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第20章习题 门电路和组合逻辑电路S10101B为实现图逻辑表达式的功能，请将TTL 电路多余输入端C 进行处理（只需一种处理方法），Y 1的C 端应接 ，Y 2的C 端应接 ，解：接地、悬空S10203G在F = AB +CD 的真值表中，F =1的状态有( )。
A. 2个 B. 4个 C. 3个 D. 7个 解：DS10203N某与非门有A 、B 、C 三个输入变量，当B =1时，其输出为( )。
A. 0 B. 1 C. AC D. AC 解：CS10204B在数字电路中，晶体管的工作状态为( )。
A. 饱和 B. 放大 C. 饱和或放大 D. 饱和或截止 解：DS10204I逻辑电路如图所示，其逻辑函数式为( )。
A. B A B A +B. AB B A +C. B A B A +D. A AB + 解：CS10204N已知F =AB +CD ，选出下列可以肯定使F = 0的情况( )。
A. A = 0，BC = 1 B. B = C = 1 C. C = 1，D = 0 D. AB = 0，CD = 0 解：DS10110B三态门电路的三种可能的输出状态是 ， ， 。
解：逻辑1、逻辑0、高阻态1&B1&≥1逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析当输出F 为“1”的时刻应是( )。
A. t 1B. t 2C. t 3解：AS10211I图示逻辑电路的逻辑式为( )。
A. F =A B AB +B. B A AB F =C. F =()A B AB + 解：BS10212I逻辑电路如图所示，其功能相当于一个( )。
A. 门B. 与非门C. 异或门 解：CS10216B图示逻辑电路的逻辑式为( )。
A. F =A B +A BB. F =AB AB +C. F =AB +A B 解：CS10217B逻辑图如图（a ）所示，输入A 、B 的波形如图（b ），试分析在t 1瞬间输出F 为( )。
电工学习题2014-下册..第14章半导体器件一、选择题1、对半导体而言，其正确的说法是（）。
（1）P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。
（2）N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。
（3）P型半导体和N型半导体本身都不带电。
2、在图14-1所示电路中，Uo为（）。
（1）-12V （2）-9V （3）-3V-+图14-1+o--图14-33、在图14-2所示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（）。
（1）D1、D2截止，D3导通（2）D1截至，D2、D3导通（3）D1、D2、D3均导通4、在图14-3所示电路中，稳压二极管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和7V，其正向压降可忽略不计，则Uo为（）。
（1）5V （2）7V （3）0V5、在放大电路中，若测得某晶体管的三个极的电位分别为6V，1.2V和1V，则该管为（）。
（1）NPN型硅管（2）PNP型锗管（3）NPN型锗管6、对某电路的一个NPN型的硅管进行测试，测得UBE>0，UBC>0，UCE>0，则此管工作在（）。
（1）放大区（2）饱和区（3）截至区7、晶体管的控制方式为（）。
（1）输入电流控制输出电压（2）输入电流控制输出电流（3）输入电压控制输出电压二、判断题1、晶体管处于放大区，其PN结一定正偏。
（）2、三极管由二极管构成的，三极管具有放大作用，故二极管也具有放大作用。
（）3、二极管正向导通，反向截止，当反向电压等于反向击穿电压时，二极管失效了，故所有的二极管都不可能工作在反向击穿区。
（）三、填空题1、若本征半导体中掺入某5价杂质元素，可成为，其多数载流子为。
若在本征半导体中掺入某3价杂质元素，可成为，其少数载流子为。
资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除2资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除32、PN 结的P 区接电源的正极，N 区接负极称PN 结为 ，PN 结的P 区接电源的负极，N 区接正极称PN 结为 。
《电子技术基础》课程学习指导书第14章 半导体二极管和三极管一、选择题：14.1 半导体的导电能力（ c )。
(a) 与导体相同 （b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间14。
2 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c )。
(a ） 带正电 (b ） 带负电 （c) 不带电 14。
3 N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）. （a) 带负电 （b ） 带正电 (c) 不带电14.4 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ b ）。
(a ） 变窄 （b ） 变宽 (c) 不变 14。
5 普通半导体二极管是由( a )。
(a ）一个PN 结组成 （b ）两个PN 结组成 （c ）三个PN 结组成14。
6 电路如图所示，直流电压U I =10 V,稳压管的稳定电压U Z =6 V ，则限流电阻R 上的压降U R 为（ c ）。
(a)10V （b ）6V （c)4V (d ）—4VRO14。
7 电路如图所示，已知u I=3V，则晶体管T此时工作在（ b )。
（a)放大状态 (b）截止状态 (c）饱和状态10V1kΩβ=50二、填空题：14。
8 半导体二极管的主要特点是具有单向导电性 .14。
9 理想二极管的正向电阻为 0 .14.10 理想二极管的反向电阻为无穷大 .14。
11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压大于PN结的死区电。
14。
12 N型半导体中的多数载流子是自由电子。
14。
13 P型半导体中的多数载流子是空穴。
三、计算题14.14 电路如图所示，二极管D为理想元件，U S=5 V，求电压u O。
u OUo=Us=5V14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，u i=3sin ωt V ，U =3V ，当ωt =0瞬间,求输出电压u O 。
u OUo=0v14。
16 电路如图所示，输入信号u i=6sin ωt V 时，求二极管D 承受的最高反向电压。
