P沟道低导通电阻MOSFET系列

MOSFET选型注意事项及应用实例MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。

必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。

1）沟道的选择。

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。

在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N 沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

2）电压和电流的选择。

额定电压越大，器件的成本就越高。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。

就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。

不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220V AC 应用为450～600V。

在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。

脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。

超级结mos与沟槽mos超级结MOSFET（SJ-MOS）和沟槽MOSFET都是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的改进型，它们在结构和工作原理上有一定差异，以下为它们的主要区别：1. 结构特点：超级结MOSFET（SJ-MOS）：- SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。

P层和N层交替排列。

- 通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展受到P柱的限制。

- SJ-MOS结构在保持高电压的同时实现了低导通电阻。

沟槽MOSFET：- 沟槽MOSFET的主要特点是具有沟槽结构，沟槽两侧分别为N层和P层。

- 栅极通过沟槽与源极和漏极相连，从而降低了栅极电荷。

- 沟槽MOSFET的制造工艺相较于常规MOSFET更加复杂，主要体现在沟槽的填充外延制造方法上。

2. 工作原理：超级结MOSFET（SJ-MOS）：- SJ-MOS在正向导通时，P柱起到降低导通电阻的作用。

- 在反向阻断时，P柱限制了耗尽层的扩展，从而提高了隔离电压。

- SJ-MOS具有低导通电阻、高开关速度、低栅极电荷等优点。

沟槽MOSFET：- 沟槽MOSFET在工作过程中，栅极通过沟槽与源极和漏极相连，形成低电阻通道。

- 沟槽MOSFET在关断状态下，栅极与沟槽之间的氧化层能够有效抑制栅极电压对漏极电流的影响。

- 沟槽MOSFET具有较低的导通电阻和较高的阻断电压。

应用领域：超级结MOSFET（SJ-MOS）和沟槽MOSFET均适用于高压（600V-800V）领域，主要应用于电机驱动系统、逆变器系统和电源管理系统等大功率电源应用。

其中，SJ-MOS在大功率电源应用领域具有较高的效率和可靠性，如太阳能逆变器、电动汽车驱动电源等。

沟槽MOSFET则在常规电源应用中表现出较低的导通电阻和较高的阻断电压，有助于提高系统性能。

总之，超级结MOSFET和沟槽MOSFET都是针对传统MOSFET的优化结构，它们在不同的应用领域具有各自的优势。

正确选择MOSFET四大要素作为电气系统中的基本部件，MOSFET需要工程师深入了解其关键特性及指标，以做出正确选型。

本文讲述正确选择MOSFET的方法，包括确定N/P沟道、确定额定电流、确定热要求、决定开关性能四大步骤，根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。

MOSFET的选择MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET 的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。

必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。

在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。

额定电压越大，器件的成本就越高。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。

就选择MOSFET 而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。

七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。

选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。

那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。

首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。

MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。

从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。

额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。

此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。

ldmos工作原理LDMOS工作原理。

LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），在射频和微波功率放大器中得到广泛应用。

LDMOS器件具有低电阻、高电压和高频特性，因此在无线通信、广播、雷达和其他射频应用中具有重要作用。

本文将介绍LDMOS的工作原理，以便更好地理解其在功率放大器中的应用。

LDMOS的结构。

LDMOS器件通常由N型衬底上的P型沟道和N型扩散层组成。

在P型沟道区域，有一层金属氧化物绝缘层（MOS结构），用于控制沟道中的电子流。

P型沟道和N型扩散层之间的结构使得LDMOS器件具有较高的耐压能力，适合用于高电压应用。

LDMOS的工作原理。

当在LDMOS器件的门极上施加正向电压时，形成的电场使P型沟道中的电子被吸引到N型扩散层，从而形成导通通道。

当信号电压施加在沟道上时，电子将在沟道中形成连续的电流，从而实现信号的放大。

在LDMOS器件中，电子的主要流动路径是沿着P型沟道和N型扩散层的界面。

由于P型沟道的电阻较低，电子在沟道中的移动速度较快，因此LDMOS器件能够实现较高的电流传输能力。

同时，N型扩散层的结构使得LDMOS器件能够承受较高的电压，适合用于功率放大器等高压应用。

LDMOS的优势。

与其他功率MOSFET相比，LDMOS器件具有较低的电阻和较高的耐压能力，适合用于高频、高功率的射频应用。

同时，LDMOS器件的制造工艺成熟，成本相对较低，因此在市场上得到了广泛的应用。

总结。

LDMOS器件是一种常见的功率MOSFET，具有较低的电阻、较高的耐压能力和较高的频率特性。

其工作原理是通过在P型沟道和N型扩散层之间形成导通通道，实现信号的放大。

在射频和微波功率放大器中，LDMOS器件具有重要作用，广泛应用于无线通信、广播、雷达等领域。

通过本文的介绍，相信读者对LDMOS器件的工作原理有了更深入的理解，能够更好地应用于实际工程中。

【产品名称】P沟道MOSFET--AP9435/APM9435/SI9435
【产品类别】集成电路
【市场价】
【本站价】
【产品用途】 P沟道MOSFET
【产品规格】 AP9435/APM9435/SI9435
【生产厂家】
【产品说明】 P沟道MOSFET--AP9435/APM9435/SI9435
简介:
AP9435/APM9435/SI9435是单路增强型的P沟道MOSFET。

每个MOSFET连续电流可达5A. 耐压可达30V。

据有低漏电流，低导通电阻等特点。

典型导通内阻为50mR @ -10v。

均为小型SOP8封装。

封装:SOP-8。

特征:
GS间电压：±25V
GS间漏电流：<100nA
低导通电阻：-10v时典型50mR, -4.5v时典型70mR
DS间耐压：典型35V
DS间漏电流：<1uA
控制启动电压：典型1.4v
DS连续电流：可达5A
内部二级管压降：<1.2V
应用:
DC-DC转换器
锂电池保护板
MP3,MP4,GPS
移动电源
液晶显示器
SI2301是P沟道增强型功率场采用高单元密度的DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

这种低损耗需采用小尺寸封装。

用途：笔记本电源管理，便携式设备，电池电源系统，DC／DC转换，负载开关，LCD显示适配器。

MOSFET的简述及工作原理及应用领域解析描述MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。

由于MOSFET的尺寸非常小，因此MOSFET既可以是核心也可以是集成电路，可以在单个芯片中进行设计和制造。

MOSFET器件的引入带来了电子开关领域的变化。

1 什么是MOSFET？MOSFET是具有源极（Source），栅极（Gate），漏极（Drain）和主体（Body）端子的四端子设备。

通常，MOSFET的主体与源极端子连接，从而形成诸如场效应晶体管的三端子器件。

MOSFET通常被认为是晶体管，并且在模拟和数字电路中都使用。

这是MOSFET的基本介绍。

该设备的一般结构如下：场效应晶体管根据上述MOSFET结构，MOSFET的功能取决于沟道宽度中发生的电气变化以及载流子（空穴或电子）的流动。

电荷载流子通过源极端子进入通道，并通过漏极离开。

沟道的宽度由称为栅极的电极上的电压控制，该电极位于源极和漏极之间。

它与极薄的金属氧化物层附近的通道绝缘。

器件中存在的MOS容量是整个操作的关键部分。

带有端子的MOSFETMOSFET可以通过两种方式发挥作用：1）耗尽模式（Depletion Mode）2）增强模式（Enhancement Mode）耗尽模式当栅极端子两端没有电压时，该通道将显示其最大电导。

而当栅极端子两端的电压为正或负时，则沟道电导率会降低。

举例：增强模式当栅极端子两端没有电压时，该器件将不导通。

当栅极端子两端的电压最大时，该器件将显示出增强的导电性。

增强模式2 MOSFET的工作原理MOSFET器件的主要原理是能够控制源极端子和漏极端子之间的电压和电流。

它几乎像一个开关一样工作，并且该设备的功能基于MOS电容器。

MOS电容器是MOSFET的主要部分。