Vishay SiIiconix推出MOSFET超低导通电阻
- 格式：pdf
- 大小：1.72 MB
- 文档页数：2
文档推荐
-
P沟道低导通电阻MOSFET系列页数:2
-
具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET页数:1
-
低导通电阻贴片MOS页数:2
-
导通电阻为零的模拟开关页数:1
下载文档原格式
合集下载
Vishay推出第三代功率MOSFET
Ｗｉ ｉｅ ｉ ｘ ｎ Ｒ ｖｒ ｎ 是风 河的 商用级Ｌｎ ｘ ｄ Ｌ ｕ ｉ ｕ 操 作 系统 ，其 最新 版 本 中 引入 的 ｗｉｄ ｎ Ｒｖ ｒ ｙ ｅｖｓｒ ｉ ｐ ｒｉ ￣术 ，实现 了硬件可 视 ｅｈ ｏ 化 功 能 。 此外 ，风 河还 将 为ＨＵＧＨＥ ｓ Ｔｌ ｔｓ ｅ ｍａｃ的软 件开发 团队提 供覆盖 整个 ｅ ｉ 开发 进程 的专业服 务和技 术 支持 。
Ｉ 资讯快报 Ｉ ｅ ｓ ｒｄ ｃｓ ｈ ｗ ｗ ＆Ｐｏ ｕ ｔＳ ｏ Ｎ
Ｖｉｈ 推 出第 三代 功 率 ａｙ Ｓ
ＭＯＳ Ｅ ＦＴ
国微 芯 科 技 公 司 ）宣 布 推 出ｍＴ ｕ ｈ ｏ ｃ
电感 式触 摸 传 感技 术 。这 对 其 电容
式 触 摸传 感 解 决 方案 是一 种 互补 。
比 ，这 些规 格 表示 在４５ ． Ｖ及 １Ｖ时导 通 ０ 电阻 分别 降低 ２％ 与２ ． ，Ｆ ３ ２％ ５ ＯＭ降 低 ２ ％。 更低 的导 通 电阻及 栅 极 电荷意 味 ７ 着更 低 的传导 损耗 及切 换损 耗 。
网址 ：ｗｗｗ．ｉ ａ ， ｏ ｖｓ ｙｃ ｍ ｈ
完 善 ，如 今 已 经 形 成 了一 套 完 整 的 产
（ｅ ｍ ｔｓ 系统基础 平台 ，与其车载 Ｔｌ ａｃ） ｅ ｉ 信息 系统控 制单 元 （ Ｃ ）相 结合 ，为 Ｔ Ｕ
汽车驾驶员提供全方位的信息资料。
Ｈ Ｂ ＲLeabharlann Ｈ Ｒ寸 Ｕ Ｅ ＋ Ｕ ＮＥ 身频功 率
开关
Ｈ Ｅ ＋ ＵＨ Ｒ目前 推 出 全新 ＵＢ Ｒ Ｓ ＮＥ 的 射 频 功 率 开 关 系列 产 品 ， 它巧 妙 的 结 构 使 得 用 户 可 以轻 松 地 实 现 机 械 控 制 式 的 信 道 切 换 。 其 中 ，Ｎ型 和 Ｔ ＮＣ
Vishay Siliconix推出
Vishay Siliconix推出
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。
器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。
这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半。
SiA433EDJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和65mΩ。
在4.5V和2.5V下，这些数值比最接近的竞争器件小40%和30%。
新的MOSFET也是唯一同时具有12V栅源电压和可在1.8V额定电压下导通的20V器件。
这样就可以将该器件用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压导致的更高栅极驱动电压波动的应用，同时在采用更低输入电压的应用中提供更安全的设计。
SiA433EDJ可以用作手持设备，如手机、智能手机、PDA、MP3播放。
Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，该器件具有与该公司600V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。
新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。
Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超级结技术，为采用高性能平面技术的Vishay现有500V D系列器件补充了高效率产品。
这些25A器件的导通电阻为145mΩ ，提供TO-220 (SiHP25N50E)、TO-247AC (SiHG25N50E)和细引线的TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E)等多种封装选项，这些低外形封装适用于薄型消费类产品。
新的MOSFET具有57nC的超低栅极电荷，栅极电荷与到导通电阻乘积也较低，该参数是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。
与Vishay的600V和650V E系列器件类似，500V技术具有低导通电阻和优化的开关速度，能够提高功率因数校正(PFC)、双开关正激转换器和反激转换器应用里的效率和功率密度，器件符合RoHS，可承受雪崩和开关模式里的高能脉冲，保证极限值通过100% UIS测试。
器件规格表：器件ID (A) @25 °CRDS(on) (mΩ)@ 10 V(最大值)QG (nC)@ 10 V(典型值)封装SiHG25N50E2514557TO-247ACSiHP25N50E2514557TO-220SiHA25N50E2514557细引线TO-220 FULLPAK。
Vishay两大产品份额全球第一：200V以下MOSFET和精密电阻
Vishay两大产品份额全球第一：200V以下MOSFET和精密电阻Vishay两大产品份额全球第一：200V以下MOSFET和精密电阻高端观点：整流二极管是LED照明驱动电源的一个重要发热点Vishay的钽电容和薄膜电容开发都偏向比较高功率的产品为主Vishay钽电容的优势就是可以提供比较大容量的电容和相对比较小的体积发展趋势：2012年Vishay还是专注于新能源、汽车电子和医疗电子市场热点市场是新能源，包括太阳能、风能，还有LED照明Vishay(威世)公司可说是全球分立半导体和无源电子元件供应界的常青树，历经50年风风雨雨的考验，一直以高可靠性和信赖性的产品品质和领先的产品技术傲立于世。
今天，Vishay不仅是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一，而且在200V以下MOSFET和精密电阻供应市场无人能出其右。
目前Vishay供应的元器件可广泛应用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗电子市场中几乎所有类型的电子设备。
展望未来，Vishay期望凭借其出色的产品创新能力、以及“一站式”的收购战略和服务成为全球业界领先者。
为了帮助读者更深地了解Vishay目前的市场竞争优势、未来的产品创新方向及其“一站式”发展收购战略，本刊特别采访了Vishay中国及香港地区高级销售总监卢志强和Vishay亚洲区事业发展部总监杨益彰。
问：目前Vishay 在MOSFET市场的供应优势是什么?杨益彰：在200V以下MOSTET领域，我们是世界第一供应商，我们的市场份额占据绝对优势。
现在我们除了做200V 以下MOSFET之外，还将MOSFET家族产品延伸到600伏和650伏，它们是采用了称为Super Junction技术的MOSFET，性能非常好，英飞凌也有类似的产品，但我们跟他们做得肯定不一样，这是我们自有的技术，我们自信它们的性能会高于目前市场上的平均水平。
超低导通电阻MOSFET
１２Ｇ Ｐ ／ 入可 将 Ｉ０ 量 锐 减一半 ，从 新 产 品 支 持 音 频 回 传 通 道 （ Ｒ Ｃ） 、 ．５ Ｓ Ｓ ￣ ／数 Ａ 率 下实 现 高性 价 比和 高 效率 的设 计 ，
Ｑ系 列 和 Ｈ 系 列 则 适 用 于 ８ ｋＨ ｚ 上 的 ０ 以
而可降低Ｆ ＧＡ成本，简化 电路板布线； Ｐ
速 配 双 工 （ Ｍ Ｑ ｕ ｉＣ ｋ ａ ｔｅ
ｍ ｉ：ｂ ｓｎ ｓ ａｉ＠ｖｓ ａ ＣＩ ａｌ ｕ ｉｅｓ ｓａ ｉｈ ｙ．０Ｉ １
ｔ ／ｗｗｗ． ｉ ｈａ ． ｏ ｎ ｔ ／ ｐ： ｖｓ ｙｃ ｒ
ＤｕＰ ｅ ＱＭ Ｄ） 缆 连 接 器 采 用 创 ｌ ｘ， ＬＣ光
通道 功耗仅 为２ ０ ５ ｍＷ ，比 同类产 品功 率 标 准 ，包 括 支 持 大 屏 幕 电视 机 的 最 高
耗 降 低 ６ ％。此 外 ，ＤＡ Ｃ ４ ４ ５ ３ ８ 由于 采 用 分 辨 率 ４ ×２ Ｎ Ｄ电视 机 的 最 高 分 辨 Ｋ Ｋ＊ ３ ０ ３ １８ ｐ 多行ＱＦＮ封装 ，比其他４ 通道ＤＡＣ 解决 率 ６ Ｈｚ Ｄ ０ ０ 。此 外 ，其 他 消 费 电 音 视 方案 小４ ％，并 支持高达 ２ ０ Ｈｚ ０ ５ Ｍ 的宽 子 设 备 如 投 影 机 和 ＡＶ （ 频 ／ 频 ）接 Ｄ电 视 机 带 功 率 放 大 器 线 性 化 。具 有 更 高输 入 总 收 机 也 将 能 支 持 最 高 分 辨 率 ３ 线 的 Ｄ ３ Ｈ８ 或 双 通 道 Ｄ ３ ８ 可 支 所 要 求 的极 高 图 像 能 力 。Ｈ Ｄｐ ａ 还 完 ＡＣ ４ ４ ＡＣ ４ ２ ｌＹ
引脚 为低电平 ，使芯片进 入掉 电工作模
式 ，功 耗 电流 仅０ ４ Ａ。 ．
Ｈ ＤＰｌ ａＹ视 频 互 连 产 品 采 用 干 连 续 导 通 模 式 （ 升 压 式 功 率 因数 ＣＣＭ） Ｔｒ ｎ ｗｉｃ 美 商 传 威 专 有 的 ＨＤＰ 术 ， 校 正 （ ＦＣ 电路 ，并 在 硬 开 关 应 用 中 用 ａ Ｓ ｔｈ 技 Ｐ ）
Ｑ系 列 和 Ｈ 系 列 则 适 用 于 ８ ｋＨ ｚ 上 的 ０ 以
而可降低Ｆ ＧＡ成本，简化 电路板布线； Ｐ
速 配 双 工 （ Ｍ Ｑ ｕ ｉＣ ｋ ａ ｔｅ
ｍ ｉ：ｂ ｓｎ ｓ ａｉ＠ｖｓ ａ ＣＩ ａｌ ｕ ｉｅｓ ｓａ ｉｈ ｙ．０Ｉ １
ｔ ／ｗｗｗ． ｉ ｈａ ． ｏ ｎ ｔ ／ ｐ： ｖｓ ｙｃ ｒ
ＤｕＰ ｅ ＱＭ Ｄ） 缆 连 接 器 采 用 创 ｌ ｘ， ＬＣ光
通道 功耗仅 为２ ０ ５ ｍＷ ，比 同类产 品功 率 标 准 ，包 括 支 持 大 屏 幕 电视 机 的 最 高
耗 降 低 ６ ％。此 外 ，ＤＡ Ｃ ４ ４ ５ ３ ８ 由于 采 用 分 辨 率 ４ ×２ Ｎ Ｄ电视 机 的 最 高 分 辨 Ｋ Ｋ＊ ３ ０ ３ １８ ｐ 多行ＱＦＮ封装 ，比其他４ 通道ＤＡＣ 解决 率 ６ Ｈｚ Ｄ ０ ０ 。此 外 ，其 他 消 费 电 音 视 方案 小４ ％，并 支持高达 ２ ０ Ｈｚ ０ ５ Ｍ 的宽 子 设 备 如 投 影 机 和 ＡＶ （ 频 ／ 频 ）接 Ｄ电 视 机 带 功 率 放 大 器 线 性 化 。具 有 更 高输 入 总 收 机 也 将 能 支 持 最 高 分 辨 率 ３ 线 的 Ｄ ３ Ｈ８ 或 双 通 道 Ｄ ３ ８ 可 支 所 要 求 的极 高 图 像 能 力 。Ｈ Ｄｐ ａ 还 完 ＡＣ ４ ４ ＡＣ ４ ２ ｌＹ
引脚 为低电平 ，使芯片进 入掉 电工作模
式 ，功 耗 电流 仅０ ４ Ａ。 ．
Ｈ ＤＰｌ ａＹ视 频 互 连 产 品 采 用 干 连 续 导 通 模 式 （ 升 压 式 功 率 因数 ＣＣＭ） Ｔｒ ｎ ｗｉｃ 美 商 传 威 专 有 的 ＨＤＰ 术 ， 校 正 （ ＦＣ 电路 ，并 在 硬 开 关 应 用 中 用 ａ Ｓ ｔｈ 技 Ｐ ）
Vishay发布业内导通电阻最低的超小尺寸20V芯片级MOSFET
Vishay发布业内导通电阻最低的超小尺寸20V芯片
级MOSFET
宾夕法尼亚、MALVERN 2015 年 6 月19 日日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布采用高度0.357mm的芯片级MICRO FOOT® 0.8mm x 0.8mm封装的TrenchFET® 20V N沟道MOSFET---Si8824EDB。
Vishay Siliconix Si8824EDB是20V MOSFET中导通电阻最低的器件，尺寸为1mm2或不到0.7mm2，在智能手机、平板电脑、可穿戴设备、固态驱动器，以及助听器等便携式医疗设备中能够节省空间，降低功耗，并延长电池使用时间。
Si8824EDB适用于电源管理应用里的负载开关、小信号开关和高速
开关，具有极低的导通电阻，在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的导通电阻分别为75mΩ、82mΩ、90mΩ、125mΩ和175mΩ，比采用相同CSP封装的最接近的20V MOSFET最多低25%，比最接近的采用DFN 1mm x 0.6mm的20V器件最多低60%。
MOSFET的VDS为20V，具有ESD保护功能，能在1.2V下启动，加上低导通电阻，使这颗器件同时具有安全裕量大、栅极驱动设计更灵活、高性能的优点，可用于锂离子电池供电的应用。
Si8824EDB的导通电阻与面积乘积极低，只有40mΩ-mm2，比DFN 1mm2封装的最接近的20V MOSFET低28%，在移动应用里能够节。
Vishay推出具有超低前向压降的小型肖特基整
Vishay推出具有超低前向压降的小型肖特基整流器Vishay推出具有超低前向压降的小型肖特基整流器? 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型肖特基整流器--- MSS1P2U和MSS1P3U，在+85℃和+25℃时的前向压降分别只有0.35V和0.4V。
器件采用小型MicroSMP功率封装，额定电压分别为20V(MSS1P2U)和30V(MSS1P3U)，输出电流为1A，Vishay此次推出的新型器件的高电流功率密度和低热阻有助于实现节省空间的设计。
??MSS1P2U和MSS1P3U的MicroSMP封装尺寸只有2.7mmx1.4mm，厚度仅为0.68mm。
整流器的电流密度高达1A，用在笔记本电脑硬盘驱动器、液晶电视、桌面电视中的缓冲电路时，可以在更小的空间内输出更多的功率；可用做小型开关电源和适配器中的副边整流器；用于PMP、数码相机、MP3播放器、导航系统、GPS和手机等手持设备的极性保护；汽车和工业系统中的电源线和信号线的极性保护。
??MSS1P2U和MSS1P3U的峰值前向浪涌电流为30A，最高结温为+125℃。
这款整流器非常适合自动化贴装，符合MSL level 1和各级J-STD-020标准，LF最高峰值为+260℃。
器件符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC 规范，并符合IEC 61249-2-21的无卤素标准。
??MSS1P2U和MSS1P3U整流器现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为8周。
批量为1万片时的单价为0.04美元，批量为1万片～9.9万片时的单价为0.03美元，批量大于10万片时的单价为0.025美元。
??VISHAY简介?Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。
Vishay Siliconix推出尺寸极小的新款低压模拟开关
Vishay Siliconix推出尺寸极小的新款低压模拟开关
佚名
【期刊名称】《电子设计工程》
【年(卷),期】2011(019)014
【摘要】Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出3款新型单极双掷（SPDT）和双路的双极双掷（DPDT）CMOS低压模拟开关——DG2735A、DG2725和DG2599。
这些器件具有低工作电压和低导通电阻,采用小尺寸miniQFN封装,可在空间受限的便携式终端产品中用于音频、SIM卡和多功能信号切换。
【总页数】1页(P140-140)
【正文语种】中文
【中图分类】TN431
【相关文献】
1.Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET [J],
2.Vishay推出新款CMOS模拟开关和多路复用器 [J],
3.Vishay推出尺寸极小的新款低压模拟开关 [J],
4.Vishay Siliconix推出新款通过AEC-Q101认证的40VN沟道TrenchFET~功率MOSFET [J],
5.Vishay Siliconix推出新款模拟开关 [J],
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
4路模拟开关芯片 超低导通电阻
知识专题主题：探索4路模拟开关芯片超低导通电阻随着科技的不断进步，电子产品的功能和性能要求也越来越高。
在其中，模拟开关芯片作为电子产品中的重要组成部分，其性能的优劣直接关系到整个产品的质量和稳定性。
而4路模拟开关芯片超低导通电阻作为其中的重要类型，其在电子产品中的应用也越来越广泛。
本文将深入探讨这一主题，从不同角度对其进行全面评估，以便读者能够更全面、深入地了解这一领域。
1. 4路模拟开关芯片的概念和原理4路模拟开关芯片是指一种可以控制多路信号通路的芯片，其主要作用是实现信号的开关和切换。
而超低导通电阻则是指在其导通状态下，具有非常低的电阻值，能够实现更为精准和稳定的信号传输。
2. 4路模拟开关芯片超低导通电阻的应用领域这种类型的芯片主要应用于需要高性能、高精度信号传输的领域，比如医疗设备、通信设备、工业控制系统等。
其超低导通电阻可以保证信号传输的稳定性和准确性，从而提高整个系统的性能。
3. 4路模拟开关芯片超低导通电阻的性能优势相比于普通的模拟开关芯片，超低导通电阻的芯片在信号传输过程中具有更低的功耗和更高的稳定性，能够提供更高质量的信号传输效果，有助于提升整个系统的性能。
4. 4路模拟开关芯片超低导通电阻的发展前景随着电子产品对性能要求的不断提高，对信号传输精度和稳定性的要求也越来越高。
4路模拟开关芯片超低导通电阻在未来的发展前景十分广阔，有望在更多领域得到应用。
总结回顾：本文从概念和原理、应用领域、性能优势以及发展前景四个方面对4路模拟开关芯片超低导通电阻进行了全面探讨。
通过本文的阅读，读者可以更加深入地了解这一领域，并对其发展前景有着更为清晰的认识。
个人观点：在我看来，4路模拟开关芯片超低导通电阻的发展前景非常值得期待。
随着科技的不断进步，对信号传输精度和稳定性的要求会越来越高，而这一领域的技术正在不断地发展和完善，相信在不久的将来，这一领域会有更大的突破和进步。
通过本文的阐述，相信读者对4路模拟开关芯片超低导通电阻这一领域有了更深入的了解，也希望本文能为读者在相关领域的学习和工作带来一些帮助。
Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
度的人才政策 ， 为吸引人才聚集 ， 加快产业发展创造 条件 。 （ 来 自华芯半导体 ）
要 目标 。 （ 来 自威 世科 技 ）
博通 新推 两款卫星 电视机 顶盒入 门级单芯 片解决方案
博通 （ Ｂ ｒ ｏ ａ ｄ ｃ ｏ ｍ） 公 司 日前宣布推 出两款新型 卫星电视机顶盒 （ Ｓ Ｔ Ｂ）入 门级单芯片解决方案 。
据悉 ，华芯 ｗＬ Ｐ封测合作项 目正处于筹备 阶
段， 已经开 始 团队招 募 ， 吸 引和招 揽各 类 国际 化优 秀 管理 和 技 术人 才 ， 为此 ， 当地部 门还 出 台了各 种有力
Ｉ Ｂ Ｍ 公 司表示 ，基于石 墨烯 的集 成 电路制 造 的移 动
和可穿戴的计算设备，以比传统的硅半导体技术更 快速率 ， 更具成本效益和高功率的方式传输数据。 Ｉ Ｂ Ｍ声称其最新的芯片是采用片级石墨烯制造
的 最 先 进 的 全 功 能 集 成 电 路 ， 比 以 前 报 道 的好
Ｇ ｅ ｎ Ｉ Ｉ Ｉ 功 率 ＭＯ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 。Ｖｉ ｓ ｈ ａ ｙ Ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ ｉ ｘ Ｓ ｉ ７ １ ５ ７ Ｄ Ｐ在
一
１ ０ Ｖ和 一 ４ ． ５ Ｖ电压下 的导通 电阻分别低 至 ０ ． ０ ０ １ ６ ￣
２ ０ ２ ０年 发 展成 为 世 界先 进 水 平 的集 成 电 路 先 进 封 装 测试 产业 基地 。其 中 ，项 目一 期 总投 资 １ ． ５亿 美 元， 通 过群 成科 技 提供 先进 完 整 的 ＷＬ Ｐ工 艺技 术 授 权 ，建 设 完整 的封 装 测试 生产 线和 各类研 发 创新 设 施， 为 各类 Ｉ ｃ产 品 提供具 有 高性 价 比的先进 封 装测 试 服务 。各 项 前期 准备 工 作 已经大 规模展 开 ，计 划 于２ ０ １ ４年 ６月份 搬 人设 备 ， ９月 份试 产 。在 此 基 础 上， 项 目将 加快 引 进 Ｐ、 Ｔ Ｓ Ｖ、 ３ Ｄ等 先进 封装 技术 ， 保持 技 术 和产业 竞 争优 势 。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
通过采用６ｎ ５ ｍ工 艺 技 术 ， 该款 新
型ＧＥ Ｎ ＭＩ Ａｘ ｘＸＳＶ 芯 片组提 供 了业 ３
界最高 的集成度的方案 ，在一个 ｌ× ７ １ｍｍ的Ｂ 封 装 里 就能 容 纳 多达 ３通 ７ ＧＡ ６
道 的 数 据 泵 。 它 提 供 了 业 界 占 位 面 积 最 小 的Ａ Ｌ 片 ， 比现 有的 解 决方 案 ＤＳ 芯
子装 置 ， 平 板 电 脑 ，笔 记 本 电脑 和 车
Ｗ Ｍ３０ 由一 个单 一 的３ Ｖ的 电源 与 Ｌａ ｔｑ 近 发 布 的 ＶＤＳ ２ 片 组 １０ ． ３ ｎｉ新 Ｌ芯
ＮＡＸ Ｖ３ 基 于 相 同 的 硬 件 平 台 。 都 Ｖ ｍｓ 载 系统 ，Ｃ Ｒ 司丰 富的 产 品组 合实 现 供 电 ， 同时带 有 接地 参 考 立体 声２ ｒ ＶＩ Ｓ公
Ｅ Ｎ Ｘ Ｘ ＳＶ 的各种 系统 通常 可将 另一 个 产 品 特 征 为 宽 频 语 音 ， 它 用 要求 在一 个 小型 的 、高性 价 比的封 装 Ｇ Ｍ１Ａ Ｘ ３ ＳＡ ２０ ／ 在 所 有无 线附 件 中 显 著 提 升 了通 话 质 里 实现 高性 能 音频 质量 ，同时 又要实 现 Ｄ Ｌ Ｍ的功耗 降 低至少 ｌｏ。
ＣＳ 公司 日前发布下一代 连接平 Ｒ
台ＣＳ ０ ０ Ｒ８ ０ ，通 过 无 线 连 接 设 备提 高 音 质 并 扩 展 连 接 设 备 的 生 态 系统 ，包 括 新 兴 蓝 牙 低 功 耗 设 备 。 ＣＳ Ｒ的这 一
最 新 创 新 技 术 支 持 经 典 蓝 牙 、 蓝 牙 高 速 （３Ｏ和 蓝 牙 低 功 耗（４０，Ｆ ， ｖ． ） ｖ． ） Ｍ
了技 术 的 整 合 ，从 而 为 客 户提 供最 灵 输 出 和 立 体 声 差 分 输 入 ，并 支 持 在 正 由于 采用 了 几乎 完 全相 同 的ＡＤＳ ／＋ ２２
活 的方 式 ， 将 无 线 连 接 集 成 到 他们 的 相 和反 相 配 置 中的 立 体 声单 端 输 入 。
量 ，并提 升 了语 音Ｃ Ｅ ｓ ＯＤ Ｃ ，降 低 了背 外 部元件 最 少的最优 化配 置。 ” 景 噪音 及干 扰 。
圈址 ： Ｑ ｍ
网 士｝． ｗｗｗ． ｌｓ ｎ ｉｒ ｏ ｆ ｗｏｆｏ ｍ ｃｏｔ ｍ
Ｌ ｔｑ 出全 新 ＡＤＳ 芯 ａｎ ｉ 推 Ｌ
Ｖｉｈ …Ｃ０ｎ ｘ推 出 ａＹ Ｓ ｓ ｉ ＭＯＳ Ｅ超 低 导 通 电阻 ＦＴ
０ ｌ０ 以及 宽 带 语 音 。ＣＳ ８ ０ 产 品全 部 配 脚 来 控 制静 音 和 输 出模 式 。 Ｗ Ｍ３ Ｏ 缩 小 了大 约３％ 。更加 独 特之 处 是其 无 Ｒ ００
有ＤＳ Ｐ，使其客户可以提供￣ Ｃ Ｈ ＶＣ和 的 目标 应 用 就 是 那 些 要 求 线 路 电 平 输 与 伦 比 的 低 功 耗 ，可 使 系统 制 造 商 们
ａｔ ￣ 样 的音 频增 强 技术 。 ｐ－ ＿ Ｘ 出 、对 Ｐ Ｂ设 计 成 本 敏 感 以 及要 求 最 能 以 比欧盟 的Ｃｏ ，对 宽带 通 信基 础 Ｃ Ｃ中
设施 设 备 所提 出的功 耗 限 制低 ２％来 构 Ｏ
基 于Ｃ Ｒ ００ 台的 前 四种 产品 可 少 的外 部 元 件 的 应 用 ，如 数 字 电 视 、 Ｓ Ｓ０ 平
ＤＳ 系统 。 满 足 各 种 层 次 无 线 装 置 的 需 要 。从 最 ＤＶＤ录像 机 、 蓝光 播 放 器 、游 戏 机 以 ￣Ａ Ｌ 基 本 的手 机 到 智 能 手 机 ，再 到 消 费 电 及 机顶 盒 等 。 ＧＥ Ｉ Ｍ ＮＡＸ ｘＸＳ Ｖ３ 数 据 泵 的
蓝 牙 低 功 耗 芯 片 进 行的 线卡通 常 只 Ｓ， ￣
２ Ｅ Ｎ ＸＸ ＳＶ 欧 胜 音频放 大器 和转换 器 的产 品线 支持 ７通 道 ，而新 型Ｇ ＭＩ Ａ Ｘ ３
ａｉ Ｂ ｏ ｎ ｄ 欧 １０ ６ 能 与 双 模 “ 典 ” 蓝 牙 设 备 通 信 ， 作 经理 Ｄ ｖ ｒｗ 说 ： “ 胜 的ＷＭ３０ 则 可实 现在 一 个线 卡上 支 持９或 更 多通 经 为 传感 器信 息 的收 集装置 。 是 一 系列应 用 的理 想解 决方 案 ，这 些应 道 系统 的设 计 。与现 有 设 备相 比 ，采用
设 计与 产 品 中。
固 件 和 应 用 程 序 接 口（ Ｉ， 系 统 供 ＡＰ ）
Ｌ 其 立 体 声 高 性 能 输 出放 大 器 能 够 驱 动 应 商 们 因 此 具 备 了 重 复 利 用 ＡＤＳ
Ｃ Ｒ ０ ０ 接 平台产 品能 够 用于 与 多样 化 的 音 频 负 荷 ， 同 时 内 置 的 电 荷 和 Ｖ Ｄ ＳＬ线 卡 开 发 成 果 的 能 力 。 Ｓ ８ ０连 手 表 ，心 率监 测 仪 以 及 训 练 器 等单 模 泵 能够 为 接地 参考 输 出产 生 负电 源。
Ｃ
Ｉ 资讯快报 Ｉ ｅ ＆Ｐｏ ｕ ｔＳ ｏ ｗｓ ｒｄ ｃｓ ｈ ｗ Ｎ
ＣＲ Ｓ 发布Ｃ Ｒ０ ０ 接平台 Ｓ８０＂ ￣
窝
一
其 不断 扩 大 的 音 频 放 大 器 产 品 系 列 又 Ｘ Ｓ ３ Ｘ 芯片 组进 一步降 低 了宽带接 入 网 Ｖ
添 最 新 成 员 ：一 款 极 富 创 新 的 高 性 能 络 的资本 支 出和运营 成本 。
２ ｒ 立 体 声线 路驱 动器 ＷＭ３ ０ 。 Ｖ ｍｓ ０ １
Ｗ Ｍ ３ ０ 一 个 小 小 的 １ 引 脚 １ 在 ０ ４ Ｓ Ｃ 装 里提 供 了 １８ Ｂ 噪 比（ＮＲ ＯＩ 封 ｄ信 ０ Ｓ ）
和 一５Ｂ 谐 波失 真加 噪 音（ＨＤ Ｎ 这 ９ｄ 总 Ｔ ）
样 卓 越 的 音 频 性 能 ，并 通 过 专 用 的 引