.0001 barns),常用于制造核燃料元件的包壳材料和反应堆结构材料。
3、电子工业:
1在超导技术领域,高纯铌是NbTi和Nb3Sn等超导合金的重要原料,这些合金被广泛用于制造超导磁体,如MRI设备中的主磁体和粒子加速器中的磁铁系统。
4、光学与光电子行业:
1高纯铌因其良好的光学和物理性质,可以用于制造特定的光学元件和光电设备。
5、真空镀膜:
1高纯铌可以用于真空镀膜技术中,作为高质量的镀膜材料,用于生产光学镜片、半导体元件的表面涂层以及科学研究中的特殊靶材。
6、高温结构材料:
1高纯铌在极端温度环境下仍能保持良好的机械性能,因此也用于制造高温炉的支撑结构和容器。
7、医疗与生物医学领域:
1尽管不如钛金属那样常用,但铌在一些生物相容性应用中也有潜力,如植入器械的制造。
总之,高纯铌由于其优良的物理化学性能,在高科技和高端制造业中具有不可替代的地位。
高纯度金属的制备与应用金属是重要的工业原材料,被广泛应用于制造汽车、航空航天、电子产品等领域。
而高纯度金属则是一种特殊的金属材料,具有极高的纯度和良好的物理性能,被广泛应用于半导体、光电子、核工程等领域。
本文将介绍高纯度金属的制备方法和应用领域。
一、高纯度金属的制备方法金属从矿石中提取出来后,通常需要经过多次的冶炼和精炼才能得到高纯度金属。
高纯度金属的制备方法因金属种类和用途不同而有所区别。
下面介绍一些常用的高纯度金属制备方法。
1. 熔融电解法熔融电解法是一种常用的制备高纯度金属的方法。
该方法将金属熔融后,通过电解的方式将杂质分离出来。
该方法可用于制备钨、铜、铁等金属。
2. 气相沉积法气相沉积法是一种制备高纯度金属薄膜的方法。
该方法将金属材料加热到高温后,通过气体扩散或反应沉积在基材上。
该方法可用于制备铝、锡、镍等金属薄膜。
3. 水热法水热法是一种制备高纯度氧化物金属的方法。
该方法将金属盐在水热条件下加热反应,形成高纯度氧化物金属颗粒。
该方法可用于制备氧化铝、氧化镁等金属氧化物。
二、高纯度金属的应用领域1. 半导体领域高纯度金属是半导体工业中不可或缺的材料。
在芯片制造过程中,高纯度金属可以用于制造线路、电极和金属导线等。
例如,高纯度铝可用于制造抗电子束辐射掩膜,高纯度硅可用于制造晶体管和太阳能电池。
2. 光电子领域高纯度金属在光电子领域中也有广泛的应用。
例如,高纯度金属可用于制造光纤、激光器、光电二极管、光伏电池等。
其中,高纯度银可用于制造反射镜和导电膜,高纯度锗可用于制造红外探测器和光谱仪。
3. 核工程领域高纯度金属在核工程领域中也有重要的应用。
例如,高纯度铀可用于制造核燃料,高纯度锆可用于制造核反应堆包层材料。
此外,高纯度金属还可用于制造防护装置和辐射探测器等。
三、总结高纯度金属的制备和应用领域涉及多个学科和领域,包括化学、物理、半导体、光电子、核工程等。
随着科技的进步和工业技术的不断发展,高纯度金属的应用领域将不断扩大,成为推动各个领域发展的重要材料。
高纯度铝制备技术与应用研究进展文章主要介绍了高纯度铝的定义、应用领域,以及生产高纯度铝的主要方法的工作原理和技术特点,包括三层液电解法和偏析法。
通过对这两种工艺方法的基本原理进行了较为详细的描述和比较,对国内高纯度铝生产技术及应用现状进行了总结分析,对未来实现高纯铝高效环保生产进行了展望。
高纯铝;三层液电解法;偏析法;应用引言根据国内相关标准(YS/T 275-2018高纯度铝锭、YS/T 665-2018重熔用精铝锭)和纯度划分,纯铝可以分为原铝、精铝、高纯铝,其纯度范围分别为99wt%~99.85wt%、99.9wt%~99.996wt%、高于99.999wt%,为了便于描述,本研究将原铝、精铝、高纯铝统称为“高纯度铝”。
由于铝中杂质元素极低,高纯度铝的纯度级别通常采用“N”(英文Nine的首字母)来描述。
例如,杂质元素的总和等于10 ppm,其纯度为99.999wt%,即5N;含有5 ppm杂质的金属具有99.9995wt%的纯度,因此将纯度描述为5N5。
各国对高纯度铝的定义有不同的标准,比如美国将不同纯度的铝分为5种,而中国分为3种,日本和俄罗斯也分为3种,其他国家高纯度铝的纯度范围均区别于中国标准[1-3]。
以下对高纯度铝的应用和生产技术特点进行介绍。
1 高纯度铝的下游应用纯度越高的铝,具有更加优异的高导电性、高导热性、低磁导率、低温力学性能等等[4-7],可应用于制造电解电容器、半导体器件、超导体、金属溅射靶材等高科技产品[8,9]。
随着高端制造业的发展以及日渐严苛的环保政策,高纯度铝(包括精铝、高纯铝)的需求不断增长,同时对高纯度铝的纯度、提纯效率、能耗指标的要求也越来越高。
5N以下高纯度铝主要应用于制造电解电容器[1]。
对于纯度3N8~4N8的高纯度铝,超过总量的75%被用作电解电容器用铝箔,其中阳极箔的纯度要求为99.95%,阴极箔的纯度要求为99.998%。
铝电解电容器在各种产品和技术中都有广泛的应用,其中包括轨道车辆、荧光灯和视频设备[8]。
在当今的工业发展中,稀有金属材料的重要性越来越突出,其中6n级以上超高纯稀有稀散金属尤其备受关注。
它们在电子、光电、航空航天等领域具有广泛的应用前景,但由于其在自然界中含量极少,因此必须通过精细制备技术来获取。
本文将针对6n级以上超高纯稀有稀散金属制备技术进行深入探讨。
1. 前言稀有稀散金属指的是在自然界中含量非常低的金属元素,如铱、铌、钽等。
而6n级以上的超高纯度则意味着其纯度达到99.9999%以上,具有非常高的纯净度。
这些金属材料在航空航天、电子元器件等领域有着重要的应用,因此其制备技术至关重要。
2. 制备技术(1)晶体生长技术6n级以上超高纯稀有稀散金属的制备技术之一是晶体生长技术。
通过提纯和晶体生长过程,可以获得高纯度的稀有金属材料。
晶体生长技术包括单晶生长、多晶生长等多种方法,可以有效提高金属材料的纯度。
(2)化学还原法除了晶体生长技术外,化学还原法也是制备6n级以上超高纯稀有稀散金属的重要方法。
化学还原法通过化学反应来实现原料的提纯和金属的提取,其操作简单、成本低廉,因此受到越来越多的关注。
(3)物理气相沉积法物理气相沉积法也是一种重要的制备技术。
通过控制气相中金属原子的沉积来获得高纯度的金属材料,这种方法具有生产效率高、操作简便等优点。
3. 应用前景6n级以上超高纯稀有稀散金属在电子、航空航天等领域有着广泛的应用前景。
以铌为例,其在制造高温合金、核能材料等方面具有独特的优势,因此在航空航天领域有着重要的应用价值。
铱等稀有金属材料也在电子元器件、光电器件等领域有着重要的应用。
4. 个人观点6n级以上超高纯稀有稀散金属制备技术是当前稀有金属材料研究领域的热点之一,其在提高材料纯度、改善材料性能等方面具有重要意义。
在未来的发展中,我们需要进一步深入研究这些制备技术,不断提高金属材料的纯度和稳定性,以满足不同领域对高端稀有金属材料的需求。
总结:6n级以上超高纯稀有稀散金属制备技术是当前工业技术研究的热点之一,其制备技术包括晶体生长技术、化学还原法、物理气相沉积法等多种方法,具有广泛的应用前景。
高纯金属材料高纯金属材料是指金属材料中纯度较高的一类材料,通常指的是金属元素的纯度达到99.995%以上的金属材料。
高纯金属材料具有优异的物理化学性能,被广泛应用于电子、航空航天、医疗器械等领域。
本文将就高纯金属材料的特点、应用领域以及制备方法进行介绍。
首先,高纯金属材料具有优异的导电性和热导率,能够满足现代电子器件对材料纯度的要求。
在集成电路、半导体器件等领域,高纯金属材料的应用广泛。
其次,高纯金属材料还具有良好的化学稳定性和耐腐蚀性,能够在恶劣的环境下保持稳定的性能,因此在航空航天领域得到了广泛的应用。
另外,高纯金属材料还具有良好的机械性能,能够满足医疗器械对材料纯度和稳定性的要求,因此在医疗器械领域也有重要应用。
高纯金属材料的制备方法主要包括化学法、电化学法、物理法等。
化学法是指利用化学反应将金属从其化合物中提取出来,然后经过精炼、纯化等步骤得到高纯金属材料。
电化学法是指利用电解等方法将金属从其溶液中析出得到高纯金属材料。
物理法则是指利用物理手段对金属进行提纯,如蒸馏、凝固等方法得到高纯金属材料。
除了以上提到的特点和制备方法,高纯金属材料还有许多其他特点和应用领域,如超导材料、光电子材料等。
总的来说,高纯金属材料在现代工业和科技领域有着不可替代的地位,其优异的性能和稳定性为现代科技的发展提供了重要支撑。
综上所述,高纯金属材料具有优异的物理化学性能,被广泛应用于电子、航空航天、医疗器械等领域。
其制备方法多样,包括化学法、电化学法、物理法等。
高纯金属材料的应用领域广泛,对现代工业和科技的发展起着重要作用。
希望本文能够对高纯金属材料有所了解,并为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
高纯金属技术及应用高纯金属材料概述1.1高纯金属材料的定义金属材料的纯度是相对于杂质而言的。
广义上杂质包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。
但是,只有当金属材料纯度极高时,物理杂质的概念才是有意义的。
因此生产上一般仍旧以化学杂质的含量作为评价金属材料纯度的标准,即以主金属材料减去杂质总含量的百分数表示,常用N(nine 的第一个字母)代表,如99.9999%写为6N,99.99999%写为7N。
此外,半导体材料还用载流子浓度(atom/cm3)和低温迁移率(cm2V-1S-1)表示纯度,金属材料用剩余电阻率RRR和纯度级R(Reinheitgrad)表示纯度,其中RRR=p298k/p4.2k( 式中p为金属材料在常温和液氦温度4.2 k以下的电阻值),R=﹣[lg(100-W)](式中W为主体金属材料含量,如某金属材料为99.999%,则R=﹣[lg(100-99.999)]=3)。
国际上关于纯度的定义尚无统一标准,实际上“高纯”只有相对含义,是目前技术上所能达到的标准。
随着提纯技术和检测水平的提高,金属材料的纯度在不断提高,例如,过去高纯金属材料的杂质为ppm级(百万分之几),而超纯半导体材料的杂质达ppb级(十亿分之几),并逐步发展到ppt级(一万亿分之几)。
同时,各个金属材料的提纯难度不尽相同,如半导体材料中硅、锗称9N上为高纯,而难熔金属材料达6N以属于超高纯。
高纯金属主要用于电子化工材料和特殊合金材料,随着大规模集成电路的发展,计算机等电子、电器制品市场的迅速扩展,高纯金属的市场需要量不断增长,高纯金属是一种制备高纯试剂及标样配置的基体材料,同时还可应用于制备磁记录材料、磁传感器材料、光电材料和集成电路、氢化催化、大规模集成电路、原子反应堆保护材料、生物材料、航空发动机、低膨胀合金等高技术领域。
随着高新技术的发展,多种金属已作为高新技术的战略物资,并要求将其提纯至非常高的纯度,高纯、超高纯金属的制备、特性及应用在现代材料科学和工程领域中属于新型的不断增长的领域。
近年来,随着经济建设的快速发展,高强高导高纯金属及氧化物需求量将会大幅增加,性能和质量要求越来越高,高纯金属是提升国家地位的载体,是一个国家科学技术发展水平的重要标志。
综观全世界,高纯金属产业已经渗透到国民经济、国防建设和社会生活的各个领域,支撑着一大批高新技术产业的发展,对国民经济的发展具有举足轻重的作用,成为各个国家抢占未来经济发展制高点的重要领域。
主要发达国家都十分重视高纯金属产业投入和发展。
美国政府在1991至1995年的《国家关键技术报告》中就将材料科学与技术列为重要的研究领域。
德国自1994年就启动了跨世纪国家级高纯金属研究计划,进入21世纪后,德国在9大重点发展领域均将高纯金属列为首位,通过开发高纯金属以确保资源和环境;德国还将纳米技术列为科研创新的战略领域。
日本把开发高纯金属列为国家高新技术的第二大目标,认为高纯金属技术是推动21世纪创新和社会繁荣的主导力量。
金属的纯度是相对于杂质而言的,广义上杂质包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。
但是,只有当金属纯度极高时,物理杂质的概念才是有意义的,因此生产上一般仍以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准,即以主金属减去杂质总含量的百分数表示,常用N(nine的第一字母)代表。
如99.9999%写为6N,99.99999%写为7N。
此外,半导体材料还用载流子浓度和低温迁移率表示纯度。
金属用剩余电阻率RRR和纯度级R表示纯度。
国际上关于纯度的定义尚无统一标准。
一般讲,理论的纯金属应是纯净完全不含杂质的,并有恒定的熔点和晶体结构。
但技术上任何金属都达不到不含杂质的绝对纯度,故纯金属只有相对含义,它只是表明目前技术上能达到的标准。
随着提纯水平的提高,金属的纯度在不断提高。
同时各个金属的提纯难度不尽相同,如半导体材料中称9N以上为高纯,而难熔金属钨等达6N已属超高纯。
1.2高纯金属材料的性质1.3高纯金属材料的应用1.4高纯金属材料的发展状况高纯金属材料提纯制备方法高纯金属制取通常分两个步骤进行,即纯化(初步提纯),和超纯化(最终提纯)。
生产法大致分为化学提纯和物理提姓两类。
为获高纯金属,有效除去难以分离的杂质,往往需要将化学提纯和物理提纯配合使用,即在物理提纯的同时,还进行化学提纯,如硅在无坩埚区熔融时可用氢作保护气,如果在氢气中加入少量水蒸气,则水与硅中的硼起化学反应,可除去物理提纯不能除去的硼。
又如采用真空烧结法提纯高熔点金属钽、铌等时,为了脱碳,有时需要配人比化学计量稍过量的氧,或为脱氧配人一定数量的碳,这种方法又称为化学物理提纯。
物理提纯法物理方法—利用蒸发、凝固、结晶等物理现象提纯该法多采用真空技术,主要方法:真空精馏电弧熔炼电子束熔炼区域熔炼;电迁移1.1提纯法1.2 区域熔炼提纯法● 1 区域熔炼的基本原理●分凝效应●区域熔炼原理●真空区域提纯●§2 区域熔炼的工艺过程●电子束悬浮区域熔炼●水平区域熔炼●区域熔炼方法:●水平熔炼,悬浮熔炼;●加热方法:●感应加热,电子束加热,电阻加热●系统气氛分为:●真空熔炼,保护气氛熔炼1.3 真空熔炼提纯法1.4 真空精炼高温真空精炼高温真空精炼用于对还原法或电解法得到的金属进行提纯,精炼过程有两种类型:1、金属以气相挥发—冷凝---纯金属锭。
(真空蒸馏)2、杂质以气相挥发---金属熔体纯化---纯金属锭。
(真空熔炼)金属中的杂质主要存在形式:1、C、N、O、H、等与金属形成固溶体存在金属中。
2、以化合物或单质的形态成单独相纯在。
3、以表面吸附形态存在。
除去途径:1、吸附气体解析;2、化合物解离析出气体杂质;3、提高温度,以减小挥发性杂质的溶解度,杂质挥发。
高温真空精炼方法高温真空精炼方法按加热方式可分为四种:1、真空电弧熔炼;2、电子束熔炼;3、等离子熔炼;4、真空感应熔炼按工艺特点可分为五种:1 、真空电弧熔炼法;2、真空电子束熔炼;3、等离子束熔炼;4、凝壳熔炼;5、充气电渣熔炼1.6 悬浮区熔提纯法1.7 氢等离子弧熔炼法1.8 其他物理提纯法2 化学提纯制备方法化学方法--根据化学反应过程分离杂质的方法湿法:离子交换;溶剂萃取;选择性吸附;沉淀;电解;电渗析;电泳;离子溶液电解等。
火法:高温真空熔炼;熔盐电解等。
2.1 电解精炼法2.2 离子交换膜电解法2.3 离子交换法2.4 溶剂萃取法2.5 萃取色层法2.6 其他化学提纯法高纯金属材料分析方法1.1 高纯金属材料的纯度分析原则1.2 高纯金属材料纯度的玷污控制1.3高纯金属材料纯度的化学分析方法高纯金属与化合物的化学成分分析方法:化学成分分析的方法很多,如:容量分析、重量分析、比色分析、光谱分析、质谱分析、荧光分析等。
前三种方法主要用于常规分析,检测下限约在0.1%--0.01%。
后几种方法为仪器分析,检测下限根据设备精度的不同差别较大,一般为0.001%--0.0001%,高精度设备可达到0.000000000001%(10-12)。
因此,对高纯金属的单位,就化学成分分析而言,高精密仪器是必要的条件。
全谱直读等离子发射光谱仪1优点:1、检测一个样品中的多种元素,应为各元素分别发出自己的特征谱线。
2、分析速度快(几分钟内同时分析多元素),选择性好(由于各元素的光谱特征性强,可用于分析化学性质相近的元素),样品用量小。
3、检测线低,(0.1-1ug/g,绝对值为10-8-10-9g)。
缺点:1、只能用于元素分析,不能测定物质结构、形态。
2、大多数非金属元素难以得到灵敏的光谱线。
Contra300/700连续光源高分辨原子吸收光谱仪(德国)优点1、检测限低(10-9-10-10 g)2、用于中和高含量元素分析时相对误差小于1%(发射光谱远大于此值)。
3、可测70多种元素,不仅能金属元素,还可测非金属元素和有机化合物。
X射线荧光分析仪特点1、用于分析原子序数为11-92的元素。
2、分析精度在百万分之一数量级。
检测晶格缺陷的主要方法X射线衍射分析(XRD)用于研究物质的晶体组织、结构、缺陷和成分。
扫描电子显微镜(SEM)放大倍数高达50万倍,二次电子像的分辨率达0.1um,用于晶体组织、结构和缺陷,便于观察结晶状态。
透射电子显微镜(TEM)方便的研究晶体中的位错、层错、晶界和空位团等缺陷。
是研究材料微观组织的有力工具。
.4超纯金属材料纯度的物理测定方法高纯度的表示方法1 主金属减去杂质总含量的百分数表示Me为主金属,杂质为Me1,Me2,…,Men,则Me的纯度为:(Me-∑Me i)/Me×100%(mass,atom,..)意义:以金属中杂质约束金属纯度。
为简化表示,以N代表9的个数,如:99.9998%可表示成5N8。
2 以纯度的等级R表示R=-[lg(100-Me)]Me---主体金属含量例如:主体金属含量为8N,则称该金属纯度为6级。
R=-[-lg(100-99.999999)]=63.金属的剩余电阻率RRR表示纯度RRR = ρ 298k/ ρ4.2kρ298k-----金属在298K温度下的电阻率ρ4.2k-----金属在4.2K温度下的电阻率该种方法主要用于超导所用材料的纯度评价。
⏹ 4 、半导体材料的纯度表示方法⏹半导体材料还可以用载流子浓度atom·cm3⏹和低温迁移率cm2·v-1·s-1表示浓度。
典型高纯金属的制备方法1 高纯铝⏹定向凝固⏹该法主要通过使冷却面连续凝固来制取高纯铝。
按不同的冷却、凝固方式分:⑴冷却管凝固法;⑵底部凝固法;⑶侧壁凝固法;⑷上部凝固拉晶法;⑸横向拉晶法等。
不管哪种方式都如前面所述那样,在如何使扩散层变薄方面专业人员曾进行过大量研究,且申请了不少专利。
定向凝固法与分步结晶法相比,精炼效率极低,主要原因是受有效分配系数控制。
因而为了得到预期杂质浓度的产品,通常需要用同一工序重复进行2~3次提纯加工。
不同的高纯铝提纯工艺对比⏹( 1 ) 三层液电解法⏹三层液电解法由Hoopes 于1901 年发明,迄今已有一百多年的历史。
三层液电解法在精铝的提纯中应用较广,提纯精度较高,生产效率也可以。
但其能耗非常高。
尽管如今大多数公司还在应用,但是利润不高的弊端,使他们不得不考虑采用其它更有效的方法。
其提纯精度可以达到4N 以上。
⏹该槽的外壳由钢板焊成,底部铺以碳块、阳极棒与保温材料,侧壁筑砌以耐火镁砖。
阳极合金(底层)为含约33%Cu的共晶成分的铝熔体。
此成分合金的熔点最低,只有548℃,铜的浓度为33土3%,在电解温度时的密度为3000kg/m'。
在槽的一端设有一个较大的通口,一方面用于添加原料与更换AI-Cu合金熔体,另一方面可从此口扒出底部积存的炉渣。