半导体清洗技术24页PPT
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半导体硅晶圆等离子体清洗技术是一种常见的半导体表面清洗技术,利用等离子体对表面进行清洗,可以去除表面的有机物、金属等杂质,从而提高半导体器件的质量和稳定性。
该技术的原理是利用等离子体的化学反应和物理作用对物体表面进行清洗。
在清洗过程中,首先将半导体器件放入真空腔体内,抽真空,然后通过加入氢气、氧气等工艺气体,达到稳定的气压值,启动等离子发生器,在高频电场的作用下产生等离子体。
等离子体中的离子和自由基通过化学反应和物理反应处理物体表面的有机物、金属等杂质发生反应,将其分解、氧化、还原等,最终清除表面杂质。
半导体硅晶圆等离子体清洗步骤包括表面预处理,将半导体器件表面的油污、灰尘等杂质清除干净,以保证等离子清洗的效果。
然后进行等离子体清洗,通过等离子体对表面进行清洗,去除表面的有机物、金属等杂质。
在此过程中,需要根据不同的清洗要求选择不同的工艺气体和参数,以达到最佳的清洗效果。
接下来进行表面后处理,将清洗后的表面进行干燥、还原等处理,以避免表面氧化和污染。
最后进行质量检测,对清洗后的半导体器件进行质量检测,包括表面粗糙度、清洁度等方面进行检测,以确保清洗效果符合要求。
半导体硅晶圆等离子体清洗技术具有清洗效果好、适用范围广、环保等优点。
该技术不仅可以用于半导体器件的清洗,还可以用于太阳能电池、平板显示器等领域。
同时,该技术具有环保特点,不会产生有害物质,也不会对环境造成污染。
总之,半导体硅晶圆等离子体清洗技术是一种非常有效的半导体表面清洗技术,可以大大提高半导体器件的质量和稳定性,同时具有环保等优点,值得推广和应用。
半导体工艺-晶圆清洗(精)晶圆清洗摘要:介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法, 并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。
关键词:湿法清洗;RCA清洗;稀释化学法;IMEC清洗法;单晶片清洗;干法清洗中图分类号:TN305.97 文献标识码:B 文章编号:1003-353X(2003)09-0044-041前言半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染,很容易造成晶片内电路功能的损坏,形成短路或断路等,导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。
因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。
干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下,有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。
2污染物杂质的分类IC制程中需要一些有机物和无机物参与完成,另外,制作过程总是在人的参与下在净化室中进行,这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。
根据污染物发生的情况,大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。
2.1 颗粒颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。
通常颗粒粘附在硅表面,影响下一工序几何特征的形成及电特性。
根据颗粒与表面的粘附情况分析,其粘附力虽然表现出多样化,但主要是范德瓦尔斯吸引力,所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切,逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积,最终将其去除。
2.2 有机物有机物杂质在IC制程中以多种形式存在,如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。
每种污染物对IC 制程都有不同程度的影响,通常在晶片表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶片表面。
半导体湿法清洗工艺详细介绍1. 引言半导体湿法清洗是半导体制造过程中非常重要的一环,它能有效地去除半导体表面的污染物,确保半导体器件的质量和性能。
本文将详细介绍半导体湿法清洗工艺的流程、清洗液的选择和清洗设备的应用。
2. 清洗工艺流程半导体湿法清洗工艺的流程通常包括以下几个步骤:2.1 表面预处理在进行湿法清洗之前,需要对半导体表面进行预处理,以去除表面的杂质和背景污染。
常见的预处理方法包括溶剂清洗、超声波清洗和热处理。
2.2 主要清洗主要清洗是半导体湿法清洗过程中最关键的一步。
主要清洗使用一种或多种专用的清洗液来去除表面的污染物。
常用的清洗液包括酸性清洗液、碱性清洗液和氧化剂清洗液。
清洗液的选择要根据半导体表面的污染物种类和浓度程度来确定。
2.3 去离子水清洗主要清洗后,需要进行去离子水清洗,以去除清洗液残留和离子污染物。
去离子水清洗通常使用反渗透水系统或离子交换树脂来获得高纯度的水。
2.4 干燥最后一步是将半导体器件进行干燥,以避免水分残留引起的污染和损坏。
常见的干燥方法包括自然干燥、热风干燥和氮气吹干。
3. 清洗液的选择选择适合的清洗液是半导体湿法清洗工艺中非常重要的一步。
清洗液的选择要考虑以下几个因素:3.1 半导体表面的污染物种类和浓度不同的污染物对应不同的清洗液。
例如,有机污染物可以使用有机溶剂清洗液去除,无机污染物可以使用酸性或碱性清洗液去除。
3.2 清洗液的温度和浓度清洗液的温度和浓度会影响清洗效果。
一般来说,提高清洗液的温度和浓度可以加速清洗速度和提高清洗效果,但过高的温度或浓度可能会对半导体器件产生不良影响。
3.3 清洗液的纯度清洗液的纯度直接影响清洗效果和半导体器件的性能。
高纯度的清洗液可以有效地去除污染物,避免引入新的污染物。
4. 清洗设备的应用半导体湿法清洗通常需要使用专门的清洗设备来实施。
清洗设备的选择要考虑以下几个因素:4.1 清洗液的稳定性清洗设备要能够稳定地提供清洗液,并能够控制清洗液的温度和浓度。